JP3095941B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体磁器組成物に係
り、特に比誘電率が７５００以上で、しかも、温度にお
ける比誘電率の変化の小さい高誘電率誘電体磁器組成物
に関する。
り、特に比誘電率が７５００以上で、しかも、温度にお
ける比誘電率の変化の小さい高誘電率誘電体磁器組成物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁器コンデンサ、積層コンデンサ、高周
波用コンデンサ、高圧コンデンサ等として広く利用され
ている高誘電率磁器組成物として、従来ＢａＴｉＯ3 −
ＢａＺｒＯ3 −ＣａＴｉＯ3 −ＭｇＴｉＯ3 系の磁器組
成物を主成分としたものが一般的に実用化されている。
波用コンデンサ、高圧コンデンサ等として広く利用され
ている高誘電率磁器組成物として、従来ＢａＴｉＯ3 −
ＢａＺｒＯ3 −ＣａＴｉＯ3 −ＭｇＴｉＯ3 系の磁器組
成物を主成分としたものが一般的に実用化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＢａ
ＴｉＯ3 −ＢａＺｒＯ3 −ＣａＴｉＯ3 −ＭｇＴｉＯ3
系の誘電体は、比誘電率が６０００以上と高くなると、
温度における誘電率変化である静電容量変化率（％）が
大きくなる。さらに交流破壊電圧が２．０〜３．０ＫＶ
／ｍｍと低くなる問題点があった。
ＴｉＯ3 −ＢａＺｒＯ3 −ＣａＴｉＯ3 −ＭｇＴｉＯ3
系の誘電体は、比誘電率が６０００以上と高くなると、
温度における誘電率変化である静電容量変化率（％）が
大きくなる。さらに交流破壊電圧が２．０〜３．０ＫＶ
／ｍｍと低くなる問題点があった。
【０００４】従って、本発明は、比誘電率が７５００以
上と高く、交流破壊電圧が高く、温度による静電容量変
化率の小さい、高誘電率磁器組成物を提供することを目
的とする。
上と高く、交流破壊電圧が高く、温度による静電容量変
化率の小さい、高誘電率磁器組成物を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、次のような組成の磁器組成物とする。 ＢａＴｉＯ3 ：７３．０〜８３．０モル％ ＢａＺｒＯ3 ： ６．２〜１２．０モル％ ＣａＴｉＯ3 ： ４．０〜１２．０モル％ ＭｇＴｉＯ3 ： ２．０〜 ５．０モル％ Ｂｉ2 ＴｉＯ5 ：０．３〜 ０．７モル％からなる誘電
体磁器組成物とする。
め、次のような組成の磁器組成物とする。 ＢａＴｉＯ3 ：７３．０〜８３．０モル％ ＢａＺｒＯ3 ： ６．２〜１２．０モル％ ＣａＴｉＯ3 ： ４．０〜１２．０モル％ ＭｇＴｉＯ3 ： ２．０〜 ５．０モル％ Ｂｉ2 ＴｉＯ5 ：０．３〜 ０．７モル％からなる誘電
体磁器組成物とする。
【０００６】上記組成からなる主成分１００モル％
に対してＭｎＯを０．２重量％以下、又はＳｉＯ2 を
０．２５重量％以下を添加含有させる。 ＢａＴｉＯ3 ：７３．５〜８１．０モル％ ＢａＺｒＯ3 ： ７．５〜１１．２モル％ ＣａＴｉＯ3 ： ８．０〜１２．０モル％ ＭｇＴｉＯ3 ： ３．０〜 ４．０モル％ Ｂｉ2 ＴｉＯ5 ：０．３〜 ０．６モル％からなる主成
分１００モル％に対してＭｎＯを０．２重量％以下を添
加含有した誘電体磁器組成物とする。
に対してＭｎＯを０．２重量％以下、又はＳｉＯ2 を
０．２５重量％以下を添加含有させる。 ＢａＴｉＯ3 ：７３．５〜８１．０モル％ ＢａＺｒＯ3 ： ７．５〜１１．２モル％ ＣａＴｉＯ3 ： ８．０〜１２．０モル％ ＭｇＴｉＯ3 ： ３．０〜 ４．０モル％ Ｂｉ2 ＴｉＯ5 ：０．３〜 ０．６モル％からなる主成
分１００モル％に対してＭｎＯを０．２重量％以下を添
加含有した誘電体磁器組成物とする。
【０００７】ＢａＴｉＯ3 を７９．５５モル％、Ｂａ
ＺｒＯ3 を７．９６モル％、ＣａＴｉＯ3 を８．２４モ
