JP2776023B2 - 誘電体共振器の製造方法 - Google Patents
誘電体共振器の製造方法Info
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- JP2776023B2 JP2776023B2 JP2289121A JP28912190A JP2776023B2 JP 2776023 B2 JP2776023 B2 JP 2776023B2 JP 2289121 A JP2289121 A JP 2289121A JP 28912190 A JP28912190 A JP 28912190A JP 2776023 B2 JP2776023 B2 JP 2776023B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は通信機器等に用いられる高周波用の誘電体共
振器の製造方法に関するものである。
振器の製造方法に関するものである。
従来の技術 従来、高周波用の誘電体共振器の導電膜として銀が一
般的に用いられている。銀の導電膜を形成させる場合、
銀の焼付け法が用いられてきた。そのために少なくとも
銀とガラスフリットを混合した銀ペーストを筆塗り等の
手段で誘電体セラミックに付着させ、熱処理によって誘
電体セラミック表面に銀金属を焼き付けて導電膜を形成
していた。このために銀は本来6.06×105（1/Ω・cm）
の導電率を有しているが、この焼付け方法による銀導電
膜はガラスフリットが混在しているために、その導電率
の約80％に低下する。しかし、このガラスフリットは本
来、高周波用の誘電体セラミックと銀金属の密着強度を
得る目的で添加されているので、このガラスフリットが
混在しない銀ペーストで導電膜を形成しようとすると、
導電膜と誘電体セラミックの密着強度が著しく低下し、
導電膜として用いる事ができない。また銀は高価な金属
でもあるので、製造コストが掛かるという事も懸念され
ている。
般的に用いられている。銀の導電膜を形成させる場合、
銀の焼付け法が用いられてきた。そのために少なくとも
銀とガラスフリットを混合した銀ペーストを筆塗り等の
手段で誘電体セラミックに付着させ、熱処理によって誘
電体セラミック表面に銀金属を焼き付けて導電膜を形成
していた。このために銀は本来6.06×105（1/Ω・cm）
の導電率を有しているが、この焼付け方法による銀導電
膜はガラスフリットが混在しているために、その導電率
の約80％に低下する。しかし、このガラスフリットは本
来、高周波用の誘電体セラミックと銀金属の密着強度を
得る目的で添加されているので、このガラスフリットが
混在しない銀ペーストで導電膜を形成しようとすると、
導電膜と誘電体セラミックの密着強度が著しく低下し、
導電膜として用いる事ができない。また銀は高価な金属
でもあるので、製造コストが掛かるという事も懸念され
ている。
そこで、高価な銀に対して安価な銅を導電膜として用
いる試みもなされている。通常、銅導電膜を形成する場
合、鍍金法による導電膜形成がなされる。しかし鍍金法
によって形成されたままの導電膜では導電率が低いため
に、その導電膜が形成された誘電体共振器のＱ値が小さ
くなるので、導電膜をセラミックの上に形成した後に、
導電膜に窒素やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理を施
し、導電膜の導電率を高くしていた。熱処理を不活性ガ
ス中で行なう理由は、導電膜が酸化して半田付け性が悪
くなったり、接触抵抗が大きくなるのを防止するためで
ある。
いる試みもなされている。通常、銅導電膜を形成する場
合、鍍金法による導電膜形成がなされる。しかし鍍金法
によって形成されたままの導電膜では導電率が低いため
に、その導電膜が形成された誘電体共振器のＱ値が小さ
くなるので、導電膜をセラミックの上に形成した後に、
導電膜に窒素やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理を施
し、導電膜の導電率を高くしていた。熱処理を不活性ガ
ス中で行なう理由は、導電膜が酸化して半田付け性が悪
くなったり、接触抵抗が大きくなるのを防止するためで
ある。
発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような銅導電膜の形成方法では、不
活性ガス中で熱処理を行なわなければならないために、
工程が複雑になり生産性が悪いという問題点を有してい
