JP3404897B2 - セラミック組成物及びコンデンサ - Google Patents
セラミック組成物及びコンデンサInfo
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- JP3404897B2 JP3404897B2 JP14923594A JP14923594A JP3404897B2 JP 3404897 B2 JP3404897 B2 JP 3404897B2 JP 14923594 A JP14923594 A JP 14923594A JP 14923594 A JP14923594 A JP 14923594A JP 3404897 B2 JP3404897 B2 JP 3404897B2
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- Japan
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- substrate
- capacitor
- mol
- ceramic composition
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高電圧電源の整流平滑
回路、電子機器のＤＣ高圧回路、ＯＡ機器などの高電圧
電源等に好適で、海外安全規格認定セラミックコンデン
サに広く使用されているセラミック組成物及びコンデン
サに関するものである。
回路、電子機器のＤＣ高圧回路、ＯＡ機器などの高電圧
電源等に好適で、海外安全規格認定セラミックコンデン
サに広く使用されているセラミック組成物及びコンデン
サに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、中高圧セラミックコンデンサ用組
成物としてＢａＴｉＯ3系を主成分にしたものが一般的
に実用化されている。しかし、ＢａＴｉＯ3系のセラミ
ックコンデンサは強誘電性であるため誘電率は大きい
が、誘電体損失が大きく、交流破壊電圧が１．０〜２．
０ＫＶ／ｍｍと低く、電圧特性が悪いという問題点があ
った。これらの問題点を解決するものとして、特開平３
−６５５５８号公報にＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，Ｂａ
ＺｒＯ3，ＭｇＴｉＯ3を主成分とし、添加物としてＮｉ
Ｏ，ＣｅＯ2，ＭｎＯ，ＳｉＯ2を添加した誘電体磁器組
成物が開示されている。
成物としてＢａＴｉＯ3系を主成分にしたものが一般的
に実用化されている。しかし、ＢａＴｉＯ3系のセラミ
ックコンデンサは強誘電性であるため誘電率は大きい
が、誘電体損失が大きく、交流破壊電圧が１．０〜２．
０ＫＶ／ｍｍと低く、電圧特性が悪いという問題点があ
った。これらの問題点を解決するものとして、特開平３
−６５５５８号公報にＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，Ｂａ
ＺｒＯ3，ＭｇＴｉＯ3を主成分とし、添加物としてＮｉ
Ｏ，ＣｅＯ2，ＭｎＯ，ＳｉＯ2を添加した誘電体磁器組
成物が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、ＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＢａＺｒ
Ｏ3，ＭｇＴｉＯ3を主成分とし、添加物としてＮｉＯ，
ＣｅＯ2，ＭｎＯ，ＳｉＯ2を添加しているため、誘電体
損失は小さいものの、交流破壊電圧が低く、誘電率が小
さく、静電容量温度変化率が悪いという問題点を有して
いた。
の構成では、ＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＢａＺｒ
Ｏ3，ＭｇＴｉＯ3を主成分とし、添加物としてＮｉＯ，
ＣｅＯ2，ＭｎＯ，ＳｉＯ2を添加しているため、誘電体
損失は小さいものの、交流破壊電圧が低く、誘電率が小
さく、静電容量温度変化率が悪いという問題点を有して
いた。
【０００４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、誘電率が大きく、誘電体損失が小さく、交流破壊電
圧が高く、静電容量温度変化率が良好なセラミック組成
物及びコンデンサを提供することを目的とする。
で、誘電率が大きく、誘電体損失が小さく、交流破壊電
圧が高く、静電容量温度変化率が良好なセラミック組成
物及びコンデンサを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、ＢａＴｉＯ 3 が６４〜７１モル％、ＢａＺ
ｒＯ 3 が７〜２２モル％、ＣａＴｉＯ 3 が１４〜２２モル
％の範囲から成る主成分１００モル％に対して、添加物
としてＰｂＴｉＯ 3 が０．３〜７．０ｗｔ％、ＭｎＣＯ 3
が０．０３〜０．５ｗｔ％、ＣｅＯ 2 が０．０３〜０．
５ｗｔ％、ＭｇＯが０．０１〜０．２ｗｔ％、ＳｎＯ 2
が０．０３〜０．４ｗｔ％、Ｂｉ 2 Ｏ 3 が０．０３〜０．
４ｗｔ％含まれる構成から成る。
に本発明は、ＢａＴｉＯ 3 が６４〜７１モル％、ＢａＺ
ｒＯ 3 が７〜２２モル％、ＣａＴｉＯ 3 が１４〜２２モル
％の範囲から成る主成分１００モル％に対して、添加物
としてＰｂＴｉＯ 3 が０．３〜７．０ｗｔ％、ＭｎＣＯ 3
が０．０３〜０．５ｗｔ％、ＣｅＯ 2 が０．０３〜０．
５ｗｔ％、ＭｇＯが０．０１〜０．２ｗｔ％、ＳｎＯ 2
が０．０３〜０．４ｗｔ％、Ｂｉ 2 Ｏ 3 が０．０３〜０．
４ｗｔ％含まれる構成から成る。
【０００６】また、上記セラミック組成物を含む基板で
コンデンサを構成した。
コンデンサを構成した。
【０００７】
【作用】この構成によって、主成分がＢａＴｉＯ3，Ｂ
ａＺｒＯ3，ＣａＴｉＯ3から成り、添加物としてＰｂＴ
ｉＯ3，ＭｎＣＯ3，ＣｅＯ2，ＭｇＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2
Ｏ3を含有するため、誘電率を大きくし、誘電体損失を
小さくし、交流破壊電圧を高くし、静電容量温度変化率
を良好にすることができる。
ａＺｒＯ3，ＣａＴｉＯ3から成り、添加物としてＰｂＴ
ｉＯ3，ＭｎＣＯ3，ＣｅＯ2，ＭｇＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2
Ｏ3を含有するため、誘電率を大きくし、誘電体損失を
小さくし、交流破壊電圧を高くし、静電容量温度変化率
を良好にすることができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について詳細に説明す
る。
る。
【０００９】ＢａＴｉＯ3，ＢａＺｒＯ3，ＣａＴｉ
Ｏ3，ＰｂＴｉＯ3，ＭｎＣＯ3，ＣｅＯ2，ＭｇＯ，Ｓｎ
Ｏ2，Ｂｉ2Ｏ3を（表１）〜（表４）に示した比率にな
るように電子天秤で秤量し配合物とした。
Ｏ3，ＰｂＴｉＯ3，ＭｎＣＯ3，ＣｅＯ2，ＭｇＯ，Ｓｎ
Ｏ2，Ｂｉ2Ｏ3を（表１）〜（表４）に示した比率にな
るように電子天秤で秤量し配合物とした。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】
【表３】
【００１３】
【表４】
【００１４】次に、配合物１００ｇに対してめのう玉石
を３００ｇ、水を１５０ＣＣ加えてリエチレン製ポット
内で２４Ｈ湿式混合し、脱水乾燥した後、１０％ポリビ
ニルアルコール溶液を用いて造粒し造粒粉体を得た。次
に、造粒粉体を３０００Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で成形し直
径１６．０ｍｍφ，厚み２．４ｍｍｔの円盤状の成形体
を作成した。次に、成形体を電気炉で１３５０〜１４２
０゜Ｃの温度範囲内で焼成し焼成体を得た後、焼成体の
両面に直径１３．５ｍｍφのＡｇペーストを塗布し８０
０〜８５０゜Ｃの温度範囲内で熱処理してＡｇ電極を形
成した。次に、リード線をハンダ付けして耐湿処理を行
った後、難燃性塗料を被覆して試料を得た。次いで、得
られた試料について、電気特性として周波数１ＫＨｚ、
１Ｖで誘電率の測定、誘電体損失の測定、２０゜Ｃ基準
の−２５゜Ｃと＋８５゜Ｃでの静電容量温度変化率の測
定を行い、さらに交流破壊電圧の測定を行った。その結
果を（表５）〜（表８）に示した。（表５）〜（表８）
の試料Ｎｏに※印を記したものは本発明範囲外の試料で
ある。
