JP3478628B2 - 粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサ - Google Patents
粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサInfo
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- JP3478628B2 JP3478628B2 JP00907895A JP907895A JP3478628B2 JP 3478628 B2 JP3478628 B2 JP 3478628B2 JP 00907895 A JP00907895 A JP 00907895A JP 907895 A JP907895 A JP 907895A JP 3478628 B2 JP3478628 B2 JP 3478628B2
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- type semiconductor
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、粒界絶縁層型半導体コ
ンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用いた
粒界絶縁層型半導体コンデンサに関するものである。
ンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用いた
粒界絶縁層型半導体コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体セラミック組成物としては
ＳｒＴｉＯ3 系を主成分にしたものが一般的に実用化さ
れている。しかし、ＳｒＴｉＯ3 系の半導体コンデンサ
は誘電率は大きく誘電体損失は小さいが、絶縁抵抗が１
０００〜２０００ＭΩと低く、さらに直流破壊電圧も３
００〜５００Ｖ／ｍｍと低いので電圧特性が悪い。
ＳｒＴｉＯ3 系を主成分にしたものが一般的に実用化さ
れている。しかし、ＳｒＴｉＯ3 系の半導体コンデンサ
は誘電率は大きく誘電体損失は小さいが、絶縁抵抗が１
０００〜２０００ＭΩと低く、さらに直流破壊電圧も３
００〜５００Ｖ／ｍｍと低いので電圧特性が悪い。
【０００３】これを改善するものとして、特開昭６３−
６４９５９号公報にＳｒＴｉＯ3 を主成分とし、ＣａＴ
ｉＯ3 を副成分とし、添加剤としてＹ2 Ｏ3 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 を使用した半導体セラミック組成
物が開示されている。
６４９５９号公報にＳｒＴｉＯ3 を主成分とし、ＣａＴ
ｉＯ3 を副成分とし、添加剤としてＹ2 Ｏ3 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 を使用した半導体セラミック組成
物が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような開示された従来の半導体セラミック組成物では、
ＳｒＴｉＯ3 を主成分とし、ＣａＴｉＯ3 を副成分と
し、添加剤としてＹ2 Ｏ3，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ，Ｓｉ
Ｏ2 を使用しているため、誘電率は大きく、誘電体損失
は小さいが、音響機器、映像機器、ＯＡ機器等に使用す
るには直流破壊電圧や絶縁抵抗が低く、インピーダンス
が高いという問題点を有していた。
ような開示された従来の半導体セラミック組成物では、
ＳｒＴｉＯ3 を主成分とし、ＣａＴｉＯ3 を副成分と
し、添加剤としてＹ2 Ｏ3，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ，Ｓｉ
Ｏ2 を使用しているため、誘電率は大きく、誘電体損失
は小さいが、音響機器、映像機器、ＯＡ機器等に使用す
るには直流破壊電圧や絶縁抵抗が低く、インピーダンス
が高いという問題点を有していた。
【０００５】本発明は、以上の問題点を解決し、誘電率
が大きく、誘電体損失が小さく、直流破壊電圧が高く、
絶縁抵抗が高く、インピーダンスが低い粒界絶縁層型半
導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを
用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサを提供することを
目的とする。
が大きく、誘電体損失が小さく、直流破壊電圧が高く、
絶縁抵抗が高く、インピーダンスが低い粒界絶縁層型半
導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを
用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサを提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の問題点を解決する
ために本発明の粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の半導
