JPH068205B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH068205B2 JPH068205B2 JP60219562A JP21956285A JPH068205B2 JP H068205 B2 JPH068205 B2 JP H068205B2 JP 60219562 A JP60219562 A JP 60219562A JP 21956285 A JP21956285 A JP 21956285A JP H068205 B2 JPH068205 B2 JP H068205B2
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- porcelain composition
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- dielectric porcelain
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は1100℃以下の温度で焼成される高誘電率系
誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率の大
きいものに関する。
誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率の大
きいものに関する。
従来の技術 近年セラミックコンデンサにおいては、素子の小型化、
大容量化への要求から、積層型セラミックコンデンサが
急速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサ
は、通常内部電極とセラミックを一体焼成する工程によ
って製造される。従来より、高誘電率系のセラミックコ
ンデンサ材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられ
てきたが、焼成温度が1300℃程度と高いため、内部
電極材料としてはPt、Pdなどの高価な金属を用いる
必要があった。
大容量化への要求から、積層型セラミックコンデンサが
急速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサ
は、通常内部電極とセラミックを一体焼成する工程によ
って製造される。従来より、高誘電率系のセラミックコ
ンデンサ材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられ
てきたが、焼成温度が1300℃程度と高いため、内部
電極材料としてはPt、Pdなどの高価な金属を用いる
必要があった。
これに対し1100℃以下で焼成でき内部電極として前
者より安価なAg系材料を用いることができる鉛複合ペ
ロブスカイト系材料が開発されている。例えばPbTiO3と
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3を含むものとしては、特開昭55
−51758号公報、同55−60069号公報などに
記載の材料が知られている。
者より安価なAg系材料を用いることができる鉛複合ペ
ロブスカイト系材料が開発されている。例えばPbTiO3と
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3を含むものとしては、特開昭55
−51758号公報、同55−60069号公報などに
記載の材料が知られている。
また発明者らは、すでにPbTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3、及びPb(Ni1/2W1/2)O3の三成分からなる高誘
電率系誘電体磁器組成物を提案している。
O3、及びPb(Ni1/2W1/2)O3の三成分からなる高誘
電率系誘電体磁器組成物を提案している。
発明が解決しようとする問題点 PbTiO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3系固溶体は高い誘導率が得
られるとともに、1100℃以下の焼成温度でチ密な焼
結体を得ることのできるものもあるが、焼成時の鉛成分
の蒸発により素子の抵抗値が低下しやすく、特に高温下
での抵抗値が低下しやすい傾向を有していた。
られるとともに、1100℃以下の焼成温度でチ密な焼
結体を得ることのできるものもあるが、焼成時の鉛成分
の蒸発により素子の抵抗値が低下しやすく、特に高温下
での抵抗値が低下しやすい傾向を有していた。
本発明ではかかる問題点に鑑みPbTiO3−Pb(Mg1/3Nb
2/3)O3系のもつ高い誘電率をそこなわず、焼成温度を
低下し、特に高温下での抵抗値の高い誘電体磁器組成物
を提供することを目的とする。
2/3)O3系のもつ高い誘電率をそこなわず、焼成温度を
低下し、特に高温下での抵抗値の高い誘電体磁器組成物
を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 PbTiO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3系に第三成分としてPb(Zn
1/2W1/2)O3を加えた組成とする。
1/2W1/2)O3を加えた組成とする。
作用 Pb(Zn1/2W1/2)O3を加えることにより、1100
℃以下の焼成温度で積層コンデンサ素子として高信頼性
を得られるチ密な焼結体が得られ、内部電極としてAg
系の材料を用いることが可能となり、かつ高温度下にお
いて高い抵抗値を有する信頼性の高い素子が得られる。
℃以下の焼成温度で積層コンデンサ素子として高信頼性
を得られるチ密な焼結体が得られ、内部電極としてAg
系の材料を用いることが可能となり、かつ高温度下にお
いて高い抵抗値を有する信頼性の高い素子が得られる。
実施例 出発原料として、化学的に高純度なPbO,MgO,Nb2O5,T
iO3,ZnO,WO3を用いた。これらを純度補正をおこな
ったうえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を
溶媒としてボールミルで17時間湿式混合した。これを
吸引をろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後
ライカイ機で充分解砕した後、粉体量の5wt%の水分を
加え、成形圧力500kg/cm2で直径60mm高さ約50mm
の円柱状に成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同
質のフタをし、750℃〜880℃で2時間仮焼した。
次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉
石を用い純水を溶媒としてボールミルで17時間粉砕
し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥し
た。
iO3,ZnO,WO3を用いた。これらを純度補正をおこな
ったうえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を
