JP2001033955A

JP2001033955A - パターン形成方法

Info

Publication number: JP2001033955A
Application number: JP11210026A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Nakajima; 寛幸中島
Original assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1999-07-26
Filing date: 1999-07-26
Publication date: 2001-02-09

Abstract

(57)【要約】【課題】セラミックス材料によるパターン形成性が良
好なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】基板上に感光性樹脂組成物層を形成した
後、パターンマスクを介して露光及び現像を行い、該基
板上に凹凸のレジストパターンを形成した後、該レジス
トパターンの凹部にセラミックス材料含有ペーストを充
填し、その後該レジストパターンとセラミックス材料含
有ペーストを焼成するか、或いは該レジストパターンを
薬液により除去した後、セラミックス材料含有ペースト
を焼成するパターン形成方法において、ベースポリマ
ー、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤及びシラン
系化合物からなる感光性樹脂組成物を用いるパターン形
成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置、蛍
光表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、
混成集積回路等の製造工程におけるセラミックス材料の
パターン形成方法に関し、更に詳しくは、セラミックス
材料によるパターン形成性が良好なパターン形成方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポリエステルフィルムなどのベースフィ
ルム上に感光性樹脂組成物を層状に塗布乾燥成層し、そ
の上からポリエステルフィルム、ポリビニルアルコール
フィルムなどの保護フィルムを積層した３層ラミネート
フィルムは、一般にフォトレジストフィルム或いはドラ
イフィルムレジスト（ＤＦＲ）と称され、プリント配線
板の製造用、金属の精密加工用等に広く利用されてい
る。その使用にあたっては、まずフォトレジストフィル
ム或いはドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）からベース
フィルムまたは保護フィルムのうち接着力の小さいほう
のフィルムを剥離除去して感光性樹脂組成物層の側を銅
張基板の銅面等のパターンを形成させたい基材表面に張
り付けた後、パターンマスクを他方のフィルム上に当接
させた状態で露光し（当該他方のフィルムを剥離除去し
てから露光する場合もある）、次いでその他方のフィル
ムを剥離除去して現像に供する。露光後の現像方式とし
ては、溶剤現像型のものと稀アルカリ現像型のものとが
ある。

【０００３】ＤＦＲのほか、該基材面に直接感光性樹脂
組成物を塗布成層し、その上に積層したポリエステルフ
ィルムなどのフィルムを介してパターンマスクを密着さ
せ、露光を行う方法も良く知られている。

【０００４】一方、近年では、各種平板ディスプレイの
開発が盛んに行われており、液晶表示装置、蛍光表示装
置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、混成集積
回路等の製造工程におけるセラミックス材料のパターン
形成、特にプラズマディスプレイパネルのセラミックス
材料による隔壁のパターン形成に上記ＤＦＲを用いたパ
ターン形成方法が利用されている。即ち、基板上に被着
したフォトレジストに所定のパターンからなる雌型を形
成し、この雌型によって形成される開口部にセラミック
ス材料含有のペーストをすり込んだ後、焼成してフォト
レジストを消失させるとともにペースト中のセラミック
ス材料を基板上に結着させることにより所望のセラミッ
クスパターンを得ようとするものである。

【０００５】かかるフォトレジストを用いた方法におい
ては、基板上に被着したフォトレジストに対しマスクを
介して露光した後で現像することにより基板上に所定パ
ターンの雌型を形成するが、この雌型の開口部に充填し
たペースト内のセラミックス材料を焼成により確実に基
板に結着させるためには、ペーストが基板と接触するよ
うに雌型の開口部は基板まで開いていなければならな
い。しかしながら、所望の高さ（５０〜１５０μｍ程
度）の雌型を形成しようとしてフォトレジストの厚さを
大きくした場合には、現像後基板上の開口部にフォトレ
ジストが残ってしまい、この基板上に残留したフォトレ
ジストによりセラミックス材料が基板に対して確実に結
着しないという問題点があった。

【０００６】かかる問題点を解決すべく、一層目のフォ
トレジスト層をパターン露光及び現像を行った後更にフ
ォトレジストを積層してパターン露光及び現像を行う方
法（特開平４−２２３３９１号公報）や残存フォトレジ
ストをドライエッチングする方法（特開平４−２２３３
９２号公報）が提案されていたが、かかる方法では、フ
ォトレジストについては一切考慮されておらず、パター
ン露光・現像の繰り返しやドライエッチング等の繁雑な
作業を必要としており、まだまだ満足の行くものではな
かった。

【０００７】そこで、本出願人は、光重合開始剤として
特定量のＮ−フェニルグリシン、４，４’−ジアルキル
アミノベンゾフェノン、ｐＫａが２〜４の有機カルボン
酸、ベンゾトリアゾール誘導体及びトリアジン誘導体を
用いたドライフィルムレジストによるパターン形成法
（特開平７−３００３８１号公報）を提案した。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−３００３８１号公報開示方法では、安定性、感度、
解像度、密着性等に優れた感光性樹脂組成物をフォトレ
ジスト層として用いて基板上にレジストパターンを形成
することはできるものの、ガラス基板に対する密着性は
まだまだ満足のいくものではなく、セラミックスパター
ン崩壊の原因となるものであり、又、使用するセラミッ
クス材料の種類によっては、パターン形成性が著しく低
下する場合があり、近時の技術の高度化に伴い、更なる
性能の向上が望まれるものであり、ＰＤＰの隔壁形成等
においても更なるファイン化が要求されている。