た。また一般的に銅で作成した導電膜は腐食し易いとい
う問題点も有していた。
活性ガス中で熱処理を行なわなければならないために、
工程が複雑になり生産性が悪いという問題点を有してい
た。また一般的に銅で作成した導電膜は腐食し易いとい
う問題点も有していた。
本発明は前記従来の問題点を解決するもので、熱処理
を不活性ガス中等の工数の掛かる環境下ではなく工数の
掛からない大気中で熱処理を行なってＱ値を高くする事
ができ、しかも耐候性が良い誘電体共振器の製造方法を
提供する事を目的としている。
を不活性ガス中等の工数の掛かる環境下ではなく工数の
掛からない大気中で熱処理を行なってＱ値を高くする事
ができ、しかも耐候性が良い誘電体共振器の製造方法を
提供する事を目的としている。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、誘電体セラミック製であ
って貫通孔を有する基体の表面に第１の導電膜及び第２
の導電膜を順に積層し、100℃〜300℃の温度で熱処理を
行った後に、基体の一方の端面上の第１及び第２の導電
膜を除去した。
って貫通孔を有する基体の表面に第１の導電膜及び第２
の導電膜を順に積層し、100℃〜300℃の温度で熱処理を
行った後に、基体の一方の端面上の第１及び第２の導電
膜を除去した。
作用 この構成によって、第１の導電膜がむき出しにならな
い状態で熱処理を行うことができる。
い状態で熱処理を行うことができる。
実 施 例 第１図は本発明の一実施例における誘電体共振器を示
す斜視図である。第１図において１はBaTiO2系やMaTiO2
系の高周波用の誘電体セラミック材料で構成された円筒
状の基体、２は基体１の一端面を除いた全表面に形成さ
れた第１の導電膜で、第１の導電膜は銅で構成されてい
る。３は第１の導電膜２の上に厚さ２μｍで形成された
第２の導電膜で、第２の導電膜は半田か錫の少なくとも
一方によって形成されている。
す斜視図である。第１図において１はBaTiO2系やMaTiO2
系の高周波用の誘電体セラミック材料で構成された円筒
状の基体、２は基体１の一端面を除いた全表面に形成さ
れた第１の導電膜で、第１の導電膜は銅で構成されてい
る。３は第１の導電膜２の上に厚さ２μｍで形成された
第２の導電膜で、第２の導電膜は半田か錫の少なくとも
一方によって形成されている。
以上の様に構成された本実施例の誘電体共振器につい
てその製造方法を説明する。
てその製造方法を説明する。
まずBaTiO2系やMaTiO2系の高周波用の誘電体セラミッ
ク材料でできた混練物を内径2.0mm、外径8.0mm、高さ1
4.0mmの円筒状に成形し焼成して基体１を作成する。こ
の時基体１の表面粗さを0.1μｍ〜15.0μｍの間になる
ように調整する。次に基体１の内周面及び外周面及び両
端面、すなわち基体１の全表面に鍍金法によって第１の
導電膜２を形成する。次に第１の導電膜２の上に鍍金法
によって半田か錫の少なくとも一方によって形成された
第２の導電膜３を形成する。次に第１及び第２の導電膜
2,3を形成た基体１を大気中で100℃〜300℃の間で熱処
理を施す。次に一端面に研磨加工等を施して、その端面
の第１及び第２の導電膜2,3を取り除く。この様に第１
図に示す様な誘電体共振器を作成した。
ク材料でできた混練物を内径2.0mm、外径8.0mm、高さ1
4.0mmの円筒状に成形し焼成して基体１を作成する。こ
の時基体１の表面粗さを0.1μｍ〜15.0μｍの間になる
ように調整する。次に基体１の内周面及び外周面及び両
端面、すなわち基体１の全表面に鍍金法によって第１の
導電膜２を形成する。次に第１の導電膜２の上に鍍金法
によって半田か錫の少なくとも一方によって形成された
第２の導電膜３を形成する。次に第１及び第２の導電膜
2,3を形成た基体１を大気中で100℃〜300℃の間で熱処
理を施す。次に一端面に研磨加工等を施して、その端面
の第１及び第２の導電膜2,3を取り除く。この様に第１
図に示す様な誘電体共振器を作成した。
次に第１の導電膜２の厚さ及び熱処理の温度と誘電体
共振器のＱ値の関係について説明する。
共振器のＱ値の関係について説明する。
まず第１の導電膜２を無電解鍍金法によって形成す
る。この時第１の導電膜２の膜厚を２μｍ〜10μｍの間
で変化させたサンプルを複数作成した。。次に第１の導
電膜２の上に電気半田鍍金法により第２の導電膜３を２
μｍの厚さで形成した。次に大気中で熱処理を施すが、
その時の熱処理温度を80℃、100℃、200℃、300℃、350
