JPH0824081B2 - チップ部品の製造方法 - Google Patents

チップ部品の製造方法

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JPH0824081B2
JPH0824081B2 JP61160017A JP16001786A JPH0824081B2 JP H0824081 B2 JPH0824081 B2 JP H0824081B2 JP 61160017 A JP61160017 A JP 61160017A JP 16001786 A JP16001786 A JP 16001786A JP H0824081 B2 JPH0824081 B2 JP H0824081B2
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JP
Japan
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film
solder
tin
electrode
manufacturing
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JP61160017A
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泰宏 進藤
幸雄 辻本
伊佐見 斉藤
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子機器の軽量化、薄型化、小型化に寄与す
る電子部品の一種であるチップ部品の製造方法に関する
ものである。
従来の技術 従来、この種のチップ部品は、第4図に示すような構
成であった。第4図は従来例として角板形チップ抵抗器
の断面図を示しており、1はガラス被覆膜、2はアルミ
ナ系絶縁基板、3は抵抗体、4は銀系電極膜、5はニッ
ケル膜、6は電気メッキ法で析出させたはんだまたはス
ズ膜であり、特開昭54-26458号公報、実公昭58-21282号
公報、実公昭55-21283号公報、特公昭58-10843号公報お
よび実開昭60-192401号公報等にも関連技術が記載され
ている。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、第4図のはんだまたはス
ズ膜6がメッキ膜であり、表面が第5図の電子顕微鏡写
真でその表面状態を示すように粗面になっており、表面
積が非常に大になっている。このため、それらの膜は異
物の吸蔵や吸着がしやすくなり、長期間保存した場合に
は電極表面が酸化等の化学変化を起こし、プリント基板
への実装はんだ付時にははんだ付不良を発生させる可能
性が大であるという問題点があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、チップ
部品の電極部表面積を小にし、しかも平滑化してはんだ
濡れ性の改善と長期の保存に対してはんだ付の信頼性を
向上させることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明の製造方法は、下
地電極膜と、この下地電極膜上に前記下地電極膜よりも
融点が低いとともに前記下地電極膜と親和性の良い最外
装電極膜とを有する電極部とを備え、前記最外装電極膜
は、フラックス処理およびはんだまたはスズの融点より
も高温の熱処理による再融点処理によりはんだまたはス
ズメッキ膜を形成することを特徴とするものである。
作用 この構成によれば、電極最外装部のメッキ膜が加熱す
ることにより溶融されているため、溶融時に表面張力が
働き、表面積は最小になっており、この状態で冷却し、
チップ部品として使用または保存するため、メッキ膜そ
のままの状態と比較して極めて表面積が小さくなり、し
かも表面も平滑になって保存中に異物の付着やガスの吸
着が極端に少なくなる。また、溶融時に表面あるいはく
ぼみの内部に吸着していた異物、ガス類も放出されるの
で、最外装の膜自体も不純物を含まない清潔な膜にな
り、はんだ濡れ性およびはんだ付信頼性の向上につなが
ることとなる。
実施例 以下、本発明の一実施例について添付図面を参照しな
がら説明する。
第1図は本発明の一実施例による角板形チップ抵抗器
の斜視図であり、第2図は第1図のA−B線より見た断
面図である。これら第1図および第2図において、従来
例と同一箇所には同一番号を付して説明は省略する。
第1図および第2図において、7ははんだまたはスズ
膜で、はんだまたはスズ膜をニッケル膜5上に電気メッ
キ法で析出させた後、そのはんだまたはスズの融点より
高い温度で熱処理がほどこされ、再溶融によって形成さ
れたはんだまたはスズ膜である。
このように本発明におけるチップ抵抗器が従来例と異
なるところは、電極部の最外装電極膜にはんだまたはス
ズメッキ膜を使用し、しかもそのはんだまたはスズメッ
キ膜は、はんだまたはスズの融点よりも高温で熱処理を
ほどこし、電極部に最外装部が再溶融はんだまたはスズ
メッキ膜で被覆されたものであることを特徴とする点で
ある。ここで、はんだまたはスズメッキ膜の下地電極膜
(ここではニッケル膜5)はこのはんだまたはスズメッ
キ膜よりも融点が高く、しかもこのはんだまたはスズメ
ッキ膜と親和性の良い金属材料で構成されていることが
必要である。
以下に、上記再溶融金属膜であるはんだまたはスズ膜
7の具体的な製造方法について一例を説明する。
まず、銀系電極膜4を備えたアルミナ系絶縁基板2上
に、抵抗体3として導電性グレーズ膜を20μm、ニッケ
ル膜5を5μm、最外装膜としてスズ:鉛=60:40(融
点は約183℃)の電気メッキはんだ膜12μmのものを試
作する。
次に、その試作したものを次工程での再溶融はんだま
たはスズ膜からなるはんだ(またはスズ)膜7を溶融し
て硬化させて形成する前工程として、電気メッキはんだ
膜の表面を平滑にするため、ロジン系フラックスに浸漬
させて、フラックス処理を行う。
最後に、前工程でフラックス処理したものを加熱炉に
て220℃、60秒間の加熱処理を行う。これにより電極部
