JP2000036220A

JP2000036220A - 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品

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Publication number: JP2000036220A
Application number: JP10218608A
Authority: JP
Inventors: Satoru Noda; 悟野田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-07-15
Filing date: 1998-07-15
Publication date: 2000-02-02
Anticipated expiration: 2018-07-15
Also published as: JP3985352B2

Abstract

(57)【要約】【課題】鉛を含有せず、導電成分である銅に酸化防止
処理を施さなくても、弱酸化性雰囲気で、銅の酸化を引
き起こすことなく焼成することが可能な導電性ペースト
及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。【解決手段】銅（Ｃｕ）粉末と、ガラスフリットと、
ビヒクルとを含有する導電性ペーストにおいて、ガラス
フリットとして、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化ビスマス
（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及び燐酸のアルカ
リ金属塩又はアルカリ土類金属塩を主成分として含有す
るものを用いる。また、銅粉末に対するガラスフリット
の体積比を０．３〜６．０％の範囲とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、導電性ペースト
及びそれを用いて形成した厚膜電極を備えたセラミック
電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】誘電体
セラミック上に静電容量形成用の電極が配設された構造
を有するセラミックコンデンサを製造する場合、電極
は、通常、銀粉末を導電成分とし、これにガラスフリッ
ト、有機ビヒクル、さらに必要に応じて各種添加成分を
含有させた導電性ペースト（銀ペースト）をスクリーン
印刷などの方法でセラミック誘電体上に塗布し、焼き付
けることにより形成されている。

【０００３】このように、導電性ペースト（銀ペース
ト）を焼き付けて形成した銀厚膜電極は、電気的性質に
優れ、高周波特性が良好で、信頼性が高く、しかも、容
易かつ簡便に電極を形成することができるという特徴を
有している。

【０００４】しかし、銀を導電成分とする導電性ペース
トは高価で、コストの増大を招くという問題点がある。

【０００５】また、銀厚膜電極にリード端子などをはん
だ付けした場合、はんだ中に銀が拡散、移行する、いわ
ゆるはんだ食われ現象が発生する場合があり、電極の密
着性が低下したり、静電容量の不足を招いたりするとい
うような問題点がある。

【０００６】さらに、銀厚膜電極は、銀のマイグレーシ
ョンが発生しやすく、絶縁耐電圧の低下など信頼性を損
なう事態を招く場合がある。

【０００７】特に、はんだ付け工程でのサーマルショッ
クなどにより、セラミック誘電体にマイクロクラックが
発生すると、銀がマイクロクラック内に拡散、移行し
て、銀のマイグレーションの進行が助長され、信頼性を
低下させるという問題点がある。

【０００８】上記問題点を解消するために、電極として
銅厚膜電極を用いた磁器コンデンサが特公平１−５１０
０３号に開示されている。そして、この銅厚膜電極の形
成には、銅微粉末と、硼珪酸鉛、硼珪酸ビスマス、硼珪
酸亜鉛の少なくとも１種を主成分とするガラスフリット
を、銅微粉末に対する体積比が２〜４０％の割合で含有
する導電性ペースト（銅ペースト）が用いられている。
なお、銅厚膜電極の形成にあたっては、導電性ペースト
（銅ペースト）を誘電体磁器素体に塗布し、銅微粉末の
酸化を防止するために、中性雰囲気で焼き付けるように
している。

【０００９】ところで、上記のように、硼珪酸ガラスの
少なくとも１種を主成分とするガラスフリットは、硼酸
分を少なくした組成でないと低融点を示さないことが知
られているが、融点の低くないガラスフリットを用いた
場合、導電性ペーストの磁器素体との接合が不完全にな
り、銅厚膜電極の接着強度が低下するという問題点があ
る。

【００１０】また、特開平５−１９５００５号公報に
は、銅粉末の酸化防止法が開示されている。この方法
は、銅粉末に対して、硼素原子換算で０．０１〜０．１
wt％の硼酸とこの硼酸が飽和濃度以下となる量のケトン
系、炭化水素系、芳香族系の溶媒とを組み合わせて混合
処理した後、乾燥処理して溶媒のみを蒸発させる方法で
あるが、焼成時の酸素濃度条件などによっては、必ずし
も十分な酸化防止効果が得られないという問題点があ
る。また、この方法では、上記の酸化防止処理の工程に
おいて、硼珪酸ガラスと混合した場合に、酸化防止効果
のある硼素が硼珪酸ガラス内に取り込まれて、弱酸化性
雰囲気での酸化防止効果を失うという問題点がある。

【００１１】また、従来、導電性ペーストを構成するガ
ラスフリットとして、鉛を含有する硼珪酸鉛などのガラ
スフリットが広く用いられてきたが、近年、環境問題に
対する意識の高まりから、ガラスフリット対して、無鉛
材料への転換が望まれるようになっている。

【００１２】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、鉛を含有せず、導電成分である銅に酸化防止処理
を施さなくても、弱酸化性雰囲気で、銅の酸化を引き起
こすことなく焼成することが可能な導電性ペースト及び
それを用いたセラミック電子部品を提供することを目的
とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の導電性ペーストは、銅（Ｃ
ｕ）粉末と、ガラスフリットと、ビヒクルとを含有する
導電性ペーストであって、前記ガラスフリットが、主成
分として、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化ビスマス（Ｂｉ₂
Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及び燐酸のアルカリ金属
塩又はアルカリ土類金属塩を含有するものであることを
特徴としている。

【００１４】本願発明の導電性ペーストは、導電成分と
して、卑金属で安価な銅粉末を用いているので、経済性
に優れた導電性ペーストを提供することが可能になる。
また、ガラスフリットとして、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸
化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及び燐
酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩を主成分と
する、鉛を含有しないガラスフリットを用いているた
め、鉛に起因する環境汚染問題を回避することが可能に
なる。

【００１５】さらに、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化ビスマ
ス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及び燐酸のアル
カリ金属塩又はアルカリ土類金属塩を主成分とするガラ
スフリットを用いることにより、硼素などによる酸化防
止処理を行うことなく、中性雰囲気で焼成した場合に限
らず、弱酸化性雰囲気中で焼成した場合にも、銅粉末が
酸化されることのない導電性ペーストを得ることが可能
になり、セラミック上に電極を形成するような場合に、
セラミックの還元を抑制して、特性の安定化を図ること
が可能になる。

【００１６】また、本願発明の導電性ペーストは、従来
の硼珪酸ガラスを主成分とするガラスフリットと同様
に、溶融した状態で急冷することによりガラス化する溶
融急冷法により効率よく製造することが可能である。さ
らに、硼酸塩を構成するアルカリ金属またはアルカリ土
類金属を含有することにより、低融点ガラスとしての特
性を得ることが可能になり、また、燐酸分（Ｐ₂０₅な
ど）が、編目形成酸化物として作用し、ガラスの還元を
抑制することが可能になる。すなわち、従来の硼珪酸ガ
ラスを用いたガラスフリットの場合のように、Ｂ₂Ｏ₃の
濃度の調整によりガラスの軟化点を低くしたりする物性
調整を行うと、ガラス還元性が増加するという問題点を
生じ、銅粉末の酸化防止処理を行うことが必要になる
が、本願発明の導電性ペーストにおいては、アルカリ金
属またはアルカリ土類金属を含有していることにより、
ガラスの軟化点を低くすることが可能になるため、Ｂ₂
Ｏ₃の濃度の調整によりガラスの軟化点を低くすること
が不要になるとともに、燐酸塩を含有していることによ
りガラスの還元性を抑制することが可能になる。

