KR100978736B1 - Ｐｄｐ 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

Ｐｄｐ 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마디스플레이패널(PDP)의 전극용 도전성 페이스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도전성 금속 분말 45 내지 70 중량%, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%, 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 혼합된 금속염혼합물 0.001 내지 5 중량% 및 포토레지스트 조성물 28.99 내지 40 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 PDP의 전극용 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래의 페이스트 조성물에 포함되는 무기증점제 대신에 산화물 상태에서 도전성을 보이는 아연(Zn)과 같은 금속염과 납(Pb) 미함유의 무기질계 바인더를 사용함으로써 도전성을 향상시킬 수 있다.
플라즈마디스플레이패널(PDP), 도전성 페이스트, 금속염

Description

ＰＤＰ 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이의 제조방법{A conductive paste composition for PDP electrode and manufacturing method thereof}
본 발명은 디스플레이(Display) 장치의 전극용 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 도전성 및 부착력이 우수한 플라즈마디스플레이패널(PDP)의 전극용 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
디스플레이들이 대형화되고 해상도가 향상되면서 수십내지 100마이크로미터 선폭의 미세한 형상과 높은 도전성 요구가 증가되고 있다. 이에 보다 미세한 전극에서도 도전성을 향상시키기 위한 기술이 요구되며 이런 경향에 따라 고도로 정밀한 전극 형성 기술에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
PDP는 액정 디스플레이 장치(LCD) 대비 색상이 자연색에 가깝고 응답 속도가 빠르며, 대형화가 용이한 장점들이 있어 수요가 확대되고 있다. PDP용 유리 기판상에 전극을 형성하는 종래의 방법으로는, 스크린 인쇄법이 이용되어 왔으나, 작업의 정밀도가 떨어지며 요구 수준을 충족하기 위해서는 숙련도가 필요한 등의 단점이 있어 최근에는 감광성 수지 조성물을 이용한 포토리소그래피법에 의존하고 있다.
감광성 인쇄법은 미세 도전성 분말이 분산된 감광성 수지 조성물을 먼저 인 쇄하여 전체면에 도전성 금속막을 형성하고, 필요한 형상의 마스크를 통하여 원하는 형상을 노광하고 알카리 현상을 통하여 원하는 패턴을 얻는 방법이다. 감광성인쇄법에 사용되는 페이스트는 은, 구리, 알루미늄 등의 도전성을 띠는 금속 미세 분말과 무기질계 바인더를 감광성 수지에 분산시키고 필요에 따라 점도 및 요변성 등 페이스트의 물성 및 공정에서 사용 및 보관시 안정성 구현을 위한 폴리머, 상안정제, 소포제 등 첨가제를 플레니터리 믹서(PLANETARY MIXER)나 3본밀(3-roll mill)등 혼합 설비를 이용하여 균일하게 혼합하여 제조한다.
가전제품의 환경문제가 사회적인 화제가 되면서 2003년 발표된 유럽 특정 유해물질 사용 제한 지침(RoHS)에서는 가전제품에 대해서 납을 포함한 6종류의 환경 유해물질의 사용을 제한하고 있는데 기존의 무기질계 바인더는 소성 온도를 낮추기위해서 납성분을 포함하고있어(PbO-SiO2-P2O5, PbO-B2O3 등 유연계(有鉛系)) 납을 포함하지 않는 무기질계 바인더(SnO-P2O5, ZnO-P2O5, V2O5-P2O5, B2O3-SiO2 및 Bi2O3 등 무연계(無鉛系))의 적용이 시도되고 있으나 무연계 무기질 바인더는 유연계 무기질 바인더 대비 소성 온도가 높고 핀홀(pin-hole)이 성장하는 등 단점이 있다.
무연계 무기질 바인더의 이러한 단점들은 디스플레이에 적용했을 때 핀홀, 도전성 금속 분말의 불완전한 소성으로 인한 치밀성 저하, 미세 크랙 발생 및 유기물 잔류 등으로 인하여 형성된 전극의 전기 저항이 커 도전성이 떨어지고 도전성 금속 입자간 및 기판간 부착력이 약해져 전극 탈락같은 불량을 야기하기 때문에 소성 온도를 높이거나 시간을 길게 해주어야 하지만 생산성의 저하나 유리 기판이 휘 게되는 등 또 다른 문제점의 소지가 있다.
