JPS59176907A - マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス - Google Patents
マイクロ波用誘電体共振器セラミツクスInfo
- Publication number
- JPS59176907A JPS59176907A JP5110883A JP5110883A JPS59176907A JP S59176907 A JPS59176907 A JP S59176907A JP 5110883 A JP5110883 A JP 5110883A JP 5110883 A JP5110883 A JP 5110883A JP S59176907 A JPS59176907 A JP S59176907A
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- JP
- Japan
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- plating
- layer
- solution
- electrode layer
- dielectric substance
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、自動車電話等に使用される誘電体共振器セ
ラミックスに関する。
ラミックスに関する。
一般に、マイクロ波用誘電体共振器として用いられるセ
ラミックスは、自由空間中に置かれた時に生ずる放射損
より導体損の方が小さいため、そのセラミックス自体の
周辺を導体でじゃへいして使用する場合が多く、電気抵
抗の小さい金属、一般にはＣｕ又はＡｇが用いられる。
ラミックスは、自由空間中に置かれた時に生ずる放射損
より導体損の方が小さいため、そのセラミックス自体の
周辺を導体でじゃへいして使用する場合が多く、電気抵
抗の小さい金属、一般にはＣｕ又はＡｇが用いられる。
特に、前記マイクロ波用誘電体共振器セラミックスが高
周波領域で使用される場合は、共振器フィルターとして
の損失を少なくするために表皮効果を考慮する必要があ
り、すぐれた共振器フィルターを得るには、マイクロ波
相誘電体セラミックス共振器の表面に、Ｃｕ又はＡｇの
厚膜を付着させるのである。
周波領域で使用される場合は、共振器フィルターとして
の損失を少なくするために表皮効果を考慮する必要があ
り、すぐれた共振器フィルターを得るには、マイクロ波
相誘電体セラミックス共振器の表面に、Ｃｕ又はＡｇの
厚膜を付着させるのである。
しかし、Ｃｕペースト法によりＣｕ厚膜を形成する場合
、コスト的にＡｇペースト法と大差がなく、又焼成が大
気中で出来ずＮ２ガス又はＡ【ガスの不活性ガス雰囲気
で行なう必要があり、生成される膜は酸化されやすく、
信頼性がＡｇペースト法に比べ劣るため、従来はＡｇペ
ースト法によるＡｇ膜が用いられた。
、コスト的にＡｇペースト法と大差がなく、又焼成が大
気中で出来ずＮ２ガス又はＡ【ガスの不活性ガス雰囲気
で行なう必要があり、生成される膜は酸化されやすく、
信頼性がＡｇペースト法に比べ劣るため、従来はＡｇペ
ースト法によるＡｇ膜が用いられた。
ＡＩ？ベースｌ−ＩＪＥは、一般にＡ８ペーヌトの粘度
調整−製品への塗布又は浸漬、製品の乾燥−焼成の工程
で行なイ〕れるが、その工程中Ａｇペーストの粘度のパ
ラツギはヒラミックス表面の膜厚のパラツギを引き起し
、連続的に塗装又は浸漬処理する場合は溶剤の蒸発によ
る粘度の変化等多くの問題がある。
調整−製品への塗布又は浸漬、製品の乾燥−焼成の工程
で行なイ〕れるが、その工程中Ａｇペーストの粘度のパ
ラツギはヒラミックス表面の膜厚のパラツギを引き起し
、連続的に塗装又は浸漬処理する場合は溶剤の蒸発によ
る粘度の変化等多くの問題がある。