の最外装部に再溶融はんだまたはスズ膜からなるはんだ
(またはスズ)膜7を形成することができる。
このようにして得られたチップ抵抗器の表面状態を第
3図に示す。この第3図は熱処理後の電極表面の1500倍
の電子顕微鏡写真であり、上述した従来例の第5図も同
じ条件(ただし、電気メッキ膜は熱処理せず)で作成し
たチップ抵抗器の電極表面の同じく1500倍の電子顕微鏡
写真である。これら第3図、第5図の電極表面を比較す
ると、未熱処理の従来品の表面は凹凸の激しい粗面であ
り、熱処理した本発明品の表面ははんだメッキ膜を溶融
させているため平滑になており、その分だけ表面積は小
さくなっていることが解る。
ここで、上記の実施例においては、最外装膜のはんだ
またはスズメッキ膜として電気メッキ膜を使用した場合
について説明したが、これは均一な厚みのメッキ膜が得
られる点では化学メッキではんだまたはスズメッキ膜を
作成することもできるものである。
また、上記実施例における電極部の各構成材料は、
銀、ニッケル、はんだまたはスズメッキ膜に限定される
ものではない。
なお、はんだまたはスズメッキ膜の融点は100〜550
℃、膜厚は1μm以上であることが好ましい。まず、10
0℃未満の場合ははんだ付した後、再溶融はんだ膜が部
品使用中に自己発熱で溶融してしまうことがあり、550
℃を越える場合は低抗体や被覆膜が破壊されてしまい、
チップ部品としての性能を保持できなくなる恐れがあ
る。また、膜厚が1μm未満の場合、熱処理後に均一な
膜が形成できなく、実装時のはんだ付の信頼性が落ちる
ことになり、保管中に酸化してしまうことにもなる。こ
の膜厚は8〜15μmが非常にはんだ付がしやすいもので
ある。
発明の効果 以上のように本発明のチップ部品の製造方法によれ
ば、次の通りの効果が得られる。
(1)電極表面を熱処理したものは、メッキ膜のみのも
のより平滑になり、表面の酸化、異物の付着およびガス
類の吸着が減少し、長期間の保存に対してもはんだ付の
信頼性が確保できる。
(2)電極表面が平滑なため、このチップ部品をプリン
ト基板に実装する際、他のものと接触する場合滑りがよ
く、実装効率が良い。
(3)一度溶融しているので、はんだ付時のはんだ濡れ
性が良く、はんだ付不良が減少する。
(4)メッキ膜に比べて表面積が小さいので、保存中の
ガス類の吸着が少なく、はんだ付時にはんだからの発泡
がなく、はんだ仕上げもピンホールなどもなく、きれい
であるとともに電子回路の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における角板形チップ抵抗器
の斜視図、第2図は同第1図のA−B線の断面図、第3
図は同チップ抵抗器の電極表面の粒子構造を示す電子顕
微鏡写真、第4図は従来の角板形チップ抵抗器の断面
図、第5図は同チップ抵抗器の電極表面の粒子構造を示
す電子顕微鏡写真である。 1……ガラス被覆膜、2……アルミナ系絶縁基板、3…
…低抗体、4……銀系電極膜、5……ニッケル膜、7…
…熱処理により溶融されたはんだまたはスズ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 伊佐見 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−121415(JP,A)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下地電極膜と、この下地電極膜上に前記下
    地電極膜よりも融点が低いとともに、前記下地電極膜と
    親和性の良い最外装電極膜とを有する電極部とを備え、
    前記最外装電極膜は、フラックス処理およびはんだまた
    はスズの融点よりも高温の熱処理による再溶融処理によ
    りはんだまたはスズメッキ膜を形成することを特徴とす
    るチップ部品の製造方法。
  2. 【請求項2】はんだまたはスズメッキの融点は、100℃
    〜550℃である特許請求の範囲1項記載のチップ部品の
    製造方法。
  3. 【請求項3】はんだまたはスズメッキ膜の膜厚は、1μ
    m以上である特許請求項1記載のチップ部品の製造方
    法。
JP61160017A 1986-07-08 1986-07-08 チップ部品の製造方法 Expired - Lifetime JPH0824081B2 (ja)

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JPS6315401A JPS6315401A (ja) 1988-01-22
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02265201A (ja) * 1989-04-05 1990-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ部品
JPH02265203A (ja) * 1989-04-05 1990-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ部品
JPH02265202A (ja) * 1989-04-05 1990-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ部品
JP2967666B2 (ja) * 1992-12-08 1999-10-25 株式会社村田製作所 チップ型電子部品

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0770411B2 (ja) * 1984-11-19 1995-07-31 松下電器産業株式会社 チツプ電子部品の製造方法

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JPS6315401A (ja) 1988-01-22

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