℃とした。この時熱処理時間が350℃、300℃、200℃の
時は約30分、100℃の時は３時間、80℃の時は数十時間
行なった。そして第１の導電膜２の膜厚及び熱処理温度
によって誘電体共振器のＱ値がどの様に変化するかを第
２図にまとめた。第２図は第１の導電膜の膜厚とＱ値の
関係を表わしたグラフである。第２図から判るように第
１の導電膜の膜厚が３μｍ以上であればＱ値はほぼ一定
で安定している。また第２図に示す一点鎖線Ａは導電膜
として銀膜を用い、その銀膜の厚さを30μｍ〜40μｍ
（通常用いられる膜厚）とした時のＱ値である。従って
第１の導電膜が３μｍ以上であれば、従来用いられてい
る銀の導電膜よりもＱ値が大きいことが判る。また第２
図から熱処理温度も100℃から300℃であれば十分にＱ値
が大きいことがわかる。また100℃以下または300℃以上
であるとＱ値が他の温度に比べて非常に小さいことがわ
かる。以上の様に第１の導電膜の膜厚は３μｍ以上で、
しかも熱処理温度を100℃〜300℃の間にすればＱ値を十
分大きくすることができる。
る。この時第１の導電膜２の膜厚を２μｍ〜10μｍの間
で変化させたサンプルを複数作成した。。次に第１の導
電膜２の上に電気半田鍍金法により第２の導電膜３を２
μｍの厚さで形成した。次に大気中で熱処理を施すが、
その時の熱処理温度を80℃、100℃、200℃、300℃、350
℃とした。この時熱処理時間が350℃、300℃、200℃の
時は約30分、100℃の時は３時間、80℃の時は数十時間
行なった。そして第１の導電膜２の膜厚及び熱処理温度
によって誘電体共振器のＱ値がどの様に変化するかを第
２図にまとめた。第２図は第１の導電膜の膜厚とＱ値の
関係を表わしたグラフである。第２図から判るように第
１の導電膜の膜厚が３μｍ以上であればＱ値はほぼ一定
で安定している。また第２図に示す一点鎖線Ａは導電膜
として銀膜を用い、その銀膜の厚さを30μｍ〜40μｍ
（通常用いられる膜厚）とした時のＱ値である。従って
第１の導電膜が３μｍ以上であれば、従来用いられてい
る銀の導電膜よりもＱ値が大きいことが判る。また第２
図から熱処理温度も100℃から300℃であれば十分にＱ値
が大きいことがわかる。また100℃以下または300℃以上
であるとＱ値が他の温度に比べて非常に小さいことがわ
かる。以上の様に第１の導電膜の膜厚は３μｍ以上で、
しかも熱処理温度を100℃〜300℃の間にすればＱ値を十
分大きくすることができる。
次に他の実施例について説明する。
基体１及び第２の導電膜３及び外見は第１図に示した
ものと同じで、しかも熱処理を大気中で行ない、しかも
その時の熱処理温度を100℃〜300℃とする等の製造方法
においても同じ方法である。しかし第１の導電膜の作成
方法が異なる。すなわちまず基体１の上に無電解銅鍍金
法によって銅膜を0.5μｍ〜2.0μｍを形成し、その胴膜
の上に第１の導電膜が３μｍ以上となるように電気銅鍍
金法によって他の銅膜を積層する。この様にまず無電解
銅鍍金法により下地膜を形成し、その下地膜上に電気銅
鍍金法によって他の銅膜を形成する事で、第１の導電膜
の形成速度を速くする事ができる。これは以下の理由に
よるものである。無電解銅鍍金法で銅膜を形成しようと
すると、形成速度が非常に遅い。従ってある程度無電解
銅鍍金法によって銅膜を形成した後は形成速度の速い電
気銅鍍金法によって形成した法が第１の導電膜の形成は
速くなる。それでは最初から電気銅鍍金法によって作成
すれば良いように思えるが、基体１はセラミックすなわ
ち絶縁体で構成されているために最初から電気銅鍍金法
では基体１上に銅膜を形成できないからである。このよ
うに構成された他の実施例においても第１の導電膜の厚
さ及び熱処理温度に対する誘電体共振器のＱ値の関係を
第３図に示した。第３図からわかる様に第２図に示した
結果とほぼ同じで、２層構造の第１の導電膜を３μｍ以
上形成し、しかも熱処理温度を100℃〜300℃の間にする
事で、誘電体共振器のＱ値を大きくする事ができる。ま
た第２の導電膜を電気半田鍍金法によって形成したけれ
ども、電気錫鍍金法によって形成された錫膜でも同様の
効果を得る事ができた。
ものと同じで、しかも熱処理を大気中で行ない、しかも
その時の熱処理温度を100℃〜300℃とする等の製造方法
においても同じ方法である。しかし第１の導電膜の作成
方法が異なる。すなわちまず基体１の上に無電解銅鍍金
法によって銅膜を0.5μｍ〜2.0μｍを形成し、その胴膜
の上に第１の導電膜が３μｍ以上となるように電気銅鍍
