JP2824083B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

誘電体磁器組成物

Info

Publication number
JP2824083B2
JP2824083B2 JP1199048A JP19904889A JP2824083B2 JP 2824083 B2 JP2824083 B2 JP 2824083B2 JP 1199048 A JP1199048 A JP 1199048A JP 19904889 A JP19904889 A JP 19904889A JP 2824083 B2 JP2824083 B2 JP 2824083B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
breakdown voltage
sample
porcelain composition
dielectric constant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1199048A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0365558A (ja
Inventor
則夫 佐々木
義春 渡辺
孝男 中村
昭一 岩谷
正 小笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP1199048A priority Critical patent/JP2824083B2/ja
Publication of JPH0365558A publication Critical patent/JPH0365558A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2824083B2 publication Critical patent/JP2824083B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に誘電率が2000
以上の高誘電率誘電体磁器組成物に関する。
〔従来の技術〕
磁器コンデンサや積層コンデンサ、更には高周波用コ
ンデンサ、高圧コンデンサとして広く利用されている高
誘電率磁器組成物として、従来、チタン酸バリウム（Ba
TiO3）系の磁器組成物を主成分としたものが一般的に実
用化されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、従来のBaTiO3系の誘電体は強誘電性である
ため、誘電損失が大きく、交流破壊電圧も2.0〜3.5KV/m
mと低いという問題点があった。
従って、本発明の目的は、誘電損失が小さく、交流破
壊電圧の高い高誘電率磁器組成物を提供することであ
る。
〔課題を解決するための手段及び作用〕
本発明者等は、鋭意研究の結果、次の組成の磁器組成
物が、前記目的を達成することを見出した。
即ち、 チタン酸バリウム（BaTiO3）:45.0〜60.0モル％ ジルコン酸バリウム（BaZrO3）:10.0〜18.0モル％ チタン酸カルシウム（CaTiO3）:24.0〜35.0モル％ チタン酸マグネシウム（MgTiO3）:2.4〜6.5モル％ の範囲からなる主組成物100モル％に対し、 酸化ニッケル（NiO）:0.05〜0.4重量％ 酸化セリウム（CaO2）:0.03〜0.3重量％ 酸化マンガン（MnO）:0.03〜0.19重量％ 酸化ケイ素（SiO2）:0〜0.4重量％ の範囲からなる添加物を含有させてなることを特徴とす
る高誘電率磁器組成物である。
この組成の磁器組成物を用いることによって、誘電損
失が小さく、交流破壊電圧の高い高誘電率を有する誘電
体磁器組成物を得ることができる。
〔実施例〕
出発原料として炭酸バリウム（BaCO3）、酸化チタン
（TiO2）、酸化ジルコニウム（ZrO2）、炭酸カルシウム
（CaCO3）、炭酸マグネシウム（MgCO3）、酸化ニッケル
（NiO）、酸化セリウム（CeO2）、炭酸マンガン（MnC
O3）、酸化ケイ素（SiO2）等を用い、焼成後の組成が別
紙第１表の資料の如くになるよう秤量、配合した。
次に各資料の湿式混合撹拌を20時間行い、脱水乾燥
後、1100〜1200℃で仮焼成し、後に粗粉砕した。
これを再び湿式混合して微粉砕を行い、脱水乾燥後、
ポリビニルアルコール（PVA）をバインダーとして加
え、造粒した。これを直径と厚みが16.5mmφ×1.2mmtの
円板状に、３トン/cm2の圧力で成形した。
その後、1200〜1350℃で焼成して誘電体磁器組成物を
得た。
各誘電体磁器組成物の両面に銀電極を焼付けし、リー
ド線を取付ける。これを測定資料として各試料の電気的
特性を測定したものを第１表に示す。
なお、第１表において、誘電率（εＳ）及び誘電損失
（tanδ）は周波数1KHz、1Vで測定し、絶縁抵抗（IR）
は直流500Vを印加して測定し、破壊電圧は試料の交流破
壊電圧を測定し、試料の厚みで割り、単位厚み当たりの
破壊電圧（Eb）とし、焼結性は焼成温度1340℃で焼成し
た試料について調べた。
また、第１表において、試料No.1、５、８、10、14、
15、16、20、24、27、31、32、33、34、35は本発明の実
施例には含まれない。
第１表から明らかな如く、本発明の誘電体磁器組成物
は、誘電率が2000以上と高く、破壊電圧も高く温度特性
も良好な誘電体磁器組成物が得られる。
次に本発明の組成範囲について説明する。
BaTiO3が45.0モル％未満であると、誘電率が大幅に低
下し、破壊電圧も悪化し（第１表試料No.16参照）、60.
0モル％以上になると、誘電損失が悪く、破壊電圧も低
くなる（第１表試料No.1参照）。
またBaZrO3が10.0モル％未満では誘電損失が、1.0％
以上と悪化し、破壊電圧も低下する（第１表試料No.1参
照）。18.0モル％以上になると、誘電損失は低くなる
が、誘電率が低くなる（第１表試料No.8参照）。
さらにCaTiO3が24.0モル％未満になると、誘電率、破
壊電圧が比較的低くなり（第１表試料No.5、８参照）、
35.0モル％以上になると、誘電率や破壊電圧が著しく低
下する（第１表試料No.10、16参照）。
MgTiO3が2.5モル％未満になると、絶縁抵抗、破壊電
圧の劣化が目立ち（第１表試料No.10、15参照）、6.5モ
ル％を超えると、誘電率や絶縁抵抗の劣化が見られる
（第１表試料No.14参照）。
また添加物について説明すると、NiOが、0.05重量％
より少ないと、誘電率が低くなり、破壊電圧も劣化する
（第１表試料No.33参照）し、0.4重量％を超えると誘電
損失が大きくなり、温度特性も悪化する（第１表試料N
o.20参照）。
CeO2が0.03重量％より少ないと誘電損失が大きくなり
（第１表試料No.34参照）、0.3重量％を超えると、誘電
率が低下し、絶縁抵抗も低下する（第１表試料No.24参
照）。
MnOが0.19重量％より大きくなると、破壊電圧が低下
する（第１表試料No.27参照）。0.03重量％より少ない
と、誘電率が小さく焼結性も悪い（第１表試料No.35参
照）。
また、SiO2が0.4重量％を超えると焼成時素地に付着
が見られ焼結性が悪く、誘電率も低くなる（第１表試料
No.31参照）。
なお、添加物を全く混合しないと、誘電率が低く、誘
電損失も破壊電圧も低下する（第１表試料No.32参
照）。
〔発明の効果〕
本発明の組成の誘電体磁器組成物は、誘電率が2000以
上と高誘電率である上、破壊電圧、絶縁抵抗も高く、誘
電損失が少なく、温度特性も良好な誘電体磁器組成物で
ある。
従って磁器コンデンサ等電子部品材料として大変有用
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩谷 昭一 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 小笠原 正 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−65557（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−19005（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/49 H01B 3/00 - 3/14

