JPS6278146A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS6278146A JPS6278146A JP60219562A JP21956285A JPS6278146A JP S6278146 A JPS6278146 A JP S6278146A JP 60219562 A JP60219562 A JP 60219562A JP 21956285 A JP21956285 A JP 21956285A JP S6278146 A JPS6278146 A JP S6278146A
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- Japan
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- composition
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- dielectric constant
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１１００℃以下の温度で焼成される高誘電率系
誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率の大
きいものに関する。
誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率の大
きいものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサにおいては、素子の小型化、
大容量化への要求から、積層型セラミックコンデンサが
急速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは
、通常内部電極とセラミックを一体焼成する工程によっ
て製造される。従来より、高誘電率系のセラミックコン
デンサ材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられて
きたが、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電
極材料としてはＰｔ、Ｐｄなどの高価な金属を用いる必
要があった。
大容量化への要求から、積層型セラミックコンデンサが
急速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは
、通常内部電極とセラミックを一体焼成する工程によっ
て製造される。従来より、高誘電率系のセラミックコン
デンサ材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられて
きたが、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電
極材料としてはＰｔ、Ｐｄなどの高価な金属を用いる必
要があった。
これに対し１１００℃以下で焼成でき内部電極として前
者より安価なＡｇ系材料を用いることができる鉛複合ペ
ロブスカイト系材料が開発されている。例えばＰｂＴｉ
０りとＰｂ （Ｍｇ１／３Ｎｂ２ｔ３ ）ｏりを含むも
のとしては、特開昭５５−５１７５８号公報、同５５−
６００６９号公報などに記載の材料が知られている。
者より安価なＡｇ系材料を用いることができる鉛複合ペ
ロブスカイト系材料が開発されている。例えばＰｂＴｉ
０りとＰｂ （Ｍｇ１／３Ｎｂ２ｔ３ ）ｏりを含むも
のとしては、特開昭５５−５１７５８号公報、同５５−
６００６９号公報などに記載の材料が知られている。
また発明者らは、すでにＰｂＴｉ０ａ 、Ｐｂ（Ｍ ｇ
ｌ ｔりＮｂ２７３）０３、及びＰｂ （Ｎｉｘｚ２Ｗ
ｌ、２ ）０３の三成分からなる高誘電率系誘電体磁器
組成物を提案している。
ｌ ｔりＮｂ２７３）０３、及びＰｂ （Ｎｉｘｚ２Ｗ
ｌ、２ ）０３の三成分からなる高誘電率系誘電体磁器
組成物を提案している。
発明が解決しようとする問題点
Ｐ ｂＴ ｉ Ｏｓ −Ｐ ｂ（Ｍｇｔ／ｓ Ｎｔｌｚ
ｓ ） ０３系固溶体は高い誘電率が得られるとともに
、１１００℃以下の焼成温度でチ密な焼結体を得ること
のできるものもあるが、焼成時の鉛成分の蒸発により素
子の抵抗値が低下しやすく、特に高温下での抵抗値が低
下しやすい傾向を有していた。
ｓ ） ０３系固溶体は高い誘電率が得られるとともに
、１１００℃以下の焼成温度でチ密な焼結体を得ること
のできるものもあるが、焼成時の鉛成分の蒸発により素
子の抵抗値が低下しやすく、特に高温下での抵抗値が低
下しやすい傾向を有していた。
本発明ではかかる問題点に鑑みＰ ｂ Ｔ ｉ Ｏ２−
Ｐｂ（Ｍｇ１ｚりＮｂ２，３）Ｏｓ系のもつ高い誘電率
をそこなわず、焼成温度を低下し、特に高温下での抵抗
値の高い誘電体磁器組成物を提供することを目的とする
。
Ｐｂ（Ｍｇ１ｚりＮｂ２，３）Ｏｓ系のもつ高い誘電率
をそこなわず、焼成温度を低下し、特に高温下での抵抗
値の高い誘電体磁器組成物を提供することを目的とする
。
問題点を解決するための手段
ＰｂＴｉ０３−Ｐｂ（Ｍｇｓｚ３−Ｎｂｑｔｏ ）０２
系に第三成分としてＰｂ（Ｚｎｔｚ２Ｗｘｔｑ ）０＋
を加えた組成とする。
系に第三成分としてＰｂ（Ｚｎｔｚ２Ｗｘｔｑ ）０＋
を加えた組成とする。
作用
Ｐｂ （Ｚｎ１ｔ＊ Ｗ１／２ ） ０３を加エルコと
により、１１００℃以下の焼成温度で積層コンデンサ素
子として高信頼性を得られるチ密な焼結体が得られ、内
部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能となり、
かつ高温度下において高い抵抗値を有する信頼性の高い
素子が得られる。
により、１１００℃以下の焼成温度で積層コンデンサ素
子として高信頼性を得られるチ密な焼結体が得られ、内
部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能となり、
かつ高温度下において高い抵抗値を有する信頼性の高い
素子が得られる。
実施例
出発原料として、化学的に高純度なｐｂｏ。
ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２，ＺｎＯ，ＷＯ３を用い
た。これらを純度補正をおこなったうえで所定量を秤量
し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで
１７時時間式混合した。これを吸引ろ過して水分の大半
を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した
後、粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、成形圧力５００
ｋｇ ／ ｃｉで直径６０鴫高さ約５０閣の円柱状に成
形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし
、７・５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸
引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。
た。これらを純度補正をおこなったうえで所定量を秤量
し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで
１７時時間式混合した。これを吸引ろ過して水分の大半
を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した
後、粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、成形圧力５００
ｋｇ ／ ｃｉで直径６０鴫高さ約５０閣の円柱状に成
形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし
、７・５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸
引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。
以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後この粉末
にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６４
％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力
１０００ｋｇ／ｃｎｆで、直径１３ ｎ＋ｍ高さ約５Ｍ
の円柱状に成形した。成形物を空気中で７００℃まで昇
温し１時間保持することによりポリビニルアルコール分
をバーンアウトし冷却後これをマグネシャ磁器容器に移
し、同質のフタをし、空気中で所定温度まで４００ ’
Ｃ／ｈｒで昇温し２時間保持後４００°Ｃ／ｈｒで降温
した。
にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６４
％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力
１０００ｋｇ／ｃｎｆで、直径１３ ｎ＋ｍ高さ約５Ｍ
の円柱状に成形した。成形物を空気中で７００℃まで昇
温し１時間保持することによりポリビニルアルコール分
をバーンアウトし冷却後これをマグネシャ磁器容器に移
し、同質のフタをし、空気中で所定温度まで４００ ’
Ｃ／ｈｒで昇温し２時間保持後４００°Ｃ／ｈｒで降温
した。
焼成物は厚さ１ ｍｍの円板状に切断し、両面にＣｒ−
Ａｕを蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋＨｚＩ Ｖ ／
ｍｍの電界下で測定した。また抵抗率は２０℃および
８５℃テ１ｋｖ／ｌＴｌｌＴｌノ電圧を印加後１分値か
ら求めた。
Ａｕを蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋＨｚＩ Ｖ ／
ｍｍの電界下で測定した。また抵抗率は２０℃および
８５℃テ１ｋｖ／ｌＴｌｌＴｌノ電圧を印加後１分値か
ら求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
表１に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
図は表１に示した各試料をＰｂＴｉＯ３−Ｐｂ（Ｍｇ１
ｔｓ Ｎｂ２ｔｚ ） ０３−Ｐｂ （Ｚｎｔｚ２Ｗｌ
／２ ）０３を端成分とする三角組成図中に示したもの
で、斜線の範囲が本発明の範囲を示す。
ｔｓ Ｎｂ２ｔｚ ） ０３−Ｐｂ （Ｚｎｔｚ２Ｗｌ
／２ ）０３を端成分とする三角組成図中に示したもの
で、斜線の範囲が本発明の範囲を示す。
発明の範囲外の組成物では、表１のＮｏ、に＊印をつけ
た試料を例として挙げたが、最適焼成温度が１１００℃
を越える、誘電率が４０００以下となる、高温度下での
抵抗値が低くなるの３点のいずれか、もしくはそれらの
重複した難点を有している。発明の範囲内の組成物では
前記３点の問題がいずれも克服されている。
た試料を例として挙げたが、最適焼成温度が１１００℃
を越える、誘電率が４０００以下となる、高温度下での
抵抗値が低くなるの３点のいずれか、もしくはそれらの
重複した難点を有している。発明の範囲内の組成物では
前記３点の問題がいずれも克服されている。
発明の効果
本発明によれば、１１００℃以下の温度で積層コンデン
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れるため、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが
可能であり、かつ誘電率が４０００以上で高温度下での
抵抗率の高い優れた誘電体磁器組成物を実現できる。
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れるため、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが
可能であり、かつ誘電率が４０００以上で高温度下での
抵抗率の高い優れた誘電体磁器組成物を実現できる。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、
ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿
２）Ｏ＿３からなる三成分系磁器組成物を Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｘＴｉ＿
ｙ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３ と表したときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、Ｐ
ｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ
ＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）
Ｏ＿３を頂点とする三角座標で示される三成分組成図に
おいて下記の組成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ Ａ：ｘ＝０．９２５ ｙ＝０．０５０ ｚ＝０．０２５
Ｂ：ｘ＝０．８５０ ｙ＝０．１２５ ｚ＝０．０２５
Ｃ：ｘ＝０．２５０ ｙ＝０．３００ ｚ＝０．４５０
Ｄ：ｘ＝０．２５０ ｙ＝０．１００ ｚ＝０．６５０
を頂点とする四角形の領域内の組成範囲にあることを特
徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219562A JPH068205B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219562A JPH068205B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278146A true JPS6278146A (ja) | 1987-04-10 |
| JPH068205B2 JPH068205B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16737450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219562A Expired - Fee Related JPH068205B2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068205B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278446A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH04182344A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-29 | Nec Corp | 磁器組成物 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219562A patent/JPH068205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278446A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH04182344A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-29 | Nec Corp | 磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH068205B2 (ja) | 1994-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |