JPH0636970A - チップ型電子部品の外部電極 - Google Patents
チップ型電子部品の外部電極Info
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- JPH0636970A JPH0636970A JP18676692A JP18676692A JPH0636970A JP H0636970 A JPH0636970 A JP H0636970A JP 18676692 A JP18676692 A JP 18676692A JP 18676692 A JP18676692 A JP 18676692A JP H0636970 A JPH0636970 A JP H0636970A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼成により形成した外部電極のはんだ付け
性、はんだ耐熱性が著しく良好で、従って、この外部電
極上に更にめっき層を設ける必要がなく、焼成により形
成した外部電極のみで使用することができるようにす
る。 【構成】 外部電極１２の内層１２ａ及び外層１２ｂ共
に、Ａｇ：９０〜９５重量％、Ｐｄ：０〜５重量％、Ｐ
ｔ：１〜５重量％の金属粉末に対して、ＰｂＯ：０〜４
０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：３５〜６５重量％、ＺｎＯ：２０
〜５５重量％を主成分とするガラスフリットを２〜６重
量％含む。 【効果】 はんだ付けのためのめっき層を形成する必要
がなく、焼成により形成された外部電極のみで使用する
ことができる。このため、少ない製造工程数で、安価
に、信頼性の高いチップ型電子部品を製造することがで
きる。
性、はんだ耐熱性が著しく良好で、従って、この外部電
極上に更にめっき層を設ける必要がなく、焼成により形
成した外部電極のみで使用することができるようにす
る。 【構成】 外部電極１２の内層１２ａ及び外層１２ｂ共
に、Ａｇ：９０〜９５重量％、Ｐｄ：０〜５重量％、Ｐ
ｔ：１〜５重量％の金属粉末に対して、ＰｂＯ：０〜４
０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：３５〜６５重量％、ＺｎＯ：２０
〜５５重量％を主成分とするガラスフリットを２〜６重
量％含む。 【効果】 はんだ付けのためのめっき層を形成する必要
がなく、焼成により形成された外部電極のみで使用する
ことができる。このため、少ない製造工程数で、安価
に、信頼性の高いチップ型電子部品を製造することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ型電子部品の外部
電極に係り、特に、はんだ付け性及びはんだ耐熱性が良
好なチップ型電子部品の外部電極に関する。詳しくは、
はんだ付けのためのめっき層を形成する必要がなく、焼
成により形成された外部電極のみで使用することができ
ることから、少ない製造工程数で、安価に、信頼性の高
いチップ型電子部品を製造することができるチップ型電
子部品の外部電極に関する。
電極に係り、特に、はんだ付け性及びはんだ耐熱性が良
好なチップ型電子部品の外部電極に関する。詳しくは、
はんだ付けのためのめっき層を形成する必要がなく、焼
成により形成された外部電極のみで使用することができ
ることから、少ない製造工程数で、安価に、信頼性の高
いチップ型電子部品を製造することができるチップ型電
子部品の外部電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップインダクター、チップ抵抗、チッ
プコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ型電子部品
の外部電極は、金属粉末とガラスフリットと有機ビヒク
ルとを混練して調製された導電性ペーストをセラミック
焼結体からなるベアチップの両端部に塗布した後、６０
０〜８００℃程度の温度で焼成することにより形成され
る。このようにして外部電極が形成されたチップ型電子
部品は、その外部電極を基板にはんだ付けして使用され
る。
プコンデンサ、チップサーミスタ等のチップ型電子部品
の外部電極は、金属粉末とガラスフリットと有機ビヒク
ルとを混練して調製された導電性ペーストをセラミック
焼結体からなるベアチップの両端部に塗布した後、６０
０〜８００℃程度の温度で焼成することにより形成され
る。このようにして外部電極が形成されたチップ型電子
部品は、その外部電極を基板にはんだ付けして使用され
る。
【０００３】従来、外部電極形成用の導電性ペーストに
は、金属粉末として、Ａｇと共に、主としてはんだ耐熱
性を向上させるためのＰｄを加えたＡｇ−Ｐｄペースト