更に、浸漬法ではセラミックス表面の浸漬処理後のＡｇ
ペーストを流下する技術が困難で、粘度を小さくしてＡ
ｇペーストの流下速度を大きくすると、Ａｇペーストの
回収、生産性は向−トするが、厚膜が得られず、又厚膜
を得るため粘度を大きくすると、Ａｇペーストの回収は
悪化し、生産性が低ドしてセラミックス表面の均一な厚
膜は得られずパラツギを生ずる。又、塗布法においては
、多面体セラミックスでは工程−Ｌ多大の困難を伴う。
ペーストを流下する技術が困難で、粘度を小さくしてＡ
ｇペーストの流下速度を大きくすると、Ａｇペーストの
回収、生産性は向−トするが、厚膜が得られず、又厚膜
を得るため粘度を大きくすると、Ａｇペーストの回収は
悪化し、生産性が低ドしてセラミックス表面の均一な厚
膜は得られずパラツギを生ずる。又、塗布法においては
、多面体セラミックスでは工程−Ｌ多大の困難を伴う。
さらに、Ａｇペースト法の焼成り程ではＡｇ粒子の焼結
が行なわれるため、Ａｇ？ｌｌｉ極層は多孔性の焼結体
となり、ちみつな金属相は得られず、又Ａｇ電極層とセ
ラミックス素地間にはフリット層が介在したり、あるい
はＡｇ粒子とフリットが混在した電極層になることがあ
り、量産的に又電気特性（Ｑ）等品質上に多くの問題が
あった。
が行なわれるため、Ａｇ？ｌｌｉ極層は多孔性の焼結体
となり、ちみつな金属相は得られず、又Ａｇ電極層とセ
ラミックス素地間にはフリット層が介在したり、あるい
はＡｇ粒子とフリットが混在した電極層になることがあ
り、量産的に又電気特性（Ｑ）等品質上に多くの問題が
あった。
この発明は、かかる現状に鑑み、Ａｇペースト法にみら
れる欠点を排除しＣｕメッキ法を採用したマイクロ波用
誘電体共振器セラミックスを提案するものである。
れる欠点を排除しＣｕメッキ法を採用したマイクロ波用
誘電体共振器セラミックスを提案するものである。
すなわち、この発明は、誘電体共振器セラミックスの表
面に重金属の中間層を介在して１０μ〜３０μのＣｕメ
ッキ層からなる電極層を有するマイクロ波用誘電体共振
器セラミックス、及び前記Ｃｕメッキ層を第１電極層と
し、該第１電極層表面上に５μ以下のＡｇメッキ層、８
μ以下のＮｉメッキ層、６μ以下のＳｎメッキ層、７μ
以下のＺ、メッキ層、８μ以下のＣｄメッキ層、及び５
Ｉｔ以下のハンダ層のうちいずれかの層からなる。
面に重金属の中間層を介在して１０μ〜３０μのＣｕメ
ッキ層からなる電極層を有するマイクロ波用誘電体共振
器セラミックス、及び前記Ｃｕメッキ層を第１電極層と
し、該第１電極層表面上に５μ以下のＡｇメッキ層、８
μ以下のＮｉメッキ層、６μ以下のＳｎメッキ層、７μ
以下のＺ、メッキ層、８μ以下のＣｄメッキ層、及び５
Ｉｔ以下のハンダ層のうちいずれかの層からなる。
この発明におけるマイクロ波用誘電体共振器セラミック
スとしては、Ｔｉｅ、を主成分とするＴｉｅ。
スとしては、Ｔｉｅ、を主成分とするＴｉｅ。
−ＢａＯ系、Ｔｈｏ２□＝ ＣａＯ系、Ｔｉｅ、 −５
ｒｏ２系等すべての誘電体を使用することができる。
ｒｏ２系等すべての誘電体を使用することができる。
ス、セラミックス表面に形１戊する中間層は第１電極層
の密着性を向トさせるのに有効であり、その中間層はＡ
、、Ｐｔ）等の重金属を用いるが、層厚は１１原子膜で
１−分である。この中間層を形成するには、セラミック
ス素地の表面を混酸溶液？こより粗化処理して塩化第一
ずず等金属を主体とする溶液で感受性化処理した後、Ａ
ｇ、Ｐｂ等の重金属を還元付着して活性化処理を行なう
のである。
の密着性を向トさせるのに有効であり、その中間層はＡ
、、Ｐｔ）等の重金属を用いるが、層厚は１１原子膜で
１−分である。この中間層を形成するには、セラミック
ス素地の表面を混酸溶液？こより粗化処理して塩化第一
ずず等金属を主体とする溶液で感受性化処理した後、Ａ