溶媒としてボールミルで17時間湿式混合した。これを
吸引をろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後
ライカイ機で充分解砕した後、粉体量の5wt%の水分を
加え、成形圧力500kg/cm2で直径60mm高さ約50mm
の円柱状に成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同
質のフタをし、750℃〜880℃で2時間仮焼した。
次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉
石を用い純水を溶媒としてボールミルで17時間粉砕
し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥し
た。
以上の仮焼,粉砕,乾燥を数回くりかえした後この粉末
にポリビニルアルコール6wt%水溶液を粉体量の6wt%
を加え、32メッシュふるい通して造粒し、成形圧力1
000kg/cm2で、直径13mm高さ約5mmの円柱状に成形
した。成形物を空気中で700℃まで昇温し1時間保持
することによりポリビニルアルコール分をバーンアウト
し冷却後これをマグネシヤ磁器容器に移し、同質のフタ
をし、空気中で所定温度まで400℃/hrで昇温し2時
間保持後400℃/hrで降温した。
にポリビニルアルコール6wt%水溶液を粉体量の6wt%
を加え、32メッシュふるい通して造粒し、成形圧力1
000kg/cm2で、直径13mm高さ約5mmの円柱状に成形
した。成形物を空気中で700℃まで昇温し1時間保持
することによりポリビニルアルコール分をバーンアウト
し冷却後これをマグネシヤ磁器容器に移し、同質のフタ
をし、空気中で所定温度まで400℃/hrで昇温し2時
間保持後400℃/hrで降温した。
焼成物は厚さ1mmの円柱状に切断し、両面にCr−Auを蒸
着し、誘電率、tanδを1kHz1V/mmの電界下で測
定した。また抵抗率は20℃および85℃で1kV/mm
の電圧を印加後1分値から求めた。
着し、誘電率、tanδを1kHz1V/mmの電界下で測
定した。また抵抗率は20℃および85℃で1kV/mm
の電圧を印加後1分値から求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
表1に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、tanδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
度、誘電率、tanδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
図は表1に示した各試料をPbTiO3−Pb(Mg1/3N
b2/3)O3−Pb(Zn1/2W1/2)O3を端成分とする三角
組成図中に示したもので、斜線の範囲が本発明の範囲を
示す。
b2/3)O3−Pb(Zn1/2W1/2)O3を端成分とする三角
組成図中に示したもので、斜線の範囲が本発明の範囲を
示す。
発明の範囲外の組成物では、表1のNo.に*印をつけた
試料を例として挙げたが、最適焼成温度が1100℃を
越える、誘電率が4000以下となる、高温度下での抵
抗値が低くなるの3点のいずれか、もしくはそれらの重
複した難点を有している。発明の範囲内の組成物では前
記3点の問題がいずれも克服されている。
試料を例として挙げたが、最適焼成温度が1100℃を
越える、誘電率が4000以下となる、高温度下での抵
抗値が低くなるの3点のいずれか、もしくはそれらの重
複した難点を有している。発明の範囲内の組成物では前
記3点の問題がいずれも克服されている。
発明の効果 本発明によれば、1100℃以下の温度で積層コンデン
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れるため、内部電極としてAg系の材料を用いることが
可能であり、かつ誘電率が4000以上で高温度下での
抵抗率の高い優れた誘電体磁器組成物を実現できる。
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れるため、内部電極としてAg系の材料を用いることが
可能であり、かつ誘電率が4000以上で高温度下での
抵抗率の高い優れた誘電体磁器組成物を実現できる。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項1】Pb(Mg1/3Nb2/3)O3、Pb
TiO3、Pb(Zn1/2W1/2)O3からなる三
成分系磁器組成物を Pb(Mg1/3Nb2/3)xTiy(Zn1/2W
1/2)zO3 と表したときに(ただし、x+y+z=1.00)、Pb(Mg
1/3Nb2/3)O3、PbTiO3、Pb(Zn1/2W
1/2)O3を頂点とする三角座標で示される三成分組
成図において下記の組成点A、B、C、D A: x=0.925 y=0.050 z=0.025 B: x=0.850 y=0.125 z=0.025 C: x=0.250 y=0.300 z=0.450 D: x=0.250 y=0.100 z=0.650 を頂点とする四角形の領域内の組成範囲にあることを特
徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60219562A JPH068205B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60219562A JPH068205B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6278146A JPS6278146A (ja) | 1987-04-10 |
JPH068205B2 true JPH068205B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16737450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60219562A Expired - Fee Related JPH068205B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH068205B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2719594B2 (ja) * | 1988-04-29 | 1998-02-25 | ティーディーケイ株式会社 | 高誘電率系磁器組成物 |
JP2616220B2 (ja) * | 1990-11-13 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219562A patent/JPH068205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6278146A (ja) | 1987-04-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |