KR100978737B1 - 내약품성 및 부착력이 우수한 ｐｄｐ 전극용 도전성페이스트 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

내약품성 및 부착력이 우수한 ｐｄｐ 전극용 도전성페이스트 조성물 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마디스플레이패널(PDP)의 전극용 도전성 페이스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 a) 액상석출법에 의하여 도전성 금속 분말의 표면에 금속염 혼합물 또는 산화물로 피복하여 표면처리하는 단계; b) 상기 표면처리된 도전성 금속 분말, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더, 무기 미분말 을 플레니터리 믹서(planetary mixer) 혼합기로 사전 혼합(pre-mixing)시켜서 혼합물을 수득하는 단계; 및 c) 3-롤 밀(3-roll mill) 분쇄기를 사용하여 단계 b)에서 사전혼합된 혼합물을 상기 감광성 유기 비이클에 고르게 분산시키는 단계를 포함하는 도전성 페이스트 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 도전성 금속 분말 표면에 금속염 혼합물 또는 산화물로 피복하여 표면처리된 도전성 금속 분말을 사용함으로써 부착력 및 내(耐)약품성을 증가시킬 수 있으며, 도전성 및 감광성이 우수하다.
플라즈마디스플레이패널(PDP), 도전성 페이스트, 액상 석출법

Description

내약품성 및 부착력이 우수한 ＰＤＰ 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이의 제조방법{A conductive paste composition having superior chemical-resistance and adhesive for PDP electrode and manufacturing method thereof}
본 발명은 디스플레이(Display) 장치의 전극용 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 내약품성 및 부착력이 우수한 플라즈마디스플레이 패널(PDP)의 전극용 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
PDP는 2장의 유리판 사이에 격리벽을 만들어 미세한 방전공간을 형성하고 방전 공간과 상하 유리판 사이 각각에 수직으로 교차하는 전극을 설치, 전류를 인가하여 방전 공간에 채워진 불활성 기체의 방전을 일으키고 이 방전에 의해 발생된 진공 자외선이 방전 공간을 이루는 격벽과 하판측 방전공간 바닥에 형성된 형광물질층을 발광시켜 화면을 형성하는 표시장치로 액정 디스플레이 장치(LCD) 대비 색상이 자연색에 가깝고 응답 속도가 빠르며, 대형화가 용이한 장점들이 있어 수요가 확대되고 있다.
디스플레이들이 대형화되고 해상도가 향상되면서 수십 내지 100 ㎛ 선폭의 미세한 형상과 높은 도전성 요구가 증가되고 있어 보다 미세한 전극에서도 도전성 을 향상하기 위한 기술이 요구되며, 이런 경향에 따라 고도로 정밀한 전극 형성 기술에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
PDP 상에 전극을 형성하는 종래의 방법으로는, 스크린 인쇄법이 이용되어 왔으나, 작업의 정밀도가 떨어지며 화면의 고해상도화에 따른 전극 폭 및 간격의 고정세화 요구 수준을 충족하기 위해서는 숙련도가 필요한 등의 단점이 있어 최근에는 감광성 수지 조성물을 이용한 포토리소그래피법이 주로 이용되고 있다.
감광성 인쇄법은 미세 도전성 분말이 분산된 감광성 수지 조성물을 먼저 인쇄하여 전체면에 도전성 금속막을 형성하고, 필요한 형상의 마스크를 통하여 원하는 형상을 노광하고 알카리 현상을 통하여 원하는 패턴을 얻는 방법이다. 감광성인쇄법에 사용되는 페이스트는 은, 구리 등의 도전성을 띠는 금속 미세 분말과 무기질계 바인더를 감광성 수지에 분산시키고 필요에 따라 점도 및 요변성 등 페이스트의 물성 및 공정에서 사용 및 보관시 안정성 구현을 위한 폴리머, 상안정제, 소포제 등 첨가제와 함께 혼합설비인 플레니터리 믹서(PLANETARY MIXER)나 3본밀(3-roll mill)등을 이용하여 균일하게 혼합하여 제조한다.
미세 패턴의 형성 과정을 상세히 설멸하면 상기와 같이 제조된 Ag 페이스트 조성물을 SUS 325메쉬나 SUS 400메쉬와 같은 스크린 마스크를 사용한 스크린 인쇄기를 이용하여 기판 전면에 인쇄를 행하고, 90 내지 140℃의 온도로, 10 내지 20분 동안 건조시킨 다음, 형성된 Ag 페이스트 코팅막의 전극 해당 부위에 325nm의 자외선으로 패턴이 형성되도록 노광을 행하고, NaCO3 용액, KOH, TMAⅡ 등과 같은 적당한 알칼리 현상액으로 30℃ 내외의 온도에서 현상하여 건조과정을 거친다. 소성은 위의 과정을 거쳐 형성된 미세 패턴을 전기로 등에서 500 내지 600℃로 10 내지 30분간 소성함으로써 이루어진다.
가전제품의 환경문제가 사회적인 화제가 되면서 2003년 발표된 유럽 특정 유해물질 사용 제한 지침(RoHS)에서는 가전제품에 대해서 납을 포함한 6종류의 환경 유해물질의 사용을 제한하고 있는데 기존의 무기질계 바인더는 소성 온도를 낮추기 위해서 납성분을 포함하고 있어(PbO-SiO2-P2O5, PbO-B2O3 등 유연계(有鉛系)) 납을 포함하지 않는 무기질계 바인더(SnO-P2O5, ZnO-P2O5, V2O5-P2O5, B2O3-SiO2 및 Bi2O3 등 무연계(無鉛系))의 적용이 이루어지고 있으나 무연계 무기질 바인더는 유연계 무기 질 바인더 대비 연화 및 소성 온도가 높고 핀홀(pin-hole)이 성장하는 등 단점이 있다.
무연계 무기질 바인더의 이러한 단점들은 디스플레이에 적용했을 때 핀홀, 도전성 금속 분말의 불완전한 소성으로 인한 치밀성 저하, 미세 크랙 발생 및 유기물 잔류 등으로 인하여 형성된 전극의 전기 저항이 커지고 도전성 금속 입자간 및 기판간 부착력이 약해져 전극 탈락 같은 불량을 야기하기 때문에 소성 온도를 높이거나 시간을 길게 해주어야 하지만 생산성의 저하나 유리 기판이 휘게 되는 등 또 다른 문제점의 소지가 있다.
이러한 문제점 이외에 플라즈마 디스플레이 패널 제조공정에서 형성된 전극 패턴의 부착력 부족으로 탈락하는 문제점이 발생되는데 특히 회로부와 연결되는 가장자리에 형성된 전극 패턴이 탈락 또는 후속 공정에 사용되는 약품(주로 산류)에 의해 침식되는 문제점이 있어 이의 방지를 위한 부착력 강화 및 내(耐)약품성이 강화된 전극이 요구된다.
이에 의하여, 무연계 페이스트의 부착력 및 내약품성을 보완할 수 있는 PDP 전극용 도전성 페이스트 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 내약품성 및 부착력이 우수한 PDP 전극용 도전성 페이스트 조성물을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 플라즈마디스플레이패널(PDP)의 전극용 페이스트는 도전성 금속과 무기질계 바인더를 감광성 유기 비이클에 분산시켜 제조할 수 있다.
바람직하게는, 감광성 유기 비이클의 함유량은 28.99 내지 50 중량% 범위로 더 자세하게는 10 내지 50 중량%가 바람직하나, 함량이 10 중량% 미만일 경우에는 페이스트의 인쇄성 불량 및 노광 감도가 저하되므로 바람직하지 못하며, 50 중량%를 초과하는 경우에는 상대적으로 도전성 분말의 함량비가 낮게 되어 소성시에 막의 선폭 수축이 심하고, 단선이 발생되기 때문에 바람직하지 못하다.
바람직하게는, 감광성 유기 비이클은 광중합 수지 19 ~ 40 중량%와 광개시제 1 ~ 10 중량%, 용매 30 ~ 75 중량% 및 비반응성 폴리머 0 ~ 50 중량%를 포함할 수 있으나 이에 제한하지 아니한다.