が多用されている。
は、金属粉末として、Ａｇと共に、主としてはんだ耐熱
性を向上させるためのＰｄを加えたＡｇ−Ｐｄペースト
が多用されている。
【０００４】しかし、この場合、導電性ペースト中にＰ
ｄを過度に多く含むと得られる外部電極のはんだ付け性
が劣るため、形成されるＡｇ−Ｐｄ外部電極のＰｄ含有
率は１〜１５重量％と、比較的低く抑えられている。こ
のため、従来のＡｇ−Ｐｄ外部電極のはんだ耐熱性は十
分ではなく、従って、チップ型電子部品のはんだ付け可
能な温度範囲は狭い範囲に限られていた。
ｄを過度に多く含むと得られる外部電極のはんだ付け性
が劣るため、形成されるＡｇ−Ｐｄ外部電極のＰｄ含有
率は１〜１５重量％と、比較的低く抑えられている。こ
のため、従来のＡｇ−Ｐｄ外部電極のはんだ耐熱性は十
分ではなく、従って、チップ型電子部品のはんだ付け可
能な温度範囲は狭い範囲に限られていた。
【０００５】上記の不具合を解決するために、従来、上
記の如く焼き付けされた外部電極の表面に、さらにＮｉ
めっき層とＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層との２層めっき
を施すことが行なわれている。ここで、Ｎｉめっき層は
はんだ耐熱性の向上、即ち、はんだによる電極喰われの
防止を主たる目的として形成され、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｄ
めっき層は、はんだ濡れ性の向上を目的として形成され
ている。
記の如く焼き付けされた外部電極の表面に、さらにＮｉ
めっき層とＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層との２層めっき
を施すことが行なわれている。ここで、Ｎｉめっき層は
はんだ耐熱性の向上、即ち、はんだによる電極喰われの
防止を主たる目的として形成され、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｄ
めっき層は、はんだ濡れ性の向上を目的として形成され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、焼成により形
成された外部電極上に、さらにＮｉめっき層とＳｎ又は
Ｓｎ／Ｐｄめっき層との２層めっきを施した従来のチッ
プ型電子部品では、電解液に外部電極付ベアチップを浸
漬してめっき層を形成する際に、電子部品の特性劣化が
生じることがあるという問題がある。また、２層のめっ
き層を形成するために、製造工程数が多く、生産管理が
複雑で製品が高価になるという不具合もある。
成された外部電極上に、さらにＮｉめっき層とＳｎ又は
Ｓｎ／Ｐｄめっき層との２層めっきを施した従来のチッ
プ型電子部品では、電解液に外部電極付ベアチップを浸
漬してめっき層を形成する際に、電子部品の特性劣化が
生じることがあるという問題がある。また、２層のめっ
き層を形成するために、製造工程数が多く、生産管理が
複雑で製品が高価になるという不具合もある。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、焼成
により形成した外部電極のはんだ付け性、はんだ耐熱性
が著しく良好で、従って、この外部電極上に更にめっき
層を設ける必要がなく、焼成により形成した外部電極の
みで使用することができるチップ型電子部品の外部電極
を提供することを目的とする。
により形成した外部電極のはんだ付け性、はんだ耐熱性
が著しく良好で、従って、この外部電極上に更にめっき
層を設ける必要がなく、焼成により形成した外部電極の
みで使用することができるチップ型電子部品の外部電極
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型電子部
品の外部電極は、セラミック焼結体からなるベアチップ
の表面に接する内層とこの内層上に積層形成された外層
とを有する２層構造の外部電極において、該外部電極
は、金属粉末とガラスフリットとを含む導電性ペースト
が焼き付けられてなり、前記内層及び外層を形成する導
電性ペーストの金属粉末はＡｇ：９０〜９８重量％、Ｐ
ｄ：０〜５重量％、及び、Ｐｔ：１〜５重量％を含み、
ガラスフリットはＰｂＯ：０〜４０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：
３５〜６５重量％、及び、ＺｎＯ：２０〜５５重量％を
主成分とし、かつ、該外部電極は、該ガラスフリットを
前記金属粉末に対して２〜６重量％含んでなり、該内層
と外層とが同一組成の導電性ペーストにて形成されてい
ることを特徴とする。
品の外部電極は、セラミック焼結体からなるベアチップ
の表面に接する内層とこの内層上に積層形成された外層
とを有する２層構造の外部電極において、該外部電極
は、金属粉末とガラスフリットとを含む導電性ペースト
が焼き付けられてなり、前記内層及び外層を形成する導
電性ペーストの金属粉末はＡｇ：９０〜９８重量％、Ｐ
ｄ：０〜５重量％、及び、Ｐｔ：１〜５重量％を含み、
ガラスフリットはＰｂＯ：０〜４０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：
３５〜６５重量％、及び、ＺｎＯ：２０〜５５重量％を
主成分とし、かつ、該外部電極は、該ガラスフリットを
前記金属粉末に対して２〜６重量％含んでなり、該内層
と外層とが同一組成の導電性ペーストにて形成されてい
ることを特徴とする。
【０００９】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１０】図１は本発明のチップ型電子部品の外部電
極の一実施例を示す積層セラミックコンデンサの断面図
である。
極の一実施例を示す積層セラミックコンデンサの断面図
である。
【００１１】本実施例の積層セラミックコンデンサ１０
は、ベアチップ１１の両端部に、金属粉末とガラスフリ
ットを含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成
された内層１２ａと外層１２ｂとの２層構造の外部電極
１２を有するものである。なお、ベアチップ１１は、内
部電極１３を有するセラミック誘電体を複数層積層して
得られたセラミックグリーンチップを焼成して得られ、
このベアチップ１１の内部電極１３と外部電極１２とは
電気的に接続されている。ここで、ベアチップ１１を構
成するセラミック誘電体としては、鉛系、チタン酸バリ
ウム系等のセラミック誘電体が用いられ、内部電極には
Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮｉ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ｃｏ等の卑金属が用いられる。
は、ベアチップ１１の両端部に、金属粉末とガラスフリ
ットを含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成
された内層１２ａと外層１２ｂとの２層構造の外部電極
１２を有するものである。なお、ベアチップ１１は、内
部電極１３を有するセラミック誘電体を複数層積層して
得られたセラミックグリーンチップを焼成して得られ、
このベアチップ１１の内部電極１３と外部電極１２とは
電気的に接続されている。ここで、ベアチップ１１を構
成するセラミック誘電体としては、鉛系、チタン酸バリ
ウム系等のセラミック誘電体が用いられ、内部電極には
Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮｉ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ｃｏ等の卑金属が用いられる。
【００１２】内層１２ａ及び外層１２ｂの２層構造の外
部電極１２は、例えば、次のようにして形成される。
部電極１２は、例えば、次のようにして形成される。
【００１３】即ち、まず、ベアチップ１１の端部を内層
用導電性ペーストに浸漬した後引き上げて１５０〜２０
０℃で乾燥した後、６００〜８００℃で焼成して、内層
１２ａを焼き付ける。次いで、この内層１２ａを焼き付
けたベアチップ１１の端部を外層用導電性ペーストに浸
漬して引き上げ、上記と同様にして乾燥、焼成して外層
１２ｂを焼き付けて、２層構造の外部電極１２を形成す
る。
用導電性ペーストに浸漬した後引き上げて１５０〜２０
０℃で乾燥した後、６００〜８００℃で焼成して、内層
１２ａを焼き付ける。次いで、この内層１２ａを焼き付
けたベアチップ１１の端部を外層用導電性ペーストに浸
漬して引き上げ、上記と同様にして乾燥、焼成して外層
１２ｂを焼き付けて、２層構造の外部電極１２を形成す
る。
【００１４】本発明において、この内層用の導電性ペー
スト及び外層用の導電性ペーストとして、下記組成の同
一組成のものを用いる。
スト及び外層用の導電性ペーストとして、下記組成の同
一組成のものを用いる。
【００１５】即ち、金属粉末としてはＡｇ：９０〜９８
重量％、Ｐｄ：０〜５重量％及びＰｔ１〜５重量％を含
むものを用い、ガラスフリットとしてはＰｂＯ：０〜４
０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：３５〜６５重量％及びＺｎＯ：２
０〜５５重量％を含むホウ酸亜鉛系又はホウ酸亜鉛鉛系
ガラスを主成分とするものを用い、このガラスフリット
を金属粉末に対して２〜６重量％配合する。ここで、ガ
ラスフリットの割合が金属粉末に対して２重量％未満で
あると、形成される外部電極のベアチップに対する接着
強度が低下し、６重量％を超えると焼結後の外部電極表
面にガラスフリットが表出し、はんだ付け性が損なわれ
る。
重量％、Ｐｄ：０〜５重量％及びＰｔ１〜５重量％を含
むものを用い、ガラスフリットとしてはＰｂＯ：０〜４
０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：３５〜６５重量％及びＺｎＯ：２
０〜５５重量％を含むホウ酸亜鉛系又はホウ酸亜鉛鉛系
ガラスを主成分とするものを用い、このガラスフリット
を金属粉末に対して２〜６重量％配合する。ここで、ガ
ラスフリットの割合が金属粉末に対して２重量％未満で
あると、形成される外部電極のベアチップに対する接着
強度が低下し、６重量％を超えると焼結後の外部電極表
面にガラスフリットが表出し、はんだ付け性が損なわれ
る。
【００１６】なお、前記金属粉末組成において、Ａｇが
９０重量％未満では焼結温度が高くなり、９８重量％を
超えるとはんだ耐熱性が劣るためである。従って、Ａｇ
は９０〜９８重量％とする。Ｐｄはなくても良いが、Ｐ
ｄの配合により耐マイグレーション性の向上という効果
が奏される。Ｐｄは５重量％を超えると焼結が悪くなる
ので、Ｐｄは０〜５重量％とする。また、Ｐｔが１重量
％未満でははんだ耐熱性が低く、５重量％を超えると焼
結が悪くなるのである。従って、Ｐｔは１〜５重量％と
する。
９０重量％未満では焼結温度が高くなり、９８重量％を
超えるとはんだ耐熱性が劣るためである。従って、Ａｇ
は９０〜９８重量％とする。Ｐｄはなくても良いが、Ｐ
ｄの配合により耐マイグレーション性の向上という効果
が奏される。Ｐｄは５重量％を超えると焼結が悪くなる
ので、Ｐｄは０〜５重量％とする。また、Ｐｔが１重量
％未満でははんだ耐熱性が低く、５重量％を超えると焼
結が悪くなるのである。従って、Ｐｔは１〜５重量％と
する。
【００１７】一方、ガラスフリットの構成成分のうち、
ＺｎＯは焼結金属のベアチップに対する接着強度を高め
るために添加するが、その割合が２０重量％未満ではそ
の効果がなく、５５重量％を超えるとガラスフリットの
融点が高くなり、ガラス化し難くなる。従って、ＺｎＯ
は２０〜５５重量％とする。
ＺｎＯは焼結金属のベアチップに対する接着強度を高め
るために添加するが、その割合が２０重量％未満ではそ
の効果がなく、５５重量％を超えるとガラスフリットの
融点が高くなり、ガラス化し難くなる。従って、ＺｎＯ
は２０〜５５重量％とする。
【００１８】Ｂ2 Ｏ3 はガラス形成酸化物として用いら
れ、熱膨張率をあまり大きくすることなくガラス化温度
を下げるように作用し、ガラス化を容易とするが、その
割合が３５重量％未満ではその効果が十分でなく、６５
重量％を超えると得られるガラスフリットの耐めっき液
性が乏しくなる。従って、Ｂ2 Ｏ3 は３５〜６５重量％
とする。
れ、熱膨張率をあまり大きくすることなくガラス化温度
を下げるように作用し、ガラス化を容易とするが、その
割合が３５重量％未満ではその効果が十分でなく、６５
重量％を超えると得られるガラスフリットの耐めっき液
性が乏しくなる。従って、Ｂ2 Ｏ3 は３５〜６５重量％
とする。
【００１９】ＰｂＯは、フリットの融点を下げるために
用いられるが、その割合が４０重量％を超えると融点が
過度に低くなる。従って、ＰｂＯは０〜４０重量％とす
る。
用いられるが、その割合が４０重量％を超えると融点が
過度に低くなる。従って、ＰｂＯは０〜４０重量％とす
る。
【００２０】外部電極の形成に際して、金属粉末及びガ
ラスフリットは、得られる導電性ペーストの粘度を調整
し、ベアチップ表面への塗布を容易にするために、有機
ビヒクルに混練して用いられるが、この有機ビヒクルと
しては、メチルセルロース、エチルセルロース等をブチ
ルカルビトール、テルピネオール等の有機溶剤に溶解し
たものが用いられる。
ラスフリットは、得られる導電性ペーストの粘度を調整
し、ベアチップ表面への塗布を容易にするために、有機
ビヒクルに混練して用いられるが、この有機ビヒクルと
しては、メチルセルロース、エチルセルロース等をブチ
ルカルビトール、テルピネオール等の有機溶剤に溶解し
たものが用いられる。
【００２１】なお、本発明のチップ型電子部品の外部電
極は、図示の積層セラミックコンデンサの他、チップイ
ンダクター、チップ抵抗、チップサーミスタ等の様々な
チップ型電子部品に適用することができる。
極は、図示の積層セラミックコンデンサの他、チップイ
ンダクター、チップ抵抗、チップサーミスタ等の様々な
チップ型電子部品に適用することができる。
【００２２】
【作用】本発明に係る導電性ペーストを用いて、焼成に
より２層構造の外部電極を形成することにより、焼成時