体セラミック組成物は、ＳｒＴｉＯ3が６６〜７８モル
％，ＣａＴｉＯ3が２２〜３４モル％の範囲から成る主
成分１００モル％に対して、半導体化剤としてＣｅＯ2
を０．２〜１．３ｗｔ％，Ｎｂ2Ｏ5を０〜０．５ｗｔ％
含有し、添加剤として、ＭｎＯ2を０．０１〜０．１ｗ
ｔ％，ＳｉＯ2を０．０５〜０．４ｗｔ％，ＢａＯを
０．１〜０．３ｗｔ％含有する。
ために本発明の粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の半導
体セラミック組成物は、ＳｒＴｉＯ3が６６〜７８モル
％，ＣａＴｉＯ3が２２〜３４モル％の範囲から成る主
成分１００モル％に対して、半導体化剤としてＣｅＯ2
を０．２〜１．３ｗｔ％，Ｎｂ2Ｏ5を０〜０．５ｗｔ％
含有し、添加剤として、ＭｎＯ2を０．０１〜０．１ｗ
ｔ％，ＳｉＯ2を０．０５〜０．４ｗｔ％，ＢａＯを
０．１〜０．３ｗｔ％含有する。
【０００７】
【０００８】また、本発明の粒界絶縁層型半導体コンデ
ンサは、基板を上記粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の
半導体セラミック組成物で構成した。
ンサは、基板を上記粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の
半導体セラミック組成物で構成した。
【０００９】
【作用】この構成により、本発明の粒界絶縁層型半導体
コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用い
た粒界絶縁層型半導体コンデンサは、誘電率を大きく
し、誘電体損失を小さくし、直流破壊電圧を高くし、絶
縁抵抗を高くし、インピーダンスを低くすることができ
る。
コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用い
た粒界絶縁層型半導体コンデンサは、誘電率を大きく
し、誘電体損失を小さくし、直流破壊電圧を高くし、絶
縁抵抗を高くし、インピーダンスを低くすることができ
る。
【００１０】
（実施例１）以下、本発明の半導体セラミック組成物の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
【００１１】ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＣｅＯ2 ，
Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＢａＯ，Ｎａ2 Ｏを
（表１），（表２）に示した比率に成るように電子天秤
で秤量し配合物とした。
Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＢａＯ，Ｎａ2 Ｏを
（表１），（表２）に示した比率に成るように電子天秤
で秤量し配合物とした。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】次に、配合物１００ｇに対してめのう玉石
を３００ｇ、水を１５０ｃｃ加えてポリエチレン製ポッ
ト内で２４時間湿式混合し、脱水乾燥した後、１０％ポ
リビニルアルコール溶液を用いて造粒し造粒粉体を得
た。次に、造粒粉体を１０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で成
形し、直径９．０ｍｍ，厚み０．５ｍｍの円盤状の成形
体を作成した。次に、成形体を窒素ガスと水素ガスによ
る還元性雰囲気中で１３７０〜１４５０℃の温度範囲内
で焼成し半導体素子を得た後、半導体素子の表面にＢ
ｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｐｂ，Ｌａ等を含有する有機金属化合
物を塗布し、空気中で１０００〜１２００℃の温度範囲
内で熱処理して結晶粒界に絶縁層の形成された半導体素
子を得た。次に、この半導体素子の両面に直径６．０ｍ
ｍのＡｇペーストを塗布し、８００〜８５０℃の温度範
囲内で熱処理してＡｇ電極を形成した。次に、リード線
を半田付けして耐湿処理を行った後、難燃性塗料を被覆
して試料を得た。次いで、得られた試料について、電気
特性として周波数１ｋＨｚ、１Ｖで誘電率と誘電体損失
の測定を行い、さらに直流破壊電圧と絶縁抵抗の測定、
そして共振周波数でのインピーダンスの測定を行った。
その結果を（表３），（表４）に示す。ただし、試料番
号に＃を記したものは本発明の範囲外の試料であり、更
に、試料番号３５，３６以外は参考例となる試料であ
る。
を３００ｇ、水を１５０ｃｃ加えてポリエチレン製ポッ
ト内で２４時間湿式混合し、脱水乾燥した後、１０％ポ
リビニルアルコール溶液を用いて造粒し造粒粉体を得
た。次に、造粒粉体を１０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で成
形し、直径９．０ｍｍ，厚み０．５ｍｍの円盤状の成形
体を作成した。次に、成形体を窒素ガスと水素ガスによ
る還元性雰囲気中で１３７０〜１４５０℃の温度範囲内
で焼成し半導体素子を得た後、半導体素子の表面にＢ
ｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｐｂ，Ｌａ等を含有する有機金属化合