상기 광중합 수지는 아크릴레이트류, 메타아크릴레이트류 등을 포함할 수 있으며, 광개시제는 벤조페논 및 그 유도체, 티옥사논 및 그 유도체 등을 포함할 수 있다. 또한, 용매는 터피놀, 텍사놀, 부틸카비톨아세테이트 등을 포함할 수 있으며, 비반응성 폴리머는 에틸 또는 프로필 셀룰로스류를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 도전성 금속 분말의 재질은 알루미늄, 은, 구리, 니켈 등이 사용가능하나 도전성이 우수한 은(Ag) 분말이 주로 사용되며, 형상, 입경 및 입경 분포, 순도 및 함유량, 밀도 및 표면특성 같은 물성이 전극의 제반 특성에 영향을 미친다. 분말의 형태는 분산이 용이한 구(求)형으로 무기질계 바인더가 도전성 입자 간의 공간에 침투하여 접착력을 발휘하기 용이하며 형성되는 패턴의 직선성을 고려할 때 평균 입경 0.5 내지 3마이크로미터 범위가 많이 사용되나 대입자가 많을 경우 가장자리 요철이 심해지므로 최대 입경은 5마이크로미터 범위를 넘지 않는 것이 좋다.
바람직하게는, 도전성 금속 분말 함유량은 45 내지 70 중량% 범위로 더 자세하게는 51 내지 64 중량% 범위가 바람직하다. 이보다 함량이 낮을 경우 전체 페이스트의 점도가 낮아져 전극패턴의 직선성이 나빠지고 가장자리 요철이 심해지며 인쇄 공정에서 흘러내리는 문제가 발생될 수 있으며, 전극내의 은(Ag) 밀도가 낮아져서 기공 및 크랙 발생 가능성이 커지고 전기 저항이 증가하게 된다. 또 은 함량이 지나치게 높을 경우 점도가 상승하여 인쇄가 어려워질 수 있으며 인쇄 이후에도 평탄도가 나빠지며 전극막의 아래층에서 노광이 불충분하여 나타나는 언더커트(under cut) 현상 발생 가능성이 높아지고 원가가 상승한다.
바람직하게는, 도전성 분말의 순도는 통상 98% 이상으로 이보다 낮을 경우 불순물로 인하여 소성된 전극의 저항값이 높아지며 더 순도가 높을 경우 원가가 상승하는 원인이 된다. 또 분말의 텝밀도(Tap Density)는 4.0 내지 5.0g/cm3범위를 사용하는 것이 전극 형상 및 노광시 자외선 투과도, 레벨링성 및 막 치밀도에 유리하며 분산제 처리를 통하여 분산성을 향상시키는 경우도 있다.
바람직하게는, 무기질계 바인더의 함량은 1 내지 10%, 더욱 바람직하게는 2 내지 8 중량% 범위에서 사용하며 무기질계 바인더의 함량이 1 중량%에 미달되는 경우에는 유리 기판과 부착력이 떨어지기 때문에 전극이 탈락될 위험성이 있으며, 10 중량%를 넘는 경우 전극의 전기저항이 높아지거나, 단락의 위험성이 있다. 무기질계 바인더는 앞서 언급한대로 Pb 성분을 함유한 제품이 사용되어 왔으나 환경 규제에 대응하여 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더로 Bi2O3, SiO2, B2O3, ZrO2, V2O5, Al2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 조성물로 기판재질(통상 PD200)로 유리 재질을 사용하는 경우 공정 가능온도 상한인 600℃보다 낮은 500℃ 이하에서 유리 전이점(Tg)와 연화 온도를 갖는 재질이어야 하며 이보다 높은 공정온도에서는 기판재질의 변형을 가져오므로 후속 공정에서 문제가 발생한다. 또 너무 낮은 온도에서는 유기물의 분해가 완전히 이루어 지지 않으므로 통상 무기질계 바인더의 전이점은 350 내지 500℃ 범위에 있어야 한다.
바람직하게는, 상기 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더에 흡착되는 수분은 후속 공정을 통하여 제조되는 전극 페이스트에 젤화 현상을 야기할 수 있어서 수분이 차단된 곳에 보관하여야 하며, 보다 바람직하게는 사용전에 Tg보다 50 ~ 100℃ 낮은 온도에서 건조하여 사용하는 것이 좋다. 건조 온도가 Tg를 넘을 경우 분말 상태인 무기질계 바인더가 소결되거나 결정화되어 바인더로서 역할을 할 수 없는 상태가 될 가능성이 커지므로 주의하여야 한다.