に外部電極の内層と外層との界面に、金属反応層が形成
され、はんだ付け性を損なうことなく、はんだ耐熱性を
高めることができる。
より２層構造の外部電極を形成することにより、焼成時
に外部電極の内層と外層との界面に、金属反応層が形成
され、はんだ付け性を損なうことなく、はんだ耐熱性を
高めることができる。
【００２３】このため、本発明のチップ型電子部品の外
部電極によれば、焼成により形成した外部電極の表面に
更にはんだ付けのためのめっき層を設けることが不要と
される。
部電極によれば、焼成により形成した外部電極の表面に
更にはんだ付けのためのめっき層を設けることが不要と
される。
【００２４】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２５】実施例１ 図１に示す本発明の外部電極構造を適用した積層セラミ
ックコンデンサ１０を製造した。なお、ベアチップ１１
を構成するセラミック誘電体は鉛ペロブスカイト系、内
部電極１３はＡｇ／Ｐｄ（＝７０／３０（重量比））の
貴金属電極とし、ベアチップ１１の大きさは３．２ｍｍ
長さ×１．６ｍｍ幅×０．８ｍｍ厚さである。
ックコンデンサ１０を製造した。なお、ベアチップ１１
を構成するセラミック誘電体は鉛ペロブスカイト系、内
部電極１３はＡｇ／Ｐｄ（＝７０／３０（重量比））の
貴金属電極とし、ベアチップ１１の大きさは３．２ｍｍ
長さ×１．６ｍｍ幅×０．８ｍｍ厚さである。
【００２６】外部電極１２は次の手順で形成した。下記
組成の金属粉末７２重量部、及び、この金属粉末に対し
て３重量％の下記組成のガラスフリットに、エチルセル
ロース、ブチルカルビトール及びテルピネオールを含む
有機ビヒクルを混練して全体を１００重量部として導電
性ペーストを調製した。
組成の金属粉末７２重量部、及び、この金属粉末に対し
て３重量％の下記組成のガラスフリットに、エチルセル
ロース、ブチルカルビトール及びテルピネオールを含む
有機ビヒクルを混練して全体を１００重量部として導電
性ペーストを調製した。
【００２７】金属粉末組成（重量％） Ａｇ：９５ Ｐｄ＝３ Ｐｔ＝２ガラスフリット組成（重量％） ＰｂＯ：４０ Ｂ2 Ｏ3 ：３０ ＺｎＯ：３０ 上記導電性ペーストをベアチップ１１の両端部に塗布し
て、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した後、大気圧
下、２５℃／分の昇温速度で７５０℃まで昇温して焼成
し、内層１２ａを形成した。
て、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した後、大気圧
下、２５℃／分の昇温速度で７５０℃まで昇温して焼成
し、内層１２ａを形成した。
【００２８】次に、この内層１２ａの形成に用いたもの
と同一の導電性ペーストを、内層１２ａを形成したベア
チップ１１の両端部に塗布し、大気圧下、２００℃で１
０分間乾燥した後、大気圧下、２５℃／分の昇温速度で
８００℃まで昇温して焼成し、外層１２ｂを形成した。
と同一の導電性ペーストを、内層１２ａを形成したベア
チップ１１の両端部に塗布し、大気圧下、２００℃で１
０分間乾燥した後、大気圧下、２５℃／分の昇温速度で
８００℃まで昇温して焼成し、外層１２ｂを形成した。
【００２９】得られた積層セラミックコンデンサについ
て、諸特性を次の方法により測定した。なお、以下にお
いて、括弧内の数値ｎは試験した試料数である。
て、諸特性を次の方法により測定した。なお、以下にお
いて、括弧内の数値ｎは試験した試料数である。
【００３０】 引張強度（ｎ＝１０） 積層セラミックコンデンサの外部電極に０．８ｍｍφの
はんだ曳き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶ク
リームはんだにより接着し、この鋼線を引っ張ることに
より引張強度を測定した。結果を表１に示す。
はんだ曳き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶ク
リームはんだにより接着し、この鋼線を引っ張ることに
より引張強度を測定した。結果を表１に示す。
【００３１】 はんだ付け性及びはんだ耐熱性 ２２０℃、２３０℃、２５０℃、２７０℃の温度でそれ
ぞれ溶融したＡｇ入りの共晶はんだ（Ｈ６０−Ａ）中
に、ピンセットで試料を挟んで浸漬し、外部電極全面に
はんだが付き終るまでの時間と、外部電極が喰われて素
地が露出し始めるまでの時間を光学顕微鏡により調べ
た。結果を図２に示す。
ぞれ溶融したＡｇ入りの共晶はんだ（Ｈ６０−Ａ）中
に、ピンセットで試料を挟んで浸漬し、外部電極全面に
はんだが付き終るまでの時間と、外部電極が喰われて素
地が露出し始めるまでの時間を光学顕微鏡により調べ
