JPH04160904A - 誘電体共振器の製造方法 - Google Patents
誘電体共振器の製造方法Info
- Publication number
- JPH04160904A JPH04160904A JP28912190A JP28912190A JPH04160904A JP H04160904 A JPH04160904 A JP H04160904A JP 28912190 A JP28912190 A JP 28912190A JP 28912190 A JP28912190 A JP 28912190A JP H04160904 A JPH04160904 A JP H04160904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- heat treatment
- base body
- dielectric resonator
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910015806 BaTiO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229940057995 liquid paraffin Drugs 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は通信機器等に用いられる高周波用の誘電体共振
器及びその製造方法に関するものであも従来の技術 従来 高周波用の誘電体共振器の導電膜として銀が一般
的に用いられている。銀の導電膜を形成させる場合、銀
の焼付は法が用いられてきフラ そのために少なくと
も銀とガラスフリットを混合した銀ペーストを筆塗り等
の手段で誘電体セラミックに付着させ、熱処理によって
誘電体セラミック表面に銀金属を焼き付けて導電膜を形
成していたこのために銀は本来６． ０６ｘｌＯ’（１
／Ω・Ｃｍ）の導電率を有している力（この焼付は方法
による銀導電膜はガラスフリットが混在しているためへ
その導電率の約８０％に低下すム しかしこのガラス
フリットは本来 高周波用の誘電体セラミックと銀金属
の密着強度を得る目的で添加されているので、このガラ
スフリットが混在しない銀ペーストで導電膜を形成しよ
うとすると、導電膜と誘電体セラミックの密着強度が著
しく低下限導電膜として用いる事ができなしち また銀
は高価な金属でもあるので、製造コストが掛かるという
事も懸念されていも そこで、高価な銀に対して安価な銅を導電膜として用い
る試みもなされていａ 通象 銅導電膜を形成する場合
、鍍金法による導電膜形成がなされも しかし鍍金法に
よって形成されたままの導電膜ては導電率が低いために
その導電膜が形成された誘電体共振器のＱ値か小さく
なるので、導電膜をセラミックの上に形成した後に 導
電膜に窒素やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理を施し
導電膜の導電率を高くしていた 熱処理を不活性ガス中
で行なう理由（よ 導電膜か′酸化して半田付は性が悪
くなったり、接触抵抗が大きくなるのを防止するためで
あム 発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような銅導電膜の形成方法で（よ 不
活性ガス中で熱処理を行なわなければならないために
工程が複雑になり生産性が悪いとし１う問題点を有して
い九 また−船釣に銅で作成した導電膜は腐食し易いと
いう問題点も有してい九本発明は前記従来の問題点を解
決するもので、熱処理を不活性ガス中等の工数の掛かる
環境下ではなく工数の掛からない大気中で熱処理を行な
ってＱ値を高くする事ができ、 しかも耐候性が良い誘
電体共振器及びその製造方法を提供する事を目的として
いも 課題を解決するための手段 この目的を達成するために 誘電体セラミックによって
形成さた筒型の基体の内周面及び外周面及び一方の端面
上に銅で構成された第１の導電膜をそれぞれ設置す、そ
の第１の導電膜上に半田か錫の少なくとも一方で構成さ
れた第２の導電膜を設は九 作 用 この構成により、不活性ガス中でなく大気中で熱処理し
ても銅膜が酸化することはなり〜実 施 例 第１図は本発明の一実施例における誘電体共振器を示す
斜視図であム 第１図において１はＢａＴｌＯ２系やＭ
ａＴｉＯｅ系の高周波用の誘電体セラミック材料で構成
された円筒状の基体 ２は基体１の一端面を除いた全表
面に形成された第１の導電膜で、第１の導電膜は銅で構
成されていも３は第１の導電膜２の上に厚さ２μｍで形
成された第２の導電膜で、第２の導電膜は半田か錫の少
なくとも一方によって形成されていも 以上の様に構成された本実施例の誘電体共振器について
