KR20100109791A - 저온소성 가능한 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물 - Google Patents

저온소성 가능한 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물 Download PDF

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KR20100109791A
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Abstract

본 발명은 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물에 관한 것으로, a) 도전성 분말, b) 셀룰로오스계 바인더, c) 아크릴레이트계 모노머, d) 라디칼 중합개시제 및 e) 용매를 포함하는 본 발명의 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물은 종래의 페이스트 조성물에 비해 저온에서 소성가능하고 우수한 경화도, 전기비저항 특성 및 안정성을 가져 태양전지, RFID(Radio Frequency Identification) 또는 PCB(Printed Circuit Board)의 전극 또는 배선의 형성에 유용하게 사용될 수 있다.
도전성 분말, 셀룰로오스계 바인더, 아크릴레이트계 모노머, 라디칼 중합개시제

Description

저온소성 가능한 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물 {PASTE COMPOSITION USED FOR FORMING AN ELECTRODE OR WIRING WHICH IS CURABLE AT A LOW TEMPERATURE}
본 발명은 저온소성 가능한 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물에 관한 것으로, 특히 저온소성 가능하고 우수한 전기비저항 특성 및 우수한 안정성을 가져 태양전지, RFID(Radio Frequency Identification) 또는 PCB(Printed Circuit Board)의 전극 또는 배선의 형성에 유용하게 사용되는 열경화성 페이스트 조성물, 및 이를 이용한 전극 또는 배선 형성방법에 관한 것이다.
종래의 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물은 도전성 분말, 에폭시계 바인더, 경화제 및 용제 등을 혼합함으로써 제조되었다.
이러한 종래의 페이스트 조성물을 가열 경화하였을 때 우레탄 화합물이 생성되는데, 생성된 우레탄 화합물은 도전성 분말로서 주로 사용되는 Ag 입자의 밀착성 및 용접성을 크게 저하시키는 문제점을 갖는다. 또한, 이러한 종래의 페이스트 조 성물은 느린 경화속도에 기인하여 선폭의 퍼짐현상을 야기시켜 고해상도의 전극 패턴을 구현하기에 어려움이 있었다(대한민국 특허공개 제10-2006-0049996호 및 제10-2008-0024444호, 및 일본 특허공개 제2005-268239호, 제2006-48149호 및 제2007-224191호 참조).
이에, 도전성 분말과 함께 사용하는 바인더 및 중합개시제 등의 유기물의 종류를 선별함으로써 도전성 분말의 접착력을 저하시키지 않으면서 높은 경화도 및 우수한 안정성을 갖는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물을 개발하려는 노력이 지속되고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명은 종래의 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물에 비해 저온에서 소성가능하고 우수한 경화도, 전기비저항 특성 및 안정성을 가져 전극 또는 배선의 형성에 유용하게 사용되는 열경화성 페이스트 조성물, 및 이를 이용한 전극 또는 배선 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
a) 도전성 분말;
b) 셀룰로오스계 바인더;
c) 아크릴레이트계 모노머;
d) 라디칼 중합개시제; 및
e) 용매
를 포함하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물을 제공한다.
또한 본 발명은
상기 페이스트 조성물을 기재 상에 도포하고 건조 및 소성하는 것을 포함하는 전극 또는 배선 형성방법을 제공한다.
또한 본 발명은
상기 전극 또는 배선 형성방법에 의하여 형성된 전극 또는 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 또는 광학소자를 제공한다.
본 발명의 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물은,
① 인쇄 특성이 우수하여 고해상도의 전극 패턴을 구현할 수 있다.
② 레올로지 특성이 우수하여 높은 종횡비 (aspect ratio)를 구현할 수 있다.
③ 경화도가 우수하여 저온(400℃ 이하)에서도 우수한 전기비저항 특성을 얻을 수 있다.
④ 점도 변화가 적어 보관안정성이 뛰어나다.
⑤ 기판 재질(폴리머, 유리, 금속, 세라믹 등)에 관계없이 높은 접착력을 나타내어 폭넓은 응용분야(태양전지, RFID, PCB 등)에 적용 가능하다.
본 발명에 따른 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물은 a) 도전성 분말, b) 셀룰로오스계 바인더, c) 아크릴레이트계 모노머, d) 라디칼 중합개시제 및 e) 용매를 필수 성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하며, 반응 온도가 80-150 ℃이어서 상온에서 자발적으로 경화되지 않으므로 80 ℃ 이하에서 보관상 변질의 위험이 없으며 150-400 ℃에서의 저온소성이 가능하다.
본 발명의 조성물은 바람직하게는 a) 도전성 분말 30 내지 90 중량%, b) 셀 룰로오스계 바인더 1 내지 30 중량%, c) 아크릴레이트계 모노머 1 내지 30 중량%, d) 라디칼 중합개시제 0.01 내지 10 중량% 및 e) 잔량의 용매를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 a) 도전성 분말은 전극 또는 배선의 형성에 사용되는 통상적인 금속분말 또는 금속 파우더를 사용할 수 있으며, 가장 대표적인 도전성 분말로는 은(Ag) 분말을 들 수 있다. 본 발명에 사용되는 도전성 분말은 평균입경은 0.05 내지 10 ㎛의 분말을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 5 ㎛의 분말을 사용할 수 있다.
또한 도전성 분말을 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 이 경우 나노입경인 0.05 내지 1 ㎛의 분말과 마이크로 입경인 1 내지 10㎛의 평균입경을 갖는 분말을 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
도전성 분말의 형상은 구형, 비구형 또는 판상(플레이크상)을 사용할 수 있으며 이들을 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 b) 셀룰로오스계 바인더의 구체적인 예로는 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 프로필셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 아세트산셀룰로오스, 프로피온산셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스, 히드록시프로필 셀룰로오스, 히드록시에틸히드록시프로필 셀룰로오스 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에틸셀룰로오스를 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 c) 아크릴레이트계 모노머의 구체적인 예로는 메타아크릴산, 메타아크릴레이트, 에틸글리시딜에테르 메타아크릴레이트, 프로필글리시딜에테르 메타아크릴레이트, 2 또는 4-브로모벤질 메타아크릴레이트, 헥실메타아크릴레이 트, n-옥틸 메타아크릴레이트, 이소옥틸 메타아크릴레이트, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트, 이소노닐 메타아크릴레이트, 에틸이소아밀아크릴레이트, 부틸글리시딜에테르 메타아크릴레이트, 페닐글리시딜에테르 아크릴레이트, 트리사이클로데실 메타아크릴레이트, 페닐 메타아크릴레이트, 벤질 메타아크릴레이트, 2 또는 4-메톡시페닐 메타아크릴레이트, 2 또는 4-메톡시벤질 메타아크릴레이트, 2 또는 4-에톡시페닐 메타아크릴레이트, 2 또는 4-에톡시벤질 메타아크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐 메타아크릴레이트, 2 또는 4 클로로 벤질 메타아크릴레이트, 2 또는 4-브로모페닐 메타아크릴레이트, 다관능성 단량체인 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디메타아크릴레이트, 1,3-부탄디올 디메타아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디메타아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타아크릴레이트, 트리메틸롤 트리메타아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리케타아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리메타아크릴레이트, 디트리메틸롤프로판 테트라메타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥실메타아크릴레이트 또는 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 바람직하게는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트를 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 d) 라디칼 중합개시제로는 라디칼 중합반응에 사용되는 퍼옥사이드계 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 퍼옥사이드계 개시제의 구체적인 예로는 디라우로일 퍼옥사이드, 디벤조일 퍼옥사이드, tert-부틸 퍼옥시네오데카노에이트, tert-아밀 퍼옥시피발레이트, 디(2-에틸헥실) 퍼옥시디카보네이트, 디(3-메톡시 부틸_퍼옥시디카보네이트, 3-히드록시-1,1-디메틸부틸퍼옥시네오 데카노에이트, 디(3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드, tert-아밀 퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, tert-부틸 퍼옥시-2-틸헥사노에이트, tert-부틸 이소프로필 모노퍼옥시카보네이트, tert-부틸퍼옥시-2-에틸헥셀카보네이트, 디벤조일퍼옥사이드, tert-아밀 (2-에틸헥실) 모노퍼옥시 