金法によって他の銅膜を積層する。この様にまず無電解
銅鍍金法により下地膜を形成し、その下地膜上に電気銅
鍍金法によって他の銅膜を形成する事で、第１の導電膜
の形成速度を速くする事ができる。これは以下の理由に
よるものである。無電解銅鍍金法で銅膜を形成しようと
すると、形成速度が非常に遅い。従ってある程度無電解
銅鍍金法によって銅膜を形成した後は形成速度の速い電
気銅鍍金法によって形成した法が第１の導電膜の形成は
速くなる。それでは最初から電気銅鍍金法によって作成
すれば良いように思えるが、基体１はセラミックすなわ
ち絶縁体で構成されているために最初から電気銅鍍金法
では基体１上に銅膜を形成できないからである。このよ
うに構成された他の実施例においても第１の導電膜の厚
さ及び熱処理温度に対する誘電体共振器のＱ値の関係を
第３図に示した。第３図からわかる様に第２図に示した
結果とほぼ同じで、２層構造の第１の導電膜を３μｍ以
上形成し、しかも熱処理温度を100℃〜300℃の間にする
事で、誘電体共振器のＱ値を大きくする事ができる。ま
た第２の導電膜を電気半田鍍金法によって形成したけれ
ども、電気錫鍍金法によって形成された錫膜でも同様の
効果を得る事ができた。
次に他の実施例の誘電体共振器と従来の銅だけを導電
膜として持つ誘電体共振器についてJIS5028による塩水
噴霧試験を行なった。この結果を第４図に示す。第４図
では塩水噴霧実験の前と後の無負荷Ｑ値の変化と共振周
波数の変化をそれぞれ下段及び上段に記載した。第４図
から判るように従来の誘電体共振器では試験の前と後で
はＱ値及び共振周波数が大幅に異なっている。これは塩
水によって銅膜が腐食した事によるものだと考えられ
る。しかしながら他の実施例の誘電体共振器では、試験
の前と後ではＱ値及び共振周波数の変化はほとんど見ら
れなかった。
膜として持つ誘電体共振器についてJIS5028による塩水
噴霧試験を行なった。この結果を第４図に示す。第４図
では塩水噴霧実験の前と後の無負荷Ｑ値の変化と共振周
波数の変化をそれぞれ下段及び上段に記載した。第４図
から判るように従来の誘電体共振器では試験の前と後で
はＱ値及び共振周波数が大幅に異なっている。これは塩
水によって銅膜が腐食した事によるものだと考えられ
る。しかしながら他の実施例の誘電体共振器では、試験
の前と後ではＱ値及び共振周波数の変化はほとんど見ら
れなかった。
次に第２の導電膜（半田膜か錫膜）の膜厚について説
明する。実施例及び他の実施例では第２の導電膜を厚み
を２μｍとしたが、実際は１μｍ以上あれば所定の特性
を得る事ができる。膜厚が１μｍ以下では熱処理の際に
第１の導電膜に拡散したり、また酸化する事によって第
２の導電膜が消失してしまう事があるので、せめて第２
の導電膜の膜厚は１μｍ以上にする事が必要である。ま
た先ほど膜厚は１μｍ以上であれば良いと述べたけれど
も生産性の面からみると、第２の導電膜の膜厚はせめて
５μｍ以下が良い。これは第２の導電膜の厚さが５μｍ
以上になると鍍金時間が長くなってしまうからである。
しかし特性面からみると１μｍ以上であればさしつかえ
ない。
明する。実施例及び他の実施例では第２の導電膜を厚み
を２μｍとしたが、実際は１μｍ以上あれば所定の特性
を得る事ができる。膜厚が１μｍ以下では熱処理の際に
第１の導電膜に拡散したり、また酸化する事によって第
２の導電膜が消失してしまう事があるので、せめて第２
の導電膜の膜厚は１μｍ以上にする事が必要である。ま
た先ほど膜厚は１μｍ以上であれば良いと述べたけれど
も生産性の面からみると、第２の導電膜の膜厚はせめて
５μｍ以下が良い。これは第２の導電膜の厚さが５μｍ
以上になると鍍金時間が長くなってしまうからである。
しかし特性面からみると１μｍ以上であればさしつかえ
ない。
次に基体１の表面粗さについて説明する。第５図は基
体１の面粗さと導電膜と基体との密着強度及び無負荷Ｑ
値の関係をそれぞれ下段及び上段に記載した。第５図か
ら判るように面粗さが0.1μｍ以上であれば密着強度は
ほぼ0.8以上となるので、面粗さが0.1μｍ以上であれば
密着強度の点からみれば良いことがわかる。また面粗さ
が15.0μｍ以上であると、Ｑ値が急激に低下している事
がわかる。従ってＱ値の面からみると面粗さは15μｍ以
下の方が望ましい。従って以上の事実から基体１の面粗
さは0.1μｍ〜15.0μｍの範囲が望ましい事がわかる。
体１の面粗さと導電膜と基体との密着強度及び無負荷Ｑ
値の関係をそれぞれ下段及び上段に記載した。第５図か
