JPH11160879A - 薄膜電極の形成法 - Google Patents
薄膜電極の形成法Info
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- JPH11160879A JPH11160879A JP9338098A JP33809897A JPH11160879A JP H11160879 A JPH11160879 A JP H11160879A JP 9338098 A JP9338098 A JP 9338098A JP 33809897 A JP33809897 A JP 33809897A JP H11160879 A JPH11160879 A JP H11160879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- meth
- photosensitive resin
- acrylate
- thin film
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基材との密着性に富み、特に現像時及
び蒸着（減圧下）時の密着性に富み、アルカリによる現
像剥離性にも優れて、プラズマディスプレイパネル等の
大形ガラス基材上に電極を形成するのに有用な薄膜電極
の形成法を提供すること。 【解決手段】 ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽
和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）及びシラン系化合
物（Ｄ）を含有し、かつエチレン性不飽和化合物（Ｂ）
として少なくともポリエチレングリコールジ（メタ）ア
クリレートを含んだ感光性樹脂組成物層を基板上に設け
た後に露光し、現像により電極形成部となる微細パター
ン部の感光性樹脂組成物を除去し、次いでその上に導電
性物質の薄膜を形成し、その後に基板上に残存する感光
性樹脂組成物層を剥離する。
び蒸着（減圧下）時の密着性に富み、アルカリによる現
像剥離性にも優れて、プラズマディスプレイパネル等の
大形ガラス基材上に電極を形成するのに有用な薄膜電極
の形成法を提供すること。 【解決手段】 ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽
和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）及びシラン系化合
物（Ｄ）を含有し、かつエチレン性不飽和化合物（Ｂ）
として少なくともポリエチレングリコールジ（メタ）ア
クリレートを含んだ感光性樹脂組成物層を基板上に設け
た後に露光し、現像により電極形成部となる微細パター
ン部の感光性樹脂組成物を除去し、次いでその上に導電
性物質の薄膜を形成し、その後に基板上に残存する感光
性樹脂組成物層を剥離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）等の基材上に薄膜電極のパターン
形成を行うときに有用な薄膜電極の形成法に関する。
レイパネル（ＰＤＰ）等の基材上に薄膜電極のパターン
形成を行うときに有用な薄膜電極の形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＰＤＰ等の表示パネルのガラ
ス基材上の電極形成法としては、一面に形成された導電
性薄膜の一部を感光性樹脂組成物のマスキングで保護
し、酸性溶液などでエッチングし、最後に感光性樹脂組
成物を剥離することで電極を形成するエッチング法、あ
るいは導電性ペーストを版目を通して印刷し、焼成など
で焼き付ける印刷法などが行われてきた。
ス基材上の電極形成法としては、一面に形成された導電
性薄膜の一部を感光性樹脂組成物のマスキングで保護
し、酸性溶液などでエッチングし、最後に感光性樹脂組
成物を剥離することで電極を形成するエッチング法、あ
るいは導電性ペーストを版目を通して印刷し、焼成など
で焼き付ける印刷法などが行われてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
エッチング法では、使用するエッチング処理液が強酸性
を示す場合が多く、この処理液に耐えうる感光性樹脂組
成物の設計が非常に困難であり、薄膜電極への性能要求
が増すごとにエッチングによる形成がより困難となって
きており、また、印刷法では、大画面に対応したスクリ
ーン版を作ることや更には高精細化することは困難であ
る。
エッチング法では、使用するエッチング処理液が強酸性
を示す場合が多く、この処理液に耐えうる感光性樹脂組
成物の設計が非常に困難であり、薄膜電極への性能要求
が増すごとにエッチングによる形成がより困難となって
きており、また、印刷法では、大画面に対応したスクリ
ーン版を作ることや更には高精細化することは困難であ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、か
かる課題について鋭意研究をした結果、ベースポリマー
（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤
（Ｃ）及びシラン系化合物（Ｄ）を含有し、かつエチレ
ン性不飽和化合物（Ｂ）として少なくともポリエチレン
グリコールジ（メタ）アクリレートを含む感光性樹脂組
成物層を用いて、薄膜電極を形成すると、該感光性樹脂
組成物がガラス基材との密着性に優れ、かつアルカリ現
像時の剥離性にも優れ、更には減圧雰囲気下の密着性に
も優れるため、精度や形状に優れた薄膜電極を形成する
ことができることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
かる課題について鋭意研究をした結果、ベースポリマー
（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤
（Ｃ）及びシラン系化合物（Ｄ）を含有し、かつエチレ
ン性不飽和化合物（Ｂ）として少なくともポリエチレン
グリコールジ（メタ）アクリレートを含む感光性樹脂組
成物層を用いて、薄膜電極を形成すると、該感光性樹脂
組成物がガラス基材との密着性に優れ、かつアルカリ現
像時の剥離性にも優れ、更には減圧雰囲気下の密着性に
も優れるため、精度や形状に優れた薄膜電極を形成する
ことができることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に述べる。
本発明に用いられる感光性樹脂組成物層のベースポリマ
ー（Ａ）としては、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹
脂、ポリウレタン系樹脂などが用いられる。これらの中
では、（メタ）アクリレートを主成分とし、必要に応じ
てエチレン性不飽和カルボン酸や他の共重合可能なモノ
マーを共重合したアクリル系共重合体が重要である。ア
セトアセチル基含有アクリル系共重合体を用いることも
