JPS58155601A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS58155601A JPS58155601A JP57038446A JP3844682A JPS58155601A JP S58155601 A JPS58155601 A JP S58155601A JP 57038446 A JP57038446 A JP 57038446A JP 3844682 A JP3844682 A JP 3844682A JP S58155601 A JPS58155601 A JP S58155601A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- weight
- parts
- high dielectric
- porcelain composition
- Prior art date
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸バリウムＢａＴ ｉ○３を主体とし、
チタン酸カルシウムＣａＴ ｉ○３．酸化ニオブＮｂ２
０５（または酸化タンタルＴａ２０６）を添加した組成
物に、さらに微粉末二酸化マンガンＭｎＯ２を添加して
得る事を特徴とする高誘電率磁器組成物に簡するもので
ある。
チタン酸カルシウムＣａＴ ｉ○３．酸化ニオブＮｂ２
０５（または酸化タンタルＴａ２０６）を添加した組成
物に、さらに微粉末二酸化マンガンＭｎＯ２を添加して
得る事を特徴とする高誘電率磁器組成物に簡するもので
ある。
従来より、チタン酸バリウムを主体とする高誘電率組成
物は数多く提案され、特に単板磁器コンデンサに使用さ
れている。
物は数多く提案され、特に単板磁器コンデンサに使用さ
れている。
チタン酸バリウムは強誘電性を有する材料であり、その
キーリ一点は１２０℃十′近にある。このキュリ一点を
境にして低温側では上方晶系、高温側では立方晶になる
。そして、Ｎ′、方晶の領域では常誘電性を示す事はよ
く知られている。
キーリ一点は１２０℃十′近にある。このキュリ一点を
境にして低温側では上方晶系、高温側では立方晶になる
。そして、Ｎ′、方晶の領域では常誘電性を示す事はよ
く知られている。
かかるチタン酸バリウム単犯ｆｃ ＠器の誘電率は常温
付近の温度範囲において）うて温度による変化が大きく
誘電損失も大きいた′°）、単独でコンデンサとして使
用される事はほとんどなく、従来様々の添加物を加えて
キュリ一点・？常温付近に移動させ、また誘電率の温度
変化を小さくする工夫がなされている。この代表的な添
加物として、ＣａＴ ｔｏ３．ＢａＺ ｒｏ３． Ｓ
ｒＴ ｉｏ３．ＢａＳｎ○３＋ Ｃａ Ｓ ｎｏ３等が
よく知られている。これらを適当に添加し、さらに微量
成分により補正する事により、たとえばＥＩＡ規格ニ基
づ（Ｘ７Ｒ，ＹｓＴ、Ｙ５Ｖ、Ｚ４Ｖ等の特性材料とし
て供されている。これらの材料については従来一般に素
子厚みが０６〜１０謔と厚い単板凰の磁器コンデンサと
して利用されているの−が実状である。
付近の温度範囲において）うて温度による変化が大きく
誘電損失も大きいた′°）、単独でコンデンサとして使
用される事はほとんどなく、従来様々の添加物を加えて
キュリ一点・？常温付近に移動させ、また誘電率の温度
変化を小さくする工夫がなされている。この代表的な添
加物として、ＣａＴ ｔｏ３．ＢａＺ ｒｏ３． Ｓ
ｒＴ ｉｏ３．ＢａＳｎ○３＋ Ｃａ Ｓ ｎｏ３等が
よく知られている。これらを適当に添加し、さらに微量
成分により補正する事により、たとえばＥＩＡ規格ニ基
づ（Ｘ７Ｒ，ＹｓＴ、Ｙ５Ｖ、Ｚ４Ｖ等の特性材料とし
て供されている。これらの材料については従来一般に素
子厚みが０６〜１０謔と厚い単板凰の磁器コンデンサと
して利用されているの−が実状である。
近年、各種エレクトロニクス関係部品の小型化が進んで
おり、積層セラミックコンデンサについてはその最たる
ものでおる。この檀゛層セラミックコンデンサは磁器誘
電体を２６〜１００μｍ 程度に薄膜化し、クシ型構造
電極に挾まれた多層構造をなすものであり、電極面積及
び電極間距離の比率を極めて大きくする事が可能なため
、体積当りの容量が単板型コンデンサに比して１００倍
以上も大きくする事ができ、同一静電容量を１／１０以
下と小さい体積で確保できるため、非常に小型化が容易
である。
おり、積層セラミックコンデンサについてはその最たる
ものでおる。この檀゛層セラミックコンデンサは磁器誘
電体を２６〜１００μｍ 程度に薄膜化し、クシ型構造
電極に挾まれた多層構造をなすものであり、電極面積及
び電極間距離の比率を極めて大きくする事が可能なため
、体積当りの容量が単板型コンデンサに比して１００倍
以上も大きくする事ができ、同一静電容量を１／１０以
下と小さい体積で確保できるため、非常に小型化が容易
である。
しかしながら、このような磁器誘電体薄膜を使用した場
合、従来の単板型の磁器組成がすぐに適用できないのが
実状である。すなわち、単位長光りの電圧が従来の１０
倍以上負荷される事になるために、磁器誘電率及び誘電
損失の電圧依存性の小さい材料が要求されるに至った０
また、最近プリント基板への直付は方式により、プリン
ト基板のたわみによ゛り破壊しないような強い材料、さ
らに直付けする際に４００℃以上の高温にさらされる場
合もある半田付けに対して耐熱衝撃性の高い材料が要求
されている。特に、ＪＩＳ規格でＹＤ特性あるいはＥＩ
Ａ規格でＹｓＴ特性のものが電子チューナ関係に多数必
要とされており、誘電率が３０００以上、ｔａｎδが２
．０係以下で１〜１ｏ○ＭＨｚの周波数帯で等価直列抵
抗の低いものが要求されている。また、半田耐熱温度は
３００℃以上、時には４００℃程度の苛酷な条件〒でも
使用できるようなものが要求されてきている。
合、従来の単板型の磁器組成がすぐに適用できないのが
実状である。すなわち、単位長光りの電圧が従来の１０
倍以上負荷される事になるために、磁器誘電率及び誘電
損失の電圧依存性の小さい材料が要求されるに至った０
また、最近プリント基板への直付は方式により、プリン
ト基板のたわみによ゛り破壊しないような強い材料、さ
らに直付けする際に４００℃以上の高温にさらされる場
合もある半田付けに対して耐熱衝撃性の高い材料が要求
されている。特に、ＪＩＳ規格でＹＤ特性あるいはＥＩ
Ａ規格でＹｓＴ特性のものが電子チューナ関係に多数必
要とされており、誘電率が３０００以上、ｔａｎδが２
．０係以下で１〜１ｏ○ＭＨｚの周波数帯で等価直列抵
抗の低いものが要求されている。また、半田耐熱温度は
３００℃以上、時には４００℃程度の苛酷な条件〒でも
使用できるようなものが要求されてきている。
本発明は上記にかんがみ、種々実験を積重ねた末、電圧
依存性が小さく、曲げ強度が大きく、高周波特性の良好
な事に加えて、耐熱衝撃性の良好な高誘電率磁器組成物
を提供できたものである。
依存性が小さく、曲げ強度が大きく、高周波特性の良好
な事に加えて、耐熱衝撃性の良好な高誘電率磁器組成物
を提供できたものである。
以下、実施例に基づき、本発明を説明する。
〈実施例〉
Ｂ ａＴ １Ｏ３（純度９８係以上）１００重量部に対
して、ＣａＴ ｉＯｓが１〜６重量部、Ｎｂ２Ｏ５が１
〜４重量部からなる組成物に対して、さらに微粉末のＭ
ｎＯ２を種々の割合で添加してボールミルにて十分に混
合する。この混合粉末１００重量部に対してポリビニル
ブチラール７〜８重量部、酢酸ｎ −ブチル１０〜１５
重量部、酢酸エチル３５〜４゜重量部及びジブチルフタ
レート３〜４重量部を添加混合して得たスラリーを用い
、ブレード工法にて８０±５μｍのシートを作製する。
して、ＣａＴ ｉＯｓが１〜６重量部、Ｎｂ２Ｏ５が１
〜４重量部からなる組成物に対して、さらに微粉末のＭ
ｎＯ２を種々の割合で添加してボールミルにて十分に混
合する。この混合粉末１００重量部に対してポリビニル
ブチラール７〜８重量部、酢酸ｎ −ブチル１０〜１５
重量部、酢酸エチル３５〜４゜重量部及びジブチルフタ
レート３〜４重量部を添加混合して得たスラリーを用い
、ブレード工法にて８０±５μｍのシートを作製する。
このシートを用い、パラジウムペーストを内部電極とし
て積層し、切断して後、１２６０〜１４００ ℃で１〜
５時間焼成する。この後、上記のようにして得た素体の
両端にＡｇ−ｐｄヘーストを付着し、８ｏｏ〜９００℃
で焼付けて端子電極とする。このようにして得た積層セ
ラミックコンデンサの断面図を図に示している。図中、
１は本発明の磁器組成物からなる磁器誘電体、２は内部
電極、３は端子電極である。
て積層し、切断して後、１２６０〜１４００ ℃で１〜
５時間焼成する。この後、上記のようにして得た素体の
両端にＡｇ−ｐｄヘーストを付着し、８ｏｏ〜９００℃
で焼付けて端子電極とする。このようにして得た積層セ
ラミックコンデンサの断面図を図に示している。図中、
１は本発明の磁器組成物からなる磁器誘電体、２は内部
電極、３は端子電極である。
また、素子の外径は３０７ｍｍＸ１５６ｍｍＸＱ５６ｍ
ｍである。
ｍである。
下記の表は微粉末Ｍｎｏ２の粒径をパラメータとして、
ＭｎＯ２添加量と諸性能の関係を示したものである。表
中、Ｃ２６は２６℃でＩ ＫＨｚ 、 Ａ ＣＩ Ｖに
て測定した静電容量、ｔａｎδはこの時の誘電損失を示
す。また、■・ＲはＤＣ６０ｖで測定した絶縁抵抗、Ｂ
ＤＶは昇圧破壊電圧、ＥＳＲは１００ＭＨｚ におけ
る等価直列抵抗、Ｔ−８は熱衝撃に耐える最高温度であ
る。さらに、Ｐは抗折力を示し、この抗折力Ｐは２．５
ｍｍのスパンで素体を支持し、素体中央部を０５ ｍｍ
巾のナイフで押えた時の破壊直前の圧力である。
ＭｎＯ２添加量と諸性能の関係を示したものである。表
中、Ｃ２６は２６℃でＩ ＫＨｚ 、 Ａ ＣＩ Ｖに
て測定した静電容量、ｔａｎδはこの時の誘電損失を示
す。また、■・ＲはＤＣ６０ｖで測定した絶縁抵抗、Ｂ
ＤＶは昇圧破壊電圧、ＥＳＲは１００ＭＨｚ におけ
る等価直列抵抗、Ｔ−８は熱衝撃に耐える最高温度であ
る。さらに、Ｐは抗折力を示し、この抗折力Ｐは２．５
ｍｍのスパンで素体を支持し、素体中央部を０５ ｍｍ
巾のナイフで押えた時の破壊直前の圧力である。
（以下余白）
上記表から明らかなように、ＭｎＯ２の添加量を００１
５〜０６重量部（ＢａＴｉＯ３１００重量部に対して）
、添加した場合において、ＭｎＯ２の平均粒径が１μｍ
以下ならば、特にＥＳＲ及びＴ−８が良好な事が認めら
れる。さらに、ＭｎＯ２が微細な程この効果は顕著であ
る。また、温度特性について表中に示さなかったが、表
中の試料については全てＥＩＡ規格でＹｓＴ特性である
。すなわち、−２５℃から＋８６℃の範囲で２５℃の静
電容量に対して＋２２チ〜−３３チの容量変化率以内で
ある。
５〜０６重量部（ＢａＴｉＯ３１００重量部に対して）
、添加した場合において、ＭｎＯ２の平均粒径が１μｍ
以下ならば、特にＥＳＲ及びＴ−８が良好な事が認めら
れる。さらに、ＭｎＯ２が微細な程この効果は顕著であ
る。また、温度特性について表中に示さなかったが、表
中の試料については全てＥＩＡ規格でＹｓＴ特性である
。すなわち、−２５℃から＋８６℃の範囲で２５℃の静
電容量に対して＋２２チ〜−３３チの容量変化率以内で
ある。
以上述べたように、本発明に基づく磁器組成物により、
高周波特性を代表するＥＳＲ及びプリント基板への直付
は方式の際に要求されつつある耐熱衝撃性を有する積層
セラミックコンデンサを提供する事が可能であり、特に
チューナ向けに利用さ−るＹｓＴ特性の積層セラミック
コンデサの製造には最適なものであり、この方面に利用
されるＹｓＴ特性積層セラミックコンデンサが近年急速
に増加しているだけにその産業的価値は高いといえる。
高周波特性を代表するＥＳＲ及びプリント基板への直付
は方式の際に要求されつつある耐熱衝撃性を有する積層
セラミックコンデンサを提供する事が可能であり、特に
チューナ向けに利用さ−るＹｓＴ特性の積層セラミック
コンデサの製造には最適なものであり、この方面に利用
されるＹｓＴ特性積層セラミックコンデンサが近年急速
に増加しているだけにその産業的価値は高いといえる。
尚、実施例ではＢａＴｉＯ３，ＣａＴｉ３．Ｎｂ２０５
２Ｍｎｏ２からなる組成について述べたが、Ｎｂ２ｏ５
の代りに同属化合物のＴａ２Ｑ６を用いても同等の効果
が得られる烏のである。捷だ、本発明は実施例に示す積
層構造でなくても同様の効果が得られる事はいうまでも
なく、単体コンデンサとしても有効である。
２Ｍｎｏ２からなる組成について述べたが、Ｎｂ２ｏ５
の代りに同属化合物のＴａ２Ｑ６を用いても同等の効果
が得られる烏のである。捷だ、本発明は実施例に示す積
層構造でなくても同様の効果が得られる事はいうまでも
なく、単体コンデンサとしても有効である。
図は本発明の磁器組成物を用いて得た積層セラミックコ
ンデンサを示す一部切欠正面図である。
ンデンサを示す一部切欠正面図である。
Claims (1)
- ＢａＴｉ０３１００重量部に対して０８７１０３１〜５
重量部、Ｎｂ２０５（またはＴａ２０３）１〜４重量部
よりなる組成物に対して、さらに平均粒径１０μｍ以下
のＭｎＯ２を００６〜０５重量部添加してなる事を特徴
とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038446A JPS5951097B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038446A JPS5951097B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155601A true JPS58155601A (ja) | 1983-09-16 |
| JPS5951097B2 JPS5951097B2 (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=12525514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57038446A Expired JPS5951097B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951097B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016130350A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | コーティング膜を備える構造体およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231259A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-15 | セ−レン株式会社 | 有毛布帛の立毛加工法 |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP57038446A patent/JPS5951097B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016130350A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | コーティング膜を備える構造体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5951097B2 (ja) | 1984-12-12 |
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