KR20050114408A - ＰＤＰ 어드레스 전극용 Ｐｂ 미함유 Ａｇ 페이스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, a) Ag 분말 60 내지 90 중량%; b) Pb 미함유 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%; c) 무기 증점제 0.001 내지 1 중량%; 및 d) 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 5 내지 38 중량%를 포함하는 PDP 어드레스 전극용 Ag 페이스트 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물은 ⅰ) Pb를 함유하지 않는 무기질계 바인더를 사용하여 친환경적이고, ⅱ) 종래의 전극 형성 공정을 그대로 사용하여 보다 미세한 전극을 제조하기에 적합하고, ⅲ) 형성된 패턴을 600℃ 이하의 낮은 소성 공정에 적용할 수 있고, ⅳ) 계면활성제 및 안정제를 사용하지 않고, 무기증점제와 전도성 Ag 분말을 사용하여 인쇄성, 레벨링성 및 소결성이 우수하고, 또한 ⅴ) 바인더 버닝 오프 존 (binder burning off zone)이 없이 소결 타겟 온도에서 소결을 진행할 수 있다.
Description
본 발명은 PDP 어드레스 (address) 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 친환경적이면서도 600℃ 이하의 낮은 소성 공정에 적용할 수 있고, 인쇄성, 레벨링성 및 소결성이 우수하며, 바인더 버닝 오프 존 (binder burning off zone)이 없이 소결 타겟 온도에서 소결을 진행할 수 있는 PDP 어드레스 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물에 관한 것이다.
최근, 디스플레이 장치들에 있어서, 대형화, 고밀도화, 고정밀화, 및 고신뢰성의 요구가 높아짐에 따라, 여러가지 패턴 가공 기술의 개발이 이루어지고 있으며, 또한 이러한 다양한 패턴 가공 기술에 적합한 각종의 미세 전극 형성용 조성물에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널 (이하, 'PDP'라 칭함)은 액정 패널과 비교할 때에 응답속도가 빠르고, 대형화가 용이하여 현재 다양한 분야에 이용되고 있다. 종래에 이러한 PDP 상에 전극을 형성하는 방법으로는, 일반적으로 스크린 인쇄법을 이용한 전극 재료의 패터닝 방법이 사용되어 왔다. 그러나, 종래의 스크린 인쇄법은 고도의 숙련도를 요하고, 스크린 인쇄를 행할 시에 점도가 낮아 기판 상에서 페이스트가 흘러 내릴 수 있으며, 스크린에 의한 정밀도가 떨어지기 때문에 스크린 인쇄법을 이용하여 PDP에 요구되는 고정밀도의 대화면 패턴을 얻기가 힘들다. 또한, 종래의 스크린 인쇄법에는 인쇄시 스크린에 의한 단락 또는 단선이 생길 수 있으며, 소성 온도가 1000℃ 이상으로 고온이라는 단점이 있었다.
한편, 최근에는 대면적에 적합한 고정밀의 전극회로를 형성하기 위하여 감광성 수지 조성물을 이용한 포토리소그래피법이 개발되었다. 이는, 미세 도전성 분말이 분산된 감광성 수지 조성물을 이용하여, 인쇄법을 통하여 균일한 후막을 형성하고, 형성된 후막을 원하는 형상의 마스크를 사용하여 노광한 다음, 알카리 현상액을 사용하여 필요한 패턴을 구현하는 방법이다. 이 경우, 통상의 감광성 도전성 페이스트들은 800℃ 이상으로 소성 공정을 행하며, 일반적으로 탄산나트륨 유리가 사용되기 때문에 600℃ 이하의 소성 온도를 유지하여야 하는 PDP 제작에는 적합하지 않고, 이를 600℃ 이하의 온도로 소성할 경우에는 소성 잔사가 생기고, 도전성의 열화가 생기는 등의 문제점이 있었다.