【００１７】また、請求項２の導電性ペーストは、前記
燐酸のアルカリ金属塩がナトリウム塩であることを特徴
としている。

【００１８】燐酸のアルカリ金属塩として、ナトリウム
塩を用いることにより、確実にガラスの軟化点を低くす
ることが可能になるとともに、低融点ガラスとしての特
性を得ることが可能になる。

【００１９】また、請求項３の導電性ペーストは、前記
銅粉末に対する前記ガラスフリットの体積比が０．３〜
６．０％の範囲にあることを特徴としている。

【００２０】銅粉末に対するガラスフリットの体積比を
０．３〜６．０％の範囲にすることにより、硼素などに
よる酸化防止処理を施さなくても、確実に、銅粉末の酸
化を防止することができるようになる。ガラスフリット
の添加量は、導電性ペーストを焼き付けて形成した電極
の特性に大きな影響を与える。すなわち、ガラスフリッ
トの銅粉末に対する体積比が０．３％未満の場合、電極
の引張り強度（密着強度）が著しく低下する。また、ガ
ラスフリットの添加量が０．３％未満になると、銅の酸
化が起こりはじめ、はんだ付け性が低下する。一方、ガ
ラスフリットの添加量が６％を超えると、電極の引張り
強度は増大するが、誘電損失が大きくなり、コンデンサ
の場合、静電容量が小さくなる。

【００２１】なお、ガラスフリットの割合を体積比で規
定しているのは、電極化した膜の緻密性が体積比により
左右されることによる。すなわち、重量比表現でガラス
フリットの添加量を規定した場合には、ガラスフリット
の真比重の相違により、銅粉末とガラスフリットの体積
比が異なり、膜の緻密性が変動して、電極のはんだ付け
性、誘電損失に大きな影響を及ぼすのに対して、体積比
で規定した場合には、所望のはんだ付け性、誘電損失な
どに関し、目標とする特性を安定して得ることが可能に
なることによる。

【００２２】また、請求項４の導電性ペーストは、前記
ガラスフリットの軟化点が３５０〜５５０℃の範囲にあ
ることを特徴としている。

【００２３】ガラスフリットの軟化点を３５０〜５５０
℃の範囲とした場合、温度５００〜７００℃、焼成時間
０．５〜１．５ｈｒの、通常の焼き付け条件で導電性ペ
ーストを確実に焼き付けることが可能になり、本願発明
をより実効あらしめることができる。

【００２４】なお、軟化点が３５０℃未満の場合には、
ガラスが電極の焼き付け時に低粘度となり過ぎて、セラ
ミック上に電極を形成するような場合に、セラミック内
へ拡散し、電極とセラミックの接合強度が低下するため
好ましくない。一方、軟化点が５５０℃超える場合に
は、電極の焼き付け時に十分に軟化せず、電極とセラミ
ックの接合が不十分になり、誘電損失の増大と電極の引
張り強度の低下を生じるため好ましくない。

【００２５】また、本願発明（請求項５）のセラミック
電子部品は、誘電体セラミックと、前記誘電体セラミッ
クに請求項１〜４のいずれかに記載の導電性ペーストを
塗布して、焼き付けることにより形成された厚膜電極と
を具備することを特徴としている。

【００２６】本願発明のセラミック電子部品は、誘電体
セラミックに、請求項１〜４のいずれかに記載の、安価
な銅粉末を導電成分として用いた導電性ペーストを塗布
して、焼き付けることにより形成された厚膜電極を備え
ているので、経済性に優れており、かつ、十分な信頼性
を有している。

【００２７】また、請求項６のセラミック電子部品は、
前記導電性ペーストを５００〜７００℃の温度で焼き付
けることにより、前記厚膜電極を形成したことを特徴と
している。