ｇ、Ｐｂ等の重金属を還元付着して活性化処理を行なう
のである。
第１電極層のＣｕメッキ層厚は、１０μ未満では導体の
表皮効果により電気抵抗が大となり、誘電体共振器の無
負荷Ｑ値が大きくなり望ましくなく、又３０μを超える
と有効なＣｕメッキ層が形成されず、メッキ処理時間も
長くなり作業性が悪くなるので、ＩＯμ〜３０μに限定
した。
表皮効果により電気抵抗が大となり、誘電体共振器の無
負荷Ｑ値が大きくなり望ましくなく、又３０μを超える
と有効なＣｕメッキ層が形成されず、メッキ処理時間も
長くなり作業性が悪くなるので、ＩＯμ〜３０μに限定
した。
なお、第２電極層は第１電極層の酸化防止のために有効
であるが、Ａｇメッキ層及びハンダ層は５μ、Ｓｎメッ
キ層は６μ、ｚｎメッキ層は７μ、Ｎｉメッキ層及びＣ
ｄメッキ層は８μを、それぞれ超えて厚くするとメッキ
処理時間が長くなり、又メッキ液濃度が犬となり、第１
電極層のＣｕメッキ層の酸化を促進し、誘電体共振器の
無色前Ｑ値が劣化するので望ま［２くない。
であるが、Ａｇメッキ層及びハンダ層は５μ、Ｓｎメッ
キ層は６μ、ｚｎメッキ層は７μ、Ｎｉメッキ層及びＣ
ｄメッキ層は８μを、それぞれ超えて厚くするとメッキ
処理時間が長くなり、又メッキ液濃度が犬となり、第１
電極層のＣｕメッキ層の酸化を促進し、誘電体共振器の
無色前Ｑ値が劣化するので望ま［２くない。
この発明における第１電極層及び第２電極層はメッキ層
のため、膜厚が均一かつ空孔のない、ちみつな金属相が
得られ、セラミックス素子とＣｕメッキ層の第１電極層
は活性化処理により得られたＡｇ又はＰｂ等重金属の中
間層を介在して強固に密着するため、電気特性（Ｑ）が
６００以上のバラツキのない品質良好なものが得られる
。
のため、膜厚が均一かつ空孔のない、ちみつな金属相が
得られ、セラミックス素子とＣｕメッキ層の第１電極層
は活性化処理により得られたＡｇ又はＰｂ等重金属の中
間層を介在して強固に密着するため、電気特性（Ｑ）が
６００以上のバラツキのない品質良好なものが得られる
。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
外径２Ｏｆｆ、内径５ ｆｌ 、高さ２５ｍ＋１のＴｉ
０ｙ ＢａＯ系誘電体の表面を１０％Ｎａ□Ｈ溶液で
脱脂し、さらにＩ（Ｆ −ＨＮＯ，混合溶液で表面粗化
処理を行い水洗した後、塩化第一すず溶液（５ｎＣＪｉ
’ｚ ・２ Ｈｔｏ ４０ ？にＨｃｌ’ｌ０ｍ１を加
え水１１で希釈）により感受性化処理を行い、引続き硝
酸銀溶液（ＡｇＮＯ３１，５ｙにＮＨ，ＯＨＬ２ｍｌｌ
を加え水１ｇで希釈）に浸漬した後１０％ホルマリン溶
液により厚さ０．８μのＡｇ層を還元付着させて活性化
処理した。
０ｙ ＢａＯ系誘電体の表面を１０％Ｎａ□Ｈ溶液で
脱脂し、さらにＩ（Ｆ −ＨＮＯ，混合溶液で表面粗化
処理を行い水洗した後、塩化第一すず溶液（５ｎＣＪｉ
’ｚ ・２ Ｈｔｏ ４０ ？にＨｃｌ’ｌ０ｍ１を加
え水１１で希釈）により感受性化処理を行い、引続き硝
酸銀溶液（ＡｇＮＯ３１，５ｙにＮＨ，ＯＨＬ２ｍｌｌ
を加え水１ｇで希釈）に浸漬した後１０％ホルマリン溶
液により厚さ０．８μのＡｇ層を還元付着させて活性化
処理した。
次いて、ド記Ａ液とＢ液を３：１で混合した無電解ＣＵ
メツギ浴に浸漬し、４０”Ｃで４．８．１４．２４時間
それぞれ保持してＣ，メッキ処理した。
メツギ浴に浸漬し、４０”Ｃで４．８．１４．２４時間
それぞれ保持してＣ，メッキ処理した。
Ａ液：ロツヒル塩４６ｙ、 Ｎａ０１■９１ｉ’ 、
Ｎａ２ＣＯ３４，２ｙを水１４て希釈した液 Ｂ液： ＣＩＪＳＯ４１４Ｐ、ＮｉＣｌ２４ｙ、ホルマ
リン５４ｍ４を水ｔｇで希釈した液 上記銅メツキ処理した場合のメッキ条件、メッキ厚、電
気損失（Ｑ）及び判定結果を第１表に示す。