ル％、ＭｇＴｉＯ3 を３．７５モル％、Ｂｉ2 ＴｉＯ5
を０．５０モル％からなる主成分１００モル％に対し
て、ＭｎＯを０．０５重量％、ＳｉＯ2 を０．２５重量
％以下を添加含有する誘電体磁器組成物とする。
ＺｒＯ3 を７．９６モル％、ＣａＴｉＯ3 を８．２４モ
ル％、ＭｇＴｉＯ3 を３．７５モル％、Ｂｉ2 ＴｉＯ5
を０．５０モル％からなる主成分１００モル％に対し
て、ＭｎＯを０．０５重量％、ＳｉＯ2 を０．２５重量
％以下を添加含有する誘電体磁器組成物とする。
【０００８】
【作用】上記のような組成とすることにより、比誘電率
が７５００以上と高く、温度に対する静電容量変化率が
小さく、破壊電圧が高く、又、誘電体損失が低下した、
焼結性が良好な、高誘電率誘電体磁器組成物を得ること
ができる。
が７５００以上と高く、温度に対する静電容量変化率が
小さく、破壊電圧が高く、又、誘電体損失が低下した、
焼結性が良好な、高誘電率誘電体磁器組成物を得ること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。まず、本
実施例の誘電体磁器組成物の製造工程を説明する。
実施例の誘電体磁器組成物の製造工程を説明する。
【００１０】出発原料として炭酸バリウム（ＢａＣ
Ｏ3 ）酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ2 ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3 ）、炭酸マグネ
シウム（ＭｇＣＯ3 ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、
酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を用
い、焼成後の組成が表１、表２に示す配合比となるよう
に秤量し、この原料配合物をポットミルで湿式混合攪拌
を１６時間行い、その後脱水、乾燥して、１１４０℃〜
１２２０℃で仮焼し、化学反応を行わせた。
Ｏ3 ）酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ2 ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3 ）、炭酸マグネ
シウム（ＭｇＣＯ3 ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、
酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を用
い、焼成後の組成が表１、表２に示す配合比となるよう
に秤量し、この原料配合物をポットミルで湿式混合攪拌
を１６時間行い、その後脱水、乾燥して、１１４０℃〜
１２２０℃で仮焼し、化学反応を行わせた。
【００１１】これを再びポットミルで微粉砕し、脱水、
乾燥して、これを有機結合材としてポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）を添加し、造粒整粒を行い、顆粒粉末とし
た。この顆粒粉末を３００ＭＰａ／ｃｍ2 の成形圧で直
径１６．５ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの円板上に成形した。
乾燥して、これを有機結合材としてポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）を添加し、造粒整粒を行い、顆粒粉末とし
た。この顆粒粉末を３００ＭＰａ／ｃｍ2 の成形圧で直
径１６．５ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの円板上に成形した。
【００１２】この成形物を空気中で１２８０℃〜１３６
０℃で焼成し、磁器素体を得た。このようにして得られ
た磁器素体の両面に銀（Ａｇ）ペーストを焼付け電極を