物を塗布し、空気中で１０００〜１２００℃の温度範囲
内で熱処理して結晶粒界に絶縁層の形成された半導体素
子を得た。次に、この半導体素子の両面に直径６．０ｍ
ｍのＡｇペーストを塗布し、８００〜８５０℃の温度範
囲内で熱処理してＡｇ電極を形成した。次に、リード線
を半田付けして耐湿処理を行った後、難燃性塗料を被覆
して試料を得た。次いで、得られた試料について、電気
特性として周波数１ｋＨｚ、１Ｖで誘電率と誘電体損失
の測定を行い、さらに直流破壊電圧と絶縁抵抗の測定、
そして共振周波数でのインピーダンスの測定を行った。
その結果を（表３），（表４）に示す。ただし、試料番
号に＃を記したものは本発明の範囲外の試料であり、更
に、試料番号３５，３６以外は参考例となる試料であ
る。
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】この（表３），（表４）から、本発明の試
料は誘電率が１００００以上と大きく、誘電体損失が
０．９％以下と小さく、直流破壊電圧が２０００Ｖ／ｍ
ｍ以上と高く、絶縁抵抗が５０ＶＤＣ印加で１００００
ＭΩ以上と高く、しかも共振周波数でのインピーダンス
が８００ｍΩ以下と低く、優れた半導体セラミック組成
物であることが明らかとなった。
料は誘電率が１００００以上と大きく、誘電体損失が
０．９％以下と小さく、直流破壊電圧が２０００Ｖ／ｍ
ｍ以上と高く、絶縁抵抗が５０ＶＤＣ印加で１００００
ＭΩ以上と高く、しかも共振周波数でのインピーダンス
が８００ｍΩ以下と低く、優れた半導体セラミック組成
物であることが明らかとなった。
【００１８】ところで、ＳｒＴｉＯ3 が６６モル％未満
では、誘電率が小さくなり誘電体損失は大きくなる。さ
らに、共振周波数でのインピーダンスが高くなる。ま
た、７８モル％を超えると、直流破壊電圧が低くなり絶
縁抵抗も低くなる。
では、誘電率が小さくなり誘電体損失は大きくなる。さ
らに、共振周波数でのインピーダンスが高くなる。ま
た、７８モル％を超えると、直流破壊電圧が低くなり絶
縁抵抗も低くなる。
【００１９】ＣａＴｉＯ3 が２２モル％未満では直流破
壊電圧が低くなり、絶縁抵抗も低くなる。また、３４モ
ル％を超えると、誘電率が小さくなり誘電体損失は大き
くなる。さらに、共振周波数でのインピーダンスが高く
なる。
壊電圧が低くなり、絶縁抵抗も低くなる。また、３４モ
ル％を超えると、誘電率が小さくなり誘電体損失は大き
くなる。さらに、共振周波数でのインピーダンスが高く
なる。
【００２０】ＣｅＯ2 が０．２ｗｔ％未満では、誘電体
損失が大きくなり直流破壊電圧は低くなる。さらに、共
振周波数でのインピーダンスが高くなる。また、１．３
ｗｔ％を超えると、誘電率が小さくなり誘電体損失が大
きくなる。
損失が大きくなり直流破壊電圧は低くなる。さらに、共
振周波数でのインピーダンスが高くなる。また、１．３
ｗｔ％を超えると、誘電率が小さくなり誘電体損失が大
きくなる。
【００２１】Ｎｂ2 Ｏ5 が０．５ｗｔ％を超えると、誘
電率が非常に小さくなり誘電体損失が大きくなると共に
直流破壊電圧が非常に小さくなる。さらに、共振周波数
でのインピーダンスが高くなる。
電率が非常に小さくなり誘電体損失が大きくなると共に
直流破壊電圧が非常に小さくなる。さらに、共振周波数
でのインピーダンスが高くなる。
【００２２】ＭｎＯ2 が０．０１ｗｔ％未満では、直流
破壊電圧が低くなる。０．１ｗｔ％を超えると、誘電率
が小さくなり誘電体損失は大きくなる。さらに、共振周
波数でのインピーダンスが高くなる。
破壊電圧が低くなる。０．１ｗｔ％を超えると、誘電率
が小さくなり誘電体損失は大きくなる。さらに、共振周
波数でのインピーダンスが高くなる。
【００２３】ＳｉＯ2 が０．０５ｗｔ％未満では、誘電
体損失が大きくなり絶縁抵抗が低くなる。さらに、共振
周波数でのインピーダンスが非常に高くなる。０．４ｗ
ｔ％を超えると、誘電率が小さくなる。
体損失が大きくなり絶縁抵抗が低くなる。さらに、共振
周波数でのインピーダンスが非常に高くなる。０．４ｗ
ｔ％を超えると、誘電率が小さくなる。
【００２４】ＢａＯが０．３ｗｔ％を超えると、誘電率
が非常に大きくなり、直流破壊電圧と絶縁抵抗が非常に
低くなる。
が非常に大きくなり、直流破壊電圧と絶縁抵抗が非常に
低くなる。
【００２５】Ｎａ2 Ｏが０．２ｗｔ％を超えると、誘電
率が非常に小さくなり、直流破壊電圧と絶縁抵抗が非常
に低くなる。さらに、共振周波数でのインピーダンスが
非常に高くなる。
率が非常に小さくなり、直流破壊電圧と絶縁抵抗が非常
に低くなる。さらに、共振周波数でのインピーダンスが
非常に高くなる。
【００２６】なお、今までに述べた他に、電気特性を損
なわない範囲内で、ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 から成
る主成分に対して、半導体化剤としてＣｅＯ2 ，Ｎｂ2
Ｏ5のうち少なくとも１つ以上を含有し、添加剤として
ＭｎＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＢａＯ，Ｎａ2 Ｏのうち少なくと
も２つ以上を含有する半導体セラミック組成物であって
も差し支えない。