ら判るように面粗さが0.1μｍ以上であれば密着強度は
ほぼ0.8以上となるので、面粗さが0.1μｍ以上であれば
密着強度の点からみれば良いことがわかる。また面粗さ
が15.0μｍ以上であると、Ｑ値が急激に低下している事
がわかる。従ってＱ値の面からみると面粗さは15μｍ以
下の方が望ましい。従って以上の事実から基体１の面粗
さは0.1μｍ〜15.0μｍの範囲が望ましい事がわかる。
以上の様に本実施例によれば、基体１の上に銅ででき
た第１の導電膜を形成し、その上に半田か錫でできた第
２の導電膜を形成した誘電体共振器において、第２の導
電膜を設けた事により、大気中で熱処理を行なう事がで
きるようになるので、従来の様に不活性ガス中で熱処理
するためにいろいろな設備が不要となり、しかも工数が
減少するので生産性が向上する。又第１の導電膜の厚さ
を３μｍ以上にし、しかも基体１及び第１及び第２の導
電膜の熱処理温度を100℃〜300℃にし、しかも基体の表
面粗さを0.1μｍ〜15.0μｍにする事によって高いＱ値
を得る事ができ、第１の導電膜と基体１の密着強度を大
きくする事ができる。
た第１の導電膜を形成し、その上に半田か錫でできた第
２の導電膜を形成した誘電体共振器において、第２の導
電膜を設けた事により、大気中で熱処理を行なう事がで
きるようになるので、従来の様に不活性ガス中で熱処理
するためにいろいろな設備が不要となり、しかも工数が
減少するので生産性が向上する。又第１の導電膜の厚さ
を３μｍ以上にし、しかも基体１及び第１及び第２の導
電膜の熱処理温度を100℃〜300℃にし、しかも基体の表
面粗さを0.1μｍ〜15.0μｍにする事によって高いＱ値
を得る事ができ、第１の導電膜と基体１の密着強度を大
きくする事ができる。
なお本実施例において熱処理を大気中で行なったけれ
ども、シリコーンや流動パラフィン等の高温オイル中で
熱処理しても同様の効果を得る事ができた。
ども、シリコーンや流動パラフィン等の高温オイル中で
熱処理しても同様の効果を得る事ができた。
発明の効果 本発明は、誘電体セラミック製であって貫通孔を有す
る基体の表面に第１の導電膜及び第２の導電膜を順に積
層し、100℃〜300℃の温度で熱処理を行った後に、基体
の一方の端面上の第１及び第２の導電膜を除去した事に
よって、第１の導電膜がむき出しにならない状態で熱処
理を行うことができるので、不活性ガス中でなく大気中
で熱処理しても銅膜が酸化することはないので、従来の
ように不活性ガス中で熱処理するための設備や不要とな
り、しかも工数が減るので生産性が向上する。又耐候性
も向上させる事ができるので、寿命を長くする事ができ
る。
る基体の表面に第１の導電膜及び第２の導電膜を順に積
層し、100℃〜300℃の温度で熱処理を行った後に、基体
の一方の端面上の第１及び第２の導電膜を除去した事に
よって、第１の導電膜がむき出しにならない状態で熱処
理を行うことができるので、不活性ガス中でなく大気中
で熱処理しても銅膜が酸化することはないので、従来の
ように不活性ガス中で熱処理するための設備や不要とな
り、しかも工数が減るので生産性が向上する。又耐候性
も向上させる事ができるので、寿命を長くする事ができ
る。
第１図は本発明の一実施例における誘電体共振器の製造
方法で作製された共振器を示す斜視図、第２図は同第１
の導電膜とＱ値の関係を示すグラフ、第３図は他の実施
例の第１の導電膜とＱ値の関係を示すグラフ、第４図は
従来と本実施例の各々の誘電体共振器の塩水噴霧実験の
前と後のＱ値及び共振周波数の変化を示すグラフ、第５
図は基体の面粗さとＱ値及び第１の導電膜と基体１の密
着強度の関係を示すグラフである。 １……基体、２……第１の導電膜 ３……第２の導電膜
方法で作製された共振器を示す斜視図、第２図は同第１
の導電膜とＱ値の関係を示すグラフ、第３図は他の実施
例の第１の導電膜とＱ値の関係を示すグラフ、第４図は
従来と本実施例の各々の誘電体共振器の塩水噴霧実験の
前と後のＱ値及び共振周波数の変化を示すグラフ、第５
図は基体の面粗さとＱ値及び第１の導電膜と基体１の密
