JP2719594B2 - 高誘電率系磁器組成物 - Google Patents

高誘電率系磁器組成物

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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、積層コンデンサ，磁器コンデンサに使用し
て好適な高誘電率系磁器組成物に関するものである。
（従来の技術） 従来の高誘電率系磁器組成物は、チタン酸バリウム
（BaTiO3）を主成分として、これにチタン酸塩，スズ酸
塩，ジルコン酸塩を固溶したものが、広く実用化されて
いる。
しかしながら、BaTiO3を主成分とするものは、通常、
焼成温度が1300乃至1400℃の高温焼成が必要である。
このため、これを積層コンデンサに使用する場合、内
部電極としてこの焼成温度に耐え、適した白金，パラジ
ウム，白金−パラジウム等の高価な貴金属を使用しなけ
ればならない。
さらに、BaTiO3を主体とした磁器組成物は、比誘電率
が高くなると容量温度特性が悪化し、また容量の電圧依
存性が大きくなる等の問題がある。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、低温
（930乃至1050℃）で焼成が可能で比誘電率が11000以上
と高く、誘電損失が小さく（1.4以下）、絶縁抵抗が4.0
×1010Ω以上の高誘電率系磁器組成物を提供することを
目的とするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 前回目的を達成するための本発明の高誘電率系磁器組
成物は、55.0mol％のPb（Mg1/3 Nb2/3）O3と15.0mol％
のPbTiO3と、30.0mol％のPb（Zn1/2 W1/2）O3とを主成
分とし、0.2乃至10.0wt％のPb（Zn1/3 Nb2/3）O3と0.05
乃至0.3wt％のMnOを添加してなるものである。
（作 用） 請求項１記載の発明によればPb（Mg1/3 Nb2/3）O3,Pb
TiO3及びPb（Zn1/2 W1/2）O3の成分割合（mol％）を既
述したとおりとし、かつ、添加物を前記のものとするこ
とによって、低温で焼結でき、比誘電率が高く、誘電損
失の小さい高誘電率系磁器組成物が得られる。
（実施例） 出発原料として、酸化鉛（PbO），五酸化ニオブ（Nb2
O5），炭酸マグネシウム（MgCO3），二酸化チタン（TiO
2），酸化亜鉛（ZnO），三酸化タングステン（WO3），
酸化マンガン（MnO）を用い、第１表の配合比で秤量
し、これらの原料配合物をボールミルで湿式混合，撹拌
を15時間行いその後脱水乾燥し、800乃至900℃で仮焼成
し化学反応を行わせた。これを再びボールミルで湿式微
粉砕し脱水乾燥してこれに有機結合材としてPVAを添加
し、造粒整粒を行い顆粒粉末とし、粉末を約3ton/cm2の
成形圧力で16.5φ×0.6tmmの円盤状に成形する。この成
形物を脱バインダし、空気中で900乃至1100℃で約２時
間本焼成して磁器素体を得た。こうして得られた磁器素
体の両面に、Agペーストを焼付けこれによりリード線を
半田付けして、電極を形成した高誘電率系磁器組成物を
得た。
このようにして得られた各試料の電気的特性を測定し
た結果を、第１表に示した。
ここで比誘電率（ES），誘電損失（tanδ）は、室温2
5℃において、測定周波数1KHz,測定電圧AC1Vで測定を行
った。
また、絶縁抵抗IRは、室温25℃において、直流印加電
圧50Vで測定を行った。
ここで第１表を検討してみる。
試料No.1〜９は、比誘電率（ES）が10000以下である
から本発明の目的から外れる。
以上のことから本願発明の目的に適合すると思われる
ものは、試料No.10〜17のものである。そこで、この試
料について詳細に検討を行う。
試料No.10〜17のうち、No.14は絶縁抵抗IRが1.1×10
10Ωと低いので先ずこの試料を本発明の範囲から除外す
る。
次に試料No.13は誘電損失（tanδ）が3.2％と高いの
でこれも除外される。また、試料No.17は焼成温度が高
いので除外される。
残ったものは試料No.10、11、12、15、16の５つであ
る。
これはESが11000以上、tanδが1.4以下、IRが4.0×1
10Ω以上、そして焼成温度が980〜1050℃となっており
本発明の目的を達成することができる。
この結果本発明の磁器組成物の組成範囲は以下の通り
となる。
主成分 Pb（Mg1/3 Nb2/3）O3 ……55.0mol％ Pb TiO3 ……15.0mol％ Pb（Zn1/2 W1/2）O3 ……30.0mol％ 副成分（添加物） Pb（Zn1/3 Nb2/3）O3 ……0.2 〜10.0wt％ MnO ……0.05〜 0.3wt％ ［発明の効果］ 以上詳述した本発明によれば、低温（980乃至1050
℃）で焼結が可能であり、かつ比誘電率（ES）が高く
（11000以上）、誘電損失（tanδ）が小さく（1.4以
下）、絶縁抵抗（IR）が高い（4.0×1010Ω以上）の特
性を満足する高誘電率系磁器組成物を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本実施例の高誘電率系磁器組成物の主成分であ
るPb（Mg1/3 Nb2/3）O3−PbTiO3−Pb（Zn1/2 W1/2）O3
の３成分系図である。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】55.0mol％のPb（Mg1/3 Nb2/3）O3と、15.0
    mol％のPbTiO3と、30.0mol％のPb（Zn1/2 W1/2）O3とを
    主成分とし、0.2乃至10.0wt％のPb（Zn1/3 Nb2/3）O3と
    0.05乃至0.3wt％のMnOを添加してなることを特徴とする
    高誘電率系磁器組成物。
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JPH068205B2 (ja) * 1985-10-02 1994-02-02 松下電器産業株式会社 誘電体磁器組成物
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