JPS5920905A - 高誘電率系磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5920905A JPS5920905A JP57092392A JP9239282A JPS5920905A JP S5920905 A JPS5920905 A JP S5920905A JP 57092392 A JP57092392 A JP 57092392A JP 9239282 A JP9239282 A JP 9239282A JP S5920905 A JPS5920905 A JP S5920905A
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- Japan
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a)発明の技術分野
本発明は、積層セラミックコンデンサ等の誘電体材料と
して適する高誘電率系磁器組成物に関する。
して適する高誘電率系磁器組成物に関する。
山)従来技術とその問題点
従来から高誘電率系磁器材料として、チタン酸バリウム
(BaTi03 )が用いられているが、よく知られて
いるように、BaTi0z単体の誘電率の温度特性は平
坦ではない。そこで誘電率の温度特性を改善するために
、チタン酸マグネシウム(MgTi03)、チタン酸ビ
スマス(Biz (TiO3) 3 )、錫酸ビスマ
ス(Biz (SnO3) 3 )などを添加して、
−55〜+ 125℃という広い温度範囲で±15%以
内の平坦な特性を実現することはできるが、常温での誘
電率は1500〜1800と低く、且つ経時変化特性即
ちエージング(Aging )特性も悪かった。
(BaTi03 )が用いられているが、よく知られて
いるように、BaTi0z単体の誘電率の温度特性は平
坦ではない。そこで誘電率の温度特性を改善するために
、チタン酸マグネシウム(MgTi03)、チタン酸ビ
スマス(Biz (TiO3) 3 )、錫酸ビスマ
ス(Biz (SnO3) 3 )などを添加して、
−55〜+ 125℃という広い温度範囲で±15%以
内の平坦な特性を実現することはできるが、常温での誘
電率は1500〜1800と低く、且つ経時変化特性即
ちエージング(Aging )特性も悪かった。
また焼成温度が高くなり、銀などのような融点が低く安
価な材料を電極として使用できない。また誘電体中のビ
スマスと電極のパラジウム(Pd)や白金(Pt)との
反応性も強いため、内部電極を形成してから焼成するよ
うな多層セラミックコンデンサにおいては、反応が起り
不適当である。焼成温度で反応が起きず且つ融点の高い
金(^U)を使用するとなると、コスト高となる。
価な材料を電極として使用できない。また誘電体中のビ
スマスと電極のパラジウム(Pd)や白金(Pt)との
反応性も強いため、内部電極を形成してから焼成するよ
うな多層セラミックコンデンサにおいては、反応が起り
不適当である。焼成温度で反応が起きず且つ融点の高い
金(^U)を使用するとなると、コスト高となる。
(C)発明の目的
本発明は、従来の高誘電率系磁器組成物おけるこのよう
な問題を解消し、誘電率の温度特性を広範囲にわたって
均一化すると共に1、當温における誘電率が充分に高く
経時変化特性にも勝れ、かつ銀を50%以上含有する材
料でも内部電極として使用できる程度の低い温度で焼成
可能な高誘電率系磁器組成物を得られるようにすること
を目的とする。
な問題を解消し、誘電率の温度特性を広範囲にわたって
均一化すると共に1、當温における誘電率が充分に高く
経時変化特性にも勝れ、かつ銀を50%以上含有する材
料でも内部電極として使用できる程度の低い温度で焼成
可能な高誘電率系磁器組成物を得られるようにすること
を目的とする。
(d)発明の構成
この目的を達成するために本発明は、
チタン酸バリウムを主剤とし、
Nb+Osに換算して0.25〜2.0モル%Nd+O
:+に換算して0,05〜0.2モル%MnOr に
換算して0.01〜0.05重量%Coo に換算
して0.1−0.3 ji量%MgOに換算して0.0
1〜0.10重量%CaTiOxに換算して0.1〜1
.0重量%の成分がそれぞれ単独でまたは組合せないし
は各元素毎に添加または固溶されている構成を採ってい
る。従って、Mn0z 、Coo、MgO1CaTiO
3はそれぞれ、例えばMnO,Mn2O3またはMnC
O3、CO20s、CaO、TiOr等として添加して
もよし)。
:+に換算して0,05〜0.2モル%MnOr に
換算して0.01〜0.05重量%Coo に換算
して0.1−0.3 ji量%MgOに換算して0.0
1〜0.10重量%CaTiOxに換算して0.1〜1
.0重量%の成分がそれぞれ単独でまたは組合せないし