바람직하게는, 통상의 PDP 전극용 페이스트 조성물의 점도 조절을 위하여 0.001 내지 2 중량%의 무기 미분말 물질을 첨가하는데 페이스트의 안정성 및 소결성에 악영향을 끼치지 않는 비결정질의 실리카, 카오린, 알루미나 등 산화물 미분말 물질이 사용될 수 있다. 이때 페이스트 전체에 균일하게 분산되도록 하는 것이 중요한데 본 발명에서는 상기 무기 미분말 물질을 도전성 금속 입자 표면에 피복하여 줌으로써 전체 페이스트에 고르게 퍼지도록 하여 부착력 향상 효과를 증대시킬 수 있으며, 또 이로 인하여 도전성 금속입자와 외부 약품과의 직접 접촉을 막아 내(耐)약품성을 강화시킬 수 있다.
바람직하게는, 도전성 입자 표면에 피복을 형성하는 방법은 액상 석출법, 전기석출법(電析法), 딥 코팅법, 증착법, 스퍼터법 및 CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학 기상 성장)법 등이 가능하나 생산성이나 대량생산 등을 감안하여 액상법이 보다 바람직할 수 있다.
바람직하게는, 액상법은 액상에서 표면 피복을 얻는 원리는 통상의 침전 방법과 같이 적당한 용매에 완전히 용해시킨 상태에서 온도 변화나 용액의 유전율 변화 등을 통하여 용해도를 감소시켜 용해도 차이만큼의 목적 성분이 석출되게 할 수 있다. 이때 용매 속에 피복 대상 물질이 미분말 상태로 분산되어 있을 경우 석출 성분이 분체 표면에 석출되고 건조 및 소성과정을 거치게 하는 원리로서, 그 중에서 액상석출법이 극히 미량의 금속 산화물을 용이하게 제어하여 석출시킬 수 있기 때에 가장 바람직하다.
바람직하게는, 상기 액상 석출법은, 예를 들면 금속 불화물 착체의 용액에 음이온 포착제로서 불소(F)를 배위하기 쉬운 용존종을 첨가하여 혼합한 후, 구성 원소로서 규소 및 주석 중 하나 이상을 포함하는 재료를 침지시켜, 금속 불화물 착체로부터 발생하는 불소 음이온을 용존종에 포착시킴으로써, 구성 원소로서 규소 및 주석 중 하나 이상을 포함하는 재료의 표면에 금속 산화물을 석출시켜 피복부를 형성하는 방법이다. 또한, 금속 불화물 착체 대신에, 예를 들면 황산 이온 등의 다른 음이온을 발생하는 금속 화합물을 사용할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에서 사용될 수 있는 금속 또는 금속염의 종류에는 규소(Si), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 인듐(In), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 니켈(Ni) 및 카드뮴(Cd)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속염 혼합물이 포함될 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 페이스트 조성물은, 도전성 금속 분말 표면에 금속염 혼합물 또는 산화물로 피복하여 코팅하고, 코팅된 도전성 금속 분말, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더, 무기 미분말 및 감광성 유기 비이클로 구성되는 조성물을 플레니터리 믹서(planetary mixer)와 같은 혼합기로 사전 혼합(pre-mixing)을 행하고, 3-롤 밀(3-roll mill)과 같은 분쇄기를 사용하여 도전성 금속 분말, 무기질계 바인더 및 무기 미분말을 상기 감광성 유기 비이클에 고르게 분산시켜 페이스트를 제조한다. 제조된 페이스트 조성물은, 10,000 내지 50,000 cPs의 점도를 갖는다.
상기한 과제 해결 수단에 의한 본 발명에 따르면, 도전성 금속 분말 표면에 금속염 혼합물 또는 산화물로 피복 처리된 도전성 금속 분말을 사용함으로써 부착 력 및 내(耐)약품성을 증가시킬 수 있으며, 도전성 및 감광성이 우수하다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명한다.