따라서, 종래에는 저온 소결이 가능하게 하기 위해서 60% 이상의 Pb가 함유된 무기질계 바인더를 사용하여 PDP 어드레스용 Ag 전극 페이스트를 제조하여 사용하였다. 그러나 이러한 Pb 함유 페이스트는 Pb의 함유량이 극대화 되어 있어 사용 후에도 Pb의 환수가 어려우며, Pb의 특성상 자연 상태에서 분해가 어려워 동식물 및 지구 환경에 치명적인 영향을 줄 수 있다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, Pb를 함유하지 않은 페이스트에 대한 개발이 이루어지고 있지만, 기존의 Pb 미함유 페이스트의 경우 600℃ 이상으로 소결 온도가 높아진다. 또한, 소결 후에 홀 (hole)이 커져서 소결이 완결되지 않으며, 완전히 제거되지 않은 포토레지스트 조성물 중의 유기물이 탄화되어 남아 있어서 Ag 분말이 완전히 소결되지 않을 수 있으며, 이들은 소결 후에 전기 저항을 높게 하거나, 절연체 역할을 하고, 소결 후 미세 패턴이 형성된 후에도 패턴에 미세 크랙을 만들 수 있다. 따라서, 종래의 소결 과정에서는 소결 온도에 도달하기 전 350℃에서 30 내지 60분을 유지하여 포토레지스트 조성물 중의 유기물을 버닝 오프 (burning off)시킴으로써, 소결 완결 후 여분의 포토레지스트 조성물 중의 유기물에 의한 소결 치밀성 저하 및 미세 크랙 등의 소결 특성을 저하시키는 원인을 제거하기 위한 바인더 버닝 오프 존을 따로 두었으며, 결과적으로 소결 시간이 길어진다는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하여, ⅰ) Pb를 함유하지 않는 무기질계 바인더를 사용하여 친환경적이고, ⅱ) 종래의 전극 형성 공정을 그대로 사용하여 보다 미세한 전극을 제조하기에 적합하고, ⅲ) 형성된 패턴을 600℃ 이하의 낮은 소성 공정에 적용할 수 있고, ⅳ) 계면활성제 및 안정제를 사용하지 않고, 무기증점제와 전도성 Ag 분말을 사용하여 인쇄성, 레벨링성 및 소결성이 우수하고, 또한 ⅴ) 바인더 버닝 오프 존 (binder burning off zone)이 없이 소결 타겟 온도에서 소결을 진행할 수 있는 PDP 어드레스 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 구현예는 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
a) Ag 분말 60 내지 90 중량%;
b) Pb 미함유 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%;
c) 무기 증점제 0.001 내지 1 중량%; 및
d) 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 5 내지 38 중량%를 포함하는 PDP 어드레스 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 PDP 어드레스 전극을 제공한다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 PDP 어드레스 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물은, a) Ag 분말 60 내지 90 중량%; b) Pb 미함유 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%; c) 무기 증점제 0.001 내지 1 중량%; 및 d) 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 5 내지 38 중량%를 포함한다.
상기 Ag 분말의 함량은 60 내지 90 중량%, 바람직하게는 60 내지 75 중량%, 더욱 바람직하게는 65 내지 75 중량%이다. Ag 분말의 함량이 60 중량% 미만인 경우에는 Ag 분말의 밀도가 작아져서 패턴 형성 및 소결 후에 표면 기공이 많아지게 되고, 전기 저항이 높아지며, 단선이 발생할 수 있고, 점도가 낮아져서 인쇄 시에 유리 기판 상에서 흐를 수 있기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 노광 후에 패턴이 지나치게 경화되므로, 현상 시에 패턴이 뜯겨져 나갈 수 있으며, 이로 인해 패턴의 직진성이 떨어지기 때문에 바람직하지 않다. Ag 분말의 함량이 90 중량%를 초과하는 경우에는 점도가 지나치게 높아져서 유리 기판 상에 인쇄가 되지 않을 수 있고, 인쇄 후 평활도가 떨어져서 국부적인 두께의 차이와 스크린 마스크의 메쉬 자국이 생길 수 있으며, 이로 인해서 표면 형태가 나빠질 수 있기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 노광 시에 불충분한 감광성 유기 비히클로 인해서 유리 기판까지 빛이 도달하지 못해서 언더 컷 (under cut) 현상이 심화될 수 있다는 문제점이 있다.
상기 Ag 분말은 어떠한 형상의 분말이라도 사용이 가능하지만, 분산성을 고려하여 구형의 입자를 사용하는 것이 바람직하며, 입자가 완전 구형인 경우에는 분산성이 더욱 좋아져서 페이스트 제조시에 유리하다.
상기 Ag 분말의 평균 입경 (D50)은 0.5 내지 3 ㎛인 것이 바람직하며, 최대 입경 (Dmax)은 3 내지 5 ㎛인 것이 바람직하다. Ag 분말의 최대 입경이 5 ㎛를 초과하게 되면 현상 후에 직진성이 떨어지는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
상기 Ag 분말은 분산제 처리가 되어 있지 않은 것을 사용하여도 무방하지만, 분산제 처리가 되어 있는 것이 분산성 향상을 위해서 더욱 바람직하고, 그 순도는 96% 이상, 바람직하게는 98% 이상의 것을 사용하는 것이 좋다. 이는 순도가 낮으면 불순물로 인해서 소결 후 전기 저항이 높아질 수 있기 때문이다.
상기 Ag 분말의 탭 밀도 (tap density)는 3.0 내지 5.0 g/cm3, 바람직하게는 4.0 내지 5.0 g/cm3, 더욱 바람직하게는 4.3 내지 g/cm3이며, 이는 탭 밀도가 상기 범위 내에 있는 것이 자외선 투과성을 양호하게 하고, 전극 패턴의 정밀도를 향상시키며, 또한 상기 탭 밀도 범위를 갖는 Ag 분말을 사용하는 것이 페이스트 인쇄 후 도포막으로서 레벨링성이 좋은 치밀한 막을 얻는데 유리하기 때문이다.
본 발명에서는 상기 언급한 바와 같이 친환경적인 Ag 페이스트 조성물을 제조하기 위해서 Pb 미함유 무기질계 바인더를 사용한다.
상기 Pb 미함유 무기질계 바인더의 함량은 1 내지 10 중량%, 바람직하게는 2 내지 6 중량%이다. 상기 Pb 미함유 무기질계 바인더의 함량이 1 중량%에 미달되는 경우에는 소결 후 유리 기판과의 밀착성이 떨어지기 때문에 전극이 들어 올려질 위험성이 있으며, 10 중량%를 초과하는 경우에는 소결 후 전극의 전기 저항이 떨어지거나, 단선의 위험성이 있으며, 전극이 흘러 내릴 수 있기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명에서 사용가능한 Pb 미함유 무기질계 바인더의 구체적인 예로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, Bi2O3, SiO2, B2O3
, ZrO2 및 Al2O3로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되며, 또한 Na2O, K2O, Li2O 또는 PbO를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 본 발명의 무기질계 바인더는 Na2O, K2O, Li2O 또는 PbO를 포함하지 않음으로써, 점도 상승 들으로 인해서 패턴을 형성할 수 없는 문제점을 극복하는 것이 가능한 안정적인 페이스트를 제조할 수 있으며, 소결 후에 전극과 유전체와의 확산을 억제할 수 있는 장점을 가진다.
상기 Pb 미함유 무기질계 바인더는 유리 전이 온도 (Tg)가 350 내지 500℃이고, 유리 연화 온도 (Ts)가 400 내지 500℃인 것이 바람직하다. Tg 및 Ts
가 상기 범위에 미달되는 경우에는 유기물이 완전히 분해되지 않은 상태에서 무기 바인더의 소결이 시작되어 제거되지 못한 유기물이 패턴 내에 존재하게 된다는 문제점이 있으며, 또한 Tg 및 Ts가 상기 범위를 초과하게 되는 경우에는 불완전한 소결로 인하여 유리 기판과의 밀착성이 떨어지고, 소결 후 패턴 표면에 구멍이 생길 수 있으며, 전기 저항이 높아지는 등의 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
상기 Pb 미함유 무기질계 바인더의 입자 형상은 분쇄를 통하여 얻어지므로 구형은 아니며, 입자의 분포가 고를 경우에는 패턴의 정밀도가 향상된다. 또한, 입자가 응집되어 있을 경우에는 패턴 형성 후에 직진성이 떨어지고, 소결 후 입자의 형태를 그대로 유지할 수도 있기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 바인더의 입도 분포는 매우 중요한 요소이다.
상기 Pb 미함유 무기질계 바인더는 일반적으로 Ag 입자와 동일한 입도 분포를 갖도록 선택되는 것이 바람직하지만, 무기질계 바인더가 Ag 입자와 동일 분포를 가질 경우, 소결 후에 홀 (cavity)을 형성할 가능성이 있어서, 실제적으로는 Ag 입자 간극에 포함될 수 있는 크기가 바람직하다. 따라서, 평균 입경 (D50)이 0.5 내지 3.0 ㎛, 최대 입경 (Dmax)이 3 내지 5 ㎛인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 평균 입경이 0.5 내지 1.5 ㎛, 최대 입경이 3 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
상기 Pb 미함유 무기질계 바인더를 보관할 때에는 수분을 피할 수 있는 장소에 보관하는 것이 바람직하다. 수분이 무기질계 바인더에 흡착하게 되면 페이스트의 젤화를 촉진할 수 있어서 바람직하지 않다. 따라서, 예를 들어 상기 무기질계 바인더는 80 내지 300 ℃ 사이에서, Tg 보다 약 100 ℃ 낮은 온도로 건조하여, 무기질계 바인더 표면에 흡착된 수분 및 이물질을 제거하는 것이 바람직하다. 350 ℃가 넘는 온도 범위에서는 무기질계 바인더의 전이 온도를 넘게 되면 분말의 형태를 잃어버리기 때문에 페이스트 제조에 사용할 수 없게 되며, 무기질계 바인더가 결정화되어 자체 특성을 잃어버릴 수 있기 때문에 주의를 요한다.
본 발명에 따른 PDP 어드레스 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물은 또한 0.001 내지 1 중량%의 무기 증점제를 포함한다. 무기 증점제는 페이스트의 점도 조절을 위해서 사용되고, 페이스트의 안정성 및 소결성에 악영향을 끼치지 않는 비결정질의 물질이 사용된다. 본 발명에서 사용될 수 있는 무기 증점제의 종류에는 수계 및 비수계 무기 증점제가 있으며, 이에 제한되는 것은 아니지만, 실리카, 카오린, 알루미나 및 마이카로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 무기 증점제가 사용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 PDP 어드레스 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물은 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 5 내지 38 중량%를 포함한다.
상기 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물은,
a) 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 포토레지스트용 아크릴레이트 공중합체 5 내지 50 중량%;
b) 광중합성 모노머 5 내지 40 중량%;
c) 광중합 개시제 5 내지 20 중량%;
d) 소포제 5 내지 10 중량%;
e) 레벨링제 4.5 내지 30 중량%;
f) 가소제 0.5 내지 10 중량%; 및
g) 용매 30 내지 60 중량%를 포함한다:
상기 식에서, R1은 수소, 페닐기, 벤질기, 니트로기로 치환된 페닐기, 할로겐으로 치환된 페닐기, 니트로기로 치환된 벤질기, 불포화기 또는 불포화 탄소를 포함할 수도 있는 C1 내지 C10의 알킬기, 또는 C1 내지 C10의 히드록시기로 치환된 알킬기이며; R2는 에틸헥실기, 이소부틸기, tert-부틸기 및 옥틸기로 이루어진 군으로부터 선택된 알킬기, 3-메톡시부틸기, 또는 메톡시프로필렌글리콜기이며; R3는 수소 또는 알킬기이며; R4는 수소 또는 알킬기이며; n1 및 n2는 1 내지 120의 정수이다;
상기 식에서, R5는 수소 또는 카르복실기이며; R6는 페닐기, 카르복실기 또는 -OCOCH3기이며; R7은 수소 또는 -CH2COOH기이고; R2, R
4, n1, 및 n2는 상기 정의한 바와 같다.
상기 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물의 함량은 5 내지 38 중량%이며, 상기 포토레지스트 조성물의 함량이 38 중량%를 초과하는 경우에는 전극 형성시 전극 내부에 기공이 존재하여 전극 저항이 높아짐으로써 회로 구동시 전극 단선이 발생할 우려가 있어서 바람직하지 않으며, 함량이 5 중량%에 미달되는 경우에는 원하는 전극 패턴을 얻기가 어렵다는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
상기 화학식 1 또는 화학식 2의 아크릴레이트 공중합체는 점도가 1500 내지 40000cP인 것이 바람직하고, 분자량은 바람직하게는 5000 내지 50000, 더욱 바람직하게는 7000 내지 12000이다. 또한 고분자의 유리 전이 온도가 80℃ 이상인 것이 인쇄법을 사용하기에 적합하며, 만일 유리 전이 온도가 80℃ 이하인 경우에는 인쇄시 강한 점착성으로 인해서 문제가 발생될 수도 있다.
상기 아크릴레이트 공중합체를 제조할 때 사용되는 단량체로는 불포화 카르복실산, 방향족 단량체, 자체 가소 능력이 있는 단량체, 및 상기 자체 가소 능력이 있는 단량체를 제외한 아크릴 단량체들을 포함한다.
상기 불포화 카르복실산은 알칼리 가용성을 위해 사용하는 것으로, 구체적 예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 비닐 초산 또는 이들의 산 무수물 형태들을 들 수 있다. 상기 불포화 카르복실산의 함량은 고분자 조성 중 20 내지 50 중량%가 바람직하다. 불포화 카르복실산의 함량이 50 중량%를 초과하는 경우에는 중합시 젤화가 되기 쉬우며, 중합도 조절이 어려워지고 감광시 수지 조성물의 보존 안정성이 열화된다. 또한, 불포화 카르본산의 함량이 20 중량% 미만일 경우에는 현상공정시 현상 시간이 길어지는 단점이 발생하게 된다.
상기 방향족 단량체는 현상시 유리면과의 밀착성과 안정적인 패턴 형성을 위하여 사용된다. 상기 방향족 단량체의 예로는 스티렌, 벤질메타크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐아크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로벤질메타크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐아크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 방향족 단량체의 함량은, 고분자 조성 중 15 내지 45 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20 내지 40 중량%이다. 상기 방향족 단량체의 함량이 45 중량%를 초과하면, 현상공정시 현상 시간이 길어지는 단점이 발생하게 되며, 내열성이 증가하여 소성공정시 감광성 레진이 제거되지 않고 잔존하여 전극의 고유 특성을 떨어뜨리는 치명적인 문제가 발생하게 된다. 또한, 방향족 단량체의 함량이 15 중량% 미만이면, 현상공정시 유리면과의 밀착성이 떨어져 패턴의 뜯김 현상이 심해지고 형성된 패턴의 직진성이 열화되어 안정적인 패턴 구현이 힘들게 된다.
특히, 상기 자체 가소 능력이 있는 단량체는 고분자의 중합도 조절과 결정성을 약화시키는 역할을 한다. 상기 자체 가소 능력이 있는 단량체의 예로서는, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 메톡시프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 자체 가소능이 있는 단량체의 함량은, 고분자 조성 중 3 내지 15 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 내지 10 중량%이다. 상기 자체 가소능이 있는 단량체의 함량이 15 중량%를 초과하면 현상공정시 패턴의 뜯김 현상이 심해지며, 형성된 패턴의 직진성이 열화된다. 또한, 자체 가소능이 있는 단량체의 함량이 3 중량% 미만이면 중합도가 증가하게 되어 젤화가 되거나 젤화가 되지 않은 고분자의 경우에도 현상공정 후 형성된 패턴이 쉽게 손상되는 단점이 발생한다.
또한, 상기 자체 가소능이 있는 아크릴 단량체를 제외한 아크릴 단량체는 고분자의 유리전이 온도, 기판에 대한 부착력 및 극성을 조절한다. 이러한 아크릴 단량체의 예로는, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시옥틸(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이러한 단량체들의 고분자내 함량은 고분자의 유리 전이점과 내열성, 현상액과의 친수성 등을 고려하여 고분자 조성 중 10 내지 30 중량%로 사용되는 것이 바람직하다.
상기 아크릴레이트 공중합체는 상기 네 종류 단량체들의 젤화를 방지할 수 있는 적당한 극성을 갖는 용매에서 중합하여 얻을 수 있다. 상기 용매로 바람직한 예는 카비톨아세테이트, 감마부티로락톤, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 트리메틸펜탄디올모노이소부티레이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르 등이 있다.
상기 화학식 1 또는 화학식 2의 아크릴레이트 공중합체 수지의 함량은 5 내지 50 중량%로 사용된다. 상기 공중합체 수지의 함량이 5 중량% 미만이면 패턴 형성에 문제가 있고, 50 중량%를 초과하면 분산 분말의 특성 구현에 문제가 있다.
또한, 상기 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 광중합 개시제는 트리아진계, 벤조페논계, 아세토페논계, 이미다졸계, 티오크산톤계 등의 화합물들을 하나 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 그 구체적인 예로 2,4-비스트리클로로메틸-6-p-메톡시스티릴-s-트리아진, 2-p-메톡시스티릴-4,6-비스트리클로로메틸-s-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-6-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-4-메틸나프틸-6-트리아진, 벤조페논, p-(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디클로로-4-페녹시아세토페논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2'-디부톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로리오페논, p-t-부틸트리클로로아세토페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 벤질디메틸케탈, 4,4'-에틸아미노벤조페논, 2-메틸-1-4-메틸티오페닐-2-4-몰폴리닐-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-4-4'몰폴리닐페닐-1-부타논, 2,4,6-트리메틸 벤조일, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소부틸티오크산톤, 2-도데실티오크산톤, 이소프로필-9H-티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤 및 2,4-디에틸티오크산톤-2,2'-비스-2-클로로페닐-4,5,4',5'-테트라페닐-2'-1,2'-비이미다졸 화합물 등이 있다. 상기 광중합 개시제의 함량은 5 내지 20 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 내지 15 중량%가 좋다. 상기 광중합 개시제의 양이 20 중량%를 초과하면 보존 안정성에 문제가 발생할 수 있으며, 높은 경화도로 인해 현상시 패턴의 박리 현상이 심해질 수 있으며, 반면 5 중량% 미만이면 낮은 감도로 인하여 정상적인 패턴 구현이 힘들어지고 패턴의 직진성에도 이롭지 못하다.
상기 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 광중합성 모노머는 다관능성 아크릴레이트 유도체들을 하나 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 그 구체적인 예로 부탄디올 디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸프로판 트리아크릴레이트(TMPTA), 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트(TPGDA), 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트(TTEGDA), 트리메틸프로판에톡시트리아크릴레이트(TMPEOTA), 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨키사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨히드록시펜타아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 트리메티올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨디메타크릴레이트, 솔비톨트리메타크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트 유도체, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 및 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트 등이 있다. 상기 광중합성 모노머의 함량은 5 내지 40 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 8 내지 20 중량%가 좋다. 상기 광중합성 모노머의 함량이 40 중량%를 초과하면 높은 경화도로 인하여 현상시 패턴의 뜯김 현상이 심해지고 패턴의 직진성이 악화되며, 5 중량% 미만이면 낮은 감도와 경화도로 인하여 정상적인 패턴 구현이 힘들어지고 패턴의 직진성도 악화된다.
상기 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 소포제는 인쇄법을 이용한 코팅시에 Ag 분말과의 혼합과정에서 발생한 마이크로 버블들이 고점도로 인하여 후막에 존재하여 소성 과정에서 핀홀로 변화하여 전극의 단선을 유발하는 것을 방지한다. 상기 레벨링 첨가제는 포토레지스트 조성물의 표면장력으로 인하여 Ag 분말과 포토레지스트 조성물의 혼화성이 감소되는 현상을 완화시키고, 막의 불균일성에 의해 발생할 수 있는 불량을 줄이기 위하여 첨가된다.
그 구체적인 예로 레벨링제는 음이온계의 공중합체 및 아랄킬 변성 폴리메틸알킬실록산계 등이 있으며, 소포제로는 폴리에스테르 변성 폴리메틸알킬실록산계, 폴리실록산계, 비실리콘계 고분자 화합물, 변성 우레아 용액, 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산, 및 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산 공중합체 등이 있다. 상기 소포제 및 레벨링제의 함량은 각각 5 내지 10 중량%, 및 4.5 내지 30 중량%인 것이 바람직하다. 소포제 및 레벨링제의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 현상 공정시 잔막이 남기 쉽고, 상기 범위에 미달되는 경우에는 원하는 특성을 기대하기 어려운 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
또한, 상기 포토레지스트 조성물에 있어서, 가소제는 파라핀유, 디옥틸프탈레이트, 디부톡시에틸 프탈레이트, 트리크리실포스페이트, 디옥틸세바케이트, 트리페닐포스페이트, 염소화 비페닐, 디헥실프탈리에트, 수소화 터페닐, 디부틸프탈레이트, 디프로필프탈레이트, 디에틸 프탈레이트, 디메틸프탈레이트, 산티사이저 및 글리세린으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택될 수 있으며, 그 함량은 바람직하게는 0.5 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 5 중량%이다. 상기 가소제의 함량이 10 중량%를 초과하는 경우에는 아크릴레이트 공중합체 수지의 특성을 저하시키며, 0.5 중량%에 미달되는 경우에는 원하는 특성을 기대하기 어려운 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 또한 3 중량% 이하의 분산제를 더 포함할 수도 있다. 상기 분산제의 함량이 3 중량%를 초과하는 경우에는 현상 후 잔막, 잔사, 점도 저하, 및 상 분리 등의 문제점을 발생시킬 수 있어서 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 또한 30 내지 60 중량%의 용매를 포함한다. 상기 용매로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 카비톨아세테이트, 감마부티로락톤, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리메틸펜탄디올모노이소부티레이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸에틸케톤, 디옥산, 아세톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 이소부틸알코올, 이소프로필알코올, 테트라히드로푸란 등이 사용될 수 있다. 이들 유기 용매는 단독 또는 2종 이상 혼합 사용되며, 상기 용매의 함량이 30 중량%에 미달되는 경우에는 페이스트의 유동 특성이 떨어지며, 60 중량%를 초과하는 경우에는 점도가 낮아서 페이스트가 인쇄 공정 중 흘러 내릴 수 있으며, 상분리 현상 등이 발생할 수 있다는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
본 발명에 의한 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물은, 상기 설명한 바와 같은, Ag 분말, Pb 미함유 무기질계 바인더, 무기 증점제 및 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물을 혼합하고, 플레니터리 믹서(planetary mixer)와 같은 혼합기로 사전 혼합(pre-mixing)을 행하고, 3-롤 밀(3-roll mill)과 같은 분쇄기를 사용하여 Ag 분말, Pb 미함유 무기질계 바인더 및 무기 증점제를 상기 포토레지스트 조성물에 고르게 분산시켜 페이스트 상을 형성시킴으로써 제조된다. 상기와 같이 제조된 페이스트 조성물은, 3000 내지 60000cP의 점도를 가지며, 수도플라스틱(pseudoplastic)의 거동을 갖는다. 이렇게 수도플라스틱성을 가짐으로써, 인쇄시에 가해지는 응력에 대해 낮은 저항력을 갖고, 따라서 고점도임에도 불구하고 인쇄 특성이 향상된다. 또한, 인쇄 후에 높은 평활도를 갖는 것이 가능하며, 저장 시에 금속분, 무기분과 유기물이 분리되는 현상을 방지할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 다른 구현예는 또한 본 발명에 의한 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 PDP 어드레스 전극을 제공한다. 전극은 미세 패턴의 형성 과정 및 소성 과정을 통하여 제조된다.
미세 패턴의 형성 과정은, 상기와 같이 제조된 Ag 페이스트 조성물을 SUS 325메쉬나 SUS 400메쉬와 같은 스크린 마스크를 사용한 스크린 인쇄기를 이용하여 기판 표면에 인쇄를 행하고, 코팅된 시편을 컨벡션 오븐 (convection oven) 또는 IR 오븐에서 90 내지 140℃의 온도로, 10 내지 20분 동안 건조시킨 다음, 형성된 Ag 페이스트 코팅 막 위에 적당한 광원을 사용하여 325nm의 빛으로 패턴이 형성되도록 노광을 행하고, NaCO3 용액, KOH, TMAⅡ 등과 같은 적당한 알칼리 현상액으로 30℃ 내외의 온도에서 현상함으로써 이루어진다.
또한, 소성 과정은, 상기와 같이 형성된 미세 패턴을 전기로 등에서 500 내지 600℃로 10 내지 30분간 소성함으로써 이루어진다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다. 한편, 하기 실시예에 있어서 별도의 언급이 없는 경우, 수치는 중량%를 나타낸 것이다.
실시예. Ag 분말의 함량 및 무기질계 바인더의 종류에 따른 성능 시험
사용된 Ag 분말의 평균 입경은 1.2 ㎛, 무기질계 바인더는 본 발명에 따라서 Pb를 함유하지 않는 것과 비교예로서 Pb를 함유하는 것을 사용하였으며, 안정제는 아인산을 사용하고, 포토레지스트 조성물은 아크릴계 공중합체 27 중량%, 광중합 모노머 12 중량%, 광중합 개시제 9%, 용매 42 중량% 및 기타 첨가물 10 중량%를 포함하였다. 실시예 및 비교예들의 페이스트 각각에 대하여 현상성, 패턴 형성 두께, 현상 후 두께, 소결 후 두께, 점도 및 보관안정성의 척도로서 젤화 여부를 평가하였으며, 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 구분 | 실시예 1 | 비교예 1 | 비교예 2 | 실시예 2 | 비교예 3 | 비교예 4 | |
| Ag 분말 | 70 | 70 | 70 | 75 | 75 | 75 | |
| 무기바인더 | Pb 미함유 | 3 | - | - | 3 | - | - |
| Pb 함유 | - | 2.95 | 3 | - | 2.95 | 3 | |
| 안정제 | 0.05 | - | 0.05 | - | |||
| 포토레지스트 조성물 | 27 | 27 | 27 | 22 | 22 | 22 | |
| 현상성 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | 양호 | |
| pattern 형성(㎛) | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | |
| 현상후 두께(㎛) | 8 | 11 | 11 | 10 | 13 | 13 | |
| 소결후 두께(㎛) | 4 | 5.5 | 5.5 | 5 | 7.5 | 7.5 | |
| 점도(cP) | 22000 | 15000 | 15000 | 30000 | 19000 | 19000 | |
| 젤화 및 보관안정성 | 젤화 됨 | 젤화 됨 | |||||
상기 표 1의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, Ag 분말의 함량을 각각 70 중량% (실시예 1, 비교예 1, 2)로 한 경우 및 75 중량% (실시예 2, 비교예 3, 4)로 한 경우 모두에 대해서 현상성은 우수하였으며, 수도플라스틱 특성을 가지는 점도 범위를 가졌고, 소결 후 패턴 두께도 양호하였다. 그러나, Pb 함유 무기질계 바인더를 사용하는 경우 (비교예 1, 2, 3 및 4)에는 안정제를 첨가하는 경우 (비교예 1 및 3)에는 젤화가 진행되지 않았으나, 안정제를 첨가하지 않는 경우 (비교예 2 및 4)에는 젤화가 진행되어 보관안정성이 좋지 않았다.
실시예. 무기질계 바인더의 T
g
에 따른 성능 실험
무기질계 바인더로서, 각각 560℃, 460℃ 및 360℃의 Tg를 갖는 것들을 사용하여, 상기 실시예 1 및 2, 및 비교예 1의 조성물에 대하여 무기질계 바인더의 Tg에 따른 소결 특성을 실험하였으며, 그 결과들을 하기 표 2에 나타내었다.
| 구분 | 비교예 1 | 실시예 1 | 실시예 2 | |
| Ag 분말 | 70 | 70 | 70 | |
| 무기질계바인더 | Tg 560℃ | 3 | - | - |
| Tg 460℃ | - | 3 | - | |
| Tg 360℃ | - | - | 3 | |
| 포토레지스트 조성물 | 27 | 27 | 27 | |
| 현상성 | 양호 | 양호 | 양호 | |
| pattern 형성(㎛) | 50 | 50 | 50 | |
| 컬링 | 550℃ 소결 | 10 이상 | 1.5 이하 | 0 |
| 580℃ 소결 | 8 이상 | 1.5 이하 | 0 | |
상기 표 2의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 무기질계 바인더의 Tg에 따른 실험에서는 Tg 온도에 따라서 소결 특성에 확연한 차이점이 있었으며, 소결 후에 나타나는 유리 기판과의 접착력 부족으로 인하여, 이후 공정 중 유전체의 유전률을 감소시키는 현상을 야기하는 소위 컬링 (curl) 현상의 경우, 높은 Tg를 갖는 무기질계 바인더의 경우는 낮은 소결 온도에서 컬링이 심하게 나타났지만, 낮은 Tg를 갖는 무기질계 바인더의 경우는 낮은 소결 온도에서도 컬링 현상이 발생하지 않거나, 또는 아주 작은 값을 가졌다.
본 발명에 따르면, ⅰ) Pb를 함유하지 않는 무기질계 바인더를 사용하여 친환경적이고, ⅱ) 종래의 전극 형성 공정을 그대로 사용하여 보다 미세한 전극을 제조하기에 적합하고, ⅲ) 형성된 패턴을 600℃ 이하의 낮은 소성 공정에 적용할 수 있고, ⅳ) 계면활성제 및 안정제를 사용하지 않고, 무기증점제와 전도성 Ag 분말을 사용하여 인쇄성, 레벨링성 및 소결성이 우수하고, 또한 ⅴ) 바인더 버닝 오프 존 (binder burning off zone)이 없이 소결 타겟 온도에서 소결을 진행할 수 있는 PDP 어드레스 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물을 제공할 수 있다.