は各元素毎に添加または固溶されている構成を採ってい
る。従って、Mn0z 、Coo、MgO1CaTiO
3はそれぞれ、例えばMnO,Mn2O3またはMnC
O3、CO20s、CaO、TiOr等として添加して
もよし)。
つまりMn、 Go、Mg、 Ca、 Tiとして同一
モル量添加されておれば足りる。またBaTiO3の一
部を、BaCO3とTiOz として添加しても同しこ
とである。
モル量添加されておれば足りる。またBaTiO3の一
部を、BaCO3とTiOz として添加しても同しこ
とである。
te+発明の実施例
次に本発明による高誘電率系磁器組成物の実施例を説明
する。純度99.8%以上の原料粉末を用い、秤量調合
後、粉末に対して15重量%の有機ノ\インダ(エチル
セルロース、ポリビニルブチラル)およびメチルエチル
ケトン(MEK )、テルピネオールを溶剤として添加
し、酸化アルミニウム(^1203)ポールを使用して
12時時間式ボールミル混合を行なった。
する。純度99.8%以上の原料粉末を用い、秤量調合
後、粉末に対して15重量%の有機ノ\インダ(エチル
セルロース、ポリビニルブチラル)およびメチルエチル
ケトン(MEK )、テルピネオールを溶剤として添加
し、酸化アルミニウム(^1203)ポールを使用して
12時時間式ボールミル混合を行なった。
混合を終了したスラリーは、脱泡後粘度調整を行なって
、印刷用誘電体ペーストとした。このペーストを用いて
焼成後寸法、2 X 4.5mm角の単層チップコンデ
ンサ(焼成後誘電体厚15〜20μm、内部電極Pd)
を試作し、すべての誘電特性を評価した。
、印刷用誘電体ペーストとした。このペーストを用いて
焼成後寸法、2 X 4.5mm角の単層チップコンデ
ンサ(焼成後誘電体厚15〜20μm、内部電極Pd)
を試作し、すべての誘電特性を評価した。
このようにして添加剤組成の異なる試料コンデンサを各
種作成し、それぞれにつむ)で得られた1l1111定
結果を、表引にまとめて記す。なお演11定周波数およ
び測定電圧はそれぞれI KHz 、’ IVrmsと
し、端子電極焼付け(850℃で10分)後、24時間
後Gこ測定を行なった。また誘電率の経時変化番よ、端
子焼成後席温に達した時点より1時間後の誘電率をε1
.10時間後の誘電率をε、。とじ、変化率y7=−’
i”−xlOO(%/ decade)として算出した
。
種作成し、それぞれにつむ)で得られた1l1111定
結果を、表引にまとめて記す。なお演11定周波数およ
び測定電圧はそれぞれI KHz 、’ IVrmsと
し、端子電極焼付け(850℃で10分)後、24時間
後Gこ測定を行なった。また誘電率の経時変化番よ、端
子焼成後席温に達した時点より1時間後の誘電率をε1
.10時間後の誘電率をε、。とじ、変化率y7=−’
i”−xlOO(%/ decade)として算出した
。
表・1において、本発明の構成番こよれLf、所期の効
果が得られることを説明する。試料No、 21で示さ
れるように、酸化ニオブ(Nb20s )、力(、特許
請求の範囲で規定している上限の2.0モル%を越えて
2.5モル%になっている。また試料No、 22で示
されるように、酸化ネオジム(Ndz 03 )力(特
許請求の範囲で規定している上限の0.2モル%を越え
て 0.3モル%に達している。このようもこ酸化ニオ
ブと酸化ネオジムが多過ぎると、誘電率の温度特性が要
求特性を満足できず、また轟秀電率カベ1900以下と
極端に小さくなる。試料No、 24に示されるように
、酸化ニオブと酸化ネオジムが少なくなった場合も、同
様に温度特性と誘電率が悪化する。ところが試料No、
25に見られるように、酸化ネオジムの添加量が0.
05モル%と下限ぎりぎりの値であっても、酸化ニオブ
が下限より充分多く0.3程度であれば、温度特性は要
求を満たしており、誘電率も改善される。これに対し試
料No、1に見られるように、酸化ネオジムおよび酸化
ニオブの両方共増やすと、温度特性および経時変化特性
が悪く、誘電損 tanδも大きくなる。
果が得られることを説明する。試料No、 21で示さ
れるように、酸化ニオブ(Nb20s )、力(、特許
請求の範囲で規定している上限の2.0モル%を越えて
2.5モル%になっている。また試料No、 22で示
されるように、酸化ネオジム(Ndz 03 )力(特
許請求の範囲で規定している上限の0.2モル%を越え
て 0.3モル%に達している。このようもこ酸化ニオ
ブと酸化ネオジムが多過ぎると、誘電率の温度特性が要
求特性を満足できず、また轟秀電率カベ1900以下と
極端に小さくなる。試料No、 24に示されるように
、酸化ニオブと酸化ネオジムが少なくなった場合も、同
様に温度特性と誘電率が悪化する。ところが試料No、
25に見られるように、酸化ネオジムの添加量が0.