Ｎａ２ＣＯ３４，２ｙを水１４て希釈した液 Ｂ液： ＣＩＪＳＯ４１４Ｐ、ＮｉＣｌ２４ｙ、ホルマ
リン５４ｍ４を水ｔｇで希釈した液 上記銅メツキ処理した場合のメッキ条件、メッキ厚、電
気損失（Ｑ）及び判定結果を第１表に示す。
なお、電気損失（Ｑ）は誘電体共振器法（測定周波数は
２ （ＧＨ２））により測定し、又判定結果は実際に共
振器フィルグーに使用したときの結果で、（−）印は実
用化のめどとなる無負荷Ｑ値が６００以上のもの、Ｘ印
は無負荷Ｑ値が６（）０未満のものを示す。又、実施例
２以Ｆの電気損失（Ｑ）及び判定結果も上記と同じであ
る。
２ （ＧＨ２））により測定し、又判定結果は実際に共
振器フィルグーに使用したときの結果で、（−）印は実
用化のめどとなる無負荷Ｑ値が６００以上のもの、Ｘ印
は無負荷Ｑ値が６（）０未満のものを示す。又、実施例
２以Ｆの電気損失（Ｑ）及び判定結果も上記と同じであ
る。
第 １ 表
実施例２
実施例１と同じ誘電体に、同じ処理を行なって無電解Ｃ
ｕメッキを施し水洗をした後、下記Ｃ液とＢ液を１：１
で混合した無電解メッキ浴に浸漬し、常温で１０分及び
１２０分間保持してＡｇメッキ処理を施した。
ｕメッキを施し水洗をした後、下記Ｃ液とＢ液を１：１
で混合した無電解メッキ浴に浸漬し、常温で１０分及び
１２０分間保持してＡｇメッキ処理を施した。
Ｃ液： ＡｇＮ０．２０ｙにＮＨ，ＯＨを少量加え水ｉ
で希釈した液 り液：ロツセル塩 １００ｙを水’７００ｍ１で希釈し
た液 上記銅メッキ処理した場合のメッキ条件、メッキ厚、誘
電損失（Ｑ）及び判定結果を第２表に示す。
で希釈した液 り液：ロツセル塩 １００ｙを水’７００ｍ１で希釈し
た液 上記銅メッキ処理した場合のメッキ条件、メッキ厚、誘
電損失（Ｑ）及び判定結果を第２表に示す。
第 ２ 表
実施例３
実施例１と同じ誘電体に、同じ処理を行なって無電解Ｃ
Ｕメツギを施し水洗をした後、無電解Ｎｉメツギ浴（硫
酸ニッケル５５ｙ、次亜リン酸ナトリウム１ ｏｙ 、
ｖｊ’ｅ酸ナトリウム７ｙ、クエン酸ナトリウノ、２
０ｙを水１１で希釈）に浸漬し、４０°Ｃで１（）分及
び１２０分保持してＮｉメッキ処理を行なった。
Ｕメツギを施し水洗をした後、無電解Ｎｉメツギ浴（硫
酸ニッケル５５ｙ、次亜リン酸ナトリウム１ ｏｙ 、
ｖｊ’ｅ酸ナトリウム７ｙ、クエン酸ナトリウノ、２
０ｙを水１１で希釈）に浸漬し、４０°Ｃで１（）分及
び１２０分保持してＮｉメッキ処理を行なった。
この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電ｍ１Ｑ）及び判
定結果を第３表に示す。
定結果を第３表に示す。
第３表
実施例４
実施例１と同じ誘電体に、同じように表面粗化処理、感
受性化処理を施した後、塩化パラジウム溶液（塩化パラ
ジウム０．８ｙを水１１に溶解希釈し塩酸でＰＨ５に調
整）に５０℃で１分浸漬し、さらにｌＯチホルマリン溶
液に浸して０．７μのＰｄ層を還元付着させて活性化処
理を行ない、次いで電気銅メッキ液（ｃｕｓｏ、 ２０
０ｙＨｔＳＯｔ ５０１ｉ’を水ｔｇで希釈）に浸漬し
、電流密度６ Ａ／ｄｍ’で１０．２８゜８０、４５分
間それぞれ電気銅メッキ処理し、さらに実施例２の無電
解銀メツキ処理条件で２０分、２４０分の無電１’ｌｆ
Ａｇメッキ処理を行なった。この場合のメッキ条件、
メッキ厚、誘電損失（Ｑ）及び判定結果を第４表に示す
。
受性化処理を施した後、塩化パラジウム溶液（塩化パラ
ジウム０．８ｙを水１１に溶解希釈し塩酸でＰＨ５に調
整）に５０℃で１分浸漬し、さらにｌＯチホルマリン溶
液に浸して０．７μのＰｄ層を還元付着させて活性化処
理を行ない、次いで電気銅メッキ液（ｃｕｓｏ、 ２０
０ｙＨｔＳＯｔ ５０１ｉ’を水ｔｇで希釈）に浸漬し
、電流密度６ Ａ／ｄｍ’で１０．２８゜８０、４５分
間それぞれ電気銅メッキ処理し、さらに実施例２の無電