【００２８】本願発明の導電性ペーストを５００〜７０
０℃で焼成することにより形成された電極は、焼成時に
ガラスフリットが十分に軟化するとともに、銅が十分に
焼結されるため、セラミックに対する接着強度が大き
く、電気的特性にも優れており、所望の特性を備えたセ
ラミック電子部品を得ることが可能になる。なお、焼成
温度が５００℃未満の場合、ガラスフリット軟化及び銅
の焼結が不十分になるため、電極のセラミックへの接着
強度が低下する。また、焼成温度が７００℃を超えると
銅の酸化が著しくなり、電極のはんだ付け性を大きく低
下させる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
図１は、本願発明の一実施形態にかかるセラミックコン
デンサを示す断面図である。このセラミックコンデンサ
は、いわゆる単板コンデンサであって、誘電体セラミッ
クからなる板状のセラミック誘電体板（単板）１と、セ
ラミック誘電体板１の両主面にセラミック誘電体板１を
介して互いに対向するように配設された一対の電極（容
量形成用電極）３ａ，３ｂと、一対の電極３ａ，３ｂに
はんだ付けされたリード端子４ａ，４ｂと、セラミック
誘電体板１を封止する外装樹脂５とを備えている。

【００３０】なお、セラミック誘電体板１は、例えばチ
タン酸バリウム又はチタン酸ストロンチウムを主成分と
するセラミックから形成されており、電極３ａ，３ｂ
は、銅粉末を導電成分とし、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化
ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及び燐酸
のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩を主成分とし
て含有するガラスフリットを、導電成分である銅粉末に
対して所定の体積比で配合した導電性ペーストを、塗
布、焼き付けすることにより形成されている。

【００３１】また、図２は、本願発明の他の実施形態に
かかるセラミックコンデンサを示す断面図である。この
セラミックコンデンサは、積層セラミックコンデンサで
あって、誘電体セラミックからなるセラミック積層体
（セラミック素子）１０中に、複数の内部電極１１ａ，
１１ｂが誘電体セラミック層１２を介して互いに対向す
るように配設されているとともに、交互に逆側の端面１
３ａ，１３ｂに引き出されており、かつ、セラミック積
層体１０の端面１３ａ，１３ｂに、内部電極１１ａ，１
１ｂと導通するように外部電極１４ａ，１４ｂが配設さ
れた構造を有している。

【００３２】なお、セラミック積層体１０は、例えばチ
タン酸バリウム又はチタン酸ストロンチウムを主成分と
するセラミック材料から形成されたセラミックグリーン
シートに、内部電極形成用の導電性ペーストを所定のパ
ターンとなるように塗布したセラミックグリーンシート
を複数枚積層し、さらにその上下両面側に内部電極パタ
ーンの形成されていないセラミックグリーンシートを積
層し、圧着した後、所定の条件で焼成して一体化するこ
とにより形成されている。

【００３３】そして、外部電極１４ａ，１４ｂは、焼
成、一体化されたセラミック積層体１０の両端面に、本
願発明の導電性ペースト、すなわち、銅粉末を導電成分
とし、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化ビスマス（Ｂｉ
₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及び燐酸のアルカリ金属
塩又はアルカリ土類金属塩を主成分として含有するガラ
スフリットを、導電成分である銅粉末に対して所定の体
積比で配合した導電性ペーストを塗布、焼き付けするこ
とにより形成されている。

【００３４】本願発明の導電性ペーストを用いて形成し
たセラミック電子部品の特性を調べるため、以下に説明
するようなサンプル（セラミックコンデンサ））を作製
し、静電容量、誘電損失、電極の引張り強度、はんだ付
け性などを測定した。

【００３５】［特性測定試験１］酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、
酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、燐酸
水素二ナトリウム（Ｎａ₂ＨＰＯ₄）からなるガラスフリ
ットを、微細な銅粉末に対して、体積比を変えながら、
３本ロールなどの混練機により、エチルセルロース有機
ビヒクル中に分散させて導電性ペーストを作成した。な
お、燐酸水素二ナトリウム（Ｎａ₂ＨＰＯ₄）の代わり
に、他の燐酸アルカリ金属塩や燐酸アルカリ土類金属塩
を用いることも可能であり、さらに、酸化ナトリウム
（Ｎａ₂Ｏ）と５酸化２燐（Ｐ₂Ｏ₅）を別々に添加する
ようにしてもよい。

