JPS6283353A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6283353A JPS6283353A JP60224557A JP22455785A JPS6283353A JP S6283353 A JPS6283353 A JP S6283353A JP 60224557 A JP60224557 A JP 60224557A JP 22455785 A JP22455785 A JP 22455785A JP S6283353 A JPS6283353 A JP S6283353A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- temperature
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- composition
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が１１００℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変化の
小さいものに関する。
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変化の
小さいものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサにおいては、素子の小型化、
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが
、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極材料
としてはＰｔ、、Ｐｄなどの高価な金属を用いる必要が
あった。
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが
、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極材料
としてはＰｔ、、Ｐｄなどの高価な金属を用いる必要が
あった。
これに対し１１００℃以下で焼成でき、内部電極として
前者より安価なＡｇ系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
前者より安価なＡｇ系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
発明が解決しようとする問題点
Ｐｂ （Ｚｎｔｚｉ Ｎｂ２ｚｓ ） ０３は、それ単
体では通常条件で誘電体磁器として焼成した場合ペロブ
スカイト構造をとらず、誘電率も低い値を示す。
体では通常条件で誘電体磁器として焼成した場合ペロブ
スカイト構造をとらず、誘電率も低い値を示す。
いっぽう高圧高温下で合成するとペロブスカイト構造を
とり、高い誘電率を示すことが知られているが、キュリ
一点が１４０℃にあり誘電率の温度変化率が゛大きいと
いう問題点があった。
とり、高い誘電率を示すことが知られているが、キュリ
一点が１４０℃にあり誘電率の温度変化率が゛大きいと
いう問題点があった。
本発明は、通常条件で誘電体磁器として焼成してらペロ
ブスカイト構造をとり、高い誘電率を示し室温付近にキ
ュリ一点をもち誘電率の温度変化の小さい、Ｐｂ （Ｚ
ｎｔｚ＋ Ｎｂ２ｚｓ ） ０３系の誘電体磁器組成物
を提供することを目的としている。
ブスカイト構造をとり、高い誘電率を示し室温付近にキ
ュリ一点をもち誘電率の温度変化の小さい、Ｐｂ （Ｚ
ｎｔｚ＋ Ｎｂ２ｚｓ ） ０３系の誘電体磁器組成物
を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
Ｐｂ （Ｚｎｓ／３Ｎｂ２ｚ＋ ） ０３１：第二成分
として、Ｐｂ （ＺｎＩＢ Ｗｌ／２ ）０３を加えた
組成とする。
として、Ｐｂ （ＺｎＩＢ Ｗｌ／２ ）０３を加えた
組成とする。
作用
本発明のＰｂ ＜Ｚｎ１ｔ３Ｎｂ２／＋ ） Ｏｓ
Ｐｂ（Ｚ ｎ Ｉ／２ Ｗｌ／２ ）０３系組成物は、
通常条件で誘電体磁器として焼成したときペロブスカイ
ト構造をとり高い誘電率と小さい誘電率の温度変化率を
有し、１１００℃以下の焼成温度で積層コンデンサ素子
として高信頼性を得られるチ密な焼結体が得られる。
Ｐｂ（Ｚ ｎ Ｉ／２ Ｗｌ／２ ）０３系組成物は、
通常条件で誘電体磁器として焼成したときペロブスカイ
ト構造をとり高い誘電率と小さい誘電率の温度変化率を
有し、１１００℃以下の焼成温度で積層コンデンサ素子
として高信頼性を得られるチ密な焼結体が得られる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なＰｂＯ１ＺｎＯ１ＷＯ３
、Ｎｂ２Ｏ５を用いた。これらを純度補正をおこなった
うえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒
としボールミルで１７時時間式混合した。これを吸引ろ
過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ
機で充分解砕した後粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、直
径６０１、高さ約５０ｍ＋ｎの円柱状に、成形圧力５０
０ｋｇ／ｃｍ２で成形した。これをアルミナルツボ中に
入れ同質のフタをし、７５０℃〜８１０℃で２時間仮焼
した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノ
ウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時間
粉砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥
した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、
この粉末にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体
量の６ｗｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し
、成形圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２で直径１３ｍｌ１１１
高さ約５ｍｍの円柱状に成形した。成形物は空気中で７
００℃まで昇温し１時間保持してポリビニルアルコール
分をバーンアウトし、冷却後これをマグネシャ磁器容器
に移し、同質のフタをし、空気中で所定温度まで４００
℃／ｈｒで昇温し２時間保持後４００℃／ｈｒで降温し
た。
、Ｎｂ２Ｏ５を用いた。これらを純度補正をおこなった
うえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒
としボールミルで１７時時間式混合した。これを吸引ろ
過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ
機で充分解砕した後粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、直
径６０１、高さ約５０ｍ＋ｎの円柱状に、成形圧力５０
０ｋｇ／ｃｍ２で成形した。これをアルミナルツボ中に
入れ同質のフタをし、７５０℃〜８１０℃で２時間仮焼
した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノ
ウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時間
粉砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥
した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、
この粉末にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体
量の６ｗｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し
、成形圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２で直径１３ｍｌ１１１
高さ約５ｍｍの円柱状に成形した。成形物は空気中で７
００℃まで昇温し１時間保持してポリビニルアルコール
分をバーンアウトし、冷却後これをマグネシャ磁器容器
に移し、同質のフタをし、空気中で所定温度まで４００
℃／ｈｒで昇温し２時間保持後４００℃／ｈｒで降温し
た。
焼成物は厚さ１ｍｍの円板状に切断し、両面にＣｒ −
Ａ ｕを蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋＨｚ。
Ａ ｕを蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋＨｚ。
ＩＶ／ｍ…の電界下で測定した。
なお焼成１温度は焼成物の音度がもっとも大きくなる温
度とした。
度とした。
表１に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率を示す。
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率を示す。
発明の範囲外の組成物については、表１のＮｏ。
に＊印をつけた試料を例として挙げたが、キュリ一点が
室温から大きくはずれ誘電率が小さくなり誘電率の温度
変化率が太き（なる難点を有している。発明の範囲内の
組成物では前記の問題が克服されている。
室温から大きくはずれ誘電率が小さくなり誘電率の温度
変化率が太き（なる難点を有している。発明の範囲内の
組成物では前記の問題が克服されている。
発明の効果
本発明によれば、１１００℃以下の温度で積層コンデン
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能に
なり、かつ高い誘電率が得られ誘電率の温度変化の小さ
い優れた誘電体磁器組成物をえることができる。
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能に
なり、かつ高い誘電率が得られ誘電率の温度変化の小さ
い優れた誘電体磁器組成物をえることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐ
ｂ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３からなる
二成分系磁器組成物をＰｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２
＿／＿３）＿ｘ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿
ｙＯ＿３と表したときに（ただし、ｘ＋ｙ＝１．００）
０．５０≦ｘ≦０．８５ の組成範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224557A JPS6283353A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224557A JPS6283353A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283353A true JPS6283353A (ja) | 1987-04-16 |
Family
ID=16815645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224557A Pending JPS6283353A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283353A (ja) |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60224557A patent/JPS6283353A/ja active Pending
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