【０００９】そこで、本発明ではこのような背景下にお
いて、ガラス基板へのレジストの密着性に優れ、簡便で
セラミックス材料によるパターン形成性が良好なパター
ン形成方法を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【問題を解決するための手段】しかるに、本発明者はか
かる事情に鑑み、鋭意研究をした結果、基板上に感光性
樹脂組成物層を形成した後、パターンマスクを介して露
光及び現像を行い、該基板上に凹凸のレジストパターン
を形成した後、該レジストパターンの凹部にセラミック
ス材料含有ペーストを充填し、その後該レジストパター
ンとセラミックス材料含有ペーストを焼成するか、或い
は該レジストパターンを薬液により除去した後、セラミ
ックス材料含有ペーストを焼成するパターン形成方法に
おいて、ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合
物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）及びシラン系化合物
（Ｄ）からなる感光性樹脂組成物を用いるパターン形成
方法が、ガラス基板へのレジストの密着性に優れ、簡便
でパターン形成性に優れることを見出し、本発明を完成
した。

【００１１】本発明では特に、レジストパターン及びセ
ラミックス材料を焼成する際、焼成炉の体積に対して毎
分３０％以上の体積（２０℃、１気圧の条件下にて換
算）の空気を送り込むとき、本発明の効果を顕著に発揮
し、緻密性に優れたセラミックスパターンを形成するこ
とができる。

【００１２】尚、本出願人は、特開平１０−１９８０３
１号公報において、ベースポリマー、エチレン性不飽和
化合物、光重合開始剤及びシラン系化合物を含有してな
り、かつエチレン性不飽和化合物として少なくともグリ
セリントリアクリレートを用いる感光性樹脂組成物が、
パターン形成用途に有効であることを提案しているが、
かかる開示技術は、エッチング等により電極を形成する
ためのパターン形成であり、本発明の如きセラミックス
材料のパターン形成とは異なるものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に述べる。
本発明で用いられる感光性樹脂組成物は、ベースポリマ
ー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始
剤（Ｃ）及びシラン系化合物（Ｄ）からなる組成物であ
る。ベースポリマー（Ａ）としては、アクリル系樹脂、
ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂等が用いられ
るが、アクリル系樹脂が好適に用いられる。該アクリル
系樹脂としては（メタ）アクリレートを主成分とするも
ので、必要に応じてエチレン性不飽和カルボン酸や他の
共重合可能なモノマーを共重合したアクリル系共重合体
が用いられ、又、アセトアセチル基含有アクリル系共重
合体を用いることもできる。

【００１４】ここで（メタ）アクリレートとしては、メ
チル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレー
ト、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）ア
クリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチ
ルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メ
タ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジ
メチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メ
タ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等
が例示される。これらの中でも、レジストとガラス基板
との密着性を向上させるために、水酸基を含有する（メ
タ）アクリレートを全共重合成分に対して１０重量％以
上用いることが好ましい。

【００１５】エチレン性不飽和カルボン酸としては、ア
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン
酸が好適に用いられ、その他、マレイン酸、フマール
酸、イタコン酸等のジカルボン酸、あるいはそれらの無
水物やハーフエステルも用いることができる。これらの
中では、アクリル酸とメタクリル酸が特に好ましい。

【００１６】稀アルカリ現像型とするときは、エチレン
性不飽和カルボン酸を１５〜３０重量％程度（酸価で１
００〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇ程度）共重合することが必
要である。他の共重合可能モノマーとしては、アクリル
アミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、メタク
リロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、酢酸ビ
ニル、アルキルビニルエーテル等が例示できる。

【００１７】又、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）として
は、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレング
リコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリ
コールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メ
タ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メ
タ）アクリレート、ＥＯ（エチレンオキサイド）変性ト
リメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリ
セリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール
ジ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アク
リレート、エチレンオキサイド変性グリセリントリ（メ
タ）アクリレート、プロピレン変性グリセリントリ（メ
タ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）
アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）
アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキ
シジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（４
−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパ
ン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキシ
プロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ
グリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレ
ングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレ
ート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリ
レート、グルセリントリアクリレート、グリセリンポリ
グリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート等の多官
能モノマーが挙げられ、中でもグリセリンジ（メタ）ア
クリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、エ
チレンオキサイド変性グリセリントリ（メタ）アクリレ
ート、プロピレン変性グリセリントリ（メタ）アクリレ
ート等が好ましい。これらの多官能モノマーと共に、単
官能モノマーを適当量併用することもできる。

【００１８】単官能モノマーの例としては、２−ヒドロ
キシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２
−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、フェノキ
シポリエチレングリコールアクリレート、３−クロロ−
２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセ
リンモノ（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロ
イルオキシエチルアシッドホスフェート、２−（メタ）
アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレー
ト、ＥＯ（エチレンオキサイド）変性フタル酸アクリレ
ート等のフタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレー
ト、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、等が挙げ
られる。

【００１９】ベースポリマー（Ａ）１００重量部に対す
るエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の配合量は、１０〜２
００重量部、特に４０〜１００重量部の範囲から選ぶこ
とが望ましい。エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の過少は
硬化不良、可撓性の低下、現像速度の遅延を招き、エチ
レン性不飽和化合物（Ｂ）の過多は粘着性の増大、コー
ルドフロー、硬化レジストの剥離速度の低下を招くこと
になり好ましくない。

【００２０】光重合開始剤（Ｃ）としては、Ｎ−フェニ
ルグリシン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル、ベンゾインフ
ェニルエーテル、ベンジルジフェニルジスルフィド、ベ
ンジルジメチルケタール、ジベンジル、ジアセチル、ア
ントラキノン、ナフトキノン、３，３’−ジメチル−４
−メトキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、ｐ，ｐ’
−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ピバロインエ
チルエーテル、１，１−ジクロロアセトフェノン、ｐ−
ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ヘキサアリールイ
ミダゾール二量体［２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニ
ル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾ
ール、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，
４’，５，５’−テトラキス（ｍ−メトキシフェニル）
ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｐ−カルボキシフェ
ニル）−４，４’−５，５’−テトラフェニルビイミダ
ゾール、２，２’−ビス（ｐ−クロロフェニル）−４、
４’，５，５’−テトラキス（ｐ−メトキシフェニルビ
イミダゾール、２，２’−ジ−ｏ−トリル−４，４’，
５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−
ジ−ｐ−トリル−４、４’−ジ−ｏ−トリル−５，５’
−ジフェニルビイミダゾール等］、２−クロロチオキサ
ントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジエチル
チオキサントン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、
２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、
２，２−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、フ
ェニルグリオキシレート、α−ヒドロキシイソブチルフ
ェノン、ジベンゾスパロン、１−（４−イソプロピルフ
ェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパノ
ン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノ−１−プロパノン、トリブロモフェニル
スルホン、トリブロモメチルフェニルスルホン、１，
２，３−ベンゾトリアゾール、１−クロロ−１，２，３
−ベンゾトリアゾール、４−カルボキシ−１，２，３−
ベンゾトリアゾール、５−カルボキシ−１，２，３−ベ
ンゾトリアゾール、ビス（Ｎ−２−エチルヘキシル）ア
ミノメチレン−１，２，３−ベンゾトリアゾール、ビス
（Ｎ−２−エチルヘキシル）アミノメチレン−１，２，
３−トリルトリアゾール、ビス（Ｎ−２−ヒドロキシエ
チル）アミノメチレン−１，２，３−ベンゾトリアゾー
ル、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−ト
リアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ｎ−プロ
ピル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−（ｐ−クロロフェニル）−４，６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−トリ
ル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−４’−メト
キシフェニル−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−
ナフト−１−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシ−ナフト−
１−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−
トリアジン、２−［４−（２−エトキシエチル）−ナフ
ト−１−イル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン、２−（４，７−ジメトキシ−ナフト−
１−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−
トリアジン、２−（アセナフト−５−イル）−４，６−
ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−
（２’，４’−ジクロロフェニル）−４，６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ｎ−ノニル−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、
２−（α，α，β−トリクロロエチル）−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−スチリル
−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−ｐ−メチルスチリル−４，６−ビス（トリクロ
ロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ｐ−メトキシスチリ
ル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、アクリジン、９−フェニルアクリジン等が例示さ
れ、これらの１種類又は２種類以上が用いられる。

【００２１】このときの、光重合開始剤（Ｃ）の配合量
は、ベースポリマー（Ａ）とエチレン性不飽和化合物
（Ｂ）との合計量１００重量部に対し１〜２０重量部、
好ましくは１〜１０重量部とするのが適当である。

【００２２】本発明では、更にシラン系化合物（Ｄ）を
含有させることが重要で、かかるシラン系化合物（Ｄ）
としては、特に限定されないが、ビニルトリクロルシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン等
のビニル基を有するシラン化合物、β−（３，４エポキ
シシクロヘキシル）−エチルトリメトキシシラン、β−
（３，４エポキシシクロヘキシル）−エチルトリエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等のエ
ポキシ基を有するシラン化合物、γ−（メタ）アクリロ
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（メタ）ア
クリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−（メ
タ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン等の
（メタ）アクリロイル基を有するシラン化合物、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン等のアミノ基を有するシラン化合物、γ−クロロプ
ロピルトリメトキシシラン等のクロロ基を有するシラン
化合物、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等
のメルカプト基を有するシラン化合物等が挙げられる。

【００２３】上記の中でも、グリシジル基又は（メタ）
アクリロイル基を有するアルコキシシランが好ましく、
特にはグリシジル基を有するシラン化合物として、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルメチルジエトキシシラン、（メタ）アクリロイ
ル基を有するシラン化合物として、γ−（メタ）アクリ
ロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（メタ）
アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−
（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシランが
好適に用いられる。

【００２４】かかるシラン系化合物（Ｄ）の含有量とし
ては、ベースポリマー（Ａ）とエチレン性不飽和化合物
（Ｂ）の合計量１００重量部に対して、０．０５〜５重
量部であることが好ましく、より好ましくは１〜４重量
部、特に好ましくは２〜３重量部である。シラン系化合
物（Ｄ）の含有量が０．０５重量部未満ではレジストの
ガラス基板に対する密着性の向上効果が得難く、５重量
部を越えるとかえってレジストへの密着性を低下させる
こととなり好ましくない。シラン系化合物（Ｄ）を含有
させる方法としては、特に限定されず、公知の方法、例
えば上記（Ａ）〜（Ｃ）の樹脂組成物に所定量のシラン
系化合物（Ｄ）を添加して十分混合撹拌する方法等が挙
げられる。

【００２５】又、本発明で用いられる感光性樹脂組成物
には、染料（Ｅ）としては、ロイコクリスタルバイオレ
ット、ロイコマラカイトグリーン、ロイコダイアモンド
グリーン、ロイコメチレンブルー等の光発色染料を１種
以上含有することが好ましい。必要に応じて、マラカイ
トグリーン、クリスタルバイオレット等のベース染料を
１種以上添加したものが用いられる。

【００２６】更に本発明に用いられる感光性樹脂組成物
には、その他、密着性付与剤、可塑剤、酸化防止剤、熱
重合禁止剤、溶剤、表面張力改質剤、安定剤、連鎖移動
剤、消泡剤、難燃剤、等の添加剤を適宜添加することが
できる。

【００２７】かくして得られる感光性樹脂組成物は、こ
のままでもセラミックスパターン形成用のフォトレジス
トとして用いることは勿論可能であるが、塗工乾燥工程
を省略できるという作業の簡便化、ハンドリングの容易
性、レジスト層厚みの均一性、厚膜成形性等を考慮すれ
ば、あらかじめドライフィルム化しておき、該フィルム
を用いてパターン形成を行った方が有利である。

【００２８】本発明に用いられる感光性樹脂組成物をド
ライフィルム化、即ちドライフィルムレジスト用積層体
とするには公知の方法が用いられ、例えば、上記の感光
性樹脂組成物をポリエステルフィルム、ポリプロピレン
フィルム、ポリスチレンフィルムなどのベースフィルム
面に塗工した後、その塗工面の上からポリエチレンフィ
ルム、ポリビニルアルコール系フィルムなどの保護フィ
ルムを被覆してドライフィルムレジスト用積層体とする
方法が挙げられるが、これに限定されるものではない。
このときの、該感光性樹脂組成物層の厚みは、１０〜１
００μｍ程度が好ましい。

【００２９】次に、本発明のパターン形成方法、特にＰ
ＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の隔壁形成等に用
いられるセラミックスパターン形成方法について具体的
に説明する。（フォトレジスト層被着）ドライフィルムレジストによ
って基板上にパターンを形成させるには、先ず上記のド
ライフィルムレジスト積層体のベースフィルムと感光性
樹脂組成物層との接着力及び保護フィルムと感光性樹脂
組成物層との接着力を比較し、接着力の低い方のフィル
ムを剥離してから感光性樹脂組成物層の側をパターンを
形成させようとするガラス等の基板面に貼り付けた後、
他方のフィルム上にパターンマスクを密着させて露光す
る。

【００３０】感光性樹脂組成物が粘着性を有しないとき
は、前記他方のフィルムを剥離してからパターンマスク
を感光性樹脂組成物層に直接接触させて露光することも
できる。

【００３１】ここで、ガラス基板としては、表面に面内
の最高点と最低点の凹凸差が１μｍ以上、好ましくは１
〜５μｍであるガラス基板を用いることが、基板との密
着性及び感光性樹脂組成物の追従性の点で好ましく、か
かる凹凸差が１μｍ未満では密着する表面積が不足し密
着不良が起こりやすくなり好ましくない。表面に１μｍ
以上の凹凸差を設けるには、無機粉体含有ガラスペース
ト層を焼結したり、サンドブラスト等にて物理的に基板
表面を荒らすか、薬液により化学的にエッチングする等
の方法が挙げられる。又、基板としては、３００℃以上
の加熱処理により清浄したガラス基板、或いは該加熱処
理した後水洗したガラス基板を用いることも好ましい。
更に、本発明では、上記凹凸を有する基板に該処理を施
した基板を用いることがより好ましい。

【００３２】尚、１００μｍ以上のパターン形成厚みが
必要とされる場合には、該積層体を必要とされる厚みに
なるようにあらかじめラミネートしておき、これをドラ
イフィルムレジスト積層体として用いることもできる。
この場合は、ラミネートされた感光性樹脂組成物がそれ
ぞれ直接接するように、ベースフィルム或いは保護フィ
ルムを除去しておく。所要の厚さを得るために、ドライ
フィルムレジストを２層以上ラミネートする場合は、基
板と接する１層目のドライフィルムレジストに、本発明
の上記感光性樹脂組成物を用いればよく、２層目以降に
ついては上記感光性樹脂組成物を用いてもよいし、シラ
ン系化合物（Ｄ）を含有しない通常の（Ａ）〜（Ｃ）か
らなる感光性樹脂組成物を用いてもよい。

【００３３】又、上記積層体を用いずに該感光性樹脂組
成物を基板面に直接塗工した場合は、その塗工面に直接
またはポリエステルフィルム等を介してパターンマスク
を接触させ、露光に供する。

【００３４】（露光）露光は通常紫外線照射により行
い、その際の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライドラ
ンプ、ケミカルランプ等が用いられる。紫外線照射後
は、必要に応じ加熱を行って、硬化の完全を図ることも
できる。

【００３５】（現像）露光後は、レジスト上のフィルム
を剥離除去してから現像を行う。本発明の感光性樹脂組
成物は稀アルカリ現像型であるので、露光後の現像は、
炭酸ソーダ、炭酸カリウム等のアルカリ０．１〜２重量
％程度の稀薄水溶液を用いて行い、基板上に所定の高さ
の凹部（雌型）をもつレジストパターンを形成させる。

【００３６】又、必要に応じて、形成されたレジストパ
ターンを１５０〜２５０℃の温度範囲で熱処理を行うこ
とがレジストの耐溶剤性向上という点で好ましい。該熱
処理の好ましい温度範囲は１５０〜２００℃であり、特
に好ましくは１８０〜００℃である。該熱処理の温度が
１５０℃未満ではレジストの耐溶剤性の向上が得難く、
２５０℃を越えるとレジストが化学変化してしまうこと
となり好ましくない。更に、熱処理時間としては５分間
以上が好ましく、より好ましくは１０〜６０分間であ
り、特に好ましくは１０〜３０分間である。熱処理時間
が５分間未満ではレジストの耐溶剤性向上が得難く好ま
しくない。

【００３７】（セラミックス材料含有ペーストの充填）
上記の如く形成されたレジストパターンの凹部（雌型）
によって得られた開口部にセラミックス材料含有ペース
トを充填する。該セラミックス材料含有ペーストとして
は、低融点ガラスフリット、骨剤、耐熱顔料、充填剤等
を有機バインダーに分散させた有機ペースト材料や珪酸
ナトリウムを主成分とした水ガラス（１〜３号のいずれ
も使用可）、骨剤と顔料の混合物である粉末固形物及び
耐熱顔料等からなる無機ペースト材料等が挙げられる。
骨剤としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、Ｓｉ
Ｃ、ＢＮ、ＳＵＳ、マイカ等が用いられ、顔料として
は、酸化クロム、酸化鉄、酸化コバルト、酸化チタン、
酸化銅、アルミニウム等が挙げられる。又、該ペースト
材料には、硬化剤、安定剤、分散剤等の添加剤を配合す
ることもできる。

【００３８】本発明において、上記有機バインダー樹脂
として、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、セルロ
ース系樹脂、酢酸ビニル系樹脂等の他、ジアリルフタレ
ート樹脂、フェノールノボラック型のエポキシアクリル
樹脂、クレゾールノボラック型のエポキシアクリル樹
脂、ビスフェノール型のエポキシアクリル樹脂等が挙げ
られ、中でもジアリルフタレート樹脂、フェノールノボ
ラック型のエポキシアクリル樹脂、クレゾールノボラッ
ク型のエポキシアクリル樹脂が好ましく用いられる。

【００３９】上記有機バインダーの配合量としては、有
機ペースト成分中の不揮発性分（有機ペースト中の不揮
発成分は６０〜９５重量％、好ましくは７０〜９０重量
％）に対して５〜５０重量％、好ましくは１０〜３０重
量％であることが好ましい。かかる配合量が５重量％未
満では焼成時にセラミックスパターンが崩壊してしまう
こととなり、５０重量％を越えると脱バインダーが完遂
せずセラミックスパターン中に気泡が入ることとなり好
ましくない。更に、該有機ペーストの濃度は３０〜８０
重量％が好ましく、より好ましくは４０〜７０重量％で
ある。

【００４０】又、セラミックス材料に用いるガラス成分
は、通常平均粒径１０μｍ以下の微粉末にして用いられ
るが、このガラス粉末の成分として、特にその軟化点が
５４０〜６５０℃、好ましくは５４０〜６００℃のもの
を、その一部または全部に用いることが好ましい。該軟
化点が５４０℃未満ではガラスの溶融が早すぎてガスの
内包が発生し、６５０℃を越えるとガラスが溶融せず隔
壁強度が得られなくなり好ましくない。

【００４１】上記ガラス成分の含有量は、有機ペースト
成分中の不揮発性分１００重量部に対して１０〜７０重
量部であることが好ましく、更に好ましくは１５〜６５
重量部、特に好ましくは２０〜６５重量部である。かか
る含有量が１０重量部未満ではセラミックスパターンの
結着不足で強度が得られず、７０重量部を越えるとセラ
ミックスパターンの形状が保持されず溶け崩れることと
なり好ましくない。

【００４２】該セラミックス材料含有ペーストを充填す
る方法としては、上記の如き形成されたレジストパター
ンの凹部に該セラミックス材料含有ペーストを流し込
み、ゴム等からなるスクレーバー等をパターン上部に接
しながら基板と平行に移動させながらはみ出した余分な
セラミックス材料含有ペーストを除去すると同時に、該
凹部内に過不足なく充填し、次に８０〜１２０℃程度で
乾燥を行って、セラミックス材料含有ペースト中の溶剤
あるいは水分を除去する。この充填工程は、必要に応じ
て複数回繰り返してもよい。

【００４３】（焼成）最後にピーク温度４００〜６００
℃のセラミックス材料の融点以下で１０〜６０分程度の
条件で焼成を行い、フォトレジストで形成されたレジス
トパターン（雌型）及びセラミックス材料含有ペースト
中のバインダーを消失せしめると共に、上記セラミック
ス材料を基板上に結着させる。

【００４４】尚、上記の乾燥後のセラミックス材料が、
耐アルカリ性に優れるものであれば、レジストパターン
を除去せしめるのに、上記焼成以外にもアルカリ剥離液
を用いて除去せしめることも可能であり、通常１〜５重
量％程度の水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアル
カリ水溶液を用いた公知の方法が採用され得る。この場
合、アルカリ剥離液によりレジストパターンを除去せし
めた後、上記焼成が行われる。

【００４５】又、本発明においては、上記焼成におい
て、用いる焼成炉の体積に対して毎分３０％以上、好ま
しくは３０〜１２０％の体積（２０℃、１気圧の条件下
にて換算）の空気を送り込むことが好ましい。かかる空
気の量が毎分３０％未満では脱バインダーが遅れ、ガラ
ス溶融温度まで有機成分が残留し、セラミックスパター
ン中にガスが内包されてしまうこととなり好ましくな
い。

【００４６】以上、ＰＤＰの隔壁用のセラミックス材料
のパターン形成方法について説明したが、本発明のパタ
ーン形成方法はこれに限定されることなく、液晶表示装
置、蛍光表示装置、混成集積回路等の製造にも有用なパ
ターン形成方法である。

【００４７】本発明では、基板上に感光性樹脂組成物層
を形成した後、パターンマスクを介して露光及び現像を
行い、該基板上に凹凸のレジストパターンを形成した
後、該レジストパターンの凹部にセラミックス材料含有
ペーストを充填し、その後該レジストパターンとセラミ
ックス材料含有ペーストを焼成するか、或いは該レジス
トパターンを薬液により除去した後、セラミックス材料
含有ペーストを焼成するパターン形成方法において、ベ
ースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、
光重合開始剤（Ｃ）及びシラン系化合物（Ｄ）からなる
感光性樹脂組成物を用いることにより、所要のパターン
形成を行うため、レジストの基板への密着性に優れ、微
細で精度の高い良好なセラミックスパターンを形成する
ことができ、液晶表示装置、蛍光表示装置、ＰＤＰ、混
成集積回路等の製造工程におけるセラミックスパターン
形成方法として有用であり、特にＰＤＰの隔壁形成に大
変有用である。

【００４８】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。尚、実施例中「部」、「％」とあるのは断りのな
い限り重量基準を意味する。

【００４９】実施例１（ドープの調整）下記のベースポリマー（Ａ）に下記の
エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、下記の光重合開始剤
（Ｃ）、下記のシラン系化合物（Ｄ）及び染料（Ｅ）の
全量を混合して感光性樹脂組成物を調整し、更に下記溶
媒を混合してドープを得た。

【００５０】ベースポリマー（Ａ）・メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／２− ヒドロキシエチルメタクリレート／メタクリル酸の共重合割合が重量基準で３５／３０／１５／２０である共重合体（酸価１３０．２ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移点７８．６℃、重量平均分子量６８，０００）６０部

【００５１】エチレン性不飽和化合物（Ｂ）・テトラエチレングリコールジメタアクリレート３５部

【００５２】光重合開始剤（Ｃ）・ｐ，ｐ’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．１部・ヘキサアリールビイミダゾール３部

【００５３】シラン系化合物（Ｄ）・γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．５部（信越化学社製、「ＫＢＭ４０３」）染料（Ｅ）・ロイコクリスタルバイオレット０．８部・マラカイトグリーン０．０６部溶媒・メチルエチルケトン９０部・メチルセロソルブ２０部

【００５４】（ドライフィルムレジスト用積層体の作製
及び基板へのラミネート）次に得られたドープを、ギャ
ップ１０ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０μｍの
ポリエステルフィルム上に塗工し、室温で１分３０秒間
放置後、６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれぞ
れ３分間乾燥して、レジスト厚５０μｍのドライフィル
ムレジスト用積層体（保護フィルムは設けていない）を
得た。これをガラス基板にラミネートした後、該積層体
のポリエステルフィルムを剥ぎ、更に２層目のドライフ
ィルムレジスト用積層体をラミネートした。再度この操
作を繰り返し１５０μｍ厚のドライフィルムレジスト積
層体を設けた。

【００５５】尚、上記のラミネート工程においては、ガ
ラス基板をオーブンで６０℃に予熱し、ラミネートロー
ル温度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃｍ²、ラミネー
ト速度１．５ｍ／ｍｉｎにてラミネートした。又、上記
ガラス基板としては、厚さ２．８ｍｍのソーダライムガ
ラス上に、ノリタケカンパニー社製の白色誘電体ペース
トＮＰ７８５８を２００番のスクリーンメッシュを使用
してベタ印刷をし、１２０℃で２０分間乾燥した後、ピ
ーク温度５９０℃の焼成炉でペーストを焼結し、面内の
最高点と最低点の凹凸差を２．５μｍとした微細な凹凸
を有するガラス基板を用いた。

【００５６】（露光、現像）上記のドライフィルムレジ
スト用積層体表面にライン／スペース＝３０μｍ／７０
μｍのパターンマスクを当てて、オーク製作所の露光機
ＨＭＷ−５３２Ｄにて２ｋｗ超高圧水銀灯で５００ｍｊ
で露光した。露光後１５分間のホールドタイムを取った
後、１％Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液、３０℃で最小現像時間の
１．５倍の時間で現像して、基板上に開口幅３０μｍ、
開口高さ１５０μｍ（開口部に対するアスペクト比５）
のレジストパターンの凹部（雌型）を形成させた。

【００５７】（セラミックス材料含有ペーストの充填）
上記レジストパターンの凹部（雌型）によって得られた
開口部に下記処方のセラミックスス材料含有の有機ペー
ストを流し込み、ゴム製のスキージーにより、該開口部
内に過不足なく充填した後、１２０℃で６０分間乾燥を
行った。この操作を２回繰り返して充填を行った後、そ
の上から＃２００番のスクリーンメッシュを介して、有
機ペーストを全面に均一な厚さで塗布し、余剰分を＃１
０００番のサンドペーパーで研磨除去し、過不足なく完
全に充填した。

【００５８】セラミックス材料含有の有機ペーストガラスパウダー（ホウケイ酸鉛＊／アルミナ／酸化チタ
ン＝６０部／３６部／４部の混合物）／ジアリルフタレ
ート（バインダー樹脂：ダイソー株式会社製『ダップ
Ｓ』）／ブチルカルビトールアセテートが８０部／２０
部／４０部の混合物＊ホウケイ酸鉛は、ＰｂＯ／ＳｉＯ₂／Ｂ₂Ｏ₃＝８部／
８０部／１２部の混合物

【００５９】（焼成）最後に、焼成炉の体積６００リッ
トルでピーク温度５８０℃に設定したメッシュベルト炉
に毎分２３０リットルの空気を送り込みながら、基板を
通すことにより焼成を行って、残っていた硬化レジスト
と有機ペースト中の有機成分を焼失せしめると共に、上
記セラミックス材料を基板上に結着させてセラミックス
パターンを形成せしめた。

【００６０】上記で形成されたセラミックスパターンの
形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ライン（パ
ターン）の断面形状は、矩形で良好であり、崩壊欠損は
認められなかった。又、このときの隔壁上部幅は２７μ
ｍで、隔壁高さは１０２μｍ、ラインピッチ１００μｍ
であった。又、特にレジストの基板への密着性について
は、別途上記現像工程において最少現像時間の３倍の時
間で現像したが、レジストに浮きは全く認められなかっ
た。

【００６１】実施例２実施例１において、シラン系化合物（Ｄ）をγ−メタク
リロキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー社
製、「Ａ−１７４」）０．４部に代えた感光性樹脂組成
物のドープを用い、ドライフィルムレジスト積層体を
得、該ドライレジストフィルム積層体を実施例１と同様
のガラス基板にラミネートした後、該積層体のポリエス
テルフィルムを剥ぎ、更に同様に繰り返し、２００μｍ
厚のドライフィルムレジスト積層体を設けた。

【００６２】（露光、現像）上記のドライフィルムレジ
スト用積層体表面にライン／スペース＝４０μｍ／１０
０μｍのパターンマスクを当てて、オーク製作所の露光
機ＨＭＷ−５３２Ｄにて２ｋｗ超高圧水銀灯で７００ｍ
ｊで露光した。露光後１５分間のホールドタイムを取っ
た後、１％Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液、３０℃で最小現像時間の
２．５倍の時間で現像して、基板上に開口幅４０μｍ、
開口高さ２００μｍ（開口部に対するアスペクト比５）
のレジストパターンの凹部（雌型）を形成させた。以
下、下記処方のセラミックス材料含有ペーストを用い、
実施例１と同様にしてセラミックス材料含有ペーストの
充填、焼成を行い、セラミックスパターンを形成した。

【００６３】セラミックス材料含有の有機ペーストガラスパウダー（ホウケイ酸鉛＊／アルミナ／酸化チタ
ン＝６０部／３６部／４部の混合物）／ジアリルフタレ
ート（バインダー樹脂：ダイソー株式会社製『ダップ
Ｓ』）／ブチルカルビトールアセテートが８０部／２０
部／４０部の混合物＊ホウケイ酸鉛は、ＰｂＯ／ＳｉＯ₂／Ｂ₂Ｏ₃＝８部／
８０部／１２部の混合物

【００６４】上記で形成されたセラミックスパターンの
形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ライン（パ
ターン）の断面形状は、矩形で良好であり、崩壊欠損は
認められなかった。又、このときの隔壁上部幅は３７μ
ｍで、隔壁高さは１２４μｍ、ラインピッチ１４０μｍ
であった。又、特にレジストの基板への密着性について
は、別途上記現像工程において最少現像時間の３倍の時
間で現像したが、レジストに浮きは全く認められなかっ
た。

【００６５】実施例３実施例１において、、シラン系化合物（Ｄ）をγ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製、
「ＫＢＭ４０３」）０．３部に代えた感光性樹脂組成物
のドープを用い、又、セラミックス材料含有の有機ペー
ストとして下記処方のものを用いた以外は同様に行い、
セラミックスパターンを形成した。

【００６６】セラミックス材料含有の有機ペーストガラスパウダー（ホウケイ酸鉛＊／アルミナ／酸化チタ
ン＝６０部／３６部／４部の混合物）／フェノールノボ
ラック型エポキシアクリレート樹脂（バインダー樹脂）
／ブチルカルビトールアセテートが８０部／２０部／３
０部の混合物＊ホウケイ酸鉛は、ＰｂＯ／ＳｉＯ₂／Ｂ₂Ｏ₃＝８部／
８０部／１２部の混合物

【００６７】上記で形成されたセラミックスパターンの
形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ライン（パ
ターン）の断面形状は、矩形で良好であり、崩壊欠損は
認められなかった。又、このときの隔壁上部幅は２６μ
ｍで、隔壁高さは１０２μｍ、ラインピッチ１００μｍ
であった。又、特にレジストの基板への密着性について
は、別途上記現像工程において最少現像時間の３倍の時
間で現像したが、レジストに浮きは全く認められなかっ
た。

【００６８】実施例４実施例１において、シラン系化合物（Ｄ）をイソシアネ
ートプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー、「Ｙ
５１８７」）０．６部に代えた感光性樹脂組成物のドー
プを用い、又、ガラス基板として、メタノールに浸漬
後、精製水で洗浄し、ピーク温度５００℃の炉に投入し
表面の加熱処理を行ったガラス基板を用い、更に、セラ
ミックス材料含有の有機ペーストとして下記処方のもの
を用いた以外は同様に行い、セラミックスパターンを形
成した。

【００６９】セラミックス材料含有の有機ペーストガラスパウダー（ホウケイ酸鉛＊／アルミナ／酸化チタ
ン＝６０部／３６部／４部の混合物）／ジアリルフタレ
ート（バインダー樹脂：ダイソー株式会社製『ダップ
Ｓ』）／ブチルカルビトールアセテートが８０部／２０
部／４０部の混合物＊ホウケイ酸鉛は、ＰｂＯ／ＳｉＯ₂／Ｂ₂Ｏ₃＝８部／
８０部／１２部の混合物

【００７０】上記で形成されたセラミックスパターンの
形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ライン（パ
ターン）の断面形状は、矩形で良好であり、崩壊欠損は
認められなかった。又、このときの隔壁上部幅は２７μ
ｍで、隔壁高さは１０１μｍ、ラインピッチ１００μｍ
であった。又、特にレジストの基板への密着性について
は、別途上記現像工程において最少現像時間の３倍の時
間で現像したが、レジストに浮きは全く認められなかっ
た。

【００７１】比較例１実施例１において、シラン系化合物（Ｄ）を除いた感光
性樹脂組成物のドープを用い、セラミックス材料含有ペ
ーストを下記処方のものに変更した以外は同様に行い、
セラミックスパターンを形成せしめようとしたが、１５
０μｍ厚では開口５０μｍ、ラインピッチ１４０μｍ
で、レジストの接地幅８０μｍが限界であり、微細で精
度の高いパターンが得られなかった。

【００７２】セラミックス材料含有の有機ペーストガラスパウダー（ホウケイ酸鉛＊／アルミナ／酸化チタ
ン＝６０部／３６部／４部の混合物）／エポキシ樹脂
（大日本インキ社製、「エピクロン４０５０」）及びフ
ェノール樹脂（大日本インキ社製、「ベッカサイト１０
０１」の混合物（重量比で１：２）／ブチルカルビトー
ルアセテートが８０部／２０部／４０部の混合物＊ホウケイ酸鉛は、ＰｂＯ／ＳｉＯ₂／Ｂ₂Ｏ₃＝８部／
８０部／１２部の混合物

【００７３】

【発明の効果】本発明の方法は、基板上に感光性樹脂組
成物層を形成した後、パターンマスクを介して露光及び
現像を行い、該基板上に凹凸のレジストパターンを形成
した後、該レジストパターンの凹部にセラミックス材料
含有ペーストを充填し、その後該レジストパターンとセ
ラミックス材料含有ペーストを焼成するか、或いは該レ
ジストパターンを薬液により除去した後、セラミックス
材料含有ペーストを焼成するパターン形成方法におい
て、ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物
（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）及びシラン系化合物（Ｄ）
からなる感光性樹脂組成物を用いることにより、所要の
パターン形成を行うため、レジストの基板への密着性に
優れ、ファイン化に対応すべく微細で精度の高い良好な
セラミックスパターンを形成することができ、液晶表示
装置、蛍光表示装置、ＰＤＰ、混成集積回路等の製造工
程におけるセラミックスパターン形成方法として有用で
あり、特にＰＤＰの隔壁形成に大変有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｆ 7/09 ５０１Ｇ０３Ｆ 7/09 ５０１ 7/40 7/40 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB11 AB17 AC01 AD01 BC13 BC32 BC42 CA01 CA28 CA30 CB14 CB20 CB22 CC06 DA19 EA01 FA03 FA17 FA29 FA39 FA48 2H096 AA00 AA27 BA05 BA20 CA01 CA20 EA02 GA08 HA01 HA30 JA04 LA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に感光性樹脂組成物層を形成した
後、パターンマスクを介して露光及び現像を行い、該基
板上に凹凸のレジストパターンを形成した後、該レジス
トパターンの凹部にセラミックス材料含有ペーストを充
填し、その後該レジストパターンとセラミックス材料含
有ペーストを焼成するか、或いは該レジストパターンを
薬液により除去した後、セラミックス材料含有ペースト
を焼成するパターン形成方法において、ベースポリマー
（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤
（Ｃ）及びシラン系化合物（Ｄ）からなる感光性樹脂組
成物を用いることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】シラン系化合物（Ｄ）として、グリシジ
ル基、アクリロイル基、又はメタクリロイル基のいずれ
かを有するアルコキシシランを用いることを特徴とする
請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】シラン系化合物（Ｄ）の含有量が、ベー
スポリマー（Ａ）とエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の合
計量１００重量部に対して０．０５〜５重量部であるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のパターン形成方
法。
【請求項４】感光性樹脂組成物が予めドライフィルム
化されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか記
載のパターン形成方法。
【請求項５】基板として、表面に１μｍ以上の凹凸差
があるガラス基板を用いることを特徴とする請求項１〜
４いずれか記載のパターン形成方法。
【請求項６】基板として、３００℃以上の加熱処理に
より清浄したガラス基板、或いは該加熱処理した後水洗
したガラス基板を用いることを特徴とする請求項１〜５
いずれか記載のパターン形成方法。
【請求項７】レジストパターン及びセラミックス材料
含有ペーストを焼成する際、焼成炉の体積に対して毎分
３０％以上の体積（２０℃、１気圧の条件下にて換算）
の空気を送り込むことを特徴とする請求項１〜６いずれ
か記載のパターン形成方法。
【請求項８】プラズマディスプレイパネルの隔壁形成
に用いることを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の
パターン形成方法。