【００３６】それから、この導電性ペーストを、チタン
酸バリウム系の高誘電率誘電体セラミックから形成さ
れ、直径が１４mm、厚みが０．５mmの円板（単板）の両
主面に、スクリーン印刷などの方法により塗布し、酸素
濃度４５０ppmの弱酸化性雰囲気中、焼成温度６００℃
で、６０分間焼成することにより、セラミックコンデン
サ（サンプル）を得た。

【００３７】そして、このセラミックコンデンサについ
て、静電容量、誘電損失（ＤＦ）、電極の引張り強度、
はんだ付け性（酸化度）などを測定した。その結果を表
１に示す。

【００３８】

【表１】

【００３９】なお、表１においてサンプル番号に*印を
付したものは本発明の範囲外の比較例である。また、ガ
ラスフリットの添加量に対する電極の引張り強度の関係
を図３に、ガラスフリットの添加量に対する静電容量の
関係を図４に、ガラスフリットの添加量に対する誘電損
失（ＤＦ）の関係を図５に示す。

【００４０】なお、表１及び図３において、電極の引張
り強度は、電極に直径０．５mmのリード線をはんだ付け
し、電極面に垂直の方向に引張って電極が剥離したとき
の荷重を引張り強度とした。

【００４１】また、はんだ付け性は、各サンプルの電極
の表面にロジンフラックスを塗布した後、溶融はんだに
浸漬してはんだ付け性を目視により観察し、評価した。
なお、はんだは融点が１８３℃の共晶はんだ（温度：２
３５℃）を使用し、２〜３秒間浸漬した。

【００４２】表１及び図３に示すように、ガラスフリッ
トの添加量が増大すると引張り強度が大きくなることが
わかる。一方、ガラスフリットの添加量が体積比で６．
０％を超えるとはんだ付け性が低下する。また、ガラス
フリットの添加量が体積比で０．３％未満になると、半
田くわれが生じ、電極の引張り強度も大きく低下する。

【００４３】このように、表１及び図３から、ガラスフ
リットの添加量を銅粉末に対して、体積比で０．３〜
６．０％の範囲とすることにより、電極の引張り強度と
はんだ付性を同時に満足できることがわかる。

【００４４】また、図４及び図５に示すように、ガラス
フリットの添加量が、体積比で０．３〜６．０％の範囲
にある場合、１８ｎＦ以上の静電容量を得ることが可能
になるとともに、誘電損失が４％以下となり、良好な特
性を備えたセラミックコンデンサを得ることができる。

【００４５】上述のように、ガラスフリットの添加量を
銅粉末に対して、体積比で０．３〜６．０％の範囲とす
ることにより、静電容量、誘電損失、電極の引張り強
度、はんだ付け性（酸化度）に関し、所望の特性を備え
たセラミックコンデンサを得ることができる。

【００４６】［特性測定試験２］酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、
酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、燐酸
水素二ナトリウム（Ｎａ₂ＨＰＯ₄）からなるガラスフリ
ットを、微細な銅粉末に対して、体積比が０．５％とな
るように配合し、これを３本ロールなどの混練機によ
り、エチルセルロース有機ビヒクル中に分散させて導電
性ペーストを作成した。なお、燐酸水素二ナトリウム
（Ｎａ₂ＨＰＯ₄）を添加する代わりに、酸化ナトリウム
（Ｎａ₂Ｏ）と５酸化２燐（Ｐ₂Ｏ₅）を添加するように
してもよい。

