JPS58155601A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS58155601A JPS58155601A JP57038446A JP3844682A JPS58155601A JP S58155601 A JPS58155601 A JP S58155601A JP 57038446 A JP57038446 A JP 57038446A JP 3844682 A JP3844682 A JP 3844682A JP S58155601 A JPS58155601 A JP S58155601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- weight
- parts
- high dielectric
- porcelain composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸バリウムBaT i○3を主体とし、
チタン酸カルシウムCaT i○3.酸化ニオブNb2
05(または酸化タンタルTa206)を添加した組成
物に、さらに微粉末二酸化マンガンMnO2を添加して
得る事を特徴とする高誘電率磁器組成物に簡するもので
ある。
チタン酸カルシウムCaT i○3.酸化ニオブNb2
05(または酸化タンタルTa206)を添加した組成
物に、さらに微粉末二酸化マンガンMnO2を添加して
得る事を特徴とする高誘電率磁器組成物に簡するもので
ある。
従来より、チタン酸バリウムを主体とする高誘電率組成
物は数多く提案され、特に単板磁器コンデンサに使用さ
れている。
物は数多く提案され、特に単板磁器コンデンサに使用さ
れている。
チタン酸バリウムは強誘電性を有する材料であり、その
キーリ一点は120℃十′近にある。このキュリ一点を
境にして低温側では上方晶系、高温側では立方晶になる
。そして、N′、方晶の領域では常誘電性を示す事はよ
く知られている。
キーリ一点は120℃十′近にある。このキュリ一点を
境にして低温側では上方晶系、高温側では立方晶になる
。そして、N′、方晶の領域では常誘電性を示す事はよ
く知られている。
かかるチタン酸バリウム単犯fc @器の誘電率は常温
付近の温度範囲において)うて温度による変化が大きく
誘電損失も大きいた′°)、単独でコンデンサとして使
用される事はほとんどなく、従来様々の添加物を加えて
キュリ一点・?常温付近に移動させ、また誘電率の温度
変化を小さくする工夫がなされている。この代表的な添
加物として、CaT to3.BaZ ro3. S
rT io3.BaSn○3+ Ca S no3等が
よく知られている。これらを適当に添加し、さらに微量
成分により補正する事により、たとえばEIA規格ニ基
づ(X7R,YsT、Y5V、Z4V等の特性材料とし
て供されている。これらの材料については従来一般に素
子厚みが06〜10謔と厚い単板凰の磁器コンデンサと
して利用されているの−が実状である。
付近の温度範囲において)うて温度による変化が大きく
誘電損失も大きいた′°)、単独でコンデンサとして使
用される事はほとんどなく、従来様々の添加物を加えて
キュリ一点・?常温付近に移動させ、また誘電率の温度
変化を小さくする工夫がなされている。この代表的な添
加物として、CaT to3.BaZ ro3. S
rT io3.BaSn○3+ Ca S no3等が
よく知られている。これらを適当に添加し、さらに微量
成分により補正する事により、たとえばEIA規格ニ基
づ(X7R,YsT、Y5V、Z4V等の特性材料とし
て供されている。これらの材料については従来一般に素
子厚みが06〜10謔と厚い単板凰の磁器コンデンサと
して利用されているの−が実状である。
近年、各種エレクトロニクス関係部品の小型化が進んで
おり、積層セラミックコンデンサについてはその最たる
ものでおる。この檀゛層セラミックコンデンサは磁器誘
電体を26〜100μm 程度に薄膜化し、クシ型構造
電極に挾まれた多層構造をなすものであり、電極面積及
び電極間距離の比率を極めて大きくする事が可能なため
、体積当りの容量が単板型コンデンサに比して100倍
以上も大きくする事ができ、同一静電容量を1/10以
下と小さい体積で確保できるため、非常に小型化が容易
である。
おり、積層セラミックコンデンサについてはその最たる
ものでおる。この檀゛層セラミックコンデンサは磁器誘
電体を26〜100μm 程度に薄膜化し、クシ型構造
電極に挾まれた多層構造をなすものであり、電極面積及
び電極間距離の比率を極めて大きくする事が可能なため
、体積当りの容量が単板型コンデンサに比して100倍
以上も大きくする事ができ、同一静電容量を1/10以
下と小さい体積で確保できるため、非常に小型化が容易
である。
しかしながら、このような磁器誘電体薄膜を使用した場
合、従来の単板型の磁器組成がすぐに適用できないのが
実状である。すなわち、単位長光りの電圧が従来の10
倍以上負荷される事になるために、磁器誘電率及び誘電
損失の電圧依存性の小さい材料が要求されるに至った0
また、最近プリント基板への直付は方式により、プリン
ト基板のたわみによ゛り破壊しないような強い材料、さ
らに直付けする際に400℃以上の高温にさらされる場
合もある半田付けに対して耐熱衝撃性の高い材料が要求
されている。特に、JIS規格でYD特性あるいはEI
A規格でYsT特性のものが電子チューナ関係に多数必
要とされており、誘電率が3000以上、tanδが2
.0係以下で1〜1o○MHzの周波数帯で等価直列抵
抗の低いものが要求されている。また、半田耐熱温度は
300℃以上、時には400℃程度の苛酷な条件〒でも
使用できるようなものが要求されてきている。
合、従来の単板型の磁器組成がすぐに適用できないのが
実状である。すなわち、単位長光りの電圧が従来の10
倍以上負荷される事になるために、磁器誘電率及び誘電
損失の電圧依存性の小さい材料が要求されるに至った0
また、最近プリント基板への直付は方式により、プリン
ト基板のたわみによ゛り破壊しないような強い材料、さ
らに直付けする際に400℃以上の高温にさらされる場
合もある半田付けに対して耐熱衝撃性の高い材料が要求
されている。特に、JIS規格でYD特性あるいはEI
A規格でYsT特性のものが電子チューナ関係に多数必
要とされており、誘電率が3000以上、tanδが2
.0係以下で1〜1o○MHzの周波数帯で等価直列抵
抗の低いものが要求されている。また、半田耐熱温度は
300℃以上、時には400℃程度の苛酷な条件〒でも
使用できるようなものが要求されてきている。
本発明は上記にかんがみ、種々実験を積重ねた末、電圧
依存性が小さく、曲げ強度が大きく、高周波特性の良好
な事に加えて、耐熱衝撃性の良好な高誘電率磁器組成物
を提供できたものである。
依存性が小さく、曲げ強度が大きく、高周波特性の良好
な事に加えて、耐熱衝撃性の良好な高誘電率磁器組成物
を提供できたものである。
以下、実施例に基づき、本発明を説明する。
〈実施例〉
B aT 1O3(純度98係以上)100重量部に対
して、CaT iOsが1〜6重量部、Nb2O5が1
〜4重量部からなる組成物に対して、さらに微粉末のM
nO2を種々の割合で添加してボールミルにて十分に混
合する。この混合粉末100重量部に対してポリビニル
ブチラール7〜8重量部、酢酸n −ブチル10〜15
重量部、酢酸エチル35〜4゜重量部及びジブチルフタ
レート3〜4重量部を添加混合して得たスラリーを用い
、ブレード工法にて80±5μmのシートを作製する。
して、CaT iOsが1〜6重量部、Nb2O5が1
〜4重量部からなる組成物に対して、さらに微粉末のM
nO2を種々の割合で添加してボールミルにて十分に混
合する。この混合粉末100重量部に対してポリビニル
ブチラール7〜8重量部、酢酸n −ブチル10〜15
重量部、酢酸エチル35〜4゜重量部及びジブチルフタ
レート3〜4重量部を添加混合して得たスラリーを用い
、ブレード工法にて80±5μmのシートを作製する。
このシートを用い、パラジウムペーストを内部電極とし
て積層し、切断して後、1260〜1400 ℃で1〜
5時間焼成する。この後、上記のようにして得た素体の
両端にAg−pdヘーストを付着し、8oo〜900℃
で焼付けて端子電極とする。このようにして得た積層セ
ラミックコンデンサの断面図を図に示している。図中、
1は本発明の磁器組成物からなる磁器誘電体、2は内部
電極、3は端子電極である。
て積層し、切断して後、1260〜1400 ℃で1〜
5時間焼成する。この後、上記のようにして得た素体の
両端にAg−pdヘーストを付着し、8oo〜900℃
で焼付けて端子電極とする。このようにして得た積層セ
ラミックコンデンサの断面図を図に示している。図中、
1は本発明の磁器組成物からなる磁器誘電体、2は内部
電極、3は端子電極である。
また、素子の外径は307mmX156mmXQ56m
mである。
mである。
下記の表は微粉末Mno2の粒径をパラメータとして、
MnO2添加量と諸性能の関係を示したものである。表
中、C26は26℃でI KHz 、 A CI Vに
て測定した静電容量、tanδはこの時の誘電損失を示
す。また、■・RはDC60vで測定した絶縁抵抗、B
DVは昇圧破壊電圧、ESRは100MHz におけ
る等価直列抵抗、T−8は熱衝撃に耐える最高温度であ
る。さらに、Pは抗折力を示し、この抗折力Pは2.5
mmのスパンで素体を支持し、素体中央部を05 mm
巾のナイフで押えた時の破壊直前の圧力である。
MnO2添加量と諸性能の関係を示したものである。表
中、C26は26℃でI KHz 、 A CI Vに
て測定した静電容量、tanδはこの時の誘電損失を示
す。また、■・RはDC60vで測定した絶縁抵抗、B
DVは昇圧破壊電圧、ESRは100MHz におけ
る等価直列抵抗、T−8は熱衝撃に耐える最高温度であ
る。さらに、Pは抗折力を示し、この抗折力Pは2.5
mmのスパンで素体を支持し、素体中央部を05 mm
巾のナイフで押えた時の破壊直前の圧力である。
(以下余白)
上記表から明らかなように、MnO2の添加量を001
5〜06重量部(BaTiO3100重量部に対して)
、添加した場合において、MnO2の平均粒径が1μm
以下ならば、特にESR及びT−8が良好な事が認めら
れる。さらに、MnO2が微細な程この効果は顕著であ
る。また、温度特性について表中に示さなかったが、表
中の試料については全てEIA規格でYsT特性である
。すなわち、−25℃から+86℃の範囲で25℃の静
電容量に対して+22チ〜−33チの容量変化率以内で
ある。
5〜06重量部(BaTiO3100重量部に対して)
、添加した場合において、MnO2の平均粒径が1μm
以下ならば、特にESR及びT−8が良好な事が認めら
れる。さらに、MnO2が微細な程この効果は顕著であ
る。また、温度特性について表中に示さなかったが、表
中の試料については全てEIA規格でYsT特性である
。すなわち、−25℃から+86℃の範囲で25℃の静
電容量に対して+22チ〜−33チの容量変化率以内で
ある。
以上述べたように、本発明に基づく磁器組成物により、
高周波特性を代表するESR及びプリント基板への直付
は方式の際に要求されつつある耐熱衝撃性を有する積層
セラミックコンデンサを提供する事が可能であり、特に
チューナ向けに利用さ−るYsT特性の積層セラミック
コンデサの製造には最適なものであり、この方面に利用
されるYsT特性積層セラミックコンデンサが近年急速
に増加しているだけにその産業的価値は高いといえる。
高周波特性を代表するESR及びプリント基板への直付
は方式の際に要求されつつある耐熱衝撃性を有する積層
セラミックコンデンサを提供する事が可能であり、特に
チューナ向けに利用さ−るYsT特性の積層セラミック
コンデサの製造には最適なものであり、この方面に利用
されるYsT特性積層セラミックコンデンサが近年急速
に増加しているだけにその産業的価値は高いといえる。
尚、実施例ではBaTiO3,CaTi3.Nb205
2Mno2からなる組成について述べたが、Nb2o5
の代りに同属化合物のTa2Q6を用いても同等の効果
が得られる烏のである。捷だ、本発明は実施例に示す積
層構造でなくても同様の効果が得られる事はいうまでも
なく、単体コンデンサとしても有効である。
2Mno2からなる組成について述べたが、Nb2o5
の代りに同属化合物のTa2Q6を用いても同等の効果