その製造方法を説明すも まずＢａＴｉＱｔ系やＭ ａ Ｔ ｉ Ｑ ２系の高周
波用の誘電体セラミック材料でできた混練物を内径２゜
Ｏｍｒｒｘ 外径８．０ｍｍ、 高さ１４．０ｍｍ
の円筒状に成形し焼成して基体１を作成すも この時基
体１の表面粗さを０． １μｍ−１５，０μｍの間にな
るように調整すム 次に基体１の内周面及び外周面及び
両端巨 すなわち基体ｌの全表面に鍍金法によって第１
の導電膜２を形成す４ 次に第１の導電！Ｉ２の上に鍍
金法によって半田か錫の少なくとも一方によって形成さ
れた第２の導電膜３を形成すも 次に第１及び第２の導
電膜２，３を形成た基体１を大気中で１００℃〜３００
℃の間で熱処理を施す。次に一端面に研磨加工等を施し
て、その端面の第１及び第２の導電膜２，３を取り除く
。この様に′ｉＪ１図に示す様な誘電体共振器を作成し
た 次に第１の導電膜２の厚さ及び熱処理の温度と誘電体共
振器のＱ値の関係について説明すもまず第１の導電膜２
を無電解鍍金法によって形成すも この時第１の導電膜
２の膜厚を２μｍ〜１０μｍの間で変化させたサンプル
を複数作成し丸 。次に第１の導電膜２の上に電気半田
鍍金法により第２の導電膜３を２μｍの厚さで形成した
次に大気中で熱処理を施す力丈 その時の熱処理温度を
８０覧 １００鵞 ２００ｔ、 ３００ｔ、 ３５
０℃とした この時熱処理時間が３５０ｔ、３００鵞
２００℃の時は約３０分、 １００℃の時は３時阻 ８
０℃の時は数十時間行なった そして第１の導電膜２の
膜厚及び熱処理温度によって誘電体共振器のＱ値がどの
様に変化するかを第２図にまとめ九 第２図は第１の導
電膜の膜厚とＱ値の関係を表わしたグラフであム 第２
図から判るように第１の導電膜の膜厚が３μｍ以上であ
ればＱ値はほぼ一定で安定していム また第２図に示す
一点鎖線Ａは導電膜として銀膜を用（＼ その銀膜の厚
さを３０μｍ〜４０μｍ（通常用いられる膜厚）とした
時のＱ値であ４ 従って第１の導電膜が３μｍ以上であ
れば 従来用いられている銀の導電膜よりもＱ値が大き
いことが判も また第２図から熱処理温度も１００℃か
ら３００℃であれば十分にＱ値が大きいことがわかも
また１００℃以下または３００℃以上であるとＱ値か他
の温度に比べて非常に小さいことがわがム 以上の様に
第１の導電膜の膜厚は３μｍ以上で、しかも熱処理温度
を１００℃〜３００℃の間にすればＱ値を十分大きくす
ることができも 次に他の実施例について説明すも 基体１及び第２の導電膜３及び外見は第１図に示したも
のと同じで、 しかも熱処理を大気中で行な（＼ しか
もその時の熱処理温度を１００℃＝３００℃とする等の
製造方法においても同じ方法であａ しかし第１の導電
膜の作成方法が異な４すなわちまず基体ｌの上に無電解
銅鍍金法によって銅膜を０．５μｍ〜２．０μｍを形成
し その銅膜の上に第１の導電膜が３μｍ以上となるよ
うに電気銅鍍金法によって他の銅膜を積層すも この様
にまず無電解銅鍍金法により下地膜を形成しその下地膜
上に電気銅鍍金法によって他の銅膜を形成する事で、第
１の導電膜の形成速度を速くする事ができも これは以
下の理由によるものであａ 無電解銅鍍金法で銅膜を形
成しようとすると、形成速度が非常に遅しも 従っであ
る程度無電解銅鍍金法によって銅膜を形成した後は形成
速度の速い電気銅鍍金法によって形成した方が第１の導
電膜の形成は遠くなム それでは最初から電気銅鍍金法
によって作成すれば良いように思える力丈 基体ｌはセ
ラミックすなわち絶縁体で構成されているために最初か
ら電気銅鍍金法では基体１上に銅膜を形成できないから
であム このように構成された他の実施例においても第
１の導電膜の厚さ及び熱処理温度に対する誘電体共振器
のＱ値の関係を第３図に示しへ 第３図かられかる様に
第２図に示した結果とほぼ同じで、 ２層構造の第１の
導電膜を３μｍ以上形成し しかも熱処理温度を１００
℃〜３００℃の間にする事で、誘電体共振器のＱ値を大
きくする事ができも また第２の導電膜を電気半田鍍金
法によって形成したけれどＬ電気錫鍍金法によって形成
された錫膜でも同様の効果を得る事ができた 次に他の実施例の誘電体共振器と従来の銅だけを導電膜
として持つ誘電体共振器についてＪＩＳ５０２８による
塩水噴霧試験を行なっ總 この結果を第４図に示す。第
４図では塩水噴霧実験の前と後の無負荷Ｑ値の変化と共
振周波数の変化をそれぞれ下段及び上段に記載した 第
４図から判るように従来の誘電体共振器では試験の前と
後ではＱ値及び共振周波数が大幅に異なっている。これ
は塩水によって銅膜が腐食した事によるものだと考えら
れも しかしながら他の実施例の誘電体共振器で（よ
試験の前と後ではＱ値及び共振周波数の変化はほとんど
見られなかっ九 次に第２の導電膜（半田膜か錫膜）の膜厚について説明
すも 実施例及び他の実施例では第２の導電膜の厚みを
２μｍとしだ力（実際は１μｍ以上あれば所定の特性を
得る事ができる。膜厚が１μｍ以下では熱処理の際に第
１の導電膜に拡散したり、また酸化する事によって第２
の導電膜が消失してしまう事があるので、せめて第２の
導電膜の膜厚は１μｍ以上にする事が必要であん まだ
先はど膜厚は１μｍ以上であれば良いと述べたけれども
生産性の面からみると、第２の導電膜の膜厚はせめて５
μｍ以下が良（−これは第２の導電膜の厚さが５μｍ以
上になると鍍金時間が長くなってしまう、からであム
しかし特性面からみると１μｍ以上であればさしつかえ
な５〜 次に基体１の表面粗さについて説明する。第５図は基体
ｌの面粗さと導電膜と基体との密着強度及び無負荷Ｑ値
の関係をそれぞれ下段及び上段に記載しｆ−第５図から
判るように面粗さが０．１μｍ以上であれば密着強度は
ほぼ０．８以上となるので、面粗さが０．１μｍ以上で
あれば密着強度の点からみれば良いことがわかる。また
面粗さが１５．０μｍ以上であると、Ｑ値が急激に低下
している事がわかａ 従ってＱ値の面からみると面粗さ
は１５μｍ以下の方が望ましく−従って以上の事実から
基体１の面粗さは０．１μｍ〜１５゜０μｍの範囲が望
ましい事かわかム 以上の様に本実施例によれ＋−１基体ｌの上に銅ででき
た第１の導電膜を形成し その上に半田か錫でできた第
２の導電膜を形成した誘電体共振器において、第２の導
電膜を設けた事により、大気中で熱処理を行なう事がで
きるようになるので、従来の様に不活性ガス中で熱処理
するためにいろいろな設備が不要となり、 しかも工数
が減少するので生産性が向上すム 又第１の導電膜の厚
さを３μｍ以上にし しかも基体１及び第１及び第２の
導電膜の熱処理温度を１００℃〜３００℃にししかも基
体の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍにする事によ
って高いＱ値を得る事ができ、第１の導電膜と基体１の
密着強度を大きくする事ができも なお本実施例において熱処理を大気中で行なったけれど
Ｌ シリコーンや流動パラフィン等の高温オイル中で熱
処理しても同様の効果を得る事ができ九 発明の効果 本発明（よ 誘電体セラミックによって形成さた筒型の
基体の内周面及び外周面及び一方の端面上に銅で構成さ
れた第１の導電膜をそれぞれ設け、その第１の導電膜上
に半田か錫の少なくとも一方で構成された第２の導電膜
を設けた事により、不活性ガス中でなく大気中で熱処理
しても銅膜が酸化することはないので、従来のように不
活性ガス中で熱処理するための設備や不要となり、 し
かも工数が減るので生産性が向上すム 又耐候性も向上
させる事ができるので、寿命を長くする事ができも
器及びその製造方法に関するものであも従来の技術 従来 高周波用の誘電体共振器の導電膜として銀が一般
的に用いられている。銀の導電膜を形成させる場合、銀
の焼付は法が用いられてきフラ そのために少なくと
も銀とガラスフリットを混合した銀ペーストを筆塗り等
の手段で誘電体セラミックに付着させ、熱処理によって
誘電体セラミック表面に銀金属を焼き付けて導電膜を形
成していたこのために銀は本来６． ０６ｘｌＯ’（１
／Ω・Ｃｍ）の導電率を有している力（この焼付は方法
による銀導電膜はガラスフリットが混在しているためへ
その導電率の約８０％に低下すム しかしこのガラス
フリットは本来 高周波用の誘電体セラミックと銀金属
の密着強度を得る目的で添加されているので、このガラ
スフリットが混在しない銀ペーストで導電膜を形成しよ
うとすると、導電膜と誘電体セラミックの密着強度が著
しく低下限導電膜として用いる事ができなしち また銀
は高価な金属でもあるので、製造コストが掛かるという
事も懸念されていも そこで、高価な銀に対して安価な銅を導電膜として用い
る試みもなされていａ 通象 銅導電膜を形成する場合
、鍍金法による導電膜形成がなされも しかし鍍金法に
よって形成されたままの導電膜ては導電率が低いために
その導電膜が形成された誘電体共振器のＱ値か小さく
なるので、導電膜をセラミックの上に形成した後に 導
電膜に窒素やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理を施し
導電膜の導電率を高くしていた 熱処理を不活性ガス中
で行なう理由（よ 導電膜か′酸化して半田付は性が悪
くなったり、接触抵抗が大きくなるのを防止するためで
あム 発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような銅導電膜の形成方法で（よ 不