形成し、これにリード線を半田付けして磁器コンデンサ
を得た。このようにして得られた各試料の電気的諸特性
を測定した結果を表１、表２に示す。
０℃で焼成し、磁器素体を得た。このようにして得られ
た磁器素体の両面に銀（Ａｇ）ペーストを焼付け電極を
形成し、これにリード線を半田付けして磁器コンデンサ
を得た。このようにして得られた各試料の電気的諸特性
を測定した結果を表１、表２に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】なお、表１、表２の各電気的特性の測定に
おいて、比誘電率（εｓ）及び誘電体損失（ｔａｎδ）
は、周波数１ＫＨｚ、電圧１Ｖで測定し、絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）は、直流電圧５００Ｖ印加して測定し、破壊電圧
は、単位厚み当たりの交流破壊電圧（ＡＣＥｂ）とし、
焼結性は、焼成温度１３２０℃で焼成した試料について
調べ、焼結性の悪いものは×印で、良いものは○印で、
特に良いものは◎で示してある。
おいて、比誘電率（εｓ）及び誘電体損失（ｔａｎδ）
は、周波数１ＫＨｚ、電圧１Ｖで測定し、絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）は、直流電圧５００Ｖ印加して測定し、破壊電圧
は、単位厚み当たりの交流破壊電圧（ＡＣＥｂ）とし、
焼結性は、焼成温度１３２０℃で焼成した試料について
調べ、焼結性の悪いものは×印で、良いものは○印で、
特に良いものは◎で示してある。
【００１６】又、表１において、試料Ｎｏ．１、４、１
０、１１、１５、１６、１８、１９、表２において試料
Ｎｏ．２４、２７（表１、表２の試料Ｎｏ．の次に×印
で示した試料）は、本発明の実施例に含まれておらず、
本発明と比較のために示してある。
０、１１、１５、１６、１８、１９、表２において試料
Ｎｏ．２４、２７（表１、表２の試料Ｎｏ．の次に×印
で示した試料）は、本発明の実施例に含まれておらず、
本発明と比較のために示してある。
【００１７】（１）実施例１の説明 本発明の実施例１を表１に基づいて説明する。表１から
明らかな如く、実施例１は、ＢａＴｉＯ3 ：７３．０〜
８３．０モル％、ＢａＺｒＯ3 ：６．２〜１２．０モル
％、ＣａＴｉＯ3 ：４．０〜１２．０モル％、ＭｇＴｉ
Ｏ3 ：２．０〜５．０モル％、Ｂｉ2 ＴｉＯ5 ：０．３
〜 ０．７モル％からなる誘電体磁器組成物よりなるも
のである。
明らかな如く、実施例１は、ＢａＴｉＯ3 ：７３．０〜
８３．０モル％、ＢａＺｒＯ3 ：６．２〜１２．０モル
％、ＣａＴｉＯ3 ：４．０〜１２．０モル％、ＭｇＴｉ
Ｏ3 ：２．０〜５．０モル％、Ｂｉ2 ＴｉＯ5 ：０．３
〜 ０．７モル％からなる誘電体磁器組成物よりなるも
のである。
【００１８】この実施例１では、主成分のＢａＴｉＯ3
の含有量が７３．０モル％未満であると比誘電率が大幅
に低下し、破壊電圧も悪化する（表１、試料Ｎｏ．１
８）。又、ＢａＴｉＯ3 の含有量が８３．０モル％より
大きくなると誘電体損失が悪くなり、破壊電圧が低く、
温度による静電容量変化率も大きくなる（表１、試料Ｎ
ｏ．４）。
の含有量が７３．０モル％未満であると比誘電率が大幅
に低下し、破壊電圧も悪化する（表１、試料Ｎｏ．１
８）。又、ＢａＴｉＯ3 の含有量が８３．０モル％より
大きくなると誘電体損失が悪くなり、破壊電圧が低く、
温度による静電容量変化率も大きくなる（表１、試料Ｎ
ｏ．４）。
【００１９】主成分のＢａＺｒＯ3 の含有量が６．２モ
ル％未満では、誘電体損失が３．５％以上と悪化し、温
度による静電容量変化率も大きくなる（表１、試料Ｎ
ｏ．４）。又、ＢａＺｒＯ3 の含有量が１３．０モル％
以上になると、誘電体損失は小さくなるが、比誘電率が
低く、温度による静電容量変化率も大きくなる（表１、
試料Ｎｏ．１９）。
ル％未満では、誘電体損失が３．５％以上と悪化し、温