실시예 1: 산화규소를 표면에 피복한 Ag분말(액상 석출법)
항온 장치(40℃)가 부착된 플라스틱 용기에 순수 용매와 6불화규소 0.4몰, 붕산 0.05몰농도로 혼합된 용액을 은(Ag) 분말 100g을 첨가하여 교반기로 저어주면서 4시간 방치하였다.
후속하여 은(Ag) 분말을 여과, 건조하여 산화규소로 표면이 피복된 은(Ag)분말을 수득하였다.
이때 본 반응은 하기와 같은 반응원리에 의해 이루어진다. 즉, 물과 6불화규소가 반응하여 식 1과 같이 수소, 불소 이온 및 산화규소가 생성되는 평형을 이룬다. 하기식 (2)에서의 붕산과 같이 용액 내에서 불소 이온과 배위하는 화학종이 존재한다면 하기식 (1)의 평형은 산화규소가 생성되는 오른쪽 방향으로 진행되어 용액 내에 분산된 은(Ag) 미세 분말 표면에 산화규소가 석출되게 된다.
H2SiF6 + 2H2O = 6HF + SiO2 ------------(1)
H3BO3 + 4HF = BF4 - +H3O+ + 2H2O --------(2)
본 발명의 경우 규소만을 예로 들었으나 바나듐, 티타늄, 알루미늄, 비스무스, 인듐, 주석, 지르코늄, 철, 니켈, 카드뮴 등 타 금속에 대해서도 동일한 원리 가 적용될 수 있다.
실시예 2: PDP 전극용 도전성 페이스트 제조
상온의 크린룸 조건하에서 실시예 1의 액상석출법으로 표면처리된 도전성 금속 분말로서 평균 입경 1.5 ㎛의 은(Ag) 분말 57중량%, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더로서 Bi2O3 49 중량％, B203 14 중량％, ZnO 14 중량％, SiO2 6 중량％ 및 BaO 17 중량％로 구성된 유리 전이점 460도의 무연(無鉛)비스무스(Bi)계(系) 8중량%; 및 무기 미분말로서 실리카 0.5중량% 및 감광성 유기 비이클 34.5중량%을 플레니터리 믹서(planetary mixer)로 사전 혼합(pre-mixing)시켰다.
후속하여 3-롤 밀(3-roll mill) 분쇄기를 사용하여 상기 사전 혼합된 조성물을 감광성 유기 비이클 34.5중량%에 고르게 분산시켜 본 발명에 따른 도전성 금속 무연 페이스트를 제조하였다.
이때 감광성 유기 비이클은 아크릴레이트 아크릴 공중합체(acrylated Acrylic Copolymer) 27 중량%, 에틸 카비톨 아크릴레이트(Ethyl carbitol acrylate) 16 중량%(Ethyl carbitol acrylate), 이소프로필 티옥산톤(isopropyl thioxanthone) 4중량%, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포린-프로판-1-원(2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholineo-propane-1-one) 1중량%, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄다이올-모노(2-메틸프로파노에이트)(2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol-mono(2-methylpropanoate)) 42중량%, 히드록시프로필 셀룰로스(Hydroxypropylcellulose) 8중량% 및 말론산(malonic acid) 2중량%을 혼합하여 제조하였다.
비교예
비교예의 경우 동일 입경 및 분포를 갖으며, 표면처리를 실시하지 않은 은(Ag) 분말 57중량%을 실시예 2와 동일하게 제조하였다.
실시예 3: 성능 시험
실시예 및 비교예의 페이스트들은 PD200 유리 기판에 전극 패턴을 형성하고 각각에 대하여 부착력 및 내약품성을 측정하였다.
부착력의 경우 패턴이 형성된 유리를 가로 및 세로가 각각 1.3 ㎝ 면적으로 자르고 접착성이 있는 테이프를 패턴 형성면에 붙여 1 kg의 힘을 가하여 12시간 방치 후 테이프이프을를 제거하여 패턴 탈락 여부 및 면적을 비교하여 접착 강도를 상대 평가하였다.
내약품성은 소성이 끝난 패턴이 형성된 유리를 30℃, 0.1M 농도의 탄산나트륨용액에 침적하고 패턴의 잔류 시간과 침적한 다음 물분무 세정시의 탈락 여부로 평가하였다.