Claims (19)
- a) Ag 분말 60 내지 90 중량%;b) Pb 미함유 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%;c) 무기 증점제 0.001 내지 1 중량%; 및d) 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 5 내지 38 중량%를 포함하는 PDP 어드레스 전극용 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 Ag 분말은 입자 형상이 구형인 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 Ag 분말의 평균 입경 (D50)이 0.5 내지 3㎛이고, 최대 입경 (Dmax)이 3 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 Ag 분말의 순도는 96% 이상인 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 Ag 분말의 탭 밀도 (tap density)가 4.3 내지 5.0 g/cm3인 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 Pb 미함유 무기질계 바인더는 Bi2O3, SiO2, B 2O3, ZrO2 및 Al2O3로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되며, 또한 Na2O, K 2O, Li2O 또는 PbO를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 Pb 미함유 무기질계 바인더는 유리 전이 온도가 350 내지 500℃이고, 유리 연화 온도가 400 내지 500℃인 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 Pb 미함유 무기질계 바인더는 평균입경 (D50)이 0.5 내지 3 ㎛이고, 최대입경 (Dmax)이 3 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 무기질계 바인더는 80 내지 300 ℃ 사이에서, 상기 무기질계 바인더의 유리 전이 온도보다 100 ℃ 낮은 온도로 건조된 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 무기 증점제는 실리카, 카오린, 알루미나 및 마이카로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물은,a) 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 포토레지스트용 아크릴레이트 공중합체 5 내지 50 중량%;b) 광중합성 모노머 5 내지 40 중량%;c) 광중합 개시제 5 내지 20 중량%;d) 소포제 5 내지 10 중량%;e) 레벨링제 4.5 내지 30 중량%;f) 가소제 0.5 내지 10 중량%; 및g) 용매 30 내지 60 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물:[화학식 1]상기 식에서, R1은 수소, 페닐기, 벤질기, 니트로기로 치환된 페닐기, 할로겐으로 치환된 페닐기, 니트로기로 치환된 벤질기, 불포화기 또는 불포화 탄소를 포함할 수도 있는 C1 내지 C10의 알킬기, 또는 C1 내지 C10의 히드록시기로 치환된 알킬기이며; R2는 에틸헥실기, 이소부틸기, tert-부틸기 및 옥틸기로 이루어진 군으로부터 선택된 알킬기, 3-메톡시부틸기, 또는 메톡시프로필렌글리콜기이며; R3는 수소 또는 알킬기이며; R4는 수소 또는 알킬기이며; n1 및 n2는 1 내지 120의 정수이다;[화학식 2]상기 식에서, R5는 수소 또는 카르복실기이며; R6는 페닐기, 카르복실기 또는 -OCOCH3기이며; R7은 수소 또는 -CH2COOH기이고; R2, R 4, n1, 및 n2는 상기 정의한 바와 같다.
- 제1항에 있어서, 상기 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물은 3 중량% 이하의 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 광중합성 모노머는 부탄디올 디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸프로판 트리아크릴레이트(TMPTA), 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트(TPGDA), 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트(TTEGDA), 트리메틸프로판에톡시트리아크릴레이트(TMPEOTA), 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨키사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨히드록시펜타아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 트리메티올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨디메타크릴레이트, 솔비톨트리메타크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트 유도체, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 및 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 광중합 개시제는 2,4-비스트리클로로메틸-6-p-메톡시스티릴-s-트리아진, 2-p-메톡시스티릴-4,6-비스트리클로로메틸-s-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-6-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-4-메틸나프틸-6-트리아진, 벤조페논, p-(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디클로로-4-페녹시아세토페논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2'-디부톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로리오페논, p-t-부틸트리클로로아세토페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 벤질디메틸케탈, 4,4'-에틸아미노벤조페논, 2-메틸-1-4-메틸티오페닐-2-4-몰폴리닐-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-4-4'몰폴리닐페닐-1-부타논, 2,4,6-트리메틸 벤조일, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소부틸티오크산톤, 2-도데실티오크산톤, 이소프로필-9H-티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤 및 2,4-디에틸티오크산톤-2,2'-비스-2-클로로페닐-4,5,4',5'-테트라페닐-2'-1,2'-비이미다졸로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 레벨링제는 음이온계의 공중합체 또는 아랄킬 변성 폴리메틸알킬실록산계 화합물이고, 상기 소포제는 폴리에스테르 변성 폴리메틸알킬실록산계, 폴리실록산계, 비실리콘계 고분자 화합물, 변성 우레아 용액, 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산, 및 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산 공중합체로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 가소제는 파라핀유, 디옥틸프탈레이트, 디부톡시에틸 프탈레이트, 트리크리실포스페이트, 디옥틸세바케이트, 트리페닐포스페이트, 염소화 비페닐, 디헥실프탈리에트, 수소화 터페닐, 디부틸프탈레이트, 디프로필프탈레이트, 디에틸 프탈레이트, 디메틸프탈레이트, 산티사이저 및 글리세린으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 용매는 카비톨아세테이트, 감마부티로락톤, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리메틸펜탄디올모노이소부티레이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸에틸케톤, 디옥산, 아세톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 이소부틸알코올, 이소프로필알코올, 및 테트라히드로푸란으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 Ag 페이스트 조성물은 점도가 3000 내지 60000cP인 것을 특징으로 하는 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물.
- 제1항 내지 제18항 중의 어느 한 항에 의한 Pb 미함유 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 PDP 어드레스 전극.
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