이에 의하여, 무연계 페이스트의 도전성을 보완할 수 있는 PDP 전극용 도전성 페이스트 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 도전성 및 부착력이 우수한 플라즈마디스플레이패널(PDP)의 전극용 도전성 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 페이스트 조성물은 45 내지 70 중량%의 도전성 금속 분말, 1 내지 10 중량%의 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더, 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 혼합된 금속염혼합물 0.001 내지 5 중량% 및 포토레지스트 조성물 28.99 내지 40 중량%를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 도전성 금속 분말의 재질은 은, 구리, 알루미늄, 니켈 등이 사용 가능하나, 도전성이 우수한 은 분말이 보다 바람직하며, 형상, 입경 및 입경 분포, 순도 및 함유량, 밀도 및 표면 특성과 같은 물성이 전극의 제반 특성에 영향을 미칠 수 있다.
바람직하게는, 분말의 형태는 분산이 용이한 구(求)형으로 무기바인더가 도전성 입자 간의 공간에 침투하여 접착력을 발휘하기 용이하고 형성되는 패턴의 직선성을 고려할 때 평균입경 0.5 내지 3마이크로미터 범위가 많이 사용되나 대입자가 많을 경우 가장자리 요철이 심해지므로 최대 입경은 5 마이크로미터 범위를 넘지 않는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 도전성 금속 분말 함유량은 45 내지 70 중량% 범위로 더 자세하게는 55 내지 64 중량% 범위가 바람직하다. 이보다 함량이 낮을 경우 전체 페이스트의 점도가 낮아져 전극패턴의 직선성이 나빠지고, 가장자리 요철이 심해지며, 인쇄 공정에서 흘러내리는 문제가 발생 될 수 있으며, 전극 내에서의 은(Ag) 밀도가 낮아져 기공 및 크랙 발생 가능성이 커지고 전기 저항이 증가할 수 있다. 반면, 은 함량이 지나치게 높을 경우 점도가 상승하여 인쇄가 어려워질 수 있으며 인쇄 이후에도 평탄도가 나빠지며 전극막의 아래층에서 노광이 불충분하여 나타나는 언더커트(under cut) 현상의 발생 가능성이 높아질 수 있다.
바람직하게는, 도전성 분말의 순도는 통상 98% 이상으로 이보다 낮을 경우 불순물로 인하여 소성된 전극의 저항값이 높아지며, 보다 순도가 높을 경우 원가가 상승하는 원인이 될 수 있다. 또한, 분말의 텝밀도(Tap Density)는 4.0 내지 5.0g/cm3 범위를 사용하는 것이 전극 형상 및 노광시 자외선 투과도, 레벨링성 및 막 치밀도에 유리하며, 분산제의 처리를 통하여 분산성을 향상시키는 경우도 있다.
바람직하게는, 무기질계 바인더의 함량은 1 내지 10%, 보다 바람직하게는 2 내지 8 중량% 범위에서 사용하며, 무기질계 바인더의 함량이 1 중량%에 미달되는 경우에는 유리 기판과 부착력이 떨어지기 때문에 전극이 탈락 될 위험성이 있으며, 10 중량%를 넘는 경우 전극의 전기 저항이 높아지거나, 단락의 위험성이 있다. 무기질계 바인더는 Pb 성분을 함유한 제품이 사용되어 왔으나 환경 규제에 대응하여 Pb 미함유 무기질계 바인더로 Bi2O3, SiO2, B2O3, ZrO2, V2O5, Al2O3 및 이들의 조합으 로 이루어진 조성물로 기판재질(통상 PD 200)로 유리 재질을 사용하는 경우 공정 가능온도 상한인 600℃보다 낮은 500℃ 이하에서 유리 전이점과 연화 온도를 갖는 재질이어야 하며 이보다 높은 공정온도에서는 기판재질의 변형을 가져오므로 후속 공정에서 문제가 발생한다. 반면, 너무 낮은 온도에서는 유기물의 분해가 완전히 이루어지지 않으므로 통상 무기질계 바인더의 전이점은 350 내지 500℃ 범위에 있어야 한다.
바람직하게는, Pb 미함유 무기질계 바인더에 흡착되는 수분은 후속 공정을 통하여 제조되는 전극 페이스트에 젤화 현상을 야기할 수 있어서 수분이 차단된 곳에 보관하여야 하며, 보다 바람직하게는 사용전의 Tg보다 50 ~ 100℃의 낮은 온도에서 건조하여 사용하는 것이 좋다. 건조 온도가 Tg를 넘을 경우 분말 상태인 무기바인더가 소결되거나 결정화되어 바인더로서 역할을 할 수 없는 상태가 될 가능성이 커지므로 주의하여야 한다.