できる。ここで（メタ）アクリル酸エステルとしては、
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレ
ート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）
アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エ
チルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル
（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレー
ト、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピ
ル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレ
ートなどが例示される。
本発明に用いられる感光性樹脂組成物層のベースポリマ
ー（Ａ）としては、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹
脂、ポリウレタン系樹脂などが用いられる。これらの中
では、（メタ）アクリレートを主成分とし、必要に応じ
てエチレン性不飽和カルボン酸や他の共重合可能なモノ
マーを共重合したアクリル系共重合体が重要である。ア
セトアセチル基含有アクリル系共重合体を用いることも
できる。ここで（メタ）アクリル酸エステルとしては、
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレ
ート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）
アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エ
チルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル
（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレー
ト、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピ
ル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレ
ートなどが例示される。
【０００６】エチレン性不飽和カルボン酸としては、ア
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボ
ン酸が好適に用いられ、そのほか、マレイン酸、フマー
ル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、あるいはそれら
の無水物やハーフエステルも用いることができる。これ
らの中では、アクリル酸とメタクリル酸が特に好まし
い。
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボ
ン酸が好適に用いられ、そのほか、マレイン酸、フマー
ル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、あるいはそれら
の無水物やハーフエステルも用いることができる。これ
らの中では、アクリル酸とメタクリル酸が特に好まし
い。
【０００７】稀アルカリ現像型とするときは、エチレン
性不飽和カルボン酸を１５〜３０重量％程度（酸価で１
００〜２００ｍｇKOH／ｇ程度）共重合することが必要
である。他の共重合可能モノマーとしては、アクリルア
ミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、酢酸ビニ
ル、アルキルビニルエーテルなどが例示できる。
性不飽和カルボン酸を１５〜３０重量％程度（酸価で１
００〜２００ｍｇKOH／ｇ程度）共重合することが必要
である。他の共重合可能モノマーとしては、アクリルア
ミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、酢酸ビニ
ル、アルキルビニルエーテルなどが例示できる。
【０００８】本発明では、エチレン性不飽和化合物
（Ｂ）として、少なくともポリエチレングリコールジ
（メタ）アクリレートを用いることを特徴とするもの
で、具体的にはテトラエチレングリコールジ（メタ）ア
クリレート等を挙げることができ、テトラエチレングリ
コールジ（メタ）アクリレートが好適に用いられる。ま
た、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート以
外のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）としては、エチレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アク
リレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アク
リレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリ
レート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエ
リスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリ
トールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリト
ールペンタ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−
（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス−（４−（メタ）アクリロキシポリエトキ
シフェニル）プロパン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）
アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、エ
チレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アク
リレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル
ジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステ
ルジ（メタ）アクリレート、グルセリントリアクリレー
ト、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）ア
クリレートなどの多官能モノマーが挙げられ、特にグル
セリントリアクリレート等の３官能モノマーとの併用が
好ましく、また、これらの多官能モノマーと共に、単官
能モノマーを適当量併用することもでき、かかる単官能
