JP2776023B2 - 誘電体共振器の製造方法 - Google Patents

誘電体共振器の製造方法

Info

Publication number
JP2776023B2
JP2776023B2 JP2289121A JP28912190A JP2776023B2 JP 2776023 B2 JP2776023 B2 JP 2776023B2 JP 2289121 A JP2289121 A JP 2289121A JP 28912190 A JP28912190 A JP 28912190A JP 2776023 B2 JP2776023 B2 JP 2776023B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
heat treatment
film
value
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2289121A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04160904A (ja
Inventor
泰博 泉
良一 牧元
毅彦 米田
宏光 多木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17739043&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2776023(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2289121A priority Critical patent/JP2776023B2/ja
Publication of JPH04160904A publication Critical patent/JPH04160904A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2776023B2 publication Critical patent/JP2776023B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は通信機器等に用いられる高周波用の誘電体共
振器の製造方法に関するものである。
従来の技術 従来、高周波用の誘電体共振器の導電膜として銀が一
般的に用いられている。銀の導電膜を形成させる場合、
銀の焼付け法が用いられてきた。そのために少なくとも
銀とガラスフリットを混合した銀ペーストを筆塗り等の
手段で誘電体セラミックに付着させ、熱処理によって誘
電体セラミック表面に銀金属を焼き付けて導電膜を形成
していた。このために銀は本来6.06×105(1/Ω・cm)
の導電率を有しているが、この焼付け方法による銀導電
膜はガラスフリットが混在しているために、その導電率
の約80%に低下する。しかし、このガラスフリットは本
来、高周波用の誘電体セラミックと銀金属の密着強度を
得る目的で添加されているので、このガラスフリットが
混在しない銀ペーストで導電膜を形成しようとすると、
導電膜と誘電体セラミックの密着強度が著しく低下し、
導電膜として用いる事ができない。また銀は高価な金属
でもあるので、製造コストが掛かるという事も懸念され
ている。
そこで、高価な銀に対して安価な銅を導電膜として用
いる試みもなされている。通常、銅導電膜を形成する場
合、鍍金法による導電膜形成がなされる。しかし鍍金法
によって形成されたままの導電膜では導電率が低いため
に、その導電膜が形成された誘電体共振器のQ値が小さ
くなるので、導電膜をセラミックの上に形成した後に、
導電膜に窒素やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理を施
し、導電膜の導電率を高くしていた。熱処理を不活性ガ
ス中で行なう理由は、導電膜が酸化して半田付け性が悪
くなったり、接触抵抗が大きくなるのを防止するためで
ある。
発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような銅導電膜の形成方法では、不
活性ガス中で熱処理を行なわなければならないために、
工程が複雑になり生産性が悪いという問題点を有してい
た。また一般的に銅で作成した導電膜は腐食し易いとい
う問題点も有していた。
本発明は前記従来の問題点を解決するもので、熱処理
を不活性ガス中等の工数の掛かる環境下ではなく工数の
掛からない大気中で熱処理を行なってQ値を高くする事
ができ、しかも耐候性が良い誘電体共振器の製造方法を
提供する事を目的としている。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、誘電体セラミック製であ