解銀メツキ処理条件で２０分、２４０分の無電１’ｌｆ
Ａｇメッキ処理を行なった。この場合のメッキ条件、
メッキ厚、誘電損失（Ｑ）及び判定結果を第４表に示す
。
第 ４ 表
実施例５
実施例４と同じ条件で電気銅メッキ処理した後、実施例
３と同じ条件の無電解ニッケル浴中で２０分、２４０分
間処理した。この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電損
失（Ｑ）及び判定結果を第５表に示す。
３と同じ条件の無電解ニッケル浴中で２０分、２４０分
間処理した。この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電損
失（Ｑ）及び判定結果を第５表に示す。
第 ５ 表
実施例６
実施例４と同じ条件の電気銅メッキ処理した後、電気す
ずメッキ浴（すず酸カリウム１００ｙ、水酸化カリウム
１５ｙ、酢酸カリウムｌＯｙを水１１で希釈）中で、電
流密度６Ａ／ｄ−で３分、９分間電気すずメッキ処理を
した。この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電損失（Ｑ
）及び判定結果を第６表に示す。
ずメッキ浴（すず酸カリウム１００ｙ、水酸化カリウム
１５ｙ、酢酸カリウムｌＯｙを水１１で希釈）中で、電
流密度６Ａ／ｄ−で３分、９分間電気すずメッキ処理を
した。この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電損失（Ｑ
）及び判定結果を第６表に示す。
第 ６ 表
実施例７
実施例４と同じ条件の電気銅メッキ処理した後、電気ハ
ンダメッキ浴（第一すｆｔ５ｙ、ｍ１ｏｙ。
ンダメッキ浴（第一すｆｔ５ｙ、ｍ１ｏｙ。
遊離硼弗酸４００ｙ、ベプトニ５ｙを水ｌｌで希釈）中
で、電流密度１．５ Ａ／ ｄ ｎ？で１２分、３８分
間電気ハングメッキ処理した。この場合のメッキ条件、
メッキ厚、誘電損失（Ｑ）及び判定結果を第７表に示す
。
で、電流密度１．５ Ａ／ ｄ ｎ？で１２分、３８分
間電気ハングメッキ処理した。この場合のメッキ条件、
メッキ厚、誘電損失（Ｑ）及び判定結果を第７表に示す
。
第 ７ 表
実施例８
実施例４と同じ条件の電気銅メッキ処理をした後、電気
亜鉛メッキ浴（金属亜鉛８４ｇｌ、シアン化ナトリウム
９２ｙ、水酸化ナトリウム７９ｙを水１１で希釈）中で
、電流密度６Ａ／ａｍ’で３分及び１８分間電気亜鉛メ
ッキ処理した。この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電
損失（Ｑ）及び判定結果を第８表に示す。
亜鉛メッキ浴（金属亜鉛８４ｇｌ、シアン化ナトリウム
９２ｙ、水酸化ナトリウム７９ｙを水１１で希釈）中で
、電流密度６Ａ／ａｍ’で３分及び１８分間電気亜鉛メ
ッキ処理した。この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電
損失（Ｑ）及び判定結果を第８表に示す。
第 ８ 表
実施例９
実施例４と同じ条件の電気銅メッキ処理をした後、電気
カドミウム浴（塩化カドミウム８０ｐ、シアン化ナトリ
ウム１００ｙを水１１で希釈）中で、電流密度１．５Ａ
／ｄｍ’で１２分、４５分間電気カドミウムメッキ処理
した。この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電損失（Ｑ
）及び判定結果を第９表に示す。
カドミウム浴（塩化カドミウム８０ｐ、シアン化ナトリ
ウム１００ｙを水１１で希釈）中で、電流密度１．５Ａ
／ｄｍ’で１２分、４５分間電気カドミウムメッキ処理
した。この場合のメッキ条件、メッキ厚、誘電損失（Ｑ
）及び判定結果を第９表に示す。
第 ９ 表
この発明は上記のごとく、誘電体共振器セラミックスに