活性ガス中で熱処理を行なわなければならないために
工程が複雑になり生産性が悪いとし１う問題点を有して
い九 また−船釣に銅で作成した導電膜は腐食し易いと
いう問題点も有してい九本発明は前記従来の問題点を解
決するもので、熱処理を不活性ガス中等の工数の掛かる
環境下ではなく工数の掛からない大気中で熱処理を行な
ってＱ値を高くする事ができ、 しかも耐候性が良い誘
電体共振器及びその製造方法を提供する事を目的として
いも 課題を解決するための手段 この目的を達成するために 誘電体セラミックによって
形成さた筒型の基体の内周面及び外周面及び一方の端面
上に銅で構成された第１の導電膜をそれぞれ設置す、そ
の第１の導電膜上に半田か錫の少なくとも一方で構成さ
れた第２の導電膜を設は九 作 用 この構成により、不活性ガス中でなく大気中で熱処理し
ても銅膜が酸化することはなり〜実 施 例 第１図は本発明の一実施例における誘電体共振器を示す
斜視図であム 第１図において１はＢａＴｌＯ２系やＭ
ａＴｉＯｅ系の高周波用の誘電体セラミック材料で構成
された円筒状の基体 ２は基体１の一端面を除いた全表
面に形成された第１の導電膜で、第１の導電膜は銅で構
成されていも３は第１の導電膜２の上に厚さ２μｍで形
成された第２の導電膜で、第２の導電膜は半田か錫の少
なくとも一方によって形成されていも 以上の様に構成された本実施例の誘電体共振器について
その製造方法を説明すも まずＢａＴｉＱｔ系やＭ ａ Ｔ ｉ Ｑ ２系の高周
波用の誘電体セラミック材料でできた混練物を内径２゜
Ｏｍｒｒｘ 外径８．０ｍｍ、 高さ１４．０ｍｍ
の円筒状に成形し焼成して基体１を作成すも この時基
体１の表面粗さを０． １μｍ−１５，０μｍの間にな
るように調整すム 次に基体１の内周面及び外周面及び
両端巨 すなわち基体ｌの全表面に鍍金法によって第１
の導電膜２を形成す４ 次に第１の導電！Ｉ２の上に鍍
金法によって半田か錫の少なくとも一方によって形成さ
れた第２の導電膜３を形成すも 次に第１及び第２の導
電膜２，３を形成た基体１を大気中で１００℃〜３００
℃の間で熱処理を施す。次に一端面に研磨加工等を施し
て、その端面の第１及び第２の導電膜２，３を取り除く
。この様に′ｉＪ１図に示す様な誘電体共振器を作成し
た 次に第１の導電膜２の厚さ及び熱処理の温度と誘電体共
振器のＱ値の関係について説明すもまず第１の導電膜２
を無電解鍍金法によって形成すも この時第１の導電膜
２の膜厚を２μｍ〜１０μｍの間で変化させたサンプル
を複数作成し丸 。次に第１の導電膜２の上に電気半田
鍍金法により第２の導電膜３を２μｍの厚さで形成した
次に大気中で熱処理を施す力丈 その時の熱処理温度を
８０覧 １００鵞 ２００ｔ、 ３００ｔ、 ３５
０℃とした この時熱処理時間が３５０ｔ、３００鵞
２００℃の時は約３０分、 １００℃の時は３時阻 ８
０℃の時は数十時間行なった そして第１の導電膜２の
膜厚及び熱処理温度によって誘電体共振器のＱ値がどの
様に変化するかを第２図にまとめ九 第２図は第１の導
電膜の膜厚とＱ値の関係を表わしたグラフであム 第２
図から判るように第１の導電膜の膜厚が３μｍ以上であ
ればＱ値はほぼ一定で安定していム また第２図に示す
一点鎖線Ａは導電膜として銀膜を用（＼ その銀膜の厚
さを３０μｍ〜４０μｍ（通常用いられる膜厚）とした
時のＱ値であ４ 従って第１の導電膜が３μｍ以上であ
れば 従来用いられている銀の導電膜よりもＱ値が大き
いことが判も また第２図から熱処理温度も１００℃か
ら３００℃であれば十分にＱ値が大きいことがわかも
また１００℃以下または３００℃以上であるとＱ値か他
の温度に比べて非常に小さいことがわがム 以上の様に
第１の導電膜の膜厚は３μｍ以上で、しかも熱処理温度
を１００℃〜３００℃の間にすればＱ値を十分大きくす
ることができも 次に他の実施例について説明すも 基体１及び第２の導電膜３及び外見は第１図に示したも
のと同じで、 しかも熱処理を大気中で行な（＼ しか
もその時の熱処理温度を１００℃＝３００℃とする等の
製造方法においても同じ方法であａ しかし第１の導電
膜の作成方法が異な４すなわちまず基体ｌの上に無電解
銅鍍金法によって銅膜を０．５μｍ〜２．０μｍを形成
し その銅膜の上に第１の導電膜が３μｍ以上となるよ
うに電気銅鍍金法によって他の銅膜を積層すも この様
にまず無電解銅鍍金法により下地膜を形成しその下地膜
上に電気銅鍍金法によって他の銅膜を形成する事で、第
１の導電膜の形成速度を速くする事ができも これは以
下の理由によるものであａ 無電解銅鍍金法で銅膜を形
成しようとすると、形成速度が非常に遅しも 従っであ
る程度無電解銅鍍金法によって銅膜を形成した後は形成
速度の速い電気銅鍍金法によって形成した方が第１の導