って貫通孔を有する基体の表面に第1の導電膜及び第2
の導電膜を順に積層し、100℃〜300℃の温度で熱処理を
行った後に、基体の一方の端面上の第1及び第2の導電
膜を除去した。
作用 この構成によって、第1の導電膜がむき出しにならな
い状態で熱処理を行うことができる。
実 施 例 第1図は本発明の一実施例における誘電体共振器を示
す斜視図である。第1図において1はBaTiO2系やMaTiO2
系の高周波用の誘電体セラミック材料で構成された円筒
状の基体、2は基体1の一端面を除いた全表面に形成さ
れた第1の導電膜で、第1の導電膜は銅で構成されてい
る。3は第1の導電膜2の上に厚さ2μmで形成された
第2の導電膜で、第2の導電膜は半田か錫の少なくとも
一方によって形成されている。
以上の様に構成された本実施例の誘電体共振器につい
てその製造方法を説明する。
まずBaTiO2系やMaTiO2系の高周波用の誘電体セラミッ
ク材料でできた混練物を内径2.0mm、外径8.0mm、高さ1
4.0mmの円筒状に成形し焼成して基体1を作成する。こ
の時基体1の表面粗さを0.1μm〜15.0μmの間になる
ように調整する。次に基体1の内周面及び外周面及び両
端面、すなわち基体1の全表面に鍍金法によって第1の
導電膜2を形成する。次に第1の導電膜2の上に鍍金法
によって半田か錫の少なくとも一方によって形成された
第2の導電膜3を形成する。次に第1及び第2の導電膜
2,3を形成た基体1を大気中で100℃〜300℃の間で熱処
理を施す。次に一端面に研磨加工等を施して、その端面
の第1及び第2の導電膜2,3を取り除く。この様に第1
図に示す様な誘電体共振器を作成した。
次に第1の導電膜2の厚さ及び熱処理の温度と誘電体
共振器のQ値の関係について説明する。
まず第1の導電膜2を無電解鍍金法によって形成す
る。この時第1の導電膜2の膜厚を2μm〜10μmの間
で変化させたサンプルを複数作成した。。次に第1の導
電膜2の上に電気半田鍍金法により第2の導電膜3を2
μmの厚さで形成した。次に大気中で熱処理を施すが、
その時の熱処理温度を80℃、100℃、200℃、300℃、350
℃とした。この時熱処理時間が350℃、300℃、200℃の
時は約30分、100℃の時は3時間、80℃の時は数十時間
行なった。そして第1の導電膜2の膜厚及び熱処理温度
によって誘電体共振器のQ値がどの様に変化するかを第
2図にまとめた。第2図は第1の導電膜の膜厚とQ値の
関係を表わしたグラフである。第2図から判るように第
1の導電膜の膜厚が3μm以上であればQ値はほぼ一定
で安定している。また第2図に示す一点鎖線Aは導電膜
として銀膜を用い、その銀膜の厚さを30μm〜40μm
(通常用いられる膜厚)とした時のQ値である。従って
第1の導電膜が3μm以上であれば、従来用いられてい
る銀の導電膜よりもQ値が大きいことが判る。また第2
図から熱処理温度も100℃から300℃であれば十分にQ値
が大きいことがわかる。また100℃以下または300℃以上
であるとQ値が他の温度に比べて非常に小さいことがわ
かる。以上の様に第1の導電膜の膜厚は3μm以上で、
しかも熱処理温度を100℃〜300℃の間にすればQ値を十
分大きくすることができる。
次に他の実施例について説明する。
基体1及び第2の導電膜3及び外見は第1図に示した
ものと同じで、しかも熱処理を大気中で行ない、しかも
その時の熱処理温度を100℃〜300℃とする等の製造方法
においても同じ方法である。しかし第1の導電膜の作成
方法が異なる。すなわちまず基体1の上に無電解銅鍍金
法によって銅膜を0.5μm〜2.0μmを形成し、その胴膜
の上に第1の導電膜が3μm以上となるように電気銅鍍
金法によって他の銅膜を積層する。この様にまず無電解
銅鍍金法により下地膜を形成し、その下地膜上に電気銅
鍍金法によって他の銅膜を形成する事で、第1の導電膜
の形成速度を速くする事ができる。これは以下の理由に
よるものである。無電解銅鍍金法で銅膜を形成しようと
すると、形成速度が非常に遅い。従ってある程度無電解
銅鍍金法によって銅膜を形成した後は形成速度の速い電
気銅鍍金法によって形成した法が第1の導電膜の形成は
速くなる。それでは最初から電気銅鍍金法によって作成
すれば良いように思えるが、基体1はセラミックすなわ
ち絶縁体で構成されているために最初から電気銅鍍金法
では基体1上に銅膜を形成できないからである。このよ
うに構成された他の実施例においても第1の導電膜の厚
さ及び熱処理温度に対する誘電体共振器のQ値の関係を
第3図に示した。第3図からわかる様に第2図に示した
結果とほぼ同じで、2層構造の第1の導電膜を3μm以
上形成し、しかも熱処理温度を100℃〜300℃の間にする
事で、誘電体共振器のQ値を大きくする事ができる。ま
