JP3453853B2 - 誘電体の製造方法及びその方法で製造された同軸型誘電体共振器 - Google Patents
誘電体の製造方法及びその方法で製造された同軸型誘電体共振器Info
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- JP3453853B2 JP3453853B2 JP14918594A JP14918594A JP3453853B2 JP 3453853 B2 JP3453853 B2 JP 3453853B2 JP 14918594 A JP14918594 A JP 14918594A JP 14918594 A JP14918594 A JP 14918594A JP 3453853 B2 JP3453853 B2 JP 3453853B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体の製造方法及び
その方法で製造された誘電体を用いて高周波帯域を使用
する各種通信機器・測定機器等の電子機器に使用される
同軸型誘電体共振器に関するものである。
その方法で製造された誘電体を用いて高周波帯域を使用
する各種通信機器・測定機器等の電子機器に使用される
同軸型誘電体共振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、同軸型誘電体共振器は、高周波帯
域を使用する各種通信機器・測定機器等の電子機器に広
く利用されている。この同軸型誘電体共振器として特開
昭５９−１４４２０３号公報が知られている。
域を使用する各種通信機器・測定機器等の電子機器に広
く利用されている。この同軸型誘電体共振器として特開
昭５９−１４４２０３号公報が知られている。
【０００３】以下に従来の同軸型誘電体共振器につい
て、図面を参照しながら説明する。図３は従来の同軸型
誘電体共振器の誘電体からターミナルを外した状態を示
す斜視図、図４は従来の同軸型誘電体共振器の誘電体に
ターミナルを挿着した状態を示す断面図である。８は従
来の同軸型誘電体共振器、９は中空状に形成された誘電
体、１０は誘電体９の内周面を被覆する内部導体層、１
１は誘電体９の外周面を被覆し内部導体層１０と略同軸
状に形成された外部導体層、１２は誘電体９の一端面を
被覆し内部導体層１０と外部導体層１１を接続する短絡
導体層、１３は内部導体層１０の内周孔、１４は短絡導
体層１２の被覆端面とは反対の端面（以下開放端と称
す）の内部導体層１０の内周孔１３に挿着されて導電性
接着剤や半田等で内部導体層１０と電気的に接続するタ
ーミナル、１５は外部接続用の端子、１６は内部導体層
１０の内周孔１３よりも大きい径に形成されターミナル
１４を内部導体層１０内に挿入する際に挿入しすぎを防
止するストッパ、１７は内部導体層１０と導電性接着剤
や半田等によって固着され電気的に接続する内部導体接
続部である。
て、図面を参照しながら説明する。図３は従来の同軸型
誘電体共振器の誘電体からターミナルを外した状態を示
す斜視図、図４は従来の同軸型誘電体共振器の誘電体に
ターミナルを挿着した状態を示す断面図である。８は従
来の同軸型誘電体共振器、９は中空状に形成された誘電
体、１０は誘電体９の内周面を被覆する内部導体層、１
１は誘電体９の外周面を被覆し内部導体層１０と略同軸
状に形成された外部導体層、１２は誘電体９の一端面を
被覆し内部導体層１０と外部導体層１１を接続する短絡
導体層、１３は内部導体層１０の内周孔、１４は短絡導
体層１２の被覆端面とは反対の端面（以下開放端と称
す）の内部導体層１０の内周孔１３に挿着されて導電性
接着剤や半田等で内部導体層１０と電気的に接続するタ
ーミナル、１５は外部接続用の端子、１６は内部導体層
１０の内周孔１３よりも大きい径に形成されターミナル
１４を内部導体層１０内に挿入する際に挿入しすぎを防
止するストッパ、１７は内部導体層１０と導電性接着剤
や半田等によって固着され電気的に接続する内部導体接
続部である。
【０００４】以上のように構成された従来の同軸型誘電
