JPH11339574A - Ｉｔｏ膜の形成方法 - Google Patents
Ｉｔｏ膜の形成方法Info
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- JPH11339574A JPH11339574A JP16603798A JP16603798A JPH11339574A JP H11339574 A JPH11339574 A JP H11339574A JP 16603798 A JP16603798 A JP 16603798A JP 16603798 A JP16603798 A JP 16603798A JP H11339574 A JPH11339574 A JP H11339574A
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- meth
- film
- resin composition
- photosensitive resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン形成性、透明性、低抵抗性等に優れ
たＩＴＯ膜を形成する方法を提供すること。 【解決手段】 ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽
和化合物（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を含有し、かつ
ベースポリマー（Ａ）の共重合体の主成分が（メタ）ア
クリル酸エステル、（メタ）アクリル酸及び水酸基含有
（メタ）アクリル酸エステルである感光性樹脂組成物を
用いて、圧力勾配型プラズマガンを用いた活性化反応蒸
着法によるリフトオフ法で成膜を行う。
たＩＴＯ膜を形成する方法を提供すること。 【解決手段】 ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽
和化合物（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を含有し、かつ
ベースポリマー（Ａ）の共重合体の主成分が（メタ）ア
クリル酸エステル、（メタ）アクリル酸及び水酸基含有
（メタ）アクリル酸エステルである感光性樹脂組成物を
用いて、圧力勾配型プラズマガンを用いた活性化反応蒸
着法によるリフトオフ法で成膜を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＴＯ膜の形成方
法に関し、更に詳しくはパターン形成性、透明性、
（低）抵抗性等に優れたＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜の
形成方法に関する。
法に関し、更に詳しくはパターン形成性、透明性、
（低）抵抗性等に優れたＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜の
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＰＤＰ等の表示パネルのガラ
ス基板上にＩＴＯ膜を形成する方法として、リフトオフ
法がある。この方法は、基板に感光性樹脂組成物層を形
成する工程、この感光性樹脂組成物層をパターンマスク
を介して露光する工程、現像する工程、ＩＴＯ膜を成膜
する工程及び硬化感光性樹脂組成物層を剥離する工程と
からなり、前記ＩＴＯ膜は蒸着法により成膜する方法に
比べて低抵抗値で高透過率を安定して得られるスパッタ
リングによる成膜が一般的である。
ス基板上にＩＴＯ膜を形成する方法として、リフトオフ
法がある。この方法は、基板に感光性樹脂組成物層を形
成する工程、この感光性樹脂組成物層をパターンマスク
を介して露光する工程、現像する工程、ＩＴＯ膜を成膜
する工程及び硬化感光性樹脂組成物層を剥離する工程と
からなり、前記ＩＴＯ膜は蒸着法により成膜する方法に
比べて低抵抗値で高透過率を安定して得られるスパッタ
リングによる成膜が一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＩＴＯ膜の形成方法ではスパッタリングによる成膜であ
るため、低抵抗値を有するＩＴＯ膜を得るにはＩＴＯ膜
の結晶性が成膜処理時の基板温度と成膜速度に依存する
こと、すなわち、結晶化は基板温度を高くするほど促進
され、また、ＩＴＯ膜に対するダメージは成膜速度を遅
くするほど軽減されることから、基板温度を高温に保持
して成膜するか、成膜速度を遅くして成膜する必要があ
る。例えば、１０００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度で１．
５×１０-4Ω・ｃｍ以下の抵抗率のＩＴＯ膜をスパッタ
リングにより得るには基板温度を約３００℃以上としな
ければならない。このことは、基板の耐熱性が低い場
合、１０００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度で低抵抗率のＩ
ＴＯ膜を形成することができず、また、基板自体に耐熱
性があっても感光性樹脂組成物層の材質に制約が生じる
という問題がある。すなわち、ＩＴＯ膜の形成時におけ
るスパッタリングによる成膜は基板あるいは感光性樹脂
組成物層により制約されるという問題がある。そこで、
本発明者らは圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化
反応蒸着法（イオンプレーティング）は基板上に形成し
たＩＴＯ膜がスパッタリングと同様に成膜時の基板温度
に依存するものの、基板温度が特定温度域にある時、抵
抗値は最小値となり、この最小値を境に低温側と高温側
で増加することになること、およびＩＴＯ膜に対するダ
メージと成膜速度の関係について考察したところ、成膜
速度を早くしても粒子の運動エネルギーが著しく増加し
ないとの知見を得た。本発明は上記の知見に基づきなさ
れたものであって、低温でしかも高効率で成膜できて、
パターン形成性、透明性、低抵抗性等に優れたＩＴＯ膜
の形成方法を提供することを目的としている。
ＩＴＯ膜の形成方法ではスパッタリングによる成膜であ
るため、低抵抗値を有するＩＴＯ膜を得るにはＩＴＯ膜
の結晶性が成膜処理時の基板温度と成膜速度に依存する
こと、すなわち、結晶化は基板温度を高くするほど促進
され、また、ＩＴＯ膜に対するダメージは成膜速度を遅
くするほど軽減されることから、基板温度を高温に保持
して成膜するか、成膜速度を遅くして成膜する必要があ
る。例えば、１０００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度で１．
５×１０-4Ω・ｃｍ以下の抵抗率のＩＴＯ膜をスパッタ
リングにより得るには基板温度を約３００℃以上としな
ければならない。このことは、基板の耐熱性が低い場
合、１０００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度で低抵抗率のＩ
ＴＯ膜を形成することができず、また、基板自体に耐熱
性があっても感光性樹脂組成物層の材質に制約が生じる
という問題がある。すなわち、ＩＴＯ膜の形成時におけ
るスパッタリングによる成膜は基板あるいは感光性樹脂
組成物層により制約されるという問題がある。そこで、
本発明者らは圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化
反応蒸着法（イオンプレーティング）は基板上に形成し
たＩＴＯ膜がスパッタリングと同様に成膜時の基板温度
に依存するものの、基板温度が特定温度域にある時、抵
抗値は最小値となり、この最小値を境に低温側と高温側
で増加することになること、およびＩＴＯ膜に対するダ
メージと成膜速度の関係について考察したところ、成膜
速度を早くしても粒子の運動エネルギーが著しく増加し
ないとの知見を得た。本発明は上記の知見に基づきなさ
れたものであって、低温でしかも高効率で成膜できて、
パターン形成性、透明性、低抵抗性等に優れたＩＴＯ膜
の形成方法を提供することを目的としている。
【０００４】
【問題を解決するための手段】そこで、本発明者は、か
かる課題について鋭意研究をした結果、基板に感光性
樹脂組成物層を形成する工程、感光性樹脂組成物層を
パターンマスクを介して露光する工程、現像する工
程、ＩＴＯ膜を成膜する工程、及び硬化感光性樹脂
組成物層を剥離する工程の５工程からなるリフトオフ法
によるＩＴＯ膜の成膜方法において、該感光性樹脂組成
物がベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物
（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を含有し、かつベースポ
リマー（Ａ）の共重合体主成分として（メタ）アクリル
酸エステル、（メタ）アクリル酸及び水酸基含有（メ
タ）アクリル酸エステルを用い、更に工程において圧
力勾配型プラズマガンを用いた活性化反応蒸着法により
成膜を行うことにより、パターン形成性、透明性、低抵
抗性等に優れたＩＴＯ膜を形成することができることを
見いだし、本発明を完成するに至った。
かる課題について鋭意研究をした結果、基板に感光性
樹脂組成物層を形成する工程、感光性樹脂組成物層を
パターンマスクを介して露光する工程、現像する工
程、ＩＴＯ膜を成膜する工程、及び硬化感光性樹脂
組成物層を剥離する工程の５工程からなるリフトオフ法
によるＩＴＯ膜の成膜方法において、該感光性樹脂組成
物がベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物
（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を含有し、かつベースポ
リマー（Ａ）の共重合体主成分として（メタ）アクリル
酸エステル、（メタ）アクリル酸及び水酸基含有（メ
タ）アクリル酸エステルを用い、更に工程において圧
力勾配型プラズマガンを用いた活性化反応蒸着法により
成膜を行うことにより、パターン形成性、透明性、低抵
抗性等に優れたＩＴＯ膜を形成することができることを
見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に述べる。
本発明のＩＴＯ膜の形成方法は、基板に感光性樹脂組
成物層を形成する工程、感光性樹脂組成物層をパター
ンマスクを介して露光する工程、現像する工程、Ｉ
ＴＯ膜を成膜する工程、及び硬化感光性樹脂組成物層
を剥離する工程の５工程からなるもので、各工程毎に説
明する。先ず、基板に感光性樹脂組成物層を形成する
工程とは、ＩＴＯ膜を形成するべきガラス、樹脂板、樹
脂フィルム、セラミックス、金属等の基板上に感光性樹
脂組成物の層を設ける工程で、本発明においては、かか
る感光性樹脂組成物として、ベースポリマー（Ａ）、エ
チレン性不飽和化合物（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を
含有し、かつベースポリマー（Ａ）の共重合体主成分と
して（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸
及び水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルを用いるこ
とを特徴とするもので、かかる感光性樹脂組成物につい
て更に詳細に説明する。
本発明のＩＴＯ膜の形成方法は、基板に感光性樹脂組
成物層を形成する工程、感光性樹脂組成物層をパター
ンマスクを介して露光する工程、現像する工程、Ｉ
ＴＯ膜を成膜する工程、及び硬化感光性樹脂組成物層
を剥離する工程の５工程からなるもので、各工程毎に説
明する。先ず、基板に感光性樹脂組成物層を形成する
工程とは、ＩＴＯ膜を形成するべきガラス、樹脂板、樹
脂フィルム、セラミックス、金属等の基板上に感光性樹
脂組成物の層を設ける工程で、本発明においては、かか
る感光性樹脂組成物として、ベースポリマー（Ａ）、エ
チレン性不飽和化合物（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を
含有し、かつベースポリマー（Ａ）の共重合体主成分と
して（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸
及び水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルを用いるこ
とを特徴とするもので、かかる感光性樹脂組成物につい
て更に詳細に説明する。
【０００６】本発明に用いられる感光性樹脂組成物のベ
ースポリマー（Ａ）としては、アクリル系樹脂が用いら
れる。本発明においては、かかるアクリル系樹脂の共重
合体主成分としては、特に限定されないが、（メタ）ア
クリル酸エステル、（メタ）アクリル酸及び水酸基含有
（メタ）アクリル酸エステルを必須成分として用いるこ
とが好ましく、特に上記成分中の水酸基含有（メタ）ア
クリル酸エステルの含有量を５〜５０重量％（更には５
〜２０重量％）にすることが好ましく、水酸基含有アク
リル酸アルキルエステルの含有量が５重量％未満では、
密着性が低下し、逆に５０重量％を越えると現像性が低
下して好ましくない。
ースポリマー（Ａ）としては、アクリル系樹脂が用いら
れる。本発明においては、かかるアクリル系樹脂の共重
合体主成分としては、特に限定されないが、（メタ）ア
クリル酸エステル、（メタ）アクリル酸及び水酸基含有
（メタ）アクリル酸エステルを必須成分として用いるこ
とが好ましく、特に上記成分中の水酸基含有（メタ）ア
クリル酸エステルの含有量を５〜５０重量％（更には５
〜２０重量％）にすることが好ましく、水酸基含有アク
リル酸アルキルエステルの含有量が５重量％未満では、
密着性が低下し、逆に５０重量％を越えると現像性が低
下して好ましくない。
【０００７】上記の（メタ）アクリル酸エステルとして
は、具体的に、メチル（メタ）アクリレート、エチル
（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレ
ート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブ
チル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリ
レート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシ
ル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）
アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデ
シル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリ
レート、ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシ
ル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレー
ト、イソボニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタ
ニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレ
ート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が
挙げられ、好適にはメチル（メタ）アクリレート、ｎ−
ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メ
タ）アクリレートが用いられ、更にはメチル（メタ）ア
クリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エ
チルヘキシル（メタ）アクリレートの３種類を併用する
ことが好ましい。
は、具体的に、メチル（メタ）アクリレート、エチル
（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレ
ート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブ
チル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリ
レート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシ
ル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）
アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデ
シル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリ
レート、ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシ
ル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレー
ト、イソボニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタ
ニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレ
ート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が
挙げられ、好適にはメチル（メタ）アクリレート、ｎ−
ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メ
タ）アクリレートが用いられ、更にはメチル（メタ）ア
クリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エ
チルヘキシル（メタ）アクリレートの３種類を併用する
ことが好ましい。
【０００８】また、水酸基含有（メタ）アクリル酸エス
テルとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、
３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ク
ロロ２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒ
ドロキシブチル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシ
ヘキシル（メタ）アクリレート、８−ヒドロキシオクチ
ル（メタ）アクリレート、１０−ヒドロキシデシル（メ
タ）アクリレート等が挙げられ、好適には２−ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレートが用いられる。また、本
発明のベースポリマー（Ａ）は、上記の共重合体主成分
以外の単量体を併用することも可能で、かかる単量体と
しては、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリロ
ニトリル、メタクリロニトリル、スチレン、α−メチル
スチレン、酢酸ビニル、アルキルビニルエーテルなどが
挙げられる。
テルとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、
３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ク
ロロ２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒ
ドロキシブチル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシ
ヘキシル（メタ）アクリレート、８−ヒドロキシオクチ
ル（メタ）アクリレート、１０−ヒドロキシデシル（メ
タ）アクリレート等が挙げられ、好適には２−ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレートが用いられる。また、本
発明のベースポリマー（Ａ）は、上記の共重合体主成分
以外の単量体を併用することも可能で、かかる単量体と
しては、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリロ
ニトリル、メタクリロニトリル、スチレン、α−メチル
スチレン、酢酸ビニル、アルキルビニルエーテルなどが
挙げられる。
【０００９】更に稀アルカリ現像型とするときは、エチ
レン性不飽和カルボン酸を１５〜３０重量％程度（酸価
で１００〜２００ｍｇKOH／ｇ）共重合することが必要
である。また、ベースポリマー（Ａ）の重量平均分子量
としては、５〜１０万が好ましく、更には６〜８万であ
る。
レン性不飽和カルボン酸を１５〜３０重量％程度（酸価
で１００〜２００ｍｇKOH／ｇ）共重合することが必要
である。また、ベースポリマー（Ａ）の重量平均分子量
としては、５〜１０万が好ましく、更には６〜８万であ
る。
【００１０】エチレン性不飽和化合物（Ｂ）としては、
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ
（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレ
ート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、
ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペ
ンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、２，
２−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス−（４−（メタ）アクリロ
キシポリエトキシフェニル）プロパン、２−ヒドロキシ
−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル（メタ）ア
クリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテル
ジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリ
シジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグ
リシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グリセリン
トリアクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテル
ポリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ
（メタ）アクリレートなどの多官能モノマーが挙げら
れ、グリセリントリアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート（ジエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート等）が、好適に用いられ、２官能
モノマーと３官能モノマーとの併用が好ましく、また、
これらの多官能モノマーと共に、単官能モノマーを適当
量併用することもでき、かかる単官能モノマーの例とし
ては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２
−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒド
ロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−
２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−
（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピル
フタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メ
タ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレー
ト、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルアシッドホ
スフェート、フタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレ
ート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどが挙
げられる。
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ
（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレ
ート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、
ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペ
ンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、２，
２−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス−（４−（メタ）アクリロ
キシポリエトキシフェニル）プロパン、２−ヒドロキシ
−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル（メタ）ア
クリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテル
ジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリ
シジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグ
リシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グリセリン
トリアクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテル
ポリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ
（メタ）アクリレートなどの多官能モノマーが挙げら
れ、グリセリントリアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート（ジエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート等）が、好適に用いられ、２官能
モノマーと３官能モノマーとの併用が好ましく、また、
これらの多官能モノマーと共に、単官能モノマーを適当
量併用することもでき、かかる単官能モノマーの例とし
ては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２
−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒド
ロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−
２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−
（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピル
フタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メ
タ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレー
ト、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルアシッドホ
スフェート、フタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレ
ート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどが挙
げられる。
【００１１】ベースポリマー（Ａ）１００重量部に対す
るエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の配合割合は、１０〜
２００重量部、特に４０〜１００重量部の範囲から選ぶ
ことが望ましい。エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の過少
は硬化不良、可撓性の低下、現像速度の遅延を招き、エ
チレン性不飽和化合物（Ｂ）の過多は粘着性の増大、コ
ールドフロー、硬化レジストの剥離速度低下を招く。
るエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の配合割合は、１０〜
２００重量部、特に４０〜１００重量部の範囲から選ぶ
ことが望ましい。エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の過少
は硬化不良、可撓性の低下、現像速度の遅延を招き、エ
チレン性不飽和化合物（Ｂ）の過多は粘着性の増大、コ
ールドフロー、硬化レジストの剥離速度低下を招く。
【００１２】更に、光重合開始剤（Ｃ）としては、ベン
ゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチル
エーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイ
ンｎ−ブチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、
ベンジルジフェニルジスルフィド、ベンジルジメチルケ
タール、ジベンジル、ジアセチル、アントラキノン、ナ
フトキノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾ
フェノン、ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルア
ミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベン
ゾフェノン、ピバロインエチルエーテル、１，１−ジク
ロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフ
ェノン、ヘキサアリールイミダゾール二量体、２，２’
−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，４’，５’−テ
トラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２−クロロ
チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−
ジエチルチオキサントン、２，２’−ジエトキシアセト
フェノン、２，２’−ジメトキシ−２−フェニルアセト
フェノン、２，２’−ジクロロ−４−フェノキシアセト
フェノン、フェニルグリオキシレート、α−ヒドロキシ
イソブチルフェノン、ジベゾスパロン、１−（４−イソ
プロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−１
−プロパノン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェ
ニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、トリブロ
モフェニルスルホン、トリブロモメチルフェニルスルホ
ンなどが挙げられ、これらの１種または２種以上が用い
られる。光重合開始剤（Ｃ）の含有量は、ベースポリマ
ー（Ａ）とエチレン性不飽和化合物（Ｂ）との合計量１
００重量部に対して、１〜２０重量部程度とするのが適
当である。
ゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチル
エーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイ
ンｎ−ブチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、
ベンジルジフェニルジスルフィド、ベンジルジメチルケ
タール、ジベンジル、ジアセチル、アントラキノン、ナ
フトキノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾ
フェノン、ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルア
ミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベン
ゾフェノン、ピバロインエチルエーテル、１，１−ジク
ロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフ
ェノン、ヘキサアリールイミダゾール二量体、２，２’
−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，４’，５’−テ
トラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２−クロロ
チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−
ジエチルチオキサントン、２，２’−ジエトキシアセト
フェノン、２，２’−ジメトキシ−２−フェニルアセト
フェノン、２，２’−ジクロロ−４−フェノキシアセト
フェノン、フェニルグリオキシレート、α−ヒドロキシ
イソブチルフェノン、ジベゾスパロン、１−（４−イソ
プロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−１
−プロパノン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェ
ニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、トリブロ
モフェニルスルホン、トリブロモメチルフェニルスルホ
ンなどが挙げられ、これらの１種または２種以上が用い
られる。光重合開始剤（Ｃ）の含有量は、ベースポリマ
ー（Ａ）とエチレン性不飽和化合物（Ｂ）との合計量１
００重量部に対して、１〜２０重量部程度とするのが適
当である。
【００１３】本発明においては、上記の（Ａ）〜（Ｃ）
に、更にシラン系化合物（Ｄ）を含有させることも有用
で、シラン系化合物（Ｄ）としては、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、β−（３，４エポキシシ
クロヘキシ）−エチルトリメトキシシラン、β−（３，
４エポキシシクロヘキシ）−エチルトリエトキシシラン
等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ
−クロロプロピルトリメトキシシラン等のクロロプロピ
ルシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ラン等のメタクリロシランなどが挙げられるが、エポキ
シシラン、アミノシラン、クロロプロピルシランのいず
れか１種以上を用いることが好ましい。シラン系化合物
（Ｄ）の含有量としては、上記（Ａ）〜（Ｃ）の総量１
００重量部に対して０．０１〜５重量部とすることが好
ましく、更には０．１〜１重量部で、特に０．１〜０．
３重量部とすることが好ましい。シラン系化合物（Ｄ）
の含有量が０．０１重量％未満では、レジストの密着性
が低下し、逆に１重量％を越えるとガラス界面で剥離現
象が見られて好ましくない。
に、更にシラン系化合物（Ｄ）を含有させることも有用
で、シラン系化合物（Ｄ）としては、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、β−（３，４エポキシシ
クロヘキシ）−エチルトリメトキシシラン、β−（３，
４エポキシシクロヘキシ）−エチルトリエトキシシラン
等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ
−クロロプロピルトリメトキシシラン等のクロロプロピ
ルシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ラン等のメタクリロシランなどが挙げられるが、エポキ
シシラン、アミノシラン、クロロプロピルシランのいず
れか１種以上を用いることが好ましい。シラン系化合物
（Ｄ）の含有量としては、上記（Ａ）〜（Ｃ）の総量１
００重量部に対して０．０１〜５重量部とすることが好
ましく、更には０．１〜１重量部で、特に０．１〜０．
３重量部とすることが好ましい。シラン系化合物（Ｄ）
の含有量が０．０１重量％未満では、レジストの密着性
が低下し、逆に１重量％を越えるとガラス界面で剥離現
象が見られて好ましくない。
【００１４】シラン系化合物（Ｄ）を含有させる方法と
しては、特に限定されず公知の方法、例えば上記の
（Ａ）〜（Ｃ）の樹脂組成物に所定量のシラン系化合物
（Ｄ）を添加して、十分混合撹拌する方法等がある。本
発明に用いる感光性樹脂組成物（層）には、そのほか、
染料（クリスタルバイオレット，マラカイトグリーン，
マラカイトグリーンレイク，ブリリアントグリーン，パ
テントブルー，メチルバイオレット，ビクトリアブル
ー，ローズアニリン，パラフクシン，エチレンバイオレ
ット等）、密着性付与剤、可塑剤、酸化防止剤、熱重合
禁止剤、溶剤、表面張力改質材、安定剤、連鎖移動剤、
消泡剤、難燃剤、などの添加剤を適宜添加することがで
きる。
しては、特に限定されず公知の方法、例えば上記の
（Ａ）〜（Ｃ）の樹脂組成物に所定量のシラン系化合物
（Ｄ）を添加して、十分混合撹拌する方法等がある。本
発明に用いる感光性樹脂組成物（層）には、そのほか、
染料（クリスタルバイオレット，マラカイトグリーン，
マラカイトグリーンレイク，ブリリアントグリーン，パ
テントブルー，メチルバイオレット，ビクトリアブル
ー，ローズアニリン，パラフクシン，エチレンバイオレ
ット等）、密着性付与剤、可塑剤、酸化防止剤、熱重合
禁止剤、溶剤、表面張力改質材、安定剤、連鎖移動剤、
消泡剤、難燃剤、などの添加剤を適宜添加することがで
きる。
【００１５】かくして、得られた感光性樹脂組成物の層
が基板上に形成されるわけであるが、このときの形成方
法としては、基材上に該感光性樹脂組成物を直接塗布し
て感光性樹脂組成物層を形成しても良いが、あらかじめ
フォトレジストフィルムまたはドライフィルムレジスト
（ＤＦＲ）に成形したものを用いることも好ましく、具
体的には、該感光性樹脂組成物をポリエステルフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルムな
どのベースフィルム面に塗工した後、その塗工面の上か
らポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール系フィ
ルムなどの保護フィルムを被覆してＤＦＲとすればよ
く、得られたＤＦＲのベースフィルムと感光性樹脂組成
物層との接着力及び保護フィルムと感光性樹脂組成物層
との接着力を比較し、接着力の低い方のフィルムを剥離
してから感光性樹脂組成物層の側を基板表面に貼り付け
ることにより、感光性樹脂組成物層を形成させることが
できる。
が基板上に形成されるわけであるが、このときの形成方
法としては、基材上に該感光性樹脂組成物を直接塗布し
て感光性樹脂組成物層を形成しても良いが、あらかじめ
フォトレジストフィルムまたはドライフィルムレジスト
（ＤＦＲ）に成形したものを用いることも好ましく、具
体的には、該感光性樹脂組成物をポリエステルフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルムな
どのベースフィルム面に塗工した後、その塗工面の上か
らポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール系フィ
ルムなどの保護フィルムを被覆してＤＦＲとすればよ
く、得られたＤＦＲのベースフィルムと感光性樹脂組成
物層との接着力及び保護フィルムと感光性樹脂組成物層
との接着力を比較し、接着力の低い方のフィルムを剥離
してから感光性樹脂組成物層の側を基板表面に貼り付け
ることにより、感光性樹脂組成物層を形成させることが
できる。
【００１６】また、上記の感光性樹脂組成物は、ＤＦＲ
以外にもディップコート法、フローコート法、スクリー
ン印刷法等の常法により、基板上に直接塗工し、厚さ１
〜１５０μｍの感光層を容易に形成することも、勿論可
能で、かかる塗工時には、メチルエチルケトン、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
シクロヘキサン、メチルセルソルブ、塩化メチレン、
１，１，１−トリクロルエタン等の溶剤を添加すること
もできる。
以外にもディップコート法、フローコート法、スクリー
ン印刷法等の常法により、基板上に直接塗工し、厚さ１
〜１５０μｍの感光層を容易に形成することも、勿論可
能で、かかる塗工時には、メチルエチルケトン、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
シクロヘキサン、メチルセルソルブ、塩化メチレン、
１，１，１−トリクロルエタン等の溶剤を添加すること
もできる。
【００１７】次いで、感光性樹脂組成物層をパターン
マスクを介して露光する工程においては、形成された感
光性樹脂組成物層の上（ＤＦＲを用いた場合には、残っ
たベースフィルムまたは保護フィルムの上）にパターン
マスク（電極形成部分が未露光部となる）を介して露光
する。露光は通常紫外線照射により行い、その際の光源
としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク
灯、キセノン灯、メタルハライドランプ、ケミカルラン
プなどが用いられる。紫外線照射後は、必要に応じ加熱
を行って、硬化の完全を図ることもできる。
マスクを介して露光する工程においては、形成された感
光性樹脂組成物層の上（ＤＦＲを用いた場合には、残っ
たベースフィルムまたは保護フィルムの上）にパターン
マスク（電極形成部分が未露光部となる）を介して露光
する。露光は通常紫外線照射により行い、その際の光源
としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク
灯、キセノン灯、メタルハライドランプ、ケミカルラン
プなどが用いられる。紫外線照射後は、必要に応じ加熱
を行って、硬化の完全を図ることもできる。
【００１８】続く現像する工程においては、露光後の
感光性樹脂組成物層の現像を行うのであるが、ＤＦＲを
用いたときには、レジスト上のフィルムを剥離除去して
から現像を行う。本発明に用いられる感光性樹脂組成物
は稀アルカリ現像型であるので、露光後の現像は、炭酸
ソーダ、炭酸カリウムなどのアルカリ０．５〜３重量％
程度の稀薄水溶液を用いて行う。かかる現像により、電
極が形成される微細パターン部の感光性樹脂組成物が除
去されるのである。
感光性樹脂組成物層の現像を行うのであるが、ＤＦＲを
用いたときには、レジスト上のフィルムを剥離除去して
から現像を行う。本発明に用いられる感光性樹脂組成物
は稀アルカリ現像型であるので、露光後の現像は、炭酸
ソーダ、炭酸カリウムなどのアルカリ０．５〜３重量％
程度の稀薄水溶液を用いて行う。かかる現像により、電
極が形成される微細パターン部の感光性樹脂組成物が除
去されるのである。
【００１９】現像後は、ＩＴＯ膜を成膜する工程に移
るわけであるが、この工程においては、圧力勾配型プラ
ズマガンを用いた活性化反応蒸着法（イオンプレーティ
ング法）により行う。かかる方法は、処理室内に基板を
位置させてこの基板を所定温度に保持する一方、処理室
内に１０〜３０ｓｃｃｍのアルゴンガスと所要量の酸素
ガスとを導入しながら処理室内を１０-3〜１０-5Ｔｏｒ
ｒに制御して、前記プラズマガンからのプラズマビーム
をるつぼ部に照射することで蒸発材料（Ｉｎ／Ｓｎ酸化
物あるいはＩｎ／Ｓｎ金属）を蒸発させて成膜されるも
のである。なお、酸素ガスの導入量は蒸発材料あるいは
蒸発速度等により調節され、また、基板温度はＩＴＯ膜
の所望抵抗値に基づき調整される。
るわけであるが、この工程においては、圧力勾配型プラ
ズマガンを用いた活性化反応蒸着法（イオンプレーティ
ング法）により行う。かかる方法は、処理室内に基板を
位置させてこの基板を所定温度に保持する一方、処理室
内に１０〜３０ｓｃｃｍのアルゴンガスと所要量の酸素
ガスとを導入しながら処理室内を１０-3〜１０-5Ｔｏｒ
ｒに制御して、前記プラズマガンからのプラズマビーム
をるつぼ部に照射することで蒸発材料（Ｉｎ／Ｓｎ酸化
物あるいはＩｎ／Ｓｎ金属）を蒸発させて成膜されるも
のである。なお、酸素ガスの導入量は蒸発材料あるいは
蒸発速度等により調節され、また、基板温度はＩＴＯ膜
の所望抵抗値に基づき調整される。
【００２０】最後は硬化感光性樹脂組成物層を剥離す
る工程で、ＩＴＯ膜形成後に残っている硬化感光性樹脂
組成物の剥離を行うのである。かかる硬化感光性樹脂組
成物の剥離除去は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
などの０．５〜１０重量％程度の濃度のアルカリ水溶液
からなるアルカリ剥離液を用いて行えばよく、かかる樹
脂組成物の剥離により、（レジスト上の）不要部分のＩ
ＴＯ膜が除去されて、目的とするＩＴＯ膜電極（微細パ
ターン）が形成されるのである。次いで、十分に水洗浄
を行った後、乾燥される。
る工程で、ＩＴＯ膜形成後に残っている硬化感光性樹脂
組成物の剥離を行うのである。かかる硬化感光性樹脂組
成物の剥離除去は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
などの０．５〜１０重量％程度の濃度のアルカリ水溶液
からなるアルカリ剥離液を用いて行えばよく、かかる樹
脂組成物の剥離により、（レジスト上の）不要部分のＩ
ＴＯ膜が除去されて、目的とするＩＴＯ膜電極（微細パ
ターン）が形成されるのである。次いで、十分に水洗浄
を行った後、乾燥される。
【００２１】かくして、パターン形成性、透明性、低抵
抗性等に優れたＩＴＯ膜が基板上に形成されて、ＰＤＰ
等の各種用途に用いられるのである。
抗性等に優れたＩＴＯ膜が基板上に形成されて、ＰＤＰ
等の各種用途に用いられるのである。
【００２２】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。なお、例中「部」とあるのは、断りのない限り重
量基準を意味する。 実施例１ （ドープの調整）下記のベースポリマー（Ａ）５９部、
下記のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）２５部及び下記処
方の光重量開始剤（Ｃ）５部を混合してドープ（感光性
樹脂組成物）を調製した。ベースポリマー（Ａ） メチル（メタ）アクリレート／ｎ−ブチルアクリレート
／２−エチルヘキシルアクリレート／メタクリル酸／ヒ
ドロキシエチル（メタ）アクリレートの共重合割合が重
量基準で１５／３０／１５／２０／２０（酸価１４３．
３、ガラス転移点６６．３℃、重量平均分子量８万）エチレン性不飽和化合物（Ｂ） テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート光重合開始剤（Ｃ） ベンゾフェノン／４，４’−ジエチルアミノベンゾフェ
ノン／２，２−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，
４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾー
ルの重量比８／０．１５／１の混合物
する。なお、例中「部」とあるのは、断りのない限り重
量基準を意味する。 実施例１ （ドープの調整）下記のベースポリマー（Ａ）５９部、
下記のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）２５部及び下記処
方の光重量開始剤（Ｃ）５部を混合してドープ（感光性
樹脂組成物）を調製した。ベースポリマー（Ａ） メチル（メタ）アクリレート／ｎ−ブチルアクリレート
／２−エチルヘキシルアクリレート／メタクリル酸／ヒ
ドロキシエチル（メタ）アクリレートの共重合割合が重
量基準で１５／３０／１５／２０／２０（酸価１４３．
３、ガラス転移点６６．３℃、重量平均分子量８万）エチレン性不飽和化合物（Ｂ） テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート光重合開始剤（Ｃ） ベンゾフェノン／４，４’−ジエチルアミノベンゾフェ
ノン／２，２−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，
４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾー
ルの重量比８／０．１５／１の混合物
【００２３】（ＤＦＲの作製）上記のドープを、ギャッ
プ３ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０μｍのポリ
エステルフイルム上に塗工し、室温で１分３０秒放置し
た後、６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれぞれ
３分間ずつ乾燥して、レジスト厚２０μｍのＤＦＲとな
した（ただし保護フイルムは設けていない）。上記で得
られたＤＦＲを用いて以下の工程でＩＴＯ膜の形成を行
った。
プ３ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０μｍのポリ
エステルフイルム上に塗工し、室温で１分３０秒放置し
た後、６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれぞれ
３分間ずつ乾燥して、レジスト厚２０μｍのＤＦＲとな
した（ただし保護フイルムは設けていない）。上記で得
られたＤＦＲを用いて以下の工程でＩＴＯ膜の形成を行
った。
【００２４】基板に感光性樹脂組成物層を形成する工
程 このＤＦＲを、オーブンで６０℃に予熱したガラス基板
（２００ｍｍ×２００ｍｍ×２ｍｍ）上に、ラミネート
ロール温度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃｍ2、ラミ
ネート速度１．５ｍ／ｓｅｃにてラミネートして、感光
性樹脂組成物層を形成した。
程 このＤＦＲを、オーブンで６０℃に予熱したガラス基板
（２００ｍｍ×２００ｍｍ×２ｍｍ）上に、ラミネート
ロール温度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃｍ2、ラミ
ネート速度１．５ｍ／ｓｅｃにてラミネートして、感光
性樹脂組成物層を形成した。
【００２５】感光性樹脂組成物層をパターンマスクを
介して露光する工程 感光性樹脂組成物層形成後、基板全面にＬ／Ｓ（ライン
／スペース）＝５０μｍ／５０μｍになるようにライン
パターンをポリエステルフイルム上に置いて、オーク製
作所製の露光機ＨＭＷ−５３２Ｄにて３ｋｗ超高圧水銀
灯で１００ｍｊに露光した。
介して露光する工程 感光性樹脂組成物層形成後、基板全面にＬ／Ｓ（ライン
／スペース）＝５０μｍ／５０μｍになるようにライン
パターンをポリエステルフイルム上に置いて、オーク製
作所製の露光機ＨＭＷ−５３２Ｄにて３ｋｗ超高圧水銀
灯で１００ｍｊに露光した。
【００２６】現像する工程 露光後１５分間のホールドタイムを取った後、１％Ｎａ
2ＣＯ3水溶液、３０℃で、最少現像時間の１．５倍の時
間で現像し、その後、水洗・乾燥を行って、Ｌ／Ｓ＝５
０μｍ／５０μｍのレジスト層のパターンを形成させ
た。
2ＣＯ3水溶液、３０℃で、最少現像時間の１．５倍の時
間で現像し、その後、水洗・乾燥を行って、Ｌ／Ｓ＝５
０μｍ／５０μｍのレジスト層のパターンを形成させ
た。
【００２７】ＩＴＯ膜を成膜する工程 パターンが形成されたガラス基板を処理室内に位置さ
せ、基板温度を１６０℃に保持して、圧力勾配型プラズ
マガンの出力を６０Ｖ、１５０Ａになるように供給電圧
を調整するとともに、処理室内に酸素ガスを約１００ｓ
ｃｃｍの流量で、かつ圧力勾配型プラズマガンからアル
ゴンガスを約３０ｓｃｃｍの流量で供給し、そして、処
理室内を４．２×１０-4Ｔｏｒｒに調整し、約６０秒間
成膜処理して膜厚１６２０ÅのＩＴＯ膜を基板全面に形
成した。
せ、基板温度を１６０℃に保持して、圧力勾配型プラズ
マガンの出力を６０Ｖ、１５０Ａになるように供給電圧
を調整するとともに、処理室内に酸素ガスを約１００ｓ
ｃｃｍの流量で、かつ圧力勾配型プラズマガンからアル
ゴンガスを約３０ｓｃｃｍの流量で供給し、そして、処
理室内を４．２×１０-4Ｔｏｒｒに調整し、約６０秒間
成膜処理して膜厚１６２０ÅのＩＴＯ膜を基板全面に形
成した。
【００２８】硬化感光性樹脂組成物層を剥離する工程 最後に、ＩＴＯ膜が形成されたレジスト表面に、５０℃
に加温した３％ＮａＯＨ水溶液を６０秒間シャワーリン
グすることで硬化感光性樹脂組成物を剥離し、パターン
形状がＬ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍのＩＴＯ膜（厚さ１
６２０Å）をガラス基板上に形成した。
に加温した３％ＮａＯＨ水溶液を６０秒間シャワーリン
グすることで硬化感光性樹脂組成物を剥離し、パターン
形状がＬ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍのＩＴＯ膜（厚さ１
６２０Å）をガラス基板上に形成した。
【００２９】形成されたＩＴＯ膜について、以下の評価
を行った。 ［パターン形成性］形成されたＩＴＯ膜のパターン（Ｌ
／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍ）について、断面形状及び直
線性を以下の要領で評価した。 （断面形状）パターンのライン方向のエッジ部における
光の干渉縞の有無を目視観察して、以下の通り判断し
た。尚、断面形状が良好な矩形の場合には、干渉縞は発
生しない。 ○ −−− 光の干渉縞は認められない × −−− 光の干渉縞が発生 （直線性） パターンのライン方向のエッジ部の状況を目視観察し
て、以下の通り判断した。 ○ −−− エッジ部にギザギザが認められない × −−− エッジ部にギザギザが認められる
を行った。 ［パターン形成性］形成されたＩＴＯ膜のパターン（Ｌ
／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍ）について、断面形状及び直
線性を以下の要領で評価した。 （断面形状）パターンのライン方向のエッジ部における
光の干渉縞の有無を目視観察して、以下の通り判断し
た。尚、断面形状が良好な矩形の場合には、干渉縞は発
生しない。 ○ −−− 光の干渉縞は認められない × −−− 光の干渉縞が発生 （直線性） パターンのライン方向のエッジ部の状況を目視観察し
て、以下の通り判断した。 ○ −−− エッジ部にギザギザが認められない × −−− エッジ部にギザギザが認められる
【００３０】［透明性］ＩＴＯ膜の光透過率（％）を分
光光度計（島津製作所社製『ＵＶ−３１０１ＰＣ』）を
用いて測定した。 ［抵抗性］ＩＴＯ膜の面抵抗値（Ω／□）を表面抵抗計
（油化電子社製『Lovesta ＭＰ』）を用いて測定し
た。
光光度計（島津製作所社製『ＵＶ−３１０１ＰＣ』）を
用いて測定した。 ［抵抗性］ＩＴＯ膜の面抵抗値（Ω／□）を表面抵抗計
（油化電子社製『Lovesta ＭＰ』）を用いて測定し
た。
【００３１】実施例２ 実施例１において、ドープの配合成分として、更にシラ
ン系化合物（Ｄ）であるγ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシランを０．２部配合した以外は同様にＩＴＯ
膜の形成を行って、同様に評価を行った。
ン系化合物（Ｄ）であるγ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシランを０．２部配合した以外は同様にＩＴＯ
膜の形成を行って、同様に評価を行った。
【００３２】実施例３ 実施例１において、ベースポリマー（Ａ）のメチル（メ
タ）アクリレート／ｎ−ブチルアクリレート／２−エチ
ルヘキシルアクリレート／メタクリル酸／ヒドロキシエ
チル（メタ）アクリレートの共重合割合を重量基準で１
０／４０／１０／２０／２０とした以外は同様にＩＴＯ
膜の形成を行って、同様に評価を行った。
タ）アクリレート／ｎ−ブチルアクリレート／２−エチ
ルヘキシルアクリレート／メタクリル酸／ヒドロキシエ
チル（メタ）アクリレートの共重合割合を重量基準で１
０／４０／１０／２０／２０とした以外は同様にＩＴＯ
膜の形成を行って、同様に評価を行った。
【００３３】比較例１ 実施例１において、ベースポリマー（Ａ）をメチル（メ
タ）アクリレート／ｎ−ブチルアクリレート／２−エチ
ルヘキシルアクリレート／メタクリル酸＝４０／３０／
１５／１５（重量比）の共重合体とした以外は同様にＩ
ＴＯ膜の形成を行って、同様に評価を行った。
タ）アクリレート／ｎ−ブチルアクリレート／２−エチ
ルヘキシルアクリレート／メタクリル酸＝４０／３０／
１５／１５（重量比）の共重合体とした以外は同様にＩ
ＴＯ膜の形成を行って、同様に評価を行った。
【００３４】比較例２ 実施例１において、のＩＴＯ膜を成膜する工程で、圧
力勾配型プラズマガンによるイオンプレーティング方式
に変えて、スパッタリング方式に変更した（但し、基板
温度及び成膜速度は実施例１と同様にした）以外は同様
にＩＴＯ膜の形成を行って、同様に評価を行った。実施
例及び比較例の評価結果を表１に示す。
力勾配型プラズマガンによるイオンプレーティング方式
に変えて、スパッタリング方式に変更した（但し、基板
温度及び成膜速度は実施例１と同様にした）以外は同様
にＩＴＯ膜の形成を行って、同様に評価を行った。実施
例及び比較例の評価結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】 パターン形成性 透明性 抵抗性 断面形状 直線性 （％） (Ω／□) 実施例１ ○ ○ ８９．３ １２．０５ 〃 ２ ○ ○ ８９．７ １１．９５ 〃 ３ ○ ○ ８９．５ １１．８７ 比較例１ × × ＊ ＊ 〃 ２ △ △ ８７．２ ２３．４６ ＊パターン形成が不良であったため測定せず
【００３６】
【発明の効果】本発明のＩＴＯ膜の形成法は、特定の感
光性樹脂組成物と特定のＩＴＯ膜の蒸着法を組み合わせ
たリフトオフ法を採用しているため、パターン形成性、
透明性、低抵抗性等に優れた良好なＩＴＯ膜を形成する
ことができ、ＰＤＰ用途を初めとする各種用途の薄膜電
極形成に大変有用である。
光性樹脂組成物と特定のＩＴＯ膜の蒸着法を組み合わせ
たリフトオフ法を採用しているため、パターン形成性、
透明性、低抵抗性等に優れた良好なＩＴＯ膜を形成する
ことができ、ＰＤＰ用途を初めとする各種用途の薄膜電
極形成に大変有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に感光性樹脂組成物層を形成する
工程、感光性樹脂組成物層をパターンマスクを介して
露光する工程、現像する工程、ＩＴＯ膜を成膜する
工程、及び硬化感光性樹脂組成物層を剥離する工程の
５工程からなるリフトオフ法によるＩＴＯ膜の形成方法
において、該感光性樹脂組成物がベースポリマー
（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）及び光重合開始
剤（Ｃ）を含有し、かつベースポリマー（Ａ）の共重合
体主成分として（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）
アクリル酸及び水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル
を用い、更に工程において圧力勾配型プラズマガンを
用いた活性化反応蒸着法により成膜を行うことを特徴と
するＩＴＯ膜の形成方法。 - 【請求項２】 感光性樹脂組成物が更にシラン系化合物
（Ｄ）を含有することを特徴とする請求項１記載のＩＴ
Ｏ膜の形成方法。 - 【請求項３】 感光性樹脂組成物層が感光性樹脂組成物
をベースフィルムに積層してなるフォトレジストフィル
ムであることを特徴とする請求項１または２記載のＩＴ
Ｏ膜の形成方法。 - 【請求項４】 工程における成膜速度が１０００Å／
ｍｉｎ以上であることを特徴とする請求項１〜３いずれ
か記載のＩＴＯ膜の形成方法。 - 【請求項５】 基材がプラズマディスプレイパネル形成
用基材であることを特徴とする請求項１〜４いずれか記
載のＩＴＯ膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16603798A JPH11339574A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Ｉｔｏ膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16603798A JPH11339574A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Ｉｔｏ膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11339574A true JPH11339574A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15823787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16603798A Pending JPH11339574A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Ｉｔｏ膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11339574A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2008016061A1 (fr) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Asahi Glass Co., Ltd. | Dispositif de circuit électronique et son procédé de fabrication |
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-
1998
- 1998-05-28 JP JP16603798A patent/JPH11339574A/ja active Pending
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