モノマーの例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）
アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリ
レート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、
２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アク
リレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒド
ロキシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキ
シプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メ
タ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエ
チルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハーフ
（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリ
ルアミドなどが挙げられる。
（Ｂ）として、少なくともポリエチレングリコールジ
（メタ）アクリレートを用いることを特徴とするもの
で、具体的にはテトラエチレングリコールジ（メタ）ア
クリレート等を挙げることができ、テトラエチレングリ
コールジ（メタ）アクリレートが好適に用いられる。ま
た、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート以
外のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）としては、エチレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アク
リレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アク
リレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリ
レート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエ
リスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリ
トールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリト
ールペンタ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−
（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス−（４−（メタ）アクリロキシポリエトキ
シフェニル）プロパン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）
アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、エ
チレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アク
リレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル
ジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステ
ルジ（メタ）アクリレート、グルセリントリアクリレー
ト、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）ア
クリレートなどの多官能モノマーが挙げられ、特にグル
セリントリアクリレート等の３官能モノマーとの併用が
好ましく、また、これらの多官能モノマーと共に、単官
能モノマーを適当量併用することもでき、かかる単官能
モノマーの例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）
アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリ
レート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、
２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アク
リレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒド
ロキシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキ
シプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メ
タ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエ
チルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハーフ
（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリ
ルアミドなどが挙げられる。
【０００９】エチレン性不飽和化合物（Ｂ）中のポリエ
チレングリコールジ（メタ）アクリレートの含有量は、
５０〜１００重量％が好ましく、更には９０〜１００重
量％で、かかる含有量が５０重量％未満ではレジストの
密着性が低下して好ましくない。また、ポリエチレング
リコールジ（メタ）アクリレートの含有量は、ベースポ
リマー（Ａ）１００重量部に対して、１０〜１００重量
部であることが好ましく、更には５０〜１００重量部
で、かかる含有量が５０重量部未満ではレジストの密着
性が低下し、逆に１００重量部を越えるとコールドフロ
ーの原因となって好ましくない。
チレングリコールジ（メタ）アクリレートの含有量は、
５０〜１００重量％が好ましく、更には９０〜１００重
量％で、かかる含有量が５０重量％未満ではレジストの
密着性が低下して好ましくない。また、ポリエチレング
リコールジ（メタ）アクリレートの含有量は、ベースポ
リマー（Ａ）１００重量部に対して、１０〜１００重量
部であることが好ましく、更には５０〜１００重量部
で、かかる含有量が５０重量部未満ではレジストの密着
性が低下し、逆に１００重量部を越えるとコールドフロ
ーの原因となって好ましくない。
【００１０】ベースポリマー（Ａ）１００重量部に対す
るポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート以外
のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の配合割合は、１０〜
２００重量部、特に４０〜１００重量部の範囲から選ぶ
ことが望ましい。エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の過少
は硬化不良、可撓性の低下、現像速度の遅延を招き、エ
チレン性不飽和化合物（Ｂ）の過多は粘着性の増大、コ
ールドフロー、硬化レジストの剥離速度低下を招く。
るポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート以外
のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の配合割合は、１０〜
２００重量部、特に４０〜１００重量部の範囲から選ぶ
ことが望ましい。エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の過少
は硬化不良、可撓性の低下、現像速度の遅延を招き、エ
チレン性不飽和化合物（Ｂ）の過多は粘着性の増大、コ
ールドフロー、硬化レジストの剥離速度低下を招く。
【００１１】更に、感光性樹脂組成物層に用いられる光
重合開始剤（Ｃ）としては、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン
イソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテ
ル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジフェニル
ジスルフィド、ベンジルジメチルケタール、ジベンジ
ル、ジアセチル、アントラキノン、ナフトキノン、３，
３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンゾ
フェノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフ
ェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェ
ノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、ピバ
ロインエチルエーテル、１，１−ジクロロアセトフェノ
ン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ヘキサア
リールイミダゾール二量体、２，２’−ビス（ｏ−クロ
ロフェニル）４，５，４’，５’−テトラフェニル−
１，２’−ビイミダゾール、２−クロロチオキサント
ン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオ
キサントン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、
２，２’−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、
２，２’−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、
フェニルグリオキシレート、α−ヒドロキシイソブチル
フェノン、ジベゾスパロン、１−（４−イソプロピルフ
ェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパノ
ン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノ−１−プロパノン、トリブロモフェニル
スルホン、トリブロモメチルフェニルスルホンなどが挙
げられ、これらの１種または２種以上が用いられる。光
重合開始剤（Ｃ）の含有量は、ベースポリマー（Ａ）と
エチレン性不飽和化合物（Ｂ）との合計量１００重量部
に対して、１〜２０重量部程度とするのが適当である。
重合開始剤（Ｃ）としては、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン
イソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテ
ル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジフェニル
ジスルフィド、ベンジルジメチルケタール、ジベンジ
ル、ジアセチル、アントラキノン、ナフトキノン、３，
３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンゾ
フェノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフ
ェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェ
ノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、ピバ
ロインエチルエーテル、１，１−ジクロロアセトフェノ
ン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ヘキサア
リールイミダゾール二量体、２，２’−ビス（ｏ−クロ
ロフェニル）４，５，４’，５’−テトラフェニル−
１，２’−ビイミダゾール、２−クロロチオキサント
ン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオ
キサントン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、
２，２’−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、
２，２’−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、
フェニルグリオキシレート、α−ヒドロキシイソブチル
フェノン、ジベゾスパロン、１−（４−イソプロピルフ
ェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパノ
ン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノ−１−プロパノン、トリブロモフェニル
スルホン、トリブロモメチルフェニルスルホンなどが挙
げられ、これらの１種または２種以上が用いられる。光
重合開始剤（Ｃ）の含有量は、ベースポリマー（Ａ）と
エチレン性不飽和化合物（Ｂ）との合計量１００重量部
に対して、１〜２０重量部程度とするのが適当である。
【００１２】本発明においては、上記の感光性樹脂組成
物層にシラン系化合物（Ｄ）を含有させることを特徴と
するもので、シラン系化合物（Ｄ）としては、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４エ
ポキシシクロヘキシ）−エチルトリメトキシシラン、β
−（３，４エポキシシクロヘキシ）−エチルトリエトキ
シシラン等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシ
ラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン等のクロ
ロプロピルシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン等のメタクリロシランなどが挙げられる
が、エポキシシラン、アミノシラン、クロロプロピルシ
ランのいずれか１種以上を用いることが好ましい。シラ
ン系化合物（Ｄ）の含有量としては、感光性樹脂組成物
中に０．０１〜１重量％とすることが好ましく、更には
０．１〜０．３重量％とすることが好ましい。シラン系
化合物（Ｄ）の含有量が０．０１重量％未満では、レジ
ストの密着性が低下し、逆に１重量％を越えるとガラス
面で剥離現象が見られて好ましくない。シラン系化合物
（Ｄ）を含有させる方法としては、特に限定されず公知
の方法、例えば上記の（Ａ）〜（Ｃ）の樹脂組成物に所
定量のシラン系化合物（Ｄ）を添加して、十分混合撹拌
する方法等がある。
物層にシラン系化合物（Ｄ）を含有させることを特徴と
するもので、シラン系化合物（Ｄ）としては、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４エ
ポキシシクロヘキシ）−エチルトリメトキシシラン、β
−（３，４エポキシシクロヘキシ）−エチルトリエトキ
シシラン等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシ
ラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン等のクロ
ロプロピルシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン等のメタクリロシランなどが挙げられる
が、エポキシシラン、アミノシラン、クロロプロピルシ
ランのいずれか１種以上を用いることが好ましい。シラ
ン系化合物（Ｄ）の含有量としては、感光性樹脂組成物
中に０．０１〜１重量％とすることが好ましく、更には
０．１〜０．３重量％とすることが好ましい。シラン系
化合物（Ｄ）の含有量が０．０１重量％未満では、レジ
ストの密着性が低下し、逆に１重量％を越えるとガラス
面で剥離現象が見られて好ましくない。シラン系化合物
（Ｄ）を含有させる方法としては、特に限定されず公知
の方法、例えば上記の（Ａ）〜（Ｃ）の樹脂組成物に所
定量のシラン系化合物（Ｄ）を添加して、十分混合撹拌
する方法等がある。
【００１３】本発明に用いられる感光性樹脂組成物
（層）には、そのほか、染料（クリスタルバイオレッ
ト，マラカイトグリーン，マラカイトグリーンレイク，
ブリリアントグリーン，パテントブルー，メチルバイオ
レット，ビクトリアブルー，ローズアニリン，パラフク
シン，エチレンバイオレット等）、密着性付与剤、可塑
剤、酸化防止剤、熱重合禁止剤、溶剤、表面張力改質
材、安定剤、連鎖移動剤、消泡剤、難燃剤、などの添加
剤を適宜添加することができる。
（層）には、そのほか、染料（クリスタルバイオレッ
ト，マラカイトグリーン，マラカイトグリーンレイク，
ブリリアントグリーン，パテントブルー，メチルバイオ
レット，ビクトリアブルー，ローズアニリン，パラフク
シン，エチレンバイオレット等）、密着性付与剤、可塑
剤、酸化防止剤、熱重合禁止剤、溶剤、表面張力改質
材、安定剤、連鎖移動剤、消泡剤、難燃剤、などの添加
剤を適宜添加することができる。
【００１４】本発明においては、上記の如き感光性樹脂
組成物層を用いて、基材上に薄膜電極を形成させること
も特徴とするものであり、かかる形成法について詳細に
説明する。かかる感光性樹脂組成物層は、基材上に該組
成物を直接塗布して形成しても良いが、あらかじめフォ
トレジストフィルムまたはドライフィルムレジスト（Ｄ
ＦＲ）に成形したものを用いることが好ましく、かかる
ＤＦＲを用いたＰＤＰ用基板の電極形成について具体的
に説明するが、本発明においては、これに限定されるも
のではない。
組成物層を用いて、基材上に薄膜電極を形成させること
も特徴とするものであり、かかる形成法について詳細に
説明する。かかる感光性樹脂組成物層は、基材上に該組
成物を直接塗布して形成しても良いが、あらかじめフォ
トレジストフィルムまたはドライフィルムレジスト（Ｄ
ＦＲ）に成形したものを用いることが好ましく、かかる
ＤＦＲを用いたＰＤＰ用基板の電極形成について具体的
に説明するが、本発明においては、これに限定されるも
のではない。
【００１５】（成層方法）上記の感光性樹脂組成物は、
これをポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィル
ム、ポリスチレンフィルムなどのベースフィルム面に塗
工した後、その塗工面の上からポリエチレンフィルム、
ポリビニルアルコール系フィルムなどの保護フィルムを
被覆してＤＦＲとする。また、上記の感光性樹脂組成物
は、ＤＦＲ以外にもディップコート法、フローコート
法、スクリーン印刷法等の常法により、加工すべき（ガ
ラス等の）基板上に直接塗工し、厚さ１〜１５０μｍの
感光層を容易に形成することも、勿論可能で、かかる塗
工時には、メチルエチルケトン、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、シクロヘキサ
ン、メチルセルソルブ、塩化メチレン、１，１，１−ト
リクロルエタン等の溶剤を添加することもできる。
これをポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィル
ム、ポリスチレンフィルムなどのベースフィルム面に塗
工した後、その塗工面の上からポリエチレンフィルム、
ポリビニルアルコール系フィルムなどの保護フィルムを
被覆してＤＦＲとする。また、上記の感光性樹脂組成物
は、ＤＦＲ以外にもディップコート法、フローコート
法、スクリーン印刷法等の常法により、加工すべき（ガ
ラス等の）基板上に直接塗工し、厚さ１〜１５０μｍの
感光層を容易に形成することも、勿論可能で、かかる塗
工時には、メチルエチルケトン、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、シクロヘキサ
ン、メチルセルソルブ、塩化メチレン、１，１，１−ト
リクロルエタン等の溶剤を添加することもできる。
【００１６】（露光）ＤＦＲによって画像を形成させる
にはベースフィルムと感光性樹脂組成物層との接着力及
び保護フィルムと感光性樹脂組成物層との接着力を比較
し、接着力の低い方のフィルムを剥離してから感光性樹
脂組成物層の側をガラス面に貼り付けた後、他方のフィ
ルム上にパターンマスク（電極形成部分が未露光部とな
る）を密着させて露光する。感光性樹脂組成物が粘着性
を有しないときは、前記他方のフィルムを剥離してから
パターンマスクを感光性樹脂組成物層に直接接触させて
露光することもできる。露光は通常紫外線照射により行
い、その際の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライドラ
ンプ、ケミカルランプなどが用いられる。紫外線照射後
は、必要に応じ加熱を行って、硬化の完全を図ることも
できる。
にはベースフィルムと感光性樹脂組成物層との接着力及
び保護フィルムと感光性樹脂組成物層との接着力を比較
し、接着力の低い方のフィルムを剥離してから感光性樹
脂組成物層の側をガラス面に貼り付けた後、他方のフィ
ルム上にパターンマスク（電極形成部分が未露光部とな
る）を密着させて露光する。感光性樹脂組成物が粘着性
を有しないときは、前記他方のフィルムを剥離してから
パターンマスクを感光性樹脂組成物層に直接接触させて
露光することもできる。露光は通常紫外線照射により行
い、その際の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライドラ
ンプ、ケミカルランプなどが用いられる。紫外線照射後
は、必要に応じ加熱を行って、硬化の完全を図ることも
できる。
【００１７】（現像）露光後は、レジスト上のフィルム
を剥離除去してから現像を行う。本発明に用いられる感
光性樹脂組成物は稀アルカリ現像型であるので、露光後
の現像は、炭酸ソーダ、炭酸カリウムなどのアルカリ
０．５〜３重量％程度の稀薄水溶液を用いて行う。かか
る現像により、電極が形成される微細パターン部の感光
性樹脂組成物を除去するのである。 （導電薄膜形成）現像後、導電物質により薄膜を形成す
る。導電物質としては、ＩＴＯ（酸化インジュウム
錫）、酸化錫、金、銀、ニッケル、銅等が挙げられ、か
かる導電物質を一般蒸着，スパッタリング，ＣＶＤ（化
学蒸着）等の蒸着法、希釈液の吹き付け乾燥、ペースト
状の印刷などにより、１００Å〜１０μｍ程度の薄膜が
形成され、本発明では、特に減圧下で行われる蒸着法に
おいて有用である。 （薄膜形成後のレジスト剥離）導電薄膜形成後、残って
いる硬化レジストの剥離を行う。硬化レジストの剥離除
去は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの０．５
〜１０重量％程度の濃度のアルカリ水溶液からなるアル
カリ剥離液を用いて行う場合が多い。かかるレジスト剥
離により、（レジスト上の）不要部分の導電薄膜が除去
されて、目的とする電極（微細パターン）が形成される
のである。次いで、十分に水洗浄を行った後、乾燥され
る。
を剥離除去してから現像を行う。本発明に用いられる感
光性樹脂組成物は稀アルカリ現像型であるので、露光後
の現像は、炭酸ソーダ、炭酸カリウムなどのアルカリ
０．５〜３重量％程度の稀薄水溶液を用いて行う。かか
る現像により、電極が形成される微細パターン部の感光
性樹脂組成物を除去するのである。 （導電薄膜形成）現像後、導電物質により薄膜を形成す
る。導電物質としては、ＩＴＯ（酸化インジュウム
錫）、酸化錫、金、銀、ニッケル、銅等が挙げられ、か
かる導電物質を一般蒸着，スパッタリング，ＣＶＤ（化
学蒸着）等の蒸着法、希釈液の吹き付け乾燥、ペースト
状の印刷などにより、１００Å〜１０μｍ程度の薄膜が
形成され、本発明では、特に減圧下で行われる蒸着法に
おいて有用である。 （薄膜形成後のレジスト剥離）導電薄膜形成後、残って
いる硬化レジストの剥離を行う。硬化レジストの剥離除
去は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの０．５
〜１０重量％程度の濃度のアルカリ水溶液からなるアル
カリ剥離液を用いて行う場合が多い。かかるレジスト剥
離により、（レジスト上の）不要部分の導電薄膜が除去
されて、目的とする電極（微細パターン）が形成される
のである。次いで、十分に水洗浄を行った後、乾燥され
る。
【００１８】かくして、ＰＤＰ用前面基板上に電極が形
成されて、その後、背面基材との間にガス封入後、接合
されてＰＤＰとして実用に供されるのである。
成されて、その後、背面基材との間にガス封入後、接合
されてＰＤＰとして実用に供されるのである。
【００１９】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。なお、例中「部」とあるのは、断りのない限り重
量基準を意味する。 実施例１ （ドープの調整）下記のベースポリマー（Ａ）５５部、
下記のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）３０部、下記処方
の光重量開始剤（Ｃ）８部及び下記のシラン系化合物
（Ｄ）０．３部をを混合して感光性樹脂組成物を調製し
た。
する。なお、例中「部」とあるのは、断りのない限り重
量基準を意味する。 実施例１ （ドープの調整）下記のベースポリマー（Ａ）５５部、
下記のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）３０部、下記処方
の光重量開始剤（Ｃ）８部及び下記のシラン系化合物
（Ｄ）０．３部をを混合して感光性樹脂組成物を調製し
た。
【００２０】ベースポリマー（Ａ） メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／２
−エチルヘキシルアクリレート／スチレン／メタクリル
酸の共重合割合が重量基準で３２／３０／１５／２／２
１である共重合体（酸価１４３．３、ガラス転移点６
６．３℃、重量平均分子量８万）エチレン性不飽和化合物（Ｂ） テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート光重合開始剤（Ｃ） ベンゾフェノン／４，４’−ジエチルアミノベンゾフェ
ノン／２，２−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，
４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾー
ルの重量比８／０．１５／１の混合物シラン系化合物（Ｄ） γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
−エチルヘキシルアクリレート／スチレン／メタクリル
酸の共重合割合が重量基準で３２／３０／１５／２／２
１である共重合体（酸価１４３．３、ガラス転移点６
６．３℃、重量平均分子量８万）エチレン性不飽和化合物（Ｂ） テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート光重合開始剤（Ｃ） ベンゾフェノン／４，４’−ジエチルアミノベンゾフェ
ノン／２，２−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，
４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾー
ルの重量比８／０．１５／１の混合物シラン系化合物（Ｄ） γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
【００２１】（ドライフィルムの作製）上記のドープ
を、ギャップ３ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０
μｍのポリエステルフイルム上に塗工し、室温で１分３
０秒放置した後、６０℃、９０℃、１１０℃のオーブン
でそれぞれ３分間ずつ乾燥して、レジスト厚２０μｍの
ドライフイルムとなした（ただし保護フイルムは設けて
いない）。 （ＰＤＰガラス基板へのラミネート）このドライフイル
ムを、オーブンで６０℃に予熱したガラス基材（２００
ｍｍ×２００ｍｍ×２ｍｍ）上に、ラミネートロール温
度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃｍ2、ラミネート速
度１．５ｍ／ｓｅｃにてラミネートした。 （露光，現像）ラミネート後、基板全面にＬ／Ｓ（ライ
ン／スペース）＝１００μｍ／１００μｍになるように
ラインパターンをポリエステルフイルム上に置いて、オ
ーク製作所製の露光機ＨＭＷ−５３２Ｄにて３ｋｗ超高
圧水銀灯で１００ｍｊに露光した。露光後１５分間のホ
ールドタイムを取った後、１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液、３０
℃で、最少現像時間の１．５倍の時間で現像し、その
後、水洗・乾燥を行って、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００
μｍのレジスト層のパターンを形成させた。 （導電薄膜の蒸着形成・レジストの剥離）上記のパター
ンを載せた基板の上に、薄膜製造装置（減圧下）によ
り、膜厚２０００Å、面抵抗値３０Ω／□のＩＴＯ膜を
蒸着形成した。次に、５０℃に加温した３％ＮａＯＨ水
溶液を６０秒間シャワーリングすることで硬化レジスト
を剥離し、パターン（Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００μ
ｍ）のＩＴＯ透明電極（厚さ２０００Å）を、ＰＤＰ用
基板上に形成した。
を、ギャップ３ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０
μｍのポリエステルフイルム上に塗工し、室温で１分３
０秒放置した後、６０℃、９０℃、１１０℃のオーブン
でそれぞれ３分間ずつ乾燥して、レジスト厚２０μｍの
ドライフイルムとなした（ただし保護フイルムは設けて
いない）。 （ＰＤＰガラス基板へのラミネート）このドライフイル
ムを、オーブンで６０℃に予熱したガラス基材（２００
ｍｍ×２００ｍｍ×２ｍｍ）上に、ラミネートロール温
度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃｍ2、ラミネート速
度１．５ｍ／ｓｅｃにてラミネートした。 （露光，現像）ラミネート後、基板全面にＬ／Ｓ（ライ
ン／スペース）＝１００μｍ／１００μｍになるように
ラインパターンをポリエステルフイルム上に置いて、オ
ーク製作所製の露光機ＨＭＷ−５３２Ｄにて３ｋｗ超高
圧水銀灯で１００ｍｊに露光した。露光後１５分間のホ
ールドタイムを取った後、１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液、３０
℃で、最少現像時間の１．５倍の時間で現像し、その
後、水洗・乾燥を行って、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００
μｍのレジスト層のパターンを形成させた。 （導電薄膜の蒸着形成・レジストの剥離）上記のパター
ンを載せた基板の上に、薄膜製造装置（減圧下）によ
り、膜厚２０００Å、面抵抗値３０Ω／□のＩＴＯ膜を
蒸着形成した。次に、５０℃に加温した３％ＮａＯＨ水
溶液を６０秒間シャワーリングすることで硬化レジスト
を剥離し、パターン（Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００μ
ｍ）のＩＴＯ透明電極（厚さ２０００Å）を、ＰＤＰ用
基板上に形成した。
【００２２】上記のＩＴＯパターンの作製工程におい
て、以下の評価を行った。 ［現像時のレジスト密着性］上記の現像工程において、
別途、最少現像時間の３倍の時間で現像した場合のレジ
ストの密着性を目視観察して、以下の通り評価した。 ◎ −−− レジストに浮きが全く認められない ○ −−− レジストの先端部に浮きが認められる × −−− 全体的にレジストの浮きが認められる ［蒸着時のレジスト密着性］上記の導電薄膜の（減圧
下）蒸着形成工程において、レジストの密着性を下記の
ように評価した。 ◎ −−− レジストに浮きが全く認められない ○ −−− レジストの先端部に浮きが認められる × −−− 全体的にレジストの浮きが認められる ［剥離性］上記のレジスト剥離工程において、該ライン
状のレジストの剥離状態を目視観察して、以下の通り評
価した。 ◎ −−− レジストが分散（細分化）して剥離 ○ −−− レジストが２分割して剥離 × −−− レジストがライン状で剥離
て、以下の評価を行った。 ［現像時のレジスト密着性］上記の現像工程において、
別途、最少現像時間の３倍の時間で現像した場合のレジ
ストの密着性を目視観察して、以下の通り評価した。 ◎ −−− レジストに浮きが全く認められない ○ −−− レジストの先端部に浮きが認められる × −−− 全体的にレジストの浮きが認められる ［蒸着時のレジスト密着性］上記の導電薄膜の（減圧
下）蒸着形成工程において、レジストの密着性を下記の
ように評価した。 ◎ −−− レジストに浮きが全く認められない ○ −−− レジストの先端部に浮きが認められる × −−− 全体的にレジストの浮きが認められる ［剥離性］上記のレジスト剥離工程において、該ライン
状のレジストの剥離状態を目視観察して、以下の通り評
価した。 ◎ −−− レジストが分散（細分化）して剥離 ○ −−− レジストが２分割して剥離 × −−− レジストがライン状で剥離
【００２３】実施例２ 実施例１において、感光性樹脂組成物中のシラン系化合
物（Ｄ）を０．１部とした以外は同様に電極形成を行っ
て、同様に評価を行った。 実施例３ 実施例１において、感光性樹脂組成物中のエチレン性不
飽和化合物（Ｂ）をテトラエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート／グリセリントリアクリレート＝２５
／１０（重量比）の混合物とした以外は同様に電極形成
を行って、同様に評価を行った。
物（Ｄ）を０．１部とした以外は同様に電極形成を行っ
て、同様に評価を行った。 実施例３ 実施例１において、感光性樹脂組成物中のエチレン性不
飽和化合物（Ｂ）をテトラエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート／グリセリントリアクリレート＝２５
／１０（重量比）の混合物とした以外は同様に電極形成
を行って、同様に評価を行った。
【００２４】比較例１ 実施例１において、感光性樹脂組成物中のテトラエチレ
ングリコールジ（メタ）アクリレートに替えてトリメチ
ロールプロパントリアクリレートを用いた以外は同様に
電極形成を行って、同様に評価を行った。 比較例２ 実施例１において、感光性樹脂組成物中のシラン系化合
物（Ｄ）を無添加とした以外は同様に電極形成を行っ
て、同様に評価を行った。実施例及び比較例の評価結果
を表１に示す。
ングリコールジ（メタ）アクリレートに替えてトリメチ
ロールプロパントリアクリレートを用いた以外は同様に
電極形成を行って、同様に評価を行った。 比較例２ 実施例１において、感光性樹脂組成物中のシラン系化合
物（Ｄ）を無添加とした以外は同様に電極形成を行っ
て、同様に評価を行った。実施例及び比較例の評価結果
を表１に示す。
【００２５】
【表１】 レジスト密着性I レジスト密着性II 剥離性 実施例１ ◎ ◎ ○ 〃 ２ ◎ ◎ ○ 〃 ３ ◎ ◎ ◎ 比較例１ × × × 〃 ２ × × × 注）レジスト密着性Iは、現像時のレジスト密着性を、レジスト密着性IIは、 蒸着時のレジスト密着性をそれぞれ意味する。
【００２６】
【発明の効果】本発明の薄膜電極の形成法は、特定の感
光性樹脂組成物を用いているため、ガラス基材との密着
性、特に現像時及び蒸着（減圧下）時の密着性に富み、
アルカリによる現像剥離性にも優れており、ＰＤＰ等の
大形ガラス基材上の薄膜電極形成に大変有用である。
光性樹脂組成物を用いているため、ガラス基材との密着
性、特に現像時及び蒸着（減圧下）時の密着性に富み、
アルカリによる現像剥離性にも優れており、ＰＤＰ等の
大形ガラス基材上の薄膜電極形成に大変有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 17/04 Ｈ０１Ｊ 17/04
Claims (8)
- 【請求項１】 ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽
和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）及びシラン系化合
物（Ｄ）を含有し、かつエチレン性不飽和化合物（Ｂ）
として少なくともポリエチレングリコールジ（メタ）ア
クリレートを含む感光性樹脂組成物層を基板上に設けた
後に露光し、現像により電極形成部となる微細パターン
部の感光性樹脂組成物を除去し、次いでその上に導電性
物質の薄膜を形成し、その後に基板上に残存する感光性
樹脂組成物層を剥離することを特徴とする薄膜電極の形
成法。 - 【請求項２】 シラン系化合物（Ｄ）が、エポキシシラ
ン、アミノシラン、クロロプロピルシランのいずれか１
種以上であることを特徴とする請求項１記載の薄膜電極
の形成法。 - 【請求項３】 シラン系化合物（Ｄ）の含有量が、ベー
スポリマー（Ａ）及びエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の
総量１００重量部に対して、０．１〜５重量部であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の薄膜電極の形成
法。 - 【請求項４】 エチレン性不飽和化合物（Ｂ）として，
更にグリセリントリアクリレートを用いることを特徴と
する請求項１〜３いずれか記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項５】 ポリエチレングリコールジ（メタ）アク
リレートの含有量が、ベースポリマー（Ａ）１００重量
部に対して、５０〜１００重量部であることを特徴とす
る請求項１〜４いずれか記載の薄膜電極の形成法。 - 【請求項６】 ベースポリマー（Ａ）１００重量部に対
するポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート以
外のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の配合割合が、１０
〜２００重量部であることを特徴とする請求項１〜５い
ずれか記載の薄膜電極の形成法。 - 【請求項７】 感光性樹脂組成物層が感光性樹脂組成物
をベースフィルムに積層してなるフォトレジストフィル
ムであることを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の
薄膜電極の形成法。 - 【請求項８】 基材がプラズマディスプレイパネル形成
用基材であることを特徴とする請求項１〜７いずれか記
載の薄膜電極の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9338098A JPH11160879A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 薄膜電極の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9338098A JPH11160879A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 薄膜電極の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160879A true JPH11160879A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18314898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9338098A Pending JPH11160879A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 薄膜電極の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11160879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347258A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Dongjin Semichem Co Ltd | ＰＤＰアドレス電極用無鉛Ａｇペースト組成物及びＰＤＰアドレス電極 |
-
1997
- 1997-11-21 JP JP9338098A patent/JPH11160879A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347258A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Dongjin Semichem Co Ltd | ＰＤＰアドレス電極用無鉛Ａｇペースト組成物及びＰＤＰアドレス電極 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041118 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070419 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070809 |