電膜の形成は遠くなム それでは最初から電気銅鍍金法
によって作成すれば良いように思える力丈 基体ｌはセ
ラミックすなわち絶縁体で構成されているために最初か
ら電気銅鍍金法では基体１上に銅膜を形成できないから
であム このように構成された他の実施例においても第
１の導電膜の厚さ及び熱処理温度に対する誘電体共振器
のＱ値の関係を第３図に示しへ 第３図かられかる様に
第２図に示した結果とほぼ同じで、 ２層構造の第１の
導電膜を３μｍ以上形成し しかも熱処理温度を１００
℃〜３００℃の間にする事で、誘電体共振器のＱ値を大
きくする事ができも また第２の導電膜を電気半田鍍金
法によって形成したけれどＬ電気錫鍍金法によって形成
された錫膜でも同様の効果を得る事ができた 次に他の実施例の誘電体共振器と従来の銅だけを導電膜
として持つ誘電体共振器についてＪＩＳ５０２８による
塩水噴霧試験を行なっ總 この結果を第４図に示す。第
４図では塩水噴霧実験の前と後の無負荷Ｑ値の変化と共
振周波数の変化をそれぞれ下段及び上段に記載した 第
４図から判るように従来の誘電体共振器では試験の前と
後ではＱ値及び共振周波数が大幅に異なっている。これ
は塩水によって銅膜が腐食した事によるものだと考えら
れも しかしながら他の実施例の誘電体共振器で（よ
試験の前と後ではＱ値及び共振周波数の変化はほとんど
見られなかっ九 次に第２の導電膜（半田膜か錫膜）の膜厚について説明
すも 実施例及び他の実施例では第２の導電膜の厚みを
２μｍとしだ力（実際は１μｍ以上あれば所定の特性を
得る事ができる。膜厚が１μｍ以下では熱処理の際に第
１の導電膜に拡散したり、また酸化する事によって第２
の導電膜が消失してしまう事があるので、せめて第２の
導電膜の膜厚は１μｍ以上にする事が必要であん まだ
先はど膜厚は１μｍ以上であれば良いと述べたけれども
生産性の面からみると、第２の導電膜の膜厚はせめて５
μｍ以下が良（−これは第２の導電膜の厚さが５μｍ以
上になると鍍金時間が長くなってしまう、からであム
しかし特性面からみると１μｍ以上であればさしつかえ
な５〜 次に基体１の表面粗さについて説明する。第５図は基体
ｌの面粗さと導電膜と基体との密着強度及び無負荷Ｑ値
の関係をそれぞれ下段及び上段に記載しｆ−第５図から
判るように面粗さが０．１μｍ以上であれば密着強度は
ほぼ０．８以上となるので、面粗さが０．１μｍ以上で
あれば密着強度の点からみれば良いことがわかる。また
面粗さが１５．０μｍ以上であると、Ｑ値が急激に低下
している事がわかａ 従ってＱ値の面からみると面粗さ
は１５μｍ以下の方が望ましく−従って以上の事実から
基体１の面粗さは０．１μｍ〜１５゜０μｍの範囲が望
ましい事かわかム 以上の様に本実施例によれ＋−１基体ｌの上に銅ででき
た第１の導電膜を形成し その上に半田か錫でできた第
２の導電膜を形成した誘電体共振器において、第２の導
電膜を設けた事により、大気中で熱処理を行なう事がで
きるようになるので、従来の様に不活性ガス中で熱処理
するためにいろいろな設備が不要となり、 しかも工数
が減少するので生産性が向上すム 又第１の導電膜の厚
さを３μｍ以上にし しかも基体１及び第１及び第２の
導電膜の熱処理温度を１００℃〜３００℃にししかも基
体の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍにする事によ
って高いＱ値を得る事ができ、第１の導電膜と基体１の
密着強度を大きくする事ができも なお本実施例において熱処理を大気中で行なったけれど
Ｌ シリコーンや流動パラフィン等の高温オイル中で熱
処理しても同様の効果を得る事ができ九 発明の効果 本発明（よ 誘電体セラミックによって形成さた筒型の
基体の内周面及び外周面及び一方の端面上に銅で構成さ
れた第１の導電膜をそれぞれ設け、その第１の導電膜上
に半田か錫の少なくとも一方で構成された第２の導電膜
を設けた事により、不活性ガス中でなく大気中で熱処理
しても銅膜が酸化することはないので、従来のように不
活性ガス中で熱処理するための設備や不要となり、 し
かも工数が減るので生産性が向上すム 又耐候性も向上
させる事ができるので、寿命を長くする事ができも
第１図は本発明の一実施例における誘電体共振器を示す
斜視＠ 第２図は同第１の導電膜とＱ値の関係を示すグ
ラフ、第３図は他の実施例の第１の導電膜とＱ値の関係
を示すグラフ、第４図は従来と本実施例の各々の誘電体
共振器の塩水噴霧実験の前と後のＱ値及び共振周波数の
変化を示すグラフ、第５図は基体の面粗さとＱ値及び第
１の導電膜と基体１の密着強度の関係を示すグラフであ
ｌ・・・・・・基体 ２・・・・・・第
１の導電膜３・・・・・・第２の導電膜 ４・・