た。結果を図２に示す。
【００３２】実施例２ 実施例１において、導電性ペーストを調製する金属粉末
の組成を下記の通りとしたこと以外は同様にして積層セ
ラミックコンデンサを製造し、諸特性の測定結果を表１
及び図３に示した。
の組成を下記の通りとしたこと以外は同様にして積層セ
ラミックコンデンサを製造し、諸特性の測定結果を表１
及び図３に示した。
【００３３】金属粉末組成（重量比） Ａｇ：９８ Ｐｔ：２ 比較例１ 実施例１において、内層の形成を行なわず、外層のみの
外部電極を形成したこと以外は同様にして積層セラミッ
クコンデンサを製造し、諸特性の測定結果を表１及び図
４に示した。
外部電極を形成したこと以外は同様にして積層セラミッ
クコンデンサを製造し、諸特性の測定結果を表１及び図
４に示した。
【００３４】比較例２ 実施例２において、内層の形成を行なわず、外層のみの
外部電極を形成したこと以外は同様にして積層セラミッ
クコンデンサを製造し、諸特性の測定結果を表１及び図
５に示した。
外部電極を形成したこと以外は同様にして積層セラミッ
クコンデンサを製造し、諸特性の測定結果を表１及び図
５に示した。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１及び図２〜５より、実施例１の積層セ
ラミックコンデンサは比較例１のものに比較して、ま
た、実施例２のものは比較例２のものに比べて、それぞ
れはんだ耐熱性に優れ、また引張強度に優れていること
が明らかである。
ラミックコンデンサは比較例１のものに比較して、ま
た、実施例２のものは比較例２のものに比べて、それぞ
れはんだ耐熱性に優れ、また引張強度に優れていること
が明らかである。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品の外部電極は、はんだ付け性及びはんだ耐熱性が
共に良好で、はんだ付けのためのめっき層を形成する必
要がなく、焼成により形成された外部電極のみで使用す
ることができる。このため、少ない製造工程数で、安価
に、信頼性の高いチップ型電子部品を製造することがで
きる。
子部品の外部電極は、はんだ付け性及びはんだ耐熱性が
共に良好で、はんだ付けのためのめっき層を形成する必
要がなく、焼成により形成された外部電極のみで使用す
ることができる。このため、少ない製造工程数で、安価
に、信頼性の高いチップ型電子部品を製造することがで
きる。
【図１】本発明のチップ型電子部品の外部電極の一実施
例を示す積層セラミックコンデンサの断面図である。
例を示す積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図２】実施例１で得られた積層セラミックコンデンサ
のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の測定結果を示すグラ
フである。
のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の測定結果を示すグラ
フである。
【図３】実施例２で得られた積層セラミックコンデンサ
のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の測定結果を示すグラ
フである。
のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の測定結果を示すグラ
フである。
【図４】比較例１で得られた積層セラミックコンデンサ
のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の測定結果を示すグラ
フである。
のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の測定結果を示すグラ
フである。
【図５】比較例２で得られた積層セラミックコンデンサ
のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の測定結果を示すグラ
フである。
のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の測定結果を示すグラ
フである。
１０ 積層セラミックコンデンサ １１ ベアチップ １２ 外部電極 １２ａ 内層 １２ｂ 外層 １３ 内部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック焼結体からなるベアチップの
表面に接する内層とこの内層上に積層形成された外層と
を有する２層構造の外部電極において、 該外部電極は、金属粉末とガラスフリットとを含む導電
性ペーストが焼き付けられてなり、 前記内層及び外層を形成する導電性ペーストの金属粉末