体共振器における誘電体の製造方法について、説明す
る。
体共振器における誘電体の製造方法について、説明す
る。
【０００５】まず、同軸状中空の角柱に誘電体材料と有
機接着剤とからなる混合粉末を装填しプレス成形して所
定形状の成形体を得る。次に、得られた成形体を焼成す
る。次に、焼成された成形体の表面に貴金属材料や卑金
属材料等の導体材料からなるペーストを塗布し、焼成し
て成形体の全面に導体層を形成する。或いは無電界鍍金
法により前記導体材料を鍍金する。次に、導体材料が塗
布又は鍍金された成形体を焼成して成形体の全面に導体
層を形成する。次に、導体層が形成された成形体の軸方
向一端部を研削等して開放端を形成して誘導体９を完成
する。
機接着剤とからなる混合粉末を装填しプレス成形して所
定形状の成形体を得る。次に、得られた成形体を焼成す
る。次に、焼成された成形体の表面に貴金属材料や卑金
属材料等の導体材料からなるペーストを塗布し、焼成し
て成形体の全面に導体層を形成する。或いは無電界鍍金
法により前記導体材料を鍍金する。次に、導体材料が塗
布又は鍍金された成形体を焼成して成形体の全面に導体
層を形成する。次に、導体層が形成された成形体の軸方
向一端部を研削等して開放端を形成して誘導体９を完成
する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、以下のような問題点を有していた。すなわ
ち、 （１）成形体を焼成した後、前記成形体の全面に導体材
料を塗布又は鍍金した後焼成して成形体の全面に導体層
を形成した後、更に研削して開放端を形成するので、手
間がかかり、また開放端を形成する研削作業が必要不可
欠であり、また焼成工程と電極形成工程とが別作業とな
り、コストダウンが困難であり、原価の高騰化という問
題点を有していた。 （２）無電界鍍金法で各導体層を形成した場合、成形体
と導体層との密着強度が低く、このため、ヒートサイク
ル試験等で共振周波数の変化が現れる等するために、機
械的強度や周波数特性等の信頼性に欠けるという問題点
を有していた。 （３）同軸型誘電体共振器の小型化に伴って誘電体の小
型化、特に内周孔の小径孔化が要求されているものの前
述した従来の無電界鍍金法等による導体層形成方法では
液体の溶媒を使用するために、溶媒の表面張力等によっ
て小径孔化した内周孔の細部に導体層を形成することが
困難になり、このため歩溜まりが低下し、作業性や生産
性に欠けるとともに原価の高騰化という問題点を有して
いた。
の構成では、以下のような問題点を有していた。すなわ
ち、 （１）成形体を焼成した後、前記成形体の全面に導体材
料を塗布又は鍍金した後焼成して成形体の全面に導体層
を形成した後、更に研削して開放端を形成するので、手
間がかかり、また開放端を形成する研削作業が必要不可
欠であり、また焼成工程と電極形成工程とが別作業とな
り、コストダウンが困難であり、原価の高騰化という問
題点を有していた。 （２）無電界鍍金法で各導体層を形成した場合、成形体
と導体層との密着強度が低く、このため、ヒートサイク
ル試験等で共振周波数の変化が現れる等するために、機
械的強度や周波数特性等の信頼性に欠けるという問題点
を有していた。 （３）同軸型誘電体共振器の小型化に伴って誘電体の小
型化、特に内周孔の小径孔化が要求されているものの前
述した従来の無電界鍍金法等による導体層形成方法では
液体の溶媒を使用するために、溶媒の表面張力等によっ
て小径孔化した内周孔の細部に導体層を形成することが
困難になり、このため歩溜まりが低下し、作業性や生産
性に欠けるとともに原価の高騰化という問題点を有して
いた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、誘電体を小型化しても形状の限定等なくかつ容易に
導体層を形成でき、生産性や作業性，耐久性に優れた誘
電体の製造方法及びその方法で製造された同軸型誘電体
共振器を提供することを目的とする。
で、誘電体を小型化しても形状の限定等なくかつ容易に