た第2の導電膜を電気半田鍍金法によって形成したけれ
ども、電気錫鍍金法によって形成された錫膜でも同様の
効果を得る事ができた。
次に他の実施例の誘電体共振器と従来の銅だけを導電
膜として持つ誘電体共振器についてJIS5028による塩水
噴霧試験を行なった。この結果を第4図に示す。第4図
では塩水噴霧実験の前と後の無負荷Q値の変化と共振周
波数の変化をそれぞれ下段及び上段に記載した。第4図
から判るように従来の誘電体共振器では試験の前と後で
はQ値及び共振周波数が大幅に異なっている。これは塩
水によって銅膜が腐食した事によるものだと考えられ
る。しかしながら他の実施例の誘電体共振器では、試験
の前と後ではQ値及び共振周波数の変化はほとんど見ら
れなかった。
次に第2の導電膜(半田膜か錫膜)の膜厚について説
明する。実施例及び他の実施例では第2の導電膜を厚み
を2μmとしたが、実際は1μm以上あれば所定の特性
を得る事ができる。膜厚が1μm以下では熱処理の際に
第1の導電膜に拡散したり、また酸化する事によって第
2の導電膜が消失してしまう事があるので、せめて第2
の導電膜の膜厚は1μm以上にする事が必要である。ま
た先ほど膜厚は1μm以上であれば良いと述べたけれど
も生産性の面からみると、第2の導電膜の膜厚はせめて
5μm以下が良い。これは第2の導電膜の厚さが5μm
以上になると鍍金時間が長くなってしまうからである。
しかし特性面からみると1μm以上であればさしつかえ
ない。
次に基体1の表面粗さについて説明する。第5図は基
体1の面粗さと導電膜と基体との密着強度及び無負荷Q
値の関係をそれぞれ下段及び上段に記載した。第5図か
ら判るように面粗さが0.1μm以上であれば密着強度は
ほぼ0.8以上となるので、面粗さが0.1μm以上であれば
密着強度の点からみれば良いことがわかる。また面粗さ
が15.0μm以上であると、Q値が急激に低下している事
がわかる。従ってQ値の面からみると面粗さは15μm以
下の方が望ましい。従って以上の事実から基体1の面粗
さは0.1μm〜15.0μmの範囲が望ましい事がわかる。
以上の様に本実施例によれば、基体1の上に銅ででき
た第1の導電膜を形成し、その上に半田か錫でできた第
2の導電膜を形成した誘電体共振器において、第2の導
電膜を設けた事により、大気中で熱処理を行なう事がで
きるようになるので、従来の様に不活性ガス中で熱処理
するためにいろいろな設備が不要となり、しかも工数が
減少するので生産性が向上する。又第1の導電膜の厚さ
を3μm以上にし、しかも基体1及び第1及び第2の導
電膜の熱処理温度を100℃〜300℃にし、しかも基体の表
面粗さを0.1μm〜15.0μmにする事によって高いQ値
を得る事ができ、第1の導電膜と基体1の密着強度を大
きくする事ができる。
なお本実施例において熱処理を大気中で行なったけれ
ども、シリコーンや流動パラフィン等の高温オイル中で
熱処理しても同様の効果を得る事ができた。
発明の効果 本発明は、誘電体セラミック製であって貫通孔を有す
る基体の表面に第1の導電膜及び第2の導電膜を順に積
層し、100℃〜300℃の温度で熱処理を行った後に、基体
の一方の端面上の第1及び第2の導電膜を除去した事に
よって、第1の導電膜がむき出しにならない状態で熱処
理を行うことができるので、不活性ガス中でなく大気中
で熱処理しても銅膜が酸化することはないので、従来の
ように不活性ガス中で熱処理するための設備や不要とな
り、しかも工数が減るので生産性が向上する。又耐候性
も向上させる事ができるので、寿命を長くする事ができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における誘電体共振器の製造
方法で作製された共振器を示す斜視図、第2図は同第1
の導電膜とQ値の関係を示すグラフ、第3図は他の実施
例の第1の導電膜とQ値の関係を示すグラフ、第4図は
従来と本実施例の各々の誘電体共振器の塩水噴霧実験の
前と後のQ値及び共振周波数の変化を示すグラフ、第5
図は基体の面粗さとQ値及び第1の導電膜と基体1の密
着強度の関係を示すグラフである。 1……基体、2……第1の導電膜 3……第2の導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多木 宏光 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−20093(JP,A) 特開 平2−126701(JP,A) 特開 昭59−176907(JP,A) 特開 昭58−166806(JP,A) 特開 昭61−121501(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01P 11/00 H01P 7/04