形成する導体被膜は均一な厚膜とすることができ、誘電
体共振器としてすぐれた高周波特性を有し、かつ量産に
より安価に製造できる。
形成する導体被膜は均一な厚膜とすることができ、誘電
体共振器としてすぐれた高周波特性を有し、かつ量産に
より安価に製造できる。
出願人 住友特殊金属株式会社
代理人 押 １） 良 久
−３：
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 誘電体共振器セラミックスの表面に重金属の中間層
を介在してＩＯμ〜３０μのＣｕメッキ層からなる電極
層を有することを特徴とするマイクロ波用誘電体共振器
セラミックス。 ２ 誘電体共振器セラミックスの表面に重金属の中間層
を介在してｌＯμ〜３０μのＣｕメッキ層からなる第１
電極層と、該第１電極層表面上に５μ以下のＡｇメッキ
層、８μ以下のＮｉメッキ層、６μ以ドのＳｎメツギ層
、７μ以下のＺ。メッキ層、８μ以下のＣｄメッギ層、
及び５ ／ｌ以下のハンダ層のうちいずれかの層からな
る第２電極層を有することを特徴とするマイクロ波用誘
電体共振器セラミックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5110883A JPS59176907A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5110883A JPS59176907A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59176907A true JPS59176907A (ja) | 1984-10-06 |
Family
ID=12877604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5110883A Pending JPS59176907A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59176907A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313504A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
| JPS6477840A (en) * | 1988-05-27 | 1989-03-23 | Sumitomo Spec Metals | Manufacture of dielectric resonator ceramics for microwave |
| JPH0220093A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Tdk Corp | 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 |
| JPH04160904A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
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| JPS56146302A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Alps Electric Co Ltd | Microwave filter |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP5110883A patent/JPS59176907A/ja active Pending
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