導体層を形成でき、生産性や作業性，耐久性に優れた誘
電体の製造方法及びその方法で製造された同軸型誘電体
共振器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載の誘電体の製造方法は、少な
くとも焼成後に誘電体材料となる第１の材料と還元性雰
囲気内で焼成することによって導体材料となる第２の材
料を混合して得られた中空状の基体を還元性雰囲気内で
焼成し前記基体の表面に導体層を形成する導体層形成工
程を備えた構成を有している。
に本発明の請求項１に記載の誘電体の製造方法は、少な
くとも焼成後に誘電体材料となる第１の材料と還元性雰
囲気内で焼成することによって導体材料となる第２の材
料を混合して得られた中空状の基体を還元性雰囲気内で
焼成し前記基体の表面に導体層を形成する導体層形成工
程を備えた構成を有している。
【０００９】また請求項２に記載の同軸型誘電体共振器
は、請求項１に記載の誘電体の製造方法で得られた誘電
体を用いた構成を有している。
は、請求項１に記載の誘電体の製造方法で得られた誘電
体を用いた構成を有している。
【００１０】ここで、第１の材料の焼成後における誘電
体材料としては、（Ｚｒ・Ｓｎ）ＴｉＯ4，ＢａＴｉ4Ｏ
9，ＣａＴｉＯ3−ＭｇＴｉＯ3，ＢＺＴ，ＢＭＴ等が挙
げられる。第２の材料としては、酸化ニッケル，酸化銅
等が挙げられる。基体を還元性雰囲気にて還元する際に
開放端に相当する端面を前記第２の材料より非還元性の
ジルコニア等を溶射したセッター等と当接することによ
り、導体層の形成を抑制して開放端を形成できる。また
導体層形成工程を、成形体を焼成する焼成工程と導体層
を形成する導体層形成工程とに分けて誘電体を形成して
もよい。
体材料としては、（Ｚｒ・Ｓｎ）ＴｉＯ4，ＢａＴｉ4Ｏ
9，ＣａＴｉＯ3−ＭｇＴｉＯ3，ＢＺＴ，ＢＭＴ等が挙
げられる。第２の材料としては、酸化ニッケル，酸化銅
等が挙げられる。基体を還元性雰囲気にて還元する際に
開放端に相当する端面を前記第２の材料より非還元性の
ジルコニア等を溶射したセッター等と当接することによ
り、導体層の形成を抑制して開放端を形成できる。また
導体層形成工程を、成形体を焼成する焼成工程と導体層
を形成する導体層形成工程とに分けて誘電体を形成して
もよい。
【００１１】
【作用】この構成によって、少なくとも第１の材料と第
２の材料から得られた中空状の誘電体を還元性雰囲気内
で焼成し前記誘電体の表面に導体層を形成する導体層形
成工程を備えたので、成形体を焼成するとともに成形体
の所定の表面に導体層を選択的に形成でき、また導体層
を誘電体の一部として形成できるので密着強度等の機械
的強度を強化できる。また前述した誘電体の製造方法で
得られた誘電体を用いたので、過酷なヒートサイクル条
件下でも共振周波数の変化がない。
２の材料から得られた中空状の誘電体を還元性雰囲気内
で焼成し前記誘電体の表面に導体層を形成する導体層形
成工程を備えたので、成形体を焼成するとともに成形体
の所定の表面に導体層を選択的に形成でき、また導体層
を誘電体の一部として形成できるので密着強度等の機械
的強度を強化できる。また前述した誘電体の製造方法で
得られた誘電体を用いたので、過酷なヒートサイクル条
件下でも共振周波数の変化がない。
【００１２】
【実施例】以下本発明の一実施例における誘電体の製造
方法について、図面を参照しながら説明する。図１
（ａ）は本発明の一実施例における誘電体の製造方法の
プレス成形工程を示す斜視図、図１（ｂ）は本発明の一
実施例における誘電体の製造方法の導体層形成工程を示
す斜視図、図１（ｃ）は本発明の一実施例における誘電
体の製造方法で製造された誘電体を示す斜視図である。
方法について、図面を参照しながら説明する。図１
（ａ）は本発明の一実施例における誘電体の製造方法の
プレス成形工程を示す斜視図、図１（ｂ）は本発明の一
実施例における誘電体の製造方法の導体層形成工程を示
す斜視図、図１（ｃ）は本発明の一実施例における誘電
体の製造方法で製造された誘電体を示す斜視図である。
【００１３】まず、第１の材料としてジルコニア，酸化