度による静電容量変化率も大きくなる（表１、試料Ｎ
ｏ．４）。又、ＢａＺｒＯ3 の含有量が１３．０モル％
以上になると、誘電体損失は小さくなるが、比誘電率が
低く、温度による静電容量変化率も大きくなる（表１、
試料Ｎｏ．１９）。
【００２０】主成分のＣａＴｉＯ3 の含有量が４．０モ
ル％未満になると、比誘電率が低く、温度による静電容
量変化率が大きくなる（表１、試料Ｎｏ．１１）。又、
ＣａＴｉＯ3 の含有量が１３．０モル％以上になると、
比誘電率が大幅に低下し、破壊電圧も低くなる（表１、
試料Ｎｏ．１８）。
ル％未満になると、比誘電率が低く、温度による静電容
量変化率が大きくなる（表１、試料Ｎｏ．１１）。又、
ＣａＴｉＯ3 の含有量が１３．０モル％以上になると、
比誘電率が大幅に低下し、破壊電圧も低くなる（表１、
試料Ｎｏ．１８）。
【００２１】主成分のＭｇＴｉＯ3 の含有量が２．０モ
ル％未満になると破壊電圧が低くなり、温度による静電
容量変化率が大きくなる（表１、試料Ｎｏ．１０）。
又、ＭｇＴｉＯ3 の含有量が５．０モル％より大きくな
ると比誘電率が低下し、焼結性も悪くなる（表１、試料
Ｎｏ．１５）。
ル％未満になると破壊電圧が低くなり、温度による静電
容量変化率が大きくなる（表１、試料Ｎｏ．１０）。
又、ＭｇＴｉＯ3 の含有量が５．０モル％より大きくな
ると比誘電率が低下し、焼結性も悪くなる（表１、試料
Ｎｏ．１５）。
【００２２】主成分のＢｉ2 ＴｉＯ5 の含有量が０．３
モル％未満になると比誘電率が低くなり、温度による静
電容量変化率が大きくなる（表１、試料Ｎｏ．１）。
又、Ｂｉ2 ＴｉＯ5 の含有量が０．８モル％以上になる
と比誘電率が大幅に低下し、焼結性も悪くなる（表１、
試料Ｎｏ．１６）。
モル％未満になると比誘電率が低くなり、温度による静
電容量変化率が大きくなる（表１、試料Ｎｏ．１）。
又、Ｂｉ2 ＴｉＯ5 の含有量が０．８モル％以上になる
と比誘電率が大幅に低下し、焼結性も悪くなる（表１、
試料Ｎｏ．１６）。
【００２３】このように、実施例１においては、比誘電
率が７５００以上と高い値を示し、温度による静電容量
変化率が小さく、破壊電圧の高い値を示す誘電体磁器組
成物が得られる。
率が７５００以上と高い値を示し、温度による静電容量
変化率が小さく、破壊電圧の高い値を示す誘電体磁器組
成物が得られる。
【００２４】（２）実施例２の説明 本発明の実施例２を表２により説明する。表２から明ら
かな如く、実施例２は、実施例１の主成分１００モル％
に対して、ＭｎＯを０．２重量％以下、又はＳｉＯ2 を
０．２５重量％以下を添加含有する誘電体磁器組成物よ
りなるものである。
かな如く、実施例２は、実施例１の主成分１００モル％
に対して、ＭｎＯを０．２重量％以下、又はＳｉＯ2 を
０．２５重量％以下を添加含有する誘電体磁器組成物よ
りなるものである。
【００２５】この実施例２では、添加物ＭｎＯの含有量
が０．２重量％より大きくなると、破壊電圧が大幅に低
下し、焼結性が悪くなる（表２、試料Ｎｏ．２４）。
又、添加物ＳｉＯ2 の含有量が０．２５重量％より大き
くなると、焼成時に素地付着が見られ焼結性が悪く、比
誘電率が大幅に低下し、破壊電圧も低下する（表２、試
料Ｎｏ．２７）。
が０．２重量％より大きくなると、破壊電圧が大幅に低
下し、焼結性が悪くなる（表２、試料Ｎｏ．２４）。
又、添加物ＳｉＯ2 の含有量が０．２５重量％より大き
くなると、焼成時に素地付着が見られ焼結性が悪く、比
誘電率が大幅に低下し、破壊電圧も低下する（表２、試
料Ｎｏ．２７）。
【００２６】このようにすると、実施例１の優れた特性
を有すると共に、誘電体損失が小さく、焼結性の良い誘
電体磁器組成物が得られる。 （３）実施例３の説明 表２から明らかな如く、実施例３は、ＢａＴｉＯ3 ：７
３．５〜８１．０モル％、ＢａＺｒＯ3 ：７．５〜１
１．２モル％、ＣａＴｉＯ3 ：８．０〜１２．０モル