【００４７】それから、この導電性ペーストを、チタン
酸バリウム系の高誘電率誘電体セラミックから形成され
た、直径が１４mm、厚みが０．５mmの単板の両主面に、
スクリーン印刷などの方法により塗布し、酸素濃度１０
００ppmの弱酸化性雰囲気中で、焼成温度を変化させて
６０分間焼成することにより、セラミックコンデンサ
（サンプル）を得た。

【００４８】そして、このセラミックコンデンサについ
て、静電容量、誘電損失（ＤＦ）、電極の引張り強度、
はんだ付け性（酸化度）などを測定した。その結果を表
２に示す。

【００４９】

【表２】

【００５０】なお、表２においてサンプル番号に*印を
付したものは本発明の範囲外の比較例である。また、焼
成温度に対する電極の引張り強度の関係を図６に、焼成
温度に対する静電容量の関係を図７に、焼成温度に対す
る誘電損失（ＤＦ）の関係を図８に示す。

【００５１】なお、表２及び図６において、電極の引張
り強度は、電極に直径０．５mmのリード線をはんだ付け
し、電極面に垂直の方向に引張って電極が剥離したとき
の荷重を引張り強度とした。

【００５２】また、はんだ付け性は、各サンプルの電極
の表面にロジンフラックスを塗布した後、溶融はんだに
浸漬してはんだ付け性を目視により観察し、評価した。
なお、はんだは融点が１８３℃の共晶はんだ（温度：２
３５℃）を使用し、２〜３秒間浸漬した。

【００５３】表２及び図６に示すように、焼成温度が５
００〜７００℃の範囲においては、電極の引張り強度と
はんだ付け性を同時に満足することがわかる。しかし、
焼成温度が８００℃以上になると、電極の酸化が生じて
はんだ濡れ性が低下し、電極として機能しない状態にな
った。

【００５４】また、図７及び図８に示すように、焼成温
度が５００℃以上になると、ガラスが十分に軟化して、
誘電体セラミックへの接合状態が良好になり、静電容
量、誘電損失などの特性を満足することがわかる。な
お、焼成温度が８００℃以上になっても、図７及び図８
に示すように、静電容量及び誘電損失に関しては、必要
な特性が得られているが、酸化抑制効果が低下して電極
の酸化が生じ、はんだ濡れ性が低下するため好ましくな
い。

【００５５】上述のように、焼成温度を５００〜７００
℃の範囲とすることにより、静電容量、誘電損失、電極
の引張り強度、はんだ付け性（酸化度）に関し、所望の
特性を備えたセラミックコンデンサを得ることができ
る。

【００５６】なお、上記実施形態では、セラミックコン
デンサを例にとって説明したが、本願発明の導電性ペー
ストは、例えば、ＮＴＣサーミスタ、バリスタなどのセ
ラミック電子部品に電極を形成する場合などに広く用い
ることが可能である。

【００５７】本願発明は、さらにその他の点においても
上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の
範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能
である。

【００５８】

【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
導電性ペーストは、導電成分として、卑金属で安価な銅
粉末を用いているので、低コストの導電性ペーストを提
供することが可能になるとともに、ガラスフリットとし
て、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及び燐酸のアルカリ金属塩又はア
ルカリ土類金属塩を主成分として含有するものを用いて
おり、鉛を含有していないため、鉛に起因する環境汚染
の問題を回避することが可能になる。さらに、上記ガラ
スフリットを用いているので、硼素などによる酸化防止
処理を行うことなく、中性雰囲気で焼成した場合に限ら
ず、弱酸化性雰囲気中で焼成した場合にも、銅粉末の酸
化を防止することが可能になり、セラミック上に電極を
形成する場合に、セラミックの還元を抑制して特性の安
定化を図ることが可能になる。また、燐酸のアルカリ
金属塩またはアルカリ土類金属塩を含有させることによ
り、ガラスの軟化点を低くすることが可能になるととも
に、ガラスの還元性を抑制することが可能になる。