第二錫及び酸化チタンを重量比１：２：３で混合する。
その第１の材料を焼成すると組成物（Ｚｒ・Ｓｎ）Ｔｉ
Ｏ4となる。第２の材料として卑金属酸化物である酸化
ニッケルとを準備した。次に、（Ｚｒ・Ｓｎ）ＴｉＯ4
の原料粉末である第１の材料と第２の材料である酸化ニ
ッケルを重量比９：１として秤量した後、従来法と同様
に湿式混合，脱水乾燥して混合粉末を得た。次に、得ら
れた混合粉末に有機接着剤を加えて混合造粒した。次
に、得られた混合造粒を同軸状中空の角柱に装填し、圧
力２００kg／cm2でプレス成形して図１（ａ）に示す成
形体１を得た。次に、図１（ｂ）に示すように、成形体
１を開放端に相当する一端面を下方側としてジルコニア
を溶射したセッター２の上面に密着して載置して大気圧
雰囲気内に設置した後、４００℃、２時間で脱有機接着
剤を行った。その後同一雰囲気内で１３００℃、４時間
で焼成した。次に、雰囲気内にＨ2 ＋Ｎ2 （Ｈ2 濃度２
０％）を流入して還元性雰囲気とした後、１１００℃、
２時間で熱処理を行い、所定部に内部導体層４，外部導
体層５，短絡導体層６及び内周孔７が形成された誘電体
３を完成する。
第二錫及び酸化チタンを重量比１：２：３で混合する。
その第１の材料を焼成すると組成物（Ｚｒ・Ｓｎ）Ｔｉ
Ｏ4となる。第２の材料として卑金属酸化物である酸化
ニッケルとを準備した。次に、（Ｚｒ・Ｓｎ）ＴｉＯ4
の原料粉末である第１の材料と第２の材料である酸化ニ
ッケルを重量比９：１として秤量した後、従来法と同様
に湿式混合，脱水乾燥して混合粉末を得た。次に、得ら
れた混合粉末に有機接着剤を加えて混合造粒した。次
に、得られた混合造粒を同軸状中空の角柱に装填し、圧
力２００kg／cm2でプレス成形して図１（ａ）に示す成
形体１を得た。次に、図１（ｂ）に示すように、成形体
１を開放端に相当する一端面を下方側としてジルコニア
を溶射したセッター２の上面に密着して載置して大気圧
雰囲気内に設置した後、４００℃、２時間で脱有機接着
剤を行った。その後同一雰囲気内で１３００℃、４時間
で焼成した。次に、雰囲気内にＨ2 ＋Ｎ2 （Ｈ2 濃度２
０％）を流入して還元性雰囲気とした後、１１００℃、
２時間で熱処理を行い、所定部に内部導体層４，外部導
体層５，短絡導体層６及び内周孔７が形成された誘電体
３を完成する。
【００１４】以上のように製造された誘電体を用いた本
発明の一実施例における同軸型誘電体共振器と、従来の
同軸型誘電体共振器を用いて動作性能試験及びヒートサ
イクル試験を行った。以下その結果を示す。
発明の一実施例における同軸型誘電体共振器と、従来の
同軸型誘電体共振器を用いて動作性能試験及びヒートサ
イクル試験を行った。以下その結果を示す。
【００１５】（実験例１及び２）本発明の一実施例にお
ける誘電体を外径３mm，内周孔の直径０．８mm（実験例
１），０．１mm（実験例２）として形成した後、ターミ
ナル等をセットして同軸型誘電体共振器を得た。次に、
この同軸型誘電体共振器を用いて動作性能試験として共
振周波数及び無負荷Ｑを測定した。この結果を（表１）
に示す。（表１）は動作性能試験の結果を示す特性図で
ある。
ける誘電体を外径３mm，内周孔の直径０．８mm（実験例
１），０．１mm（実験例２）として形成した後、ターミ
ナル等をセットして同軸型誘電体共振器を得た。次に、
この同軸型誘電体共振器を用いて動作性能試験として共
振周波数及び無負荷Ｑを測定した。この結果を（表１）
に示す。（表１）は動作性能試験の結果を示す特性図で
ある。
【００１６】
【表１】
【００１７】（比較例１及び２）無電界鍍金法で作成さ
れた誘電体を用いた従来の同軸型誘電体共振器を用いて
実験例１及び２と同様にして動作性能試験を行った。こ
の結果を（表１）に示す。
れた誘電体を用いた従来の同軸型誘電体共振器を用いて
実験例１及び２と同様にして動作性能試験を行った。こ
の結果を（表１）に示す。
【００１８】（実験例３乃至７）本発明の一実施例にお
ける同軸型誘電体共振器を５個準備した。これを−４０