카보네이트, tert-부틸퍼옥사이드, 테트라부틸퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시 이소프로필 카보네이트, tert-부틸 퍼옥시 벤조에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸 퍼옥시네오데카노에이트, 디쿠밀퍼옥사이드, 디데카노일 퍼옥사이드 또는 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 바람직하게는 tert-부틸 퍼옥사이드, 테트라부틸 퍼옥사이드, 디벤조일퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, tert-부틸퍼옥시에오데카노에이트를 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물은 상술한 필수성분 이외에도 통상적으로 전극 또는 배선 형성용 페이스트에 포함될 수 있는 첨가제들을 필요에 따라 추가로 포함할 수 있다. 이러한 첨가제의 예로는 가소제, 증점제, 안정화제, 분산제, 탈포제 및 계면활성제 등을 들 수 있으며, 각각의 첨가제는 본 발명의 페이스트에 0.01 내지 10 중량%의 양으로 사용될 수 있다.
상기 도전성 분말, 셀룰로오스계 바인더, 아크릴레이트계 모노머, 라디칼 중합개시제 및 임의의 첨가제를 상술한 사용량 범위 내에서 용매와 함께 블렌더 또는 3롤 혼련기 등으로 균일하게 혼합함으로써 본 발명의 페이스트 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명의 페이스트 조성물은 특정 점도를 달성하는 양으로 용매를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 브룩필드(Brookfield) HBT 점도계를 사용하여 #51 스핀들 로서 상온(온도 25 ℃)하에서 shear rate 3.84 sec-1 조건으로 측정하는 경우 1 내지 300 Pa·S의 점도를 가질 수 있다.
상기 용매로는 테르피네올, 부틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 부틸렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 프로피오네이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 프로피오네이트, 에틸에테르 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 디메틸아미노 포름알데히드, 메틸에틸케톤, 감마부티로락톤, 에틸락테이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜타네디올 모노이소부틸레이트(텍사놀), 톨루엔, 1-메톡시-2-프로파놀 또는 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 페이스트 조성물을 기재 상에 도포하고 건조 및 소성하여 전극 또는 배선을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 전극 또는 배선은 태양전지, RFID 또는 PCB의 전극 또는 배선일 수 있으며, 본 발명에 따른 태양전지, RFID 또는 PCB는 본 발명에 따른 페이스트 조성물을 사용하여 전극 또는 배선을 형성하는 것을 제외하고는 통상적인 재료 및 방법에 의해 제조될 수 있다.
본 발명의 페이스트 조성물로부터 형성되는 상기 전극 또는 배선은 3 내지 50 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 또한, 예를 들어, 태양전지의 경우, 상기 기재는 전면 전극(예: Ag 전극)이 도포되어 건조된 Si 기판일 수 있다. 상기 도포는 스크린 인쇄법에 의해 수행할 수 있으며, 상기 건조는 60 -150 ℃에서 3 내지 30분 동안, 그리고 소성은 150-400 ℃에서 5 내지 60분 동안 수행할 수 있다. 또한 건조와 소성을 동시에 시행하여 100-400 ℃의 저온에서 5 내지 60분 동안 수행할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물은 다음과 같은 장점을 갖는다;
① 고해상도 (high resolution) : 페이스트의 레올로지 특성이 우수하여 80 ㎛ 이하의 고해상도 패턴구현이 용이하다.
② 높은 종횡비 (aspect ratio) : 인쇄시 스크린 메쉬 빠짐성이 우수하여 높은 종횡비의 패턴을 구현할 수 있어서 고해상도에서도 우수한 선저항 특성을 얻을 수 있다.
③ 400 ℃ 이하 저온경화에서도 전기저항 특성 우수 : 소량의 바인더+모노머+중합개시제로도 경화도가 우수하여 전기비저항 특성이 뛰어나다.
④ 보관 안정성이 뛰어나다 : 상온에서 경화반응이 억제되어 25~40 ℃ 조건하에서 점도변화가 적다.
⑤ 높은 경화도를 가지므로 필름, 투명 도전층, 실리콘, 유리 등과 같은 전자재료에 쓰이는 모든 기판과의 접착력이 우수하여, 태양전지, RFID, PCB 등의 폭넓은 응용분야에 효율적으로 적용 가능하다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1 내지 3, 및 비교예 1 및 2
하기 표 1에 기재된 성분들을 해당량 사용하여 3롤 혼련기로 혼합하여 목적하는 페이스트 조성물을 제조하였다.
이어, 제조된 페이스트 조성물에 대해 비저항, 점도 변화, 해상도, 종횡비, 기판 부착력 및 소성후 강도 등을 측정하여 물성 측정결과 또한 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]






배합
(중량부)
  실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예1 비교예2
도전성 분말 은 분말 30 70 85 30 85
바인더 1 에틸셀룰로오스 10 6 2 - 2
바인더 2 에폭시 수지 - - - 10 5
경화제 아민계 - - - 1 0.5
모노머 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트 6 3 4 - -
트리메틸올프로판트리아크릴레이트 6 2 1 - -
중합개시제 t-부틸 퍼옥사이드 1 - - - -
t-부틸 퍼옥시네오데카노에이트 - 0.5 0.5 - -
유기용매 1 테르피네올 20 8 3 26 3
유기용매 2 부틸 카비톨 아세테이트 20 8 3 26 3
가소제 다이부틸프탈레이트 5 1 - 5.5 -
첨가제 탈포제 1 0.5 0.5 0.5 0.5
분산제 1 1 1 1 1





특성
비저항
(*10-6Ω㎝)
180℃, 30분 경화 26.4 18.3 13.5 325 114
200℃, 30분 경화 15.7 10.2 7.18 275 25.5
220℃, 30분 경화 10.2 9.4 6.4 87.9 15.4
점도변화율(%) 25℃, 1개월 보관 후 점도변화율 1.7 3.2 2.8 완전
경화
32.3
해상도(㎛) 인쇄후 선폭변화율
10% 이내 구현
50 65 70 90 100
종횡비(%) 180 ℃ 소성후 패턴높이/패턴선폭 비율 16.49 22.23 27.66 5.13 13.1
기판부착력 프로브 가압이동 방식 25N 25N 25N 10N 7N
소성후 강도 연필심 경도측정 4H 2H 2H H HB
상기 표 1로부터, 실시예 1 내지 3에서 제조된 본 발명의 페이스트 조성물은, 비교예 1 및 2에서 제조된 조성물에 비해, 훨씬 우수한 전기비저항 특성, 안정성, 강도 및 기판부착력을 나타낼 뿐만 아니라 고해상도 및 높은 종횡비의 전극 패턴을 구현할 수 있음을 알 수 있다.

Claims (15)

  1. a) 도전성 분말;
    b) 셀룰로오스계 바인더;
    c) 아크릴레이트계 모노머;
    d) 라디칼 중합개시제; 및
    e) 용매
    를 포함하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    a) 도전성 분말 30 내지 90 중량%;
    b) 셀룰로오스계 바인더 1 내지 30 중량%;
    c) 아크릴레이트계 모노머 1 내지 30 중량%;
    d) 라디칼 중합개시제 0.01 내지 10 중량% 및
    e) 잔량의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말이 은(Ag) 분말인 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말이 0.05 내지 10 ㎛의 평균 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 셀룰로오스계 바인더가 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 프로필셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 아세트산셀룰로오스, 프로피온산셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스, 히드록시프로필 셀룰로오스, 히드록시에틸히드록시프로필 셀룰로오스 및 이들의 2종 이상의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴레이트계 모노머가 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 메타아크릴산, 메타아크릴레이트, 에틸글리시딜에테르 메타아크릴레이트, 프로필글리시딜에테르 메타아크릴레이트, 2 또는 4-브로모벤질 메타아크릴레이트, 헥실메타아크릴레이트, n-옥틸 메타아크릴레이트, 이소옥틸 메타아크릴레이트, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트, 이소노닐 메타아크릴레이트, 에틸이소아밀아크릴레이트, 부틸글리시딜에테르 메타아크릴레이트, 페닐글리시딜에테르 아크릴레이트, 트리사이클로데실 메타아크릴레이트, 페닐 메타아크릴레이트, 벤질 메타아크릴레이트, 2 또는 4-메톡 시페닐 메타아크릴레이트, 2 또는 4-메톡시벤질 메타아크릴레이트, 2 또는 4-에톡시페닐 메타아크릴레이트, 2 또는 4-에톡시벤질 메타아크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐 메타아크릴레이트, 2 또는 4 클로로 벤질 메타아크릴레이트, 2 또는 4-브로모페닐 메타아크릴레이트, 다관능성 단량체인 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 에틸렌글리콜디 메타아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디메타아크릴레이트, 1,3-부탄디올 디메타아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디메타아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타아크릴레이트, 트리메틸롤 트리메타아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리케타아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리메타아크릴레이트, 디트리메틸롤프로판 테트라메타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥실메타아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 라디칼 중합개시제가 tert-부틸 퍼옥사이드, 테트라부틸 퍼옥사이드, 디라우로일 퍼옥사이드, 디벤조일 퍼옥사이드, tert-부틸 퍼옥시네오데카노에이트, tert-아밀 퍼옥시피발레이트, 디(2-에틸헥실) 퍼옥시디카보네이트, 디(3-메톡시 부틸_퍼옥시디카보네이트, 3-히드록시-1,1-디메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 디(3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드, tert-아밀 퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, tert-부틸 퍼옥시-2-틸헥사노에이트, tert-부틸 이소프로필 모노퍼옥시카보네이트, tert-부틸퍼옥시-2-에틸헥셀카보네이트, 디벤조일퍼옥사이드, tert-아밀 (2-에틸헥 실) 모노퍼옥시 카보네이트, tert-부틸퍼옥사이드, 테트라부틸퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시 이소프로필 카보네이트, tert-부틸 퍼옥시 벤조에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸 퍼옥시네오데카노에이트, 디쿠밀퍼옥사이드, 디데카노일 퍼옥사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 퍼옥사이드계 화합물인 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 가소제, 증점제, 안정화제, 분산제, 탈포제, 계면활성제, 또는 이들의 혼합물을 0.01 내지 10 중량%의 양으로 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 페이스의 점도가 상온 (25 ℃)에서 측정하는 경우 1 내지 300 Pa·S의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성용 페이스트 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항 기재의 페이스트 조성물을 기재 상에 도포하고 건조 및 소성하는 것을 포함하는 전극 또는 배선 형성방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 소성이 150-400 ℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 전극 또는 배선이 3 내지 50 ㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 전극 또는 배선이 태양전지, RFID(Radio Frequency Identification) 또는 PCB(Printed Circuit Board)의 전극 또는 배선인 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 형성방법.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항 기재의 전극 또는 배선 형성방법에 의하여 형성된 전극 또는 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 또는 광학소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 전기 또는 광학소자는 태양전지, RFID(Radio Frequency Identification) 또는 PCB(Printed Circuit Board)인 것을 특징으로 하는 전기 또는 광학소자.
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