％、ＭｇＴｉＯ3 ：３．０〜４．０モル％、Ｂｉ2 Ｔｉ
Ｏ5 ：０．３〜０．６モル％からなる主成分１００モル
％に対してＭｎＯを０．２重量％以下を添加含有する誘
電体磁器組成物よりなるものである。
を有すると共に、誘電体損失が小さく、焼結性の良い誘
電体磁器組成物が得られる。 （３）実施例３の説明 表２から明らかな如く、実施例３は、ＢａＴｉＯ3 ：７
３．５〜８１．０モル％、ＢａＺｒＯ3 ：７．５〜１
１．２モル％、ＣａＴｉＯ3 ：８．０〜１２．０モル
％、ＭｇＴｉＯ3 ：３．０〜４．０モル％、Ｂｉ2 Ｔｉ
Ｏ5 ：０．３〜０．６モル％からなる主成分１００モル
％に対してＭｎＯを０．２重量％以下を添加含有する誘
電体磁器組成物よりなるものである。
【００２７】このようにすると、比誘電率が７５００以
上と高く、温度による静電容量変化率が小さく、破壊電
圧が高く、誘電体損失が小さく、前記実施例２よりも焼
結性が向上した誘電体磁器組成物が得られる。
上と高く、温度による静電容量変化率が小さく、破壊電
圧が高く、誘電体損失が小さく、前記実施例２よりも焼
結性が向上した誘電体磁器組成物が得られる。
【００２８】（４）実施例４の説明 表２から明らかな如く、実施例４は、ＢａＴｉＯ3 を７
９．５５モル％、ＢａＺｒＯ3 を７．９６モル％、Ｃａ
ＴｉＯ3 を８．２４モル％、ＭｇＴｉＯ3 を３．７５モ
ル％、Ｂｉ2 ＴｉＯ5 を０．５０モル％からなる主成分
１００モル％に対して、ＭｎＯを０．０５重量％、Ｓｉ
Ｏ2 を０．２５重量％以下を添加含有する誘電体磁器組
成物よりなるものである。
９．５５モル％、ＢａＺｒＯ3 を７．９６モル％、Ｃａ
ＴｉＯ3 を８．２４モル％、ＭｇＴｉＯ3 を３．７５モ
ル％、Ｂｉ2 ＴｉＯ5 を０．５０モル％からなる主成分
１００モル％に対して、ＭｎＯを０．０５重量％、Ｓｉ
Ｏ2 を０．２５重量％以下を添加含有する誘電体磁器組
成物よりなるものである。
【００２９】このようにすると、実施例３の優れた特性
に加え、表２の試料Ｎｏ．２５のように誘電体損失が小
さく、焼結性が特に良い誘電体磁器組成物が得られる。
に加え、表２の試料Ｎｏ．２５のように誘電体損失が小
さく、焼結性が特に良い誘電体磁器組成物が得られる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、誘電率
が７５００以上と高く、温度による静電容量変化率が小
さい上、破壊電圧の高い誘電体磁器組成物が得られる。
が７５００以上と高く、温度による静電容量変化率が小
さい上、破壊電圧の高い誘電体磁器組成物が得られる。
【００３１】請求項１に記載された発明によれば、比誘
電率が７５００以上と高く、温度による静電容量変化率
が小さく、破壊電圧の高い上記の効果が得られる。請求
項２に記載された発明によれば、上記請求項１の効果を
有すると共に、誘電体損失が低下し、焼結性が良好にな
る効果がある。
電率が７５００以上と高く、温度による静電容量変化率
が小さく、破壊電圧の高い上記の効果が得られる。請求
項２に記載された発明によれば、上記請求項１の効果を
有すると共に、誘電体損失が低下し、焼結性が良好にな
る効果がある。
【００３２】請求項３に記載された発明によれば、比誘
電率が７５００以上と高く、温度による静電容量変化率
が小さく、破壊電圧が高く、誘電体損失が小さく、請求
項２に記載された発明よりさらに焼結性が良くなる効果
がある。
電率が７５００以上と高く、温度による静電容量変化率
が小さく、破壊電圧が高く、誘電体損失が小さく、請求
項２に記載された発明よりさらに焼結性が良くなる効果
がある。
【００３３】請求項４に記載された発明によれば、請求
項３の効果を有すると共に、焼結性が特に良くなる効果
がある。
項３の効果を有すると共に、焼結性が特に良くなる効果
がある。