구분 실시예(중량%) 비교예(중량%)
Ag 분말 57(표면처리됨) 57(표면처리 안됨)
무기 바인더 8 8
상안정제(무기 미분말) 0.5 0.5
감광성 유기 비이클 34.5 34.5
특성 실시예(중량%) 비교예(중량%)
현상성 양호 양호
Pattern 형성(㎛) 65 65
현상 후 단계(㎛) 8 8
소결 후 두께(㎛) 4.5 4
점도(cPs) 22000 22500
부착력 양호 중간
내약품성(시간) 15분 12분
탈락여부 탈락없음 일부 탈락
상기 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 표면을 피복 처리한 은 분말과 처리하지 않은 은 분말을 각각 사용하여 서로 동일한 조건으로 페이스트를 만들어 부착력 및 내약품성을 시험한 결과 표면 피복품에서 더 우수한 결과를 얻을 수 있었다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (20)

  1. PDP 전극용 페이스트 조성물에 있어서,
    a) 도전성 금속 분말의 표면에 규소(Si), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 인듐(In), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 니켈(Ni) 및 카드뮴(Cd)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속염 혼합물 또는 산화물로 피복하여 표면처리하는 단계;
    b) 상기 표면처리된 도전성 금속 분말, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더, 무기 미분말을 사전 혼합(pre-mixing)시켜서 혼합물을 수득하는 단계; 및
    c) 단계 b)에서 사전혼합된 혼합물을 감광성 유기 비이클에 분산시키는 단계를 포함하는 도전성 페이스트 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 도전성 금속 분말이 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni)로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 도전성 금속 분말의 입경이 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 단계 a)에서 도전성 금속 분말의 표면에 규소(Si), 바나 듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 인듐(In), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 니켈(Ni) 및 카드뮴(Cd)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속염 혼합물 또는 산화물을 액상석출법에 의해 피복하여 표면처리하는 단계를 포함하는 페이스트 제조방법.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 액상석출법에 의하여 은(Ag)분말 100g 표면에 6불화규소 0.4몰 및 붕산 0.05몰로 혼합된 용액을 첨가하여 산화규소를 피복하여 표면처리하는 단계를 포함하는 페이스트 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더가 Bi2O3, SiO2, B2O3, ZrO2, V2O5 및 Al2O3 로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더의 전이점이 350 내지 500℃ 임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더가 Tg보다 50 ~ 100℃ 낮은 온도에서 사전에 건조시킨 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 무기 미분말이 비결정질의 실리카, 카오린, 알루미나 등 산화물 미분말 물질임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 감광성 유기비이클이 광중합 폴리머, 광개시제, 용매 및 비반응성 폴리머로 구성됨을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 액상석출법에 의하여 표면처리된 도전성 금속분말로서 은(Ag), 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더로서 무연비스무스(Bi)계, 무기미분말로서 실리카 및 감광성 유기 비이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 제조방법.
  12. PDP 전극용 페이스트 조성물에 있어서, 규소(Si), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 인듐(In), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 니켈(Ni) 및 카드뮴(Cd)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속염 혼합물 또는 산화물로 피복하여 표면처리된 도전성 금속 분말 45 내지 70 중량%, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%, 무기 미분말 0.001 내지 2 중량% 및 감광성 유기 비이클 28.99 내지 50 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 도전성 금속 분말이 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni)로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 도전성 금속 분말의 입경이 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  15. 제12항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더가 Bi2O3, SiO2, B2O3, ZrO2, V2O5 및 Al2O3 로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  16. 제12항 또는 제15항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더의 전이점이 350 내지 500℃ 임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더가 Tg보다 50 ~ 100℃ 낮은 온도에서 사전에 건조시킨 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  18. 제12항에 있어서, 무기 미분말이 비결정질의 실리카, 카오린, 알루미나 등 산화물 미분말 물질임을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  19. 제12항에 있어서, 감광성 유기 비이클이 광중합 폴리머, 광개시제, 용매 및 비반응성 폴리머로 구성됨을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
  20. 제12항에 있어서, 액상석출법에 의하여 표면처리된 도전성 금속분말로서 은(Ag), 납(Pb) 미함유 무기질계 바인더로서 무연비스무스(Bi)계, 무기미분말로서 실리카 및 감광성 유기 비이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
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