はＡｇ：９０〜９８重量％、Ｐｄ：０〜５重量％、及
び、Ｐｔ：１〜５重量％を含み、ガラスフリットはＰｂ
Ｏ：０〜４０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：３５〜６５重量％、及
び、ＺｎＯ：２０〜５５重量％を主成分とし、かつ、該
外部電極は、該ガラスフリットを前記金属粉末に対して
２〜６重量％含んでなり、 該内層と外層とが同一組成の導電性ペーストにて形成さ
れていることを特徴とするチップ型電子部品の外部電
極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186766A JP2996016B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | チップ型電子部品の外部電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186766A JP2996016B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | チップ型電子部品の外部電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636970A true JPH0636970A (ja) | 1994-02-10 |
| JP2996016B2 JP2996016B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=16194263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4186766A Expired - Fee Related JP2996016B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | チップ型電子部品の外部電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2996016B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471553A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Side dam device for belt type continuous casting machine |
| EP1069194A1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-17 | Sony Corporation | Metal material for electronic parts, electronic parts, electronic apparatuses, and method of processing metal materials |
| JP2006128608A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 電子部品とその製造方法およびこれを用いたチップ抵抗器、フェライトコア並びにインダクタ |
| JP2008270328A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層バリスタとその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP4186766A patent/JP2996016B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR100715405B1 (ko) * | 1999-07-12 | 2007-05-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 전자 부품용 금속 재료, 전자 부품, 전자 장치, 및 금속재료의 처리 방법 |
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| JP2008270328A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層バリスタとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2996016B2 (ja) | 1999-12-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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