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】チタン酸バリウム（BaTiO3）:45.0〜60.0
    モル％ ジルコン酸バリウム（BaZrO3）:10.0〜18.0モル％ チタン酸カルシウム（CaTiO3）:24.0〜35.0モル％ チタン酸マグネシウム（MgTiO3）:2.4〜6.5モル％ の範囲からなる主組成物100モル％に対し、 酸化ニッケル（NiO）:0.05〜0.4重量％ 酸化セリウム（CeO2）:0.03〜0.3重量％ 酸化マンガン（MnO）:0.03〜0.19重量％ 酸化ケイ素（SiO2）:0〜0.4重量％ の範囲からなる添加物を含有させてなることを特徴とす
    る誘電体磁器組成物。
JP1199048A 1989-07-31 1989-07-31 誘電体磁器組成物 Expired - Lifetime JP2824083B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1199048A JP2824083B2 (ja) 1989-07-31 1989-07-31 誘電体磁器組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1199048A JP2824083B2 (ja) 1989-07-31 1989-07-31 誘電体磁器組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0365558A JPH0365558A (ja) 1991-03-20
JP2824083B2 true JP2824083B2 (ja) 1998-11-11

Family

ID=16401248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1199048A Expired - Lifetime JP2824083B2 (ja) 1989-07-31 1989-07-31 誘電体磁器組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2824083B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100503510C (zh) * 2006-10-20 2009-06-24 同济大学 一种用于介电可调微波器件的复合陶瓷材料

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3279856B2 (ja) * 1995-02-14 2002-04-30 ティーディーケイ株式会社 誘電体磁器組成物
JP4201242B2 (ja) 2002-03-26 2008-12-24 Ｔｄｋ株式会社 高誘電率誘電体磁器組成物
CN102036790A (zh) 2008-10-02 2011-04-27 株式会社Ihi 刀具
JP5418323B2 (ja) * 2010-03-15 2014-02-19 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
TWI573775B (zh) * 2015-07-16 2017-03-11 Ceramic capacitor dielectric material
CN111848153A (zh) * 2020-08-06 2020-10-30 深圳市兆普莱科技有限公司 一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷的制备方法及通信器件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100503510C (zh) * 2006-10-20 2009-06-24 同济大学 一种用于介电可调微波器件的复合陶瓷材料

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0365558A (ja) 1991-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4446324B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ
JP4201242B2 (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JP3279856B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2824083B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2004238251A (ja) 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品
JP3095941B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2003104774A (ja) 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ
JP2915217B2 (ja) 誘電体磁器及び磁器コンデンサ
JP3362408B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2795654B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JP3064518B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0365557A (ja) 誘電体磁器組成物
JP2621478B2 (ja) 高誘電率磁器組成物
JPH1095667A (ja) 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ
JPH0684691A (ja) 誘電体磁器及び磁器コンデンサ
JP2872513B2 (ja) 誘電体磁器及び磁器コンデンサ
JP2719594B2 (ja) 高誘電率系磁器組成物
JP2958826B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3106371B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0637322B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3064519B2 (ja) 誘電体磁器組成物
KR19980046582A (ko) 고유전율 유전체 자기조성물
JP2508373B2 (ja) 誘電体磁器組成物および誘電体磁器の製造方法
JPH0670944B2 (ja) 低損失磁器コンデンサ
JPH0815005B2 (ja) 誘電体磁器組成物

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070904

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080904

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090904

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term