なわない範囲内で、ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 から成
る主成分に対して、半導体化剤としてＣｅＯ2 ，Ｎｂ2
Ｏ5のうち少なくとも１つ以上を含有し、添加剤として
ＭｎＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＢａＯ，Ｎａ2 Ｏのうち少なくと
も２つ以上を含有する半導体セラミック組成物であって
も差し支えない。
【００２７】以上のように本実施例によれば、誘電率が
大きく、誘電体損失が小さく、直流破壊電圧が高く、絶
縁抵抗が高く、インピーダンスが低い優れた半導体セラ
ミック組成物を提供することができる。
大きく、誘電体損失が小さく、直流破壊電圧が高く、絶
縁抵抗が高く、インピーダンスが低い優れた半導体セラ
ミック組成物を提供することができる。
【００２８】（実施例２）以下、（実施例１）の半導体
セラミック組成物を基板に用いた半導体コンデンサの説
明をするが、既に基板に用いる組成物の各成分の含有率
は説明済みであるので重複説明は省略し、半導体コンデ
ンサの構造の説明のみを行う。
セラミック組成物を基板に用いた半導体コンデンサの説
明をするが、既に基板に用いる組成物の各成分の含有率
は説明済みであるので重複説明は省略し、半導体コンデ
ンサの構造の説明のみを行う。
【００２９】図１は本発明の一実施例における半導体コ
ンデンサの側断面図である。図１において、１は円盤状
に形成された基板であり、この基板１には（実施例１）
の半導体セラミック組成物を使用している。２，３はそ
れぞれ基板１の両端に形成された電極であり、材質とし
てはＮｉの無電解鍍金膜を用いても良いし、Ａｇを焼き
付けた膜を用いても良い。Ａｇを焼き付けた膜の場合、
Ａｇの焼き付け温度を８５０℃にすると大きな静電容量
が得られる。４，５はリード線であり、電極２，３にそ
れぞれ半田６，７で接合されている。８は絶縁材料から
成る外装材であり、基板１及び電極２，３をすっぽりと
覆って絶縁している。この外装材８を難燃性塗料で構成
し絶縁性と共に耐熱性を持たせても良く、具体的な材質
としてはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が望ましい。
ンデンサの側断面図である。図１において、１は円盤状
に形成された基板であり、この基板１には（実施例１）
の半導体セラミック組成物を使用している。２，３はそ
れぞれ基板１の両端に形成された電極であり、材質とし
てはＮｉの無電解鍍金膜を用いても良いし、Ａｇを焼き
付けた膜を用いても良い。Ａｇを焼き付けた膜の場合、
Ａｇの焼き付け温度を８５０℃にすると大きな静電容量
が得られる。４，５はリード線であり、電極２，３にそ
れぞれ半田６，７で接合されている。８は絶縁材料から
成る外装材であり、基板１及び電極２，３をすっぽりと
覆って絶縁している。この外装材８を難燃性塗料で構成
し絶縁性と共に耐熱性を持たせても良く、具体的な材質
としてはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が望ましい。
【００３０】（実施例１）で述べたような電気特性を持
つ半導体セラミック組成物は、特に粒界絶縁層型半導体
コンデンサ用の基板として適している。このため、この
ような基板を用いた本実施例の半導体コンデンサは、誘
電率が大きく、誘電体損失が小さく、直流破壊電圧が高
く、絶縁抵抗が高く、インピーダンスが低いという優れ
た性能を有し、音響機器、映像機器、ＯＡ機器等に使用
する半導体コンデンサとして最適である。
つ半導体セラミック組成物は、特に粒界絶縁層型半導体
コンデンサ用の基板として適している。このため、この
ような基板を用いた本実施例の半導体コンデンサは、誘
電率が大きく、誘電体損失が小さく、直流破壊電圧が高
く、絶縁抵抗が高く、インピーダンスが低いという優れ
た性能を有し、音響機器、映像機器、ＯＡ機器等に使用
する半導体コンデンサとして最適である。
【００３１】
【発明の効果】本発明の粒界絶縁層型半導体コンデンサ
用の半導体セラミック組成物は、ＳｒＴｉＯ 3 が６６〜
７８モル％，ＣａＴｉＯ 3 が２２〜３４モル％の範囲か
ら成る主成分１００モル％に対して、半導体化剤として
ＣｅＯ 2 を０．２〜１．３ｗｔ％，Ｎｂ 2 Ｏ 5 を０〜０．
５ｗｔ％含有し、添加剤として、ＭｎＯ 2 を０．０１〜
０．１ｗｔ％，ＳｉＯ 2 を０．０５〜０．４ｗｔ％，Ｂ
ａＯを０．１〜０．３ｗｔ％含有する。
用の半導体セラミック組成物は、ＳｒＴｉＯ 3 が６６〜
７８モル％，ＣａＴｉＯ 3 が２２〜３４モル％の範囲か
ら成る主成分１００モル％に対して、半導体化剤として
ＣｅＯ 2 を０．２〜１．３ｗｔ％，Ｎｂ 2 Ｏ 5 を０〜０．
５ｗｔ％含有し、添加剤として、ＭｎＯ 2 を０．０１〜
０．１ｗｔ％，ＳｉＯ 2 を０．０５〜０．４ｗｔ％，Ｂ
ａＯを０．１〜０．３ｗｔ％含有する。
【００３２】
【００３３】また、本発明の粒界絶縁層型半導体コンデ
ンサは、基板を上記粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の
半導体セラミック組成物で構成した。
ンサは、基板を上記粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の
半導体セラミック組成物で構成した。
【００３４】この構成により、本発明の粒界絶縁層型半
導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを
用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサは、誘電率を大き
くし、誘電体損失を小さくし、直流破壊電圧を高くし、
絶縁抵抗を高くし、インピーダンスを低くすることがで
きる。
導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを
用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサは、誘電率を大き
くし、誘電体損失を小さくし、直流破壊電圧を高くし、
絶縁抵抗を高くし、インピーダンスを低くすることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例における半導体コンデンサの
側断面図
側断面図
１ 基板
２，３ 電極
４，５ リード線
６，７ 半田
８ 外装材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/12
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳｒＴｉＯ3が６６〜７８モル％，Ｃａ
ＴｉＯ3が２２〜３４モル％の範囲から成る主成分１０
０モル％に対して、 半導体化剤としてＣｅＯ2を０．２〜１．３ｗｔ％，Ｎ
ｂ2Ｏ5を０〜０．５ｗｔ％含有し、 添加剤として、ＭｎＯ2を０．０１〜０．１ｗｔ％，Ｓ
ｉＯ2を０．０５〜０．４ｗｔ％，ＢａＯを０．１〜
０．３ｗｔ％含有することを特徴とする粒界絶縁層型半
導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物。 - 【請求項２】 基板と、前記基板の両端に設けられた電
極とを備えた粒界絶縁層型半導体コンデンサであって、
前記基板を請求項１記載の粒界絶縁層型半導体コンデン
サ用の半導体セラミック組成物で構成したことを特徴と
する粒界絶縁層型半導体コンデンサ。 - 【請求項３】 基板と、前記基板の両端に設けられた電
極と、前記電極にそれぞれ接続された端子と、前記基板
及び前記電極を覆う外装材とを備えた粒界絶縁層型半導
体コンデンサであって、前記基板を請求項１記載の粒界
絶縁層型半導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物
で構成したことを特徴とする粒界絶縁層型半導体コンデ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00907895A JP3478628B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00907895A JP3478628B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203767A JPH08203767A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3478628B2 true JP3478628B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=11710585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00907895A Expired - Fee Related JP3478628B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 粒界絶縁層型半導体コンデンサ用の半導体セラミック組成物及びそれを用いた粒界絶縁層型半導体コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3478628B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8178456B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-05-15 | Ian Burn Consulting, Inc. | Sintered dielectric ceramic, composition for making, and use thereof in multilayer capacitor and energy storage device |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP00907895A patent/JP3478628B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08203767A (ja) | 1996-08-09 |
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