が得られる烏のである。捷だ、本発明は実施例に示す積
層構造でなくても同様の効果が得られる事はいうまでも
なく、単体コンデンサとしても有効である。
図は本発明の磁器組成物を用いて得た積層セラミックコ
ンデンサを示す一部切欠正面図である。
ンデンサを示す一部切欠正面図である。
Claims (1)
- BaTi03100重量部に対して0871031〜5
重量部、Nb205(またはTa203)1〜4重量部
よりなる組成物に対して、さらに平均粒径10μm以下
のMnO2を006〜05重量部添加してなる事を特徴
とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57038446A JPS5951097B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57038446A JPS5951097B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58155601A true JPS58155601A (ja) | 1983-09-16 |
JPS5951097B2 JPS5951097B2 (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=12525514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57038446A Expired JPS5951097B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5951097B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016130350A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | コーティング膜を備える構造体およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61231259A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-15 | セ−レン株式会社 | 有毛布帛の立毛加工法 |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP57038446A patent/JPS5951097B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016130350A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | コーティング膜を備える構造体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5951097B2 (ja) | 1984-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS589877A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
WO1983002270A1 (en) | High dielectric constant porcelain composition | |
JP3146966B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
JPS58155601A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS5920905A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
JPS5994302A (ja) | 積層コンデンサ用誘電体磁器組成物 | |
JP2789110B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
JPS6134207B2 (ja) | ||
JP3120500B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP3109171B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPS58142704A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS6051205B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JP3185333B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPS599806A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS59162172A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
JPH0249307A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3333017B2 (ja) | 温度補償用誘電体磁器組成物 | |
JPS61101460A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS58108606A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS63156062A (ja) | 高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
JPS58223668A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS6133251B2 (ja) | ||
JPS58223670A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS6134208B2 (ja) | ||
JPH037621B2 (ja) |