05モル%と下限ぎりぎりの値であっても、酸化ニオブ
が下限より充分多く0.3程度であれば、温度特性は要
求を満たしており、誘電率も改善される。これに対し試
料No、1に見られるように、酸化ネオジムおよび酸化
ニオブの両方共増やすと、温度特性および経時変化特性
が悪く、誘電損 tanδも大きくなる。
酸化マンガン(MnOz )は、表1には記載されてい
ないが、絶縁抵抗を1000MΩ・μF以上とするため
に不可欠で、0.01重量%以上は添加しなければなら
ない。一方表1の試料No、 12より明らかなように
、酸化マンガンの添加量が多過ぎて0.1重量%になる
と誘電率の経時変化特性が劣化するため、0.05重量
%以上添加するのは好ましくない。
ないが、絶縁抵抗を1000MΩ・μF以上とするため
に不可欠で、0.01重量%以上は添加しなければなら
ない。一方表1の試料No、 12より明らかなように
、酸化マンガンの添加量が多過ぎて0.1重量%になる
と誘電率の経時変化特性が劣化するため、0.05重量
%以上添加するのは好ましくない。
酸化コバルト(Coo)は、添加量を増大させると共に
焼成温度を低減できることが明らかであるが、試料No
、 20で示されるように0.3重量%を越えると、誘
電率の温度特性が要求特性から外れる。
焼成温度を低減できることが明らかであるが、試料No
、 20で示されるように0.3重量%を越えると、誘
電率の温度特性が要求特性から外れる。
試料No、 17で示されるよ゛うに、全く添加しない
場合は、焼成温度が高くなる。
場合は、焼成温度が高くなる。
酸化マグネシウム(MgO)は添加しない場合でも一応
目標規格を満足できるが、試料No、8.9で示される
ように0.1重量%以下の添加では、常温での誘電率を
更に増大させることができる。また試料No、 10で
示されるように、0.1重量%より多く添加すると、誘
電率の温度特性が要求特性から外れてしまうことがわか
る。
目標規格を満足できるが、試料No、8.9で示される
ように0.1重量%以下の添加では、常温での誘電率を
更に増大させることができる。また試料No、 10で
示されるように、0.1重量%より多く添加すると、誘
電率の温度特性が要求特性から外れてしまうことがわか
る。
チタン酸カルシウム(CaTi03)は、試料No。
16で示すように、添加量が上限の1.0重量%を越え
ると、誘電率の低下もしくは経時変化特性の劣化を招く
ことがわかる。
ると、誘電率の低下もしくは経時変化特性の劣化を招く
ことがわかる。
なお酸化チタンについては、試料No、30.31に見
られるように、添加量を増大させるにつれ焼成温度を低
下できるが、Ba/Ti比が0.92を越えて0.90
となると、誘電率が大きく低下する。
られるように、添加量を増大させるにつれ焼成温度を低
下できるが、Ba/Ti比が0.92を越えて0.90
となると、誘電率が大きく低下する。
このように本発明の高誘電率系磁器組成物は、常温での
誘電率が約3000と大きいと共に、勝れた温度特性、
勝れた経時変化特性を有しており、その他の誘電特性も
極めて勝れている。且つ低温度で焼成できるため、実用
的価値がはなはだ大きい。
誘電率が約3000と大きいと共に、勝れた温度特性、
勝れた経時変化特性を有しており、その他の誘電特性も
極めて勝れている。且つ低温度で焼成できるため、実用
的価値がはなはだ大きい。
このような効果は、添加物として、Mn0z、Coo、
MgO1CaTiO3としであるが、MnOまたはMn
+ 03 、MnCO3、CO20v 、CaO1Ti
Ozとして添加してもよい。(Mn、 Co、 Mg、
Ca、 Tiと同一量モル添加)また、BaTi03
(7)一部をBaCo3 とTiO2として添加して
も同様な結果が得られる。
MgO1CaTiO3としであるが、MnOまたはMn
+ 03 、MnCO3、CO20v 、CaO1Ti
Ozとして添加してもよい。(Mn、 Co、 Mg、
Ca、 Tiと同一量モル添加)また、BaTi03
(7)一部をBaCo3 とTiO2として添加して
も同様な結果が得られる。
(f1発明の効果
以上のように本発明によれば、チタン酸バリウムを主剤
とし、酸化ニオブ、酸化ネオジムの適量添加によって、
誘電率の温度特性を−55〜+ 125℃という広範囲
で±15%以内に平坦化させると共に、磁器の均一微細
化を図り、 酸化マンガンの添加により、絶縁抵抗を1000MΩ・
μF以上に増大し、 またチタン酸カルシウムの添加により、経時変化特性を
改善し、 酸化マグネシウムの添加により常温での誘り郭を250
0〜3000程度まで増大でき、酸化コバルトの添加に
より、多量の銀含有電極を利用できる温度まで焼成温度
を低下可能になる。
とし、酸化ニオブ、酸化ネオジムの適量添加によって、
誘電率の温度特性を−55〜+ 125℃という広範囲
で±15%以内に平坦化させると共に、磁器の均一微細
化を図り、 酸化マンガンの添加により、絶縁抵抗を1000MΩ・
μF以上に増大し、 またチタン酸カルシウムの添加により、経時変化特性を
改善し、 酸化マグネシウムの添加により常温での誘り郭を250
0〜3000程度まで増大でき、酸化コバルトの添加に
より、多量の銀含有電極を利用できる温度まで焼成温度
を低下可能になる。
このように本発明によれば、EIA規格X7R特性やM
IL規格BX特性などの条件を満たす高安定な誘電体を
、高誘電率且つ低温度焼成で実現することができるため
、多層セラミックコンデンサ用の誘電体材料として極め
て有用性が大きい。また誘電率の経時変化特性などの誘
電特性が勝れているため、従来品以上に高安定な製品を
得ることできる。
IL規格BX特性などの条件を満たす高安定な誘電体を
、高誘電率且つ低温度焼成で実現することができるため
、多層セラミックコンデンサ用の誘電体材料として極め
て有用性が大きい。また誘電率の経時変化特性などの誘
電特性が勝れているため、従来品以上に高安定な製品を
得ることできる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタン酸バリウムを主剤とし、 Nbz Os ニ換算し70.25〜2.0 % ル%
Nd2O3ニ換算しテo、05〜0.2モル%MnO2
ニ換算し70.01〜0.05重量%Coo に換
算して0.1〜0.3重量%MgOニ換算し”il”
0.01〜0.10ffi量%CaTiO3ニ換算して
0.1〜1.0重量%の成分がそれぞれ単独でまたは組
合せて添加または固溶されていることを特徴とする高誘