着強度の関係を示すグラフである。 １……基体、２……第１の導電膜 ３……第２の導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多木 宏光 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−20093（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−126701（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−176907（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−166806（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−121501（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01P 11/00 H01P 7/04
Claims (3)
- 【請求項１】誘電体セラミック製であって貫通孔を有す
る基体の表面に銅で構成された第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で形
成された第２の導電膜を積層し、前記基体及び前記第1,
2の導電膜に100℃〜300℃の温度で熱処理を施し、その
後に前記基体の一方の端面上の前記第1,2の導電膜を除
去することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。 - 【請求項２】熱処理を大気中で行った事を特徴とする請
求項１記載の誘電体共振器の製造方法。 - 【請求項３】基体の表面粗さを0.1μｍ〜15.0μｍとし
た事を特徴とする請求項１記載の誘電体共振器の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289121A JP2776023B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 誘電体共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289121A JP2776023B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 誘電体共振器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04160904A JPH04160904A (ja) | 1992-06-04 |
| JP2776023B2 true JP2776023B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17739043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2289121A Expired - Lifetime JP2776023B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776023B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166806A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法 |
| JPS59176907A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
| JPS61121501A (ja) * | 1984-11-17 | 1986-06-09 | Tdk Corp | 誘電体共振器およびその製造方法 |
| JPH0220093A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Tdk Corp | 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 |
| JP2705152B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1998-01-26 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体共振器の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2289121A patent/JP2776023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04160904A (ja) | 1992-06-04 |
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