・・・・第１の導電膜代理人の氏名 弁理士 小鍜治
明 ほか２名第１図 第２図 ムーム３５０℃ 膜厚（ｐｍ） 膜厚（ｐｍｌ 第４図 （銅層だけ） （調子半田） 第５図 表面粗２！！（ｐｍ）
斜視＠ 第２図は同第１の導電膜とＱ値の関係を示すグ
ラフ、第３図は他の実施例の第１の導電膜とＱ値の関係
を示すグラフ、第４図は従来と本実施例の各々の誘電体
共振器の塩水噴霧実験の前と後のＱ値及び共振周波数の
変化を示すグラフ、第５図は基体の面粗さとＱ値及び第
１の導電膜と基体１の密着強度の関係を示すグラフであ
ｌ・・・・・・基体 ２・・・・・・第
１の導電膜３・・・・・・第２の導電膜 ４・・
・・・・第１の導電膜代理人の氏名 弁理士 小鍜治
明 ほか２名第１図 第２図 ムーム３５０℃ 膜厚（ｐｍ） 膜厚（ｐｍｌ 第４図 （銅層だけ） （調子半田） 第５図 表面粗２！！（ｐｍ）
Claims (7)
- （１）誘電体セラミックによって形成された筒型の基体
と、前記基体の内周面及び外周面及び一方の端面上にそ
れぞれ膜付けされ銅で構成された第１の導電膜と、前記
第１の導電膜上に半田か錫の少なくとも一方で構成され
た第２の導電膜を設けた事を特徴とする誘電体共振器。 - （２）第１の導電膜の厚さを３μｍ以上にし、第２の導
電膜の厚さを１μｍ〜５μｍにした事を特徴とする請求
項第１項記載の誘電体共振器。 - （３）第１の導電膜を０．５μｍ〜２．０μｍの無電解
鍍金層とその上に形成された電気鍍金層とで構成された
事を特徴とする請求項第２項記載の誘電体共振器 - （４）基体の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍにし
た事を特徴とする請求項第２項記載の誘電体共振器。 - （５）誘電体セラミックよって形成された筒型の基体の
表面に銅でできた第１の導電膜を形成し、前記第１の導
電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で構成された第２
の導電膜を積層し、その後に前記基体及び前記第１及び
第２の導電膜に熱処理を施し、前記基体の一方の端面の
第１及び第２の導電膜を除去した事を特徴とする誘電体
共振器の製造方法。 - （６）熱処理を１００℃〜３００℃で行なったことを特
徴とする請求項第５項記載の誘電体共振器の製造方法。 - （７）熱処理を大気中で行なったことを特徴とする請求
項第６項記載の誘電体共振器の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289121A JP2776023B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 誘電体共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289121A JP2776023B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 誘電体共振器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04160904A true JPH04160904A (ja) | 1992-06-04 |
| JP2776023B2 JP2776023B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17739043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2289121A Expired - Lifetime JP2776023B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776023B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166806A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法 |
| JPS59176907A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
| JPS61121501A (ja) * | 1984-11-17 | 1986-06-09 | Tdk Corp | 誘電体共振器およびその製造方法 |
| JPH0220093A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Tdk Corp | 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 |