℃の環境に３０分間放置し、その後温度勾配１００℃／
分で＋８５℃に温度を上昇させ、この温度で３０分間放
置した後、温度勾配１００℃／分で−４０℃に温度を降
下させた。これを１サイクルとして５００サイクル繰り
返し、共振周波数の変化を測定した。この結果を図２
（ａ）に示す。図２（ａ）は本発明の一実施例における
同軸型誘電体共振器の共振周波数のヒートサイクル依存
性を示す特性図である。尚、図２（ａ）中横軸はヒート
サイクルの回数、横軸のΔｆは共振周波数の変化を示し
ている。
ける同軸型誘電体共振器を５個準備した。これを−４０
℃の環境に３０分間放置し、その後温度勾配１００℃／
分で＋８５℃に温度を上昇させ、この温度で３０分間放
置した後、温度勾配１００℃／分で−４０℃に温度を降
下させた。これを１サイクルとして５００サイクル繰り
返し、共振周波数の変化を測定した。この結果を図２
（ａ）に示す。図２（ａ）は本発明の一実施例における
同軸型誘電体共振器の共振周波数のヒートサイクル依存
性を示す特性図である。尚、図２（ａ）中横軸はヒート
サイクルの回数、横軸のΔｆは共振周波数の変化を示し
ている。
【００１９】（比較例３乃至７）市販の従来の同軸型誘
電体共振器を５個準備した。これを実験例３乃至７と同
様にして５００サイクル繰り返し、共振周波数の変化を
測定した。この結果を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）は
従来の同軸型誘電体共振器の共振周波数のヒートサイク
ル依存性を示す特性図である。尚、図２（ｂ）中横軸は
ヒートサイクルの回数、横軸のΔｆは共振周波数の変化
を示している。
電体共振器を５個準備した。これを実験例３乃至７と同
様にして５００サイクル繰り返し、共振周波数の変化を
測定した。この結果を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）は
従来の同軸型誘電体共振器の共振周波数のヒートサイク
ル依存性を示す特性図である。尚、図２（ｂ）中横軸は
ヒートサイクルの回数、横軸のΔｆは共振周波数の変化
を示している。
【００２０】（表１）から明らかなように、本発明の一
実施例における同軸型誘電体共振器は従来の同軸型誘電
体共振器と同等の動作性能を得られるとともに、従来の
同軸型誘電体共振器では動作不可能であった誘電体の内
周孔が０．１mm程度のものであっても共振器として動作
することがわかった。
実施例における同軸型誘電体共振器は従来の同軸型誘電
体共振器と同等の動作性能を得られるとともに、従来の
同軸型誘電体共振器では動作不可能であった誘電体の内
周孔が０．１mm程度のものであっても共振器として動作
することがわかった。
【００２１】また、図２（ａ），（ｂ）から明らかなよ
うに、従来の同軸型誘電体共振器は５００サイクルのヒ
ートサイク試験後最も共振周波数変化の小さいものでも
＋２．６ＭＨｚも変化しまた最も共振周波数変化の大き
なものは＋５ＭＨｚ近くまで変化したが、本発明の一実
施例における同軸型誘電体共振器では最も共振周波数変
化の大きなものであっても＋２ＭＨｚ近くまでしか変化
しておらず、共振周波数の安定性が従来の同軸型誘電体
共振器に比較して数十倍以上も優れ、また耐久性にも優
れていることがわかった。
うに、従来の同軸型誘電体共振器は５００サイクルのヒ
ートサイク試験後最も共振周波数変化の小さいものでも
＋２．６ＭＨｚも変化しまた最も共振周波数変化の大き
なものは＋５ＭＨｚ近くまで変化したが、本発明の一実
施例における同軸型誘電体共振器では最も共振周波数変
化の大きなものであっても＋２ＭＨｚ近くまでしか変化
しておらず、共振周波数の安定性が従来の同軸型誘電体
共振器に比較して数十倍以上も優れ、また耐久性にも優
れていることがわかった。
【００２２】以上のように本実施例によれば、少なくと
も焼成後に誘電体材料となる第１の材料と還元雰囲気中
で焼成することで導体材料となる第２の材料を混合して
得られた成形体１を還元性雰囲気内で焼成し前記誘電体
の表面に導体層を形成する工程を備えたので、成形体を