바람직하게는, 통상의 PDP 전극용 페이스트 조성물은 무기 증점제를 포함할 수 있다. 무기 증점제는 0.001 내지 2 중량%로 점도 조절을 위해서 사용되고, 페이스트의 안정성 및 소결성에 악영향을 끼치지 않는 비결정질의 실리카, 카오린, 알루미나 등 산화물 미분말 물질이 사용될 수 있다. 본 발명에서는 4%이내의 아연(Zn)과 같은 금속염 혼합물을 첨가하여 페이스트 상태에서는 이들이 무기 증점제로 페이스트의 점도를 조절하는 역할을 하고, 인쇄, 건조 및 소성 후는 열분해되어 도전성을 띠는 무기 바인더 역할을 하게 하여 종래의 문제점인 무연 도전성 페이스트의 도전성을 개선할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에서 사용될 수 있는 금속염의 종류에는 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있으며, 이와는 별도로 접착성 향상 목적으로 이들과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속염 혼합물이 사용될 수 있다.
바람직하게는, 포토레지스터 조성물은 용매 30 내지 75 중량%, 광중합성 모노머 19 내지 40중량%, 광중합 개시제 5 내지 10중량% 및 래벨링제 1 내지 5중량%를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 포토레지스트 조성물의 함유량은 28.99 내지 50 중량% 범위로 더 자세하게는 10 내지 50 중량%가 바람직하나, 함량이 10 중량% 미만일 경우에는 페이스트의 인쇄성 불량 및 노광 감도가 저하되므로 바람직하지 못하며, 50 중량%를 초과하는 경우에는 상대적으로 도전성 분말의 함량비가 낮게 되어 소성시에 막의 선폭 수축이 심하고, 단선이 발생되기 때문에 바람직하지 못하다.
상기 광중합 모노머는 아크릴레이트류, 메타아크릴레이트류 등을 포함할 수 있으며, 광중합 개시제는 벤조페논 및 그 유도체, 티옥사논 및 그 유도체 등을 포함할 수 있다.
또한, 용매는 터피놀, 텍사놀, 부틸카비톨아세테이트 등을 포함할 수 있으며, 기타 첨가물로서 래벨링제는 에틸셀루로스, 하이드록시프로필셀룰로스 등을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에 의한 납 미함유 은 페이스트 조성물은, 상기 설명 한 바와 같은, 도전성 금속 분말, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더, 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 혼합된 금속염혼합물을 플레니터리 믹서(planetary mixer)와 같은 혼합기로 사전 혼합(pre-mixing)을 행하고, 3-롤 밀(3-roll mill)과 같은 분쇄기를 사용하여 도전성 금속 분말, Pb 미함유 무기질계 바인더를 상기 포토레지스트 조성물에 고르게 분산시켜 페이스트를 제조할 수 있다. 제조된 페이스트 조성물은, 10000 내지 50000cPs의 점도를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 페이스트 조성물의 제조방법은 미세 패턴의 형성 과정을 추가로 포함할 수 있다. 상기와 같이 제조된 은 페이스트 조성물을 SUS 325메쉬(mesh)나 SUS 400메쉬와 같은 스크린 마스크를 사용한 스크린 인쇄기를 이용하여 기판 전면에 인쇄를 행하고, 90 내지 140℃의 온도로, 10 내지 20분동안 건조시킨 다음, 형성된 은 페이스트 코팅막의 전극 해당 부위에 325 nm의 자외선으로 패턴이 형성되도록 노광을 행하고, NaCO3 용액, KOH, TMAⅡ 등과 같은 적당한 알칼리 현상액으로 30℃ 내외의 온도에서 현상하여 건조과정을 거칠 수 있다. 소성과정은 위의 과정을 거쳐 형성된 미세 패턴을 전기로 등에서 500 내지 600℃로 10 내지 30분간 이루어질 수 있다.
상기한 과제 해결 수단에 의한 본 발명에 따르면, 종래의 페이스트 조성물에 포함되는 무기증점제 대신에 산화물 상태에서 도전성을 보이는 아연(Zn)과 같은 금속염과 납(Pb) 미함유의 무기질계 바인더를 사용함으로써 도전성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명한다.
실시예 1: 질산아연과 알루미늄 수산화물 혼합물이 분산된 PDP 전극용 도전성 페이스트 제조
상온의 크린룸 조건하에서 도전성 금속 분말로서 평균 입경 1.5㎛의 구형 Ag 분말 57중량%, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더로서 Bi2O3 49 중량％, B203 14 중량％, ZnO 14 중량％, SiO2 6 중량％ 및 BaO 17 중량％로 구성된 유리 전이점 460도의 무연(無鉛)비스무스(Bi)계(系)를 8중량% 사용하였고, 금속염 혼합물로서 무기증점제 대신 아연: 알루미늄=2:1 의 중량비가 되도록 혼합한 질산아연과 알루미늄 수산화물 혼합물 1중량%를 첨가하여 플레니터리 믹서(planetary mixer)로 사전 혼합(pre-mixing) 시켰다.
