JPS61191558A - 高誘電率系誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61191558A JPS61191558A JP60030906A JP3090685A JPS61191558A JP S61191558 A JPS61191558 A JP S61191558A JP 60030906 A JP60030906 A JP 60030906A JP 3090685 A JP3090685 A JP 3090685A JP S61191558 A JPS61191558 A JP S61191558A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- high permittivity
- temperature
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が１０００℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変化率
がＥＩムＪ規格のＺ６υ特性（＋１０℃〜＋８５℃の誘
電率が＋２０℃の値に対し＋２２％〜−５６％）を満し
、２０’Ｃのｔａｎδが２００Ｘ１０−’以下である条
件を満たすものに関する。
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変化率
がＥＩムＪ規格のＺ６υ特性（＋１０℃〜＋８５℃の誘
電率が＋２０℃の値に対し＋２２％〜−５６％）を満し
、２０’Ｃのｔａｎδが２００Ｘ１０−’以下である条
件を満たすものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサは素子の小型化、大容量化へ
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材料にはチ
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が１０００℃程度と高いため、内部電極材料としてはＰ
ｔ 、 Ｐｄ などの高価な金属ノを用いる必要がちつ
た。
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が１０００℃程度と高いため、内部電極材料としてはＰ
ｔ 、 Ｐｄ などの高価な金属ノを用いる必要がちつ
た。
これに対し１１００℃以下で焼成でき内部電極として前
者より安価なＡｇ系材料を用いることが・でさる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
者より安価なＡｇ系材料を用いることが・でさる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
発明者らはすでにＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ （Ｎｉ１４Ｎｂ
％）０３゜Ｐｂ （ＮｉｌＡＷＩＡ） Ｑ、三成分から
なる高誘電率系誘電体磁器組成物を提案している。
％）０３゜Ｐｂ （ＮｉｌＡＷＩＡ） Ｑ、三成分から
なる高誘電率系誘電体磁器組成物を提案している。
この系はＰｂＴｉ０５−Ｐｂ（Ｎｉ兇Ｗｂ％）０．二成
分系組成物のもつ高い誘電率の特性をそこなわず、積層
コンデンサ素子として高信頼性を得るための緻密な焼結
体が１０００℃以下の焼成温度で得られるという優れた
特性を有している。
分系組成物のもつ高い誘電率の特性をそこなわず、積層
コンデンサ素子として高信頼性を得るための緻密な焼結
体が１０００℃以下の焼成温度で得られるという優れた
特性を有している。
発明が解決しようとする問題点
ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ （Ｎｉ狛Ｗｂ％）０３．Ｐｂ（Ｎ
ｉ捧Ｗｙ）Ｏ，三成分からなる磁器組成物は上述のよう
に優れた特性を有しているが、室温でのｔａｎδが若干
太きい。
ｉ捧Ｗｙ）Ｏ，三成分からなる磁器組成物は上述のよう
に優れた特性を有しているが、室温でのｔａｎδが若干
太きい。
誘電率の温度変化率がやや犬きく、Ｚ５Ｕ規格の限度値
程度であるという問題点を有していた。本発明では上記
問題点に鑑み、高誘電率で焼成温度が１１００℃以下で
ある特性をそこなわず、室温のｔａｎδを低下し、誘電
率の温度変化率を小さくする新規な誘電体磁器組成物を
提供することを目的としている。
程度であるという問題点を有していた。本発明では上記
問題点に鑑み、高誘電率で焼成温度が１１００℃以下で
ある特性をそこなわず、室温のｔａｎδを低下し、誘電
率の温度変化率を小さくする新規な誘電体磁器組成物を
提供することを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するための技術的手段として各種組成
物を添加物として検討した結果、ＭｎＯ２゜Ｃｒ２Ｏ３
，ＭｏＯ２からなる群の少なくとも一つを添加した組成
物において上記問題点を解決した。
物を添加物として検討した結果、ＭｎＯ２゜Ｃｒ２Ｏ３
，ＭｏＯ２からなる群の少なくとも一つを添加した組成
物において上記問題点を解決した。
作用
すなわち１本発明は ＭｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｏｏ
。
。
Ｍｏ ０３からなる群の少なくとも一つを、ＰｂＴｉＯ
３。
３。
Ｐｂ（Ｎｉ発Ｗｂ％）Ｏ，、Ｐｂ（Ｎｉ捧Ｗ捧）０３か
らなる系に加えることにより、室温でのｔａｎδを２０
０Ｘ１０−’以下におさえ、かつ誘電率の温度変化率を
小さくし、Ｚ５Ｕ規格を満足するものが得られる。
らなる系に加えることにより、室温でのｔａｎδを２０
０Ｘ１０−’以下におさえ、かつ誘電率の温度変化率を
小さくし、Ｚ５Ｕ規格を満足するものが得られる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なｐｂ３０４． ＴｉＯ２
゜ＮｉＯ、Ｎｂ２Ｏ５，ＷＯ，、ＭｎＯ□、 Ｃｒ２Ｏ
，、ＭｏＯ２