【００５９】また、請求項２の導電性ペーストのよう
に、燐酸のアルカリ金属塩として、ナトリウム塩を用い
ることにより、確実にガラスの軟化点を低くすることが
可能になるとともに、低融点ガラスとしての特性を得る
ことが可能になる。

【００６０】また、請求項３の導電性ペーストのよう
に、銅粉末に対するガラスフリットの体積比を０．３〜
６．０％の範囲にした場合、硼素などによる酸化防止処
理を施さなくても、確実に、銅粉末の酸化を防止するこ
とができる。

【００６１】また、請求項４の導電性ペーストのよう
に、ガラスフリットの軟化点を３５０〜５５０℃の範囲
とした場合、温度５００〜７００℃、焼成時間０．５〜
１．５ｈｒの、通常の焼き付け条件で導電性ペーストを
確実に焼き付けることが可能になり、本願発明をより実
効あらしめることができる。

【００６２】また、本願発明（請求項５）のセラミック
電子部品は、誘電体セラミックに、請求項１〜４のいず
れかに記載の、安価な銅粉末を導電成分として用いた導
電性ペーストを塗布して、焼き付けることにより形成さ
れた厚膜電極を備えているので、経済性に優れており、
かつ、十分な信頼性を有している。

【００６３】また、請求項６のセラミック電子部品の場
合のように、本願発明の導電性ペーストを５００〜７０
０℃で焼成することにより形成された電極は、焼成時に
ガラスフリットが十分に軟化するとともに、銅が十分に
焼結されるため、セラミックに対する接着強度が大き
く、電気的特性にも優れており、所望の特性を備えたセ
ラミック電子部品を得ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の一実施形態にかかるセラミックコン
デンサを示す断面図である。

【図２】本願発明の他の実施形態にかかるセラミックコ
ンデンサを示す断面図である。

【図３】導電性ペースト中のガラスフリットの添加量と
電極の引張り強度の関係を示す特性図である。

【図４】導電性ペースト中のガラスフリットの添加量と
静電容量の関係を示す特性図である。

【図５】導電性ペースト中のガラスフリットの添加量と
誘電損失の関係を示す特性図である。

【図６】導電性ペーストの焼成温度と電極の引張り強度
の関係を示す特性図である。

【図７】導電性ペーストの焼成温度と静電容量の関係を
示す特性図である。

【図８】導電性ペーストの焼成温度と誘電損失の関係を
示す特性図である。

【符号の説明】

１セラミック誘電体板（単板）３ａ，３ｂ電極（容量形成用電極）４ａ，４ｂリード端子５外装樹脂１０セラミック積層体（セラミック素
子）１１ａ，１１内部電極１２セラミック層１３ａ，１３ｂセラミック積層体の端面１４ａ，１４ｂ外部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銅（Ｃｕ）粉末と、ガラスフリットと、ビ
ヒクルとを含有する導電性ペーストであって、前記ガラスフリットが、主成分として、酸化硼素（Ｂ₂
Ｏ₃）、酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、及び燐酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属
塩を含有するものであることを特徴とする導電性ペース
ト
【請求項２】前記燐酸のアルカリ金属塩がナトリウム塩
であることを特徴とする請求項１記載の導電性ペース
ト。
【請求項３】前記銅粉末に対する前記ガラスフリットの
体積比が０．３〜６．０％の範囲にあることを特徴とす
る請求項１又は２記載の導電性ペースト。
【請求項４】前記ガラスフリットの軟化点が３５０〜５
５０℃の範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかに記載の導電性ペースト。
【請求項５】誘電体セラミックと、前記誘電体セラミックに請求項１〜４のいずれかに記載
の導電性ペーストを塗布して、焼き付けることにより形
成された厚膜電極とを具備することを特徴とするセラミ
ック電子部品。
【請求項６】前記導電性ペーストを５００〜７００℃の
温度で焼き付けることにより、前記厚膜電極を形成した
ことを特徴とする請求項５記載のセラミック電子部品。