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】誘電体セラミック製であって貫通孔を有す
    る基体の表面に銅で構成された第1の導電膜を形成し、
    前記第1の導電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で形
    成された第2の導電膜を積層し、前記基体及び前記第1,
    2の導電膜に100℃〜300℃の温度で熱処理を施し、その
    後に前記基体の一方の端面上の前記第1,2の導電膜を除
    去することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。
  2. 【請求項2】熱処理を大気中で行った事を特徴とする請
    求項1記載の誘電体共振器の製造方法。
  3. 【請求項3】基体の表面粗さを0.1μm〜15.0μmとし
    た事を特徴とする請求項1記載の誘電体共振器の製造方
    法。
JP2289121A 1990-10-25 1990-10-25 誘電体共振器の製造方法 Expired - Lifetime JP2776023B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2289121A JP2776023B2 (ja) 1990-10-25 1990-10-25 誘電体共振器の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2289121A JP2776023B2 (ja) 1990-10-25 1990-10-25 誘電体共振器の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04160904A JPH04160904A (ja) 1992-06-04
JP2776023B2 true JP2776023B2 (ja) 1998-07-16

Family

ID=17739043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2289121A Expired - Lifetime JP2776023B2 (ja) 1990-10-25 1990-10-25 誘電体共振器の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2776023B2 (ja)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58166806A (ja) * 1982-03-26 1983-10-03 Murata Mfg Co Ltd 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法
JPS59176907A (ja) * 1983-03-25 1984-10-06 Sumitomo Special Metals Co Ltd マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス
JPS61121501A (ja) * 1984-11-17 1986-06-09 Tdk Corp 誘電体共振器およびその製造方法
JPH0220093A (ja) * 1988-07-08 1990-01-23 Tdk Corp 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法
JP2705152B2 (ja) * 1988-11-07 1998-01-26 松下電器産業株式会社 誘電体共振器の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04160904A (ja) 1992-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2633387B2 (ja) 誘電体共振器の製造方法
JPH09180957A (ja) 積層型セラミックコンデンサ
JP2776023B2 (ja) 誘電体共振器の製造方法
EP0409668A2 (en) Mixed circuit boards and a method for manufacture thereof
JPS5874030A (ja) 電子部品、導電皮膜組成物及び製造方法
JP2663001B2 (ja) マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法
JPH08330105A (ja) 電子部品
JP3531794B2 (ja) セラミック電子部品の端子電極形成方法
JP2620672B2 (ja) 同軸誘電体共振器の製造方法
JP2996015B2 (ja) チップ型電子部品の外部電極
JPS638605B2 (ja)
JP3524298B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法
JP2975806B2 (ja) メッキ電極を有する電子部品及びその製造方法
JPH04144222A (ja) チップ形固体電解コンデンサ
JPS6226166B2 (ja)
JPH0620883A (ja) チップ状固体電解コンデンサの製造方法
JP3348642B2 (ja) セラミック電子部品の製造方法
JP2975805B2 (ja) メッキ電極を有する電子部品及びその製造方法
JPS5868802A (ja) 導電性ペ−スト組成物
JPH04273417A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JPH0884009A (ja) 同軸型誘電体共振器の製造方法
JP4348587B2 (ja) セラミック誘電体部品の電気特性調整方法
JP2584393B2 (ja) 外部端子を有する電気部品の製造方法
JPS6317219B2 (ja)
JP3453853B2 (ja) 誘電体の製造方法及びその方法で製造された同軸型誘電体共振器

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090501

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100501

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100501

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110501

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110501

Year of fee payment: 13