フロントページの続き (72)発明者 小笠原 正 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィ−ディ−ケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−65558（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−109256（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/49 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (4)
- 【請求項１】 ＢａＴｉＯ3 ：７３．０〜８３．０モル
％ ＢａＺｒＯ3 ： ６．２〜１２．０モル％ ＣａＴｉＯ3 ： ４．０〜１２．０モル％ ＭｇＴｉＯ3 ： ２．０〜 ５．０モル％ Ｂｉ2 ＴｉＯ5 ：０．３〜 ０．７モル％からなること
を特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 請求項１からなる主成分１００モル％に
対して、ＭｎＯを０．２重量％以下又はＳｉＯ2 を０．
２５重量％以下を添加含有することを特徴とする誘電体
磁器組成物。 - 【請求項３】 ＢａＴｉＯ3 ：７３．５〜８１．０モル
％ ＢａＺｒＯ3 ： ７．５〜１１．２モル％ ＣａＴｉＯ3 ： ８．０〜１２．０モル％ ＭｇＴｉＯ3 ： ３．０〜 ４．０モル％ Ｂｉ2 ＴｉＯ5 ：０．３〜 ０．６モル％からなる主成
分１００モル％に対して、ＭｎＯを０．２重量％以下を
添加含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 ＢａＴｉＯ3 を７９．５５モル％、Ｂａ
ＺｒＯ3 を７．９６モル％、ＣａＴｉＯ3 を８．２４モ
ル％、ＭｇＴｉＯ3 を３．７５モル％、Ｂｉ 2 ＴｉＯ5
を０．５０モル％からなる主成分１００モル％に対し
て、ＭｎＯを０．０５重量％、ＳｉＯ2 を０．２５重量
％以下を添加含有することを特徴とする誘電体磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06053378A JP3095941B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06053378A JP3095941B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07267732A JPH07267732A (ja) | 1995-10-17 |
| JP3095941B2 true JP3095941B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=12941161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06053378A Expired - Lifetime JP3095941B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3095941B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102627456A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-08 | 江苏大学 | 一种低损耗高压陶瓷电容器介质 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003104774A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ |
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1994
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