후속하여 3-롤 밀(3-roll mill) 분쇄기를 사용하여 상기 사전 혼합된 조성물을 포토레지스트 조성물 35.5 중량%에 고르게 분산시켜 본 발명에 따른 페이스트 조성물을 제조하였다.
이때 포토레지스트 조성물은 아크릴레이트 아크릴 공중합체(acrylated Acrylic Copolymer) 27 중량%, 에틸 카비톨 아크릴레이트(Ethyl carbitol acrylate) 16중량%, 이소프로필 티옥산톤(isopropyl thioxanthone) 4중량%, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포린-프로판-1-원(2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholineo-propane-1-one) 1중량%, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄다이올-모노(2-메틸프로파노에이트)(2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol-mono(2-methylpropanoate)) 42중량%, 히드록시프로필 셀룰로스(Hydroxypropylcellulose) 8중량% 및 말론산(malonic acid) 2중량%을 혼합하여 제조하였다.
비교예
비교예의 경우 금속염 혼합물을 사용하지 않았고, 무기증점제로서 알루미늄 미분말 1중량%를 첨가하여 실시예 1과 동일하게 제조하였다.
실시예 2: 구성 및 성능의 비교
실시예 및 비교예의 페이스트는 PD200유리 기판에 전극 패턴을 형성하고 각각에 대하여 선저항을 측정하여 하기 식에 의해 전도도로 환산하였다.
비저항(ohm.cm) = 저항(ohm)*단면적(cm2)/길이(cm)
단면적(cm2) = 선폭(cm)*두께(cm)
구분 실시예(중량%) 비교예(중량%)
Ag 분말 57 57
무기 바인더 8 8
금속염 혼합물/무기 증점제 1 1
포토레지스트 조성물 35.5 35.5
특성 실시예(중량%) 비교예(중량%)
현상성 양호 양호
Pattern 형성(㎛) 65 65
현상 후 단계(㎛) 8 8
소결 후 두께(㎛) 4.5 4
점도(cPs) 24000 22700
비저항(ohm.cm) 2.7 2.9
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예의 경우 비교예보다 비저항이 낮았고, 이에 의해 전도성이 개선되었음을 알 수 있었다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (18)

  1. PDP 전극용 페이스트 조성물에 있어서, 도전성 금속 분말 45 내지 70 중량%, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%, 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 혼합된 도전성을 갖는 금속염혼합물 0.01 내지 5 중량% 및 포토레지스트 조성물 28.99 내지 50 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 도전성 금속 분말이 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni)로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도전성 금속 분말의 입경이 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더가 Bi2O3, SiO2, B2O3, ZrO2, V2O5 및 Al2O3 로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 납(Pb) 미함유 무기질계 바 인더임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더의 전이점이 350 내지 500℃ 임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더가 Tg보다 50 ~ 100℃ 낮은 온도에서 사전에 건조시킨 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 금속염 혼합물이 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 2:1의 중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 도전성 금속분말로서 은(Ag), 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더로서 무연비스무스(Bi)계, 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무 스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 혼합된 금속염혼합물 로서 질산아연 및 알루미늄 수산화물의 혼합물 및 포토레지스트 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  10. PDP 전극용 페이스트 조성물에 있어서,
    a) 도전성 금속 분말, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더, 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 혼합된 도전성을 갖는 금속염혼합물을 플레니터리 믹서(planetary mixer) 혼합기로 사전 혼합(pre-mixing)시켜서 혼합물을 수득하는 단계; 및
    b) 3-롤 밀(3-roll mill) 분쇄기를 사용하여 단계 a)에서 사전혼합된 혼합물을 포토레지스트 조성물에 분산시키는 단계를 포함하는 도전성 페이스트 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 도전성 금속 분말이 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni)로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 도전성 금속 분말의 입경이 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더가 Bi2O3, SiO2, B2O3, ZrO2, V2O5 및 Al2O3 로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  14. 제10항 또는 제13항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더의 전이점은 350 내지 500℃ 임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더가 Tg보다 50 ~ 100℃ 낮은 온도에서 사전에 건조시킨 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  16. 제10항에 있어서, 금속염 혼합물이 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 2:1의 중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  17. 삭제
  18. 제10항에 있어서, 도전성 금속분말로서 은(Ag), 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더로서 무연비스무스(Bi)계, 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In) 또는 바나듐(V)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염과 알루미늄(Al), 실리콘(si), 비스무스(Bi), 보론(B) 및 지르코늄(Zr)으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속염이 혼합된 금속염혼합물로서 질산아연 및 알루미늄 수산화물의 혼합물 및 포토레지스트 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
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