焼成するとともに成形体の所定の表面に導体層を選択的
に形成でき、また導体層を誘電体の一部として形成でき
るので密着強度等の機械的強度を強化でき、また、前述
の誘電体の製造方法で得られた誘電体を用いた同軸型誘
電体共振器は、過酷なヒートサイクル条件下でも共振周
波数の変化がない。
も焼成後に誘電体材料となる第１の材料と還元雰囲気中
で焼成することで導体材料となる第２の材料を混合して
得られた成形体１を還元性雰囲気内で焼成し前記誘電体
の表面に導体層を形成する工程を備えたので、成形体を
焼成するとともに成形体の所定の表面に導体層を選択的
に形成でき、また導体層を誘電体の一部として形成でき
るので密着強度等の機械的強度を強化でき、また、前述
の誘電体の製造方法で得られた誘電体を用いた同軸型誘
電体共振器は、過酷なヒートサイクル条件下でも共振周
波数の変化がない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、少なくと
も焼成後に誘電体材料となる第１の材料と還元性雰囲気
内で焼成することによって導体材料となる第２の材料を
混合して得られた中空状の基体を還元性雰囲気内で焼成
し前記基体の表面に導体層を形成する導体層形成工程を
備えたので、誘電体を焼成するとともに還元性ガスに触
れる各導体層に相当する部分に全て導体層を形成でき、
内周孔の小怪口化及び誘電体の小型化が容易になるとと
もに内周孔等の形状の限定等なく設計自在とでき、また
導体層を形成しない開放端に相当する面には前記第２の
材料より非還元性のセッター等を当接することにより導
体層を誘電体の表面に選択的に形成でき、かつ研削工程
を省略して開放端を形成でき、また導体層が誘電体の一
部として形成されるために密着強度等の機械的強度を強
固にでき、生産性や作業性，耐久性に優れた誘電体の製
造方法の提供を実現できる。
も焼成後に誘電体材料となる第１の材料と還元性雰囲気
内で焼成することによって導体材料となる第２の材料を
混合して得られた中空状の基体を還元性雰囲気内で焼成
し前記基体の表面に導体層を形成する導体層形成工程を
備えたので、誘電体を焼成するとともに還元性ガスに触
れる各導体層に相当する部分に全て導体層を形成でき、
内周孔の小怪口化及び誘電体の小型化が容易になるとと
もに内周孔等の形状の限定等なく設計自在とでき、また
導体層を形成しない開放端に相当する面には前記第２の
材料より非還元性のセッター等を当接することにより導
体層を誘電体の表面に選択的に形成でき、かつ研削工程
を省略して開放端を形成でき、また導体層が誘電体の一
部として形成されるために密着強度等の機械的強度を強
固にでき、生産性や作業性，耐久性に優れた誘電体の製
造方法の提供を実現できる。
【００２４】また、前述の誘電体の製造方法で得られた
誘電体を用いたので、小型化しても共振器としての動作
性能を備えるとともに過酷なヒートサイクル条件下でも
安定な共振周波数特性が得られ、耐久性や信頼性に優れ
る同軸型誘電体共振器の提供を実現できる。
誘電体を用いたので、小型化しても共振器としての動作
性能を備えるとともに過酷なヒートサイクル条件下でも
安定な共振周波数特性が得られ、耐久性や信頼性に優れ
る同軸型誘電体共振器の提供を実現できる。
【図１】（ａ）本発明の一実施例における誘電体の製造
方法のプレス成形工程を示す斜視図 （ｂ）本発明の一実施例における誘電体の製造方法の導
体層形成工程を示す斜視図 （ｃ）本発明の一実施例における誘電体の製造方法で製
造された誘電体を示す斜視図
方法のプレス成形工程を示す斜視図 （ｂ）本発明の一実施例における誘電体の製造方法の導
体層形成工程を示す斜視図 （ｃ）本発明の一実施例における誘電体の製造方法で製
造された誘電体を示す斜視図
【図２】（ａ）本発明の一実施例における同軸型誘電体
共振器の共振周波数のヒートサイクル依存性を示す特性
図 （ｂ）従来の同軸型誘電体共振器の共振周波数のヒート
サイクル依存性を示す特性図
共振器の共振周波数のヒートサイクル依存性を示す特性