電率系磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57092392A JPS5920905A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 高誘電率系磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57092392A JPS5920905A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 高誘電率系磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5920905A true JPS5920905A (ja) | 1984-02-02 |
JPS6134210B2 JPS6134210B2 (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=14053141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57092392A Granted JPS5920905A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 高誘電率系磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5920905A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4882305A (en) * | 1985-05-03 | 1989-11-21 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric ceramic composition with high dielectric constant and flat TC characteristics |
US4939108A (en) * | 1986-11-03 | 1990-07-03 | Tam Ceramics, Inc. | Process for producing dielectric ceramic composition with high dielectric constant, low dissipation factor and flat TC characteristics |
US5268342A (en) * | 1991-06-27 | 1993-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreducing dielectric ceramic composition |
US5362693A (en) * | 1991-04-29 | 1994-11-08 | Tam Ceramics, Inc. | High temperature fired X7R dielectric ceramic composition submicron particle sized barium titanate |
US5550092A (en) * | 1995-02-10 | 1996-08-27 | Tam Ceramics Inc. | Ceramic dielectrics compositions |
EP0774448A1 (en) * | 1995-11-20 | 1997-05-21 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric stable at high temperature |
CN103073292A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-01 | 天津大学 | 高品质因数铌酸钕系微波介质陶瓷及其制备方法 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57092392A patent/JPS5920905A/ja active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4882305A (en) * | 1985-05-03 | 1989-11-21 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric ceramic composition with high dielectric constant and flat TC characteristics |
JPH03174711A (ja) * | 1985-05-03 | 1991-07-29 | Tam Ceramics Inc | 多層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JPH0715856B2 (ja) * | 1985-05-03 | 1995-02-22 | タム セラミックス インコーポレイテッド | 多層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
US4939108A (en) * | 1986-11-03 | 1990-07-03 | Tam Ceramics, Inc. | Process for producing dielectric ceramic composition with high dielectric constant, low dissipation factor and flat TC characteristics |
US5362693A (en) * | 1991-04-29 | 1994-11-08 | Tam Ceramics, Inc. | High temperature fired X7R dielectric ceramic composition submicron particle sized barium titanate |
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US5550092A (en) * | 1995-02-10 | 1996-08-27 | Tam Ceramics Inc. | Ceramic dielectrics compositions |
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CN103073292A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-01 | 天津大学 | 高品质因数铌酸钕系微波介质陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6134210B2 (ja) | 1986-08-06 |
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