| JPH02126701A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2289121A patent/JP2776023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166806A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法 |
| JPS59176907A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
| JPS61121501A (ja) * | 1984-11-17 | 1986-06-09 | Tdk Corp | 誘電体共振器およびその製造方法 |
| JPH0220093A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Tdk Corp | 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 |
| JPH02126701A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2776023B2 (ja) | 1998-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4179797A (en) | Method of making a resistor array | |
| JPS61121501A (ja) | 誘電体共振器およびその製造方法 | |
| JP2633387B2 (ja) | 誘電体共振器の製造方法 | |
| JP3624395B2 (ja) | チップ型サーミスタの製造方法 | |
| JPH04160904A (ja) | 誘電体共振器の製造方法 | |
| JPH04282802A (ja) | セラミック電子部品の製造法 | |
| JPH08330105A (ja) | 電子部品 | |
| JPS58166806A (ja) | 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法 | |
| JPH11106938A (ja) | ニッケルバリアの末端終結部および方法 | |
| JP2620672B2 (ja) | 同軸誘電体共振器の製造方法 | |
| JP3460507B2 (ja) | 同軸誘電体共振素子の製造方法 | |
| JPH0548313A (ja) | 誘電体セラミツク素子の電極形成方法 | |
| JPH04144222A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
| JPS5896701A (ja) | 正特性サ−ミスタの製造方法 | |
| JPH0888104A (ja) | チップ状電子部品とその製造方法 | |
| KR19990085306A (ko) | 유전체 공진기의 제조방법 | |
| JPS58182901A (ja) | 誘電体共振器の製造方法 | |
| JPH09165685A (ja) | セラミックへのメッキ方法および誘電体共振器 | |
| JPH0661008A (ja) | サーミスタ素子の製造方法 | |
| JP2000164404A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH04344701A (ja) | 同軸誘電体共振器の製造方法 | |
| JPH04264801A (ja) | 同軸誘電体共振器 | |
| JPH08307119A (ja) | 誘電体共振器の電極形成方法 | |
| JPH0478101A (ja) | チタン酸バリウム系正特性サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH03112193A (ja) | 回路基板の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090501 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100501 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100501 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110501 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110501 Year of fee payment: 13 |