図 （ｂ）従来の同軸型誘電体共振器の共振周波数のヒート
サイクル依存性を示す特性図
【図３】従来の同軸型誘電体共振器の誘電体からターミ
ナルを外した状態を示す斜視図
ナルを外した状態を示す斜視図
【図４】従来の同軸型誘電体共振器の誘電体にターミナ
ルを挿着した状態を示す断面図
ルを挿着した状態を示す断面図
１ 成形体
２ セッター
３，９ 誘電体
４，１０ 内部導体層
５，１１ 外部導体層
６，１２ 短絡導体層
７，１３ 内周孔
８ 同軸型誘電体共振器
１４ ターミナル
１５ 端子
１６ ストッパ
１７ 内部導体接続部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大野 博司
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−145315（ＪＰ，Ａ)
特公 平３−40109（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平６−50703（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 19/00 - 19/04
H01P 7/04
H01P 11/00
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも焼成後に誘電体材料となる第１
の材料と還元性雰囲気内で焼成することによって導体材
料となる第２の材料を混合して得られた中空状の基体を
還元性雰囲気内で焼成し前記基体の表面に導体層を形成
する導体層形成工程を備えたことを特徴とする誘電体の
製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の誘電体の製造方法で得ら
れた誘電体を用いたことを特徴とする同軸型誘電体共振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14918594A JP3453853B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 誘電体の製造方法及びその方法で製造された同軸型誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14918594A JP3453853B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 誘電体の製造方法及びその方法で製造された同軸型誘電体共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818313A JPH0818313A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3453853B2 true JP3453853B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=15469663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14918594A Expired - Fee Related JP3453853B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 誘電体の製造方法及びその方法で製造された同軸型誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3453853B2 (ja) |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14918594A patent/JP3453853B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0818313A (ja) | 1996-01-19 |
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