を３００ｇ、水を１５０ＣＣ加えてリエチレン製ポット
内で２４Ｈ湿式混合し、脱水乾燥した後、１０％ポリビ
ニルアルコール溶液を用いて造粒し造粒粉体を得た。次
に、造粒粉体を３０００Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で成形し直
径１６．０ｍｍφ，厚み２．４ｍｍｔの円盤状の成形体
を作成した。次に、成形体を電気炉で１３５０〜１４２
０゜Ｃの温度範囲内で焼成し焼成体を得た後、焼成体の
両面に直径１３．５ｍｍφのＡｇペーストを塗布し８０
０〜８５０゜Ｃの温度範囲内で熱処理してＡｇ電極を形
成した。次に、リード線をハンダ付けして耐湿処理を行
った後、難燃性塗料を被覆して試料を得た。次いで、得
られた試料について、電気特性として周波数１ＫＨｚ、
１Ｖで誘電率の測定、誘電体損失の測定、２０゜Ｃ基準
の−２５゜Ｃと＋８５゜Ｃでの静電容量温度変化率の測
定を行い、さらに交流破壊電圧の測定を行った。その結
果を（表５）〜（表８）に示した。（表５）〜（表８）
の試料Ｎｏに※印を記したものは本発明範囲外の試料で
ある。
【００１５】
【表５】
【００１６】
【表６】
【００１７】
【表７】
【００１８】
【表８】
【００１９】この（表５）〜（表８）から明らかなよう
に、本発明の試料は誘電率が７５００以上と大きく、誘
電体損失が０．７％以下と小さく、静電容量温度変化率
が２０゜Ｃ基準で−２５゜Ｃのとき−３０％以内にあり
＋８５゜Ｃのとき−５０％以内と良好で、しかも交流破
壊電圧が４．０ＫＶ／ｍｍ以上と高く優れた中高圧セラ
ミックコンデンサ用組成物である事が明かとなった。
に、本発明の試料は誘電率が７５００以上と大きく、誘
電体損失が０．７％以下と小さく、静電容量温度変化率
が２０゜Ｃ基準で−２５゜Ｃのとき−３０％以内にあり
＋８５゜Ｃのとき−５０％以内と良好で、しかも交流破
壊電圧が４．０ＫＶ／ｍｍ以上と高く優れた中高圧セラ
ミックコンデンサ用組成物である事が明かとなった。
【００２０】ＢａＴｉＯ3が６４モル％未満では誘電率
が小さくなりさらに誘電体損失が大きくなり、また７１
モル％以上では交流破壊電圧が低くなりさらに静電容量
温度変化率が悪化する傾向にあった。ＢａＺｒＯ3が７
モル％未満では交流破壊電圧が低く、また２２モル％以
上では誘電体損失が大きくなる傾向にあった。ＣａＴｉ
Ｏ3が１４モル％未満では静電容量温度変化率が悪化
し、また２２モル％以上では交流破壊電圧が低くなる傾
向にあった。ＰｂＴｉＯ3が０．３ｗｔ％未満では誘電
率が小さくなり、また７．０ｗｔ％以上では交流破壊電
圧が低くなる傾向にあった。ＭｎＣＯ3が０．０３ｗｔ
％未満では交流破壊電圧が低くなり、また０．５ｗｔ％
以上では誘電率が小さくなりさらに誘電体損失が大きく
なる傾向にあった。ＣｅＯ2が０．０３ｗｔ％未満では
誘電体損失が大きくなり、また０．５ｗｔ％以上では誘
電率が小さくなる傾向にあった。
が小さくなりさらに誘電体損失が大きくなり、また７１
モル％以上では交流破壊電圧が低くなりさらに静電容量
温度変化率が悪化する傾向にあった。ＢａＺｒＯ3が７
モル％未満では交流破壊電圧が低く、また２２モル％以
上では誘電体損失が大きくなる傾向にあった。ＣａＴｉ
Ｏ3が１４モル％未満では静電容量温度変化率が悪化
し、また２２モル％以上では交流破壊電圧が低くなる傾
向にあった。ＰｂＴｉＯ3が０．３ｗｔ％未満では誘電
率が小さくなり、また７．０ｗｔ％以上では交流破壊電
圧が低くなる傾向にあった。ＭｎＣＯ3が０．０３ｗｔ
％未満では交流破壊電圧が低くなり、また０．５ｗｔ％
以上では誘電率が小さくなりさらに誘電体損失が大きく
なる傾向にあった。ＣｅＯ2が０．０３ｗｔ％未満では
誘電体損失が大きくなり、また０．５ｗｔ％以上では誘
電率が小さくなる傾向にあった。
【００２１】ＭｇＯが０．０１ｗｔ％未満では交流破壊
電圧が低くさらに静電容量温度変化率が悪化し、また
０．２ｗｔ％以上では誘電率が小さくなる傾向にあっ
た。ＳｎＯ2が０．０３ｗｔ％未満では交流破壊電圧が
低く、また０．４ｗｔ％以上では誘電体損失が大きくな
る傾向にあった。Ｂｉ2Ｏ3が０．０３ｗｔ％未満では交
流破壊電圧が低くなり、また０．４ｗｔ％以上では誘電
率が小さくなりさらに誘電体損失が大きくなる傾向にあ
った。
電圧が低くさらに静電容量温度変化率が悪化し、また
０．２ｗｔ％以上では誘電率が小さくなる傾向にあっ
た。ＳｎＯ2が０．０３ｗｔ％未満では交流破壊電圧が
低く、また０．４ｗｔ％以上では誘電体損失が大きくな
る傾向にあった。Ｂｉ2Ｏ3が０．０３ｗｔ％未満では交
流破壊電圧が低くなり、また０．４ｗｔ％以上では誘電
率が小さくなりさらに誘電体損失が大きくなる傾向にあ
った。
【００２２】以上の様に本実施例によれば、誘電率が大
きく、誘電体損失が小さく、静電容量温度変化率が良好
で、しかも交流破壊電圧が高い優れたセラミック組成物
を提供する事ができる。上記特性を考慮するとこのセラ
ミック組成物は特に中高圧セラミックコンデンサ用のセ
ラミック組成物として用いられる事が好ましい。
きく、誘電体損失が小さく、静電容量温度変化率が良好
で、しかも交流破壊電圧が高い優れたセラミック組成物
を提供する事ができる。上記特性を考慮するとこのセラ
ミック組成物は特に中高圧セラミックコンデンサ用のセ
ラミック組成物として用いられる事が好ましい。
【００２３】すなわち上記セラミック組成物をコンデン
サを構成する基板として用いる事によって、優れた電気
特性を有するセラミックコンデンサを提供するする事が
でき、このコンデンサは高電圧電源の整流平滑回路、電
子機器のＤＣ高圧回路、ＯＡ機器などの高電圧電源等に
好適で、海外安全規格認定セラミックコンデンサとして
極めて有用であることがわかった。
サを構成する基板として用いる事によって、優れた電気
特性を有するセラミックコンデンサを提供するする事が
でき、このコンデンサは高電圧電源の整流平滑回路、電
子機器のＤＣ高圧回路、ＯＡ機器などの高電圧電源等に
好適で、海外安全規格認定セラミックコンデンサとして
極めて有用であることがわかった。
【００２４】
【００２５】図１は本発明の一実施例におけるコンデン
サを示す側断面図である。図１において、１は基板で、
基板１は円盤形状に形成されており、更に基板１は上記
セラミック組成物を用いて構成されている。すなわちセ
ラミック組成物は、ＢａＴｉＯ3，ＢａＺｒＯ3，ＣａＴ
ｉＯ3から成る主成分に対して、添加物としてＰｂＴｉ
Ｏ3，ＭｎＣＯ3，ＣｅＯ2，ＭｇＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3
のうち少なくとも１つ以上を含有する構成から成る。更
にセラミック組成物としては主成分がＢａＴｉＯ3が６
４〜７１モル％、ＢａＺｒＯ3が７〜２２モル％、Ｃａ
ＴｉＯ3が１４〜２２モル％の範囲から成り、前記添加
物が前記主成分１００モル％に対してＰｂＴｉＯ3が
０．３〜７．０ｗｔ％、ＭｎＣＯ3が０．０３〜０．５
ｗｔ％、ＣｅＯ 2が０．０３〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯが
０．０１〜０．２ｗｔ％、ＳｎＯ2が０．０３〜０．４
ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．０３〜０．４ｗｔ％含まれる構
成から成る。なお、本実施例では、基板１を円盤形状に
構成したが、方形盤状でもよい。しかしながら量産性や
特性のばらつき等を考慮すると円盤形状の方が好まし
い。また、基板１は上記セラミック組成物１００％で構
成してもよいし、上記セラミック組成物を含有した組成
物で構成してもよい。
サを示す側断面図である。図１において、１は基板で、
基板１は円盤形状に形成されており、更に基板１は上記
セラミック組成物を用いて構成されている。すなわちセ
ラミック組成物は、ＢａＴｉＯ3，ＢａＺｒＯ3，ＣａＴ
ｉＯ3から成る主成分に対して、添加物としてＰｂＴｉ
Ｏ3，ＭｎＣＯ3，ＣｅＯ2，ＭｇＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3
のうち少なくとも１つ以上を含有する構成から成る。更
にセラミック組成物としては主成分がＢａＴｉＯ3が６
４〜７１モル％、ＢａＺｒＯ3が７〜２２モル％、Ｃａ
ＴｉＯ3が１４〜２２モル％の範囲から成り、前記添加
物が前記主成分１００モル％に対してＰｂＴｉＯ3が
０．３〜７．０ｗｔ％、ＭｎＣＯ3が０．０３〜０．５
ｗｔ％、ＣｅＯ 2が０．０３〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯが
０．０１〜０．２ｗｔ％、ＳｎＯ2が０．０３〜０．４
ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．０３〜０．４ｗｔ％含まれる構
成から成る。なお、本実施例では、基板１を円盤形状に
構成したが、方形盤状でもよい。しかしながら量産性や
特性のばらつき等を考慮すると円盤形状の方が好まし
い。また、基板１は上記セラミック組成物１００％で構
成してもよいし、上記セラミック組成物を含有した組成
物で構成してもよい。
【００２６】２，３はそれぞれ基板１の両端に形成され
た電極で、電極２，３としては例えばＮｉの無電界鍍金
膜を用いても良いし、銀を焼付けた膜で構成しても良
い。また本実施例では電極２，３は基板１の縁まで届く
様に形成したが、これは製造方法が非常に簡単になり生
産性が向上するためである。更に放電などを防止するた
めには、電極２，３と端部と基板１の縁の間に間隔を設
けること、すなわち電極２，３を基板１の中心部付近に
設ける事が好ましい。
た電極で、電極２，３としては例えばＮｉの無電界鍍金
膜を用いても良いし、銀を焼付けた膜で構成しても良
い。また本実施例では電極２，３は基板１の縁まで届く
様に形成したが、これは製造方法が非常に簡単になり生
産性が向上するためである。更に放電などを防止するた
めには、電極２，３と端部と基板１の縁の間に間隔を設
けること、すなわち電極２，３を基板１の中心部付近に
設ける事が好ましい。
【００２７】４，５は電極２，３にそれぞれ接合された
リードで、リード４，５は接合材６，７で電極２，３に
接合されている。この時接合材６，７としては半田や同
伝性接着材等が用いられる。
リードで、リード４，５は接合材６，７で電極２，３に
接合されている。この時接合材６，７としては半田や同
伝性接着材等が用いられる。
【００２８】８は基板１および電極２，３を覆うように
設けられた外装材で、外装材８は絶縁材料から構成され
ている。また外装材８は絶縁性に加えて中の基板１や電
極２，３の腐食や変質などを防止するために耐候性を持
った材料で構成してもよい。更に外装材８としては難燃
性塗料で構成する事によって耐熱性をもたせても良い。
又外装材８の具体的材料としてはエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂が好ましい。
設けられた外装材で、外装材８は絶縁材料から構成され
ている。また外装材８は絶縁性に加えて中の基板１や電
極２，３の腐食や変質などを防止するために耐候性を持
った材料で構成してもよい。更に外装材８としては難燃
性塗料で構成する事によって耐熱性をもたせても良い。
又外装材８の具体的材料としてはエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂が好ましい。
【００２９】以上の様に本実施例では、容量が大きくし
かも損失が小さく更に静電容量温度変化率が良好で、し
かも交流破壊電圧が高い優れたコンデンサを提供する事
ができる。
かも損失が小さく更に静電容量温度変化率が良好で、し
かも交流破壊電圧が高い優れたコンデンサを提供する事
ができる。
【００３０】なお本実施例では、リード付のコンデンサ
を説明したが、両端に電極だけを形成した面実装用のコ
ンデンサについても同様の効果を得る事ができる。
を説明したが、両端に電極だけを形成した面実装用のコ
ンデンサについても同様の効果を得る事ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明は、ＢａＴｉＯ 3 が
６４〜７１モル％、ＢａＺｒＯ 3 が７〜２２モル％、Ｃ
ａＴｉＯ 3 が１４〜２２モル％の範囲から成る主成分１
００モル％に対して、添加物としてＰｂＴｉＯ 3 が０．
３〜７．０ｗｔ％、ＭｎＣＯ 3 が０．０３〜０．５ｗｔ
％、ＣｅＯ 2 が０．０３〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯが０．
０１〜０．２ｗｔ％、ＳｎＯ 2 が０．０３〜０．４ｗｔ
％、Ｂｉ 2 Ｏ 3 が０．０３〜０．４ｗｔ％含み、誘電率が
７５００以上と大きく、誘電体損失が０．７％以下と小
さく、静電容量温度変化率が２０゜Ｃ基準で−２５゜Ｃ
のとき−３０％以内にあり＋８５゜Ｃのとき−５０％以
内と良好で、しかも交流破壊電圧が４．０ＫＶ／ｍｍ以
上と高いため、高電圧電源の整流平滑回路、電子機器の
ＤＣ高圧回路、ＯＡ機器などの高電圧電源等に好適で、
海外安全規格認定セラミックコンデンサに広く使用され
ているセラミック組成物を実現することができるもので
ある。
６４〜７１モル％、ＢａＺｒＯ 3 が７〜２２モル％、Ｃ
ａＴｉＯ 3 が１４〜２２モル％の範囲から成る主成分１
００モル％に対して、添加物としてＰｂＴｉＯ 3 が０．
３〜７．０ｗｔ％、ＭｎＣＯ 3 が０．０３〜０．５ｗｔ
％、ＣｅＯ 2 が０．０３〜０．５ｗｔ％、ＭｇＯが０．
０１〜０．２ｗｔ％、ＳｎＯ 2 が０．０３〜０．４ｗｔ
％、Ｂｉ 2 Ｏ 3 が０．０３〜０．４ｗｔ％含み、誘電率が
７５００以上と大きく、誘電体損失が０．７％以下と小
さく、静電容量温度変化率が２０゜Ｃ基準で−２５゜Ｃ
のとき−３０％以内にあり＋８５゜Ｃのとき−５０％以
内と良好で、しかも交流破壊電圧が４．０ＫＶ／ｍｍ以
上と高いため、高電圧電源の整流平滑回路、電子機器の
ＤＣ高圧回路、ＯＡ機器などの高電圧電源等に好適で、
海外安全規格認定セラミックコンデンサに広く使用され
ているセラミック組成物を実現することができるもので
ある。
【００３２】更に上記セラミック組成物を用いたコンデ
ンサは、容量が大きくしかも損失が小さく更に静電容量
温度変化率が良好で、しかも交流破壊電圧が高く優れて
いる。
ンサは、容量が大きくしかも損失が小さく更に静電容量
温度変化率が良好で、しかも交流破壊電圧が高く優れて
いる。
【図１】本発明の一実施例におけるコンデンサを示す側
断面図
断面図
【符号の説明】
１ 基板
２，３ 電極
４，５ リード
６，７ 接合材
８ 外装材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/42 - 35/50
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】 ＢａＴｉＯ3が６４〜７１モル％、Ｂａ
ＺｒＯ3が７〜２２モル％、ＣａＴｉＯ3が１４〜２２モ
ル％の範囲から成る主成分１００モル％に対して、添加
物としてＰｂＴｉＯ3が０．３〜７．０ｗｔ％、ＭｎＣ
Ｏ3が０．０３〜０．５ｗｔ％、ＣｅＯ2が０．０３〜
０．５ｗｔ％、ＭｇＯが０．０１〜０．２ｗｔ％、Ｓｎ
Ｏ2が０．０３〜０．４ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．０３〜
０．４ｗｔ％含有することを特徴とするセラミック組成
物。 - 【請求項２】 基板と、前記基板の両端に設けられた電
極を備え、前記基板が請求項１記載のセラミック組成物
を含む事を特徴とするコンデンサ。 - 【請求項３】 基板と、前記基板の両端に設けられた電
極と、前記電極にそれぞれ接続された端子と、前記基板
および電極を覆う外装材とを備え、前記基板が請求項１
記載のセラミック組成物を含む事を特徴とするコンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14923594A JP3404897B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | セラミック組成物及びコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14923594A JP3404897B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | セラミック組成物及びコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0812427A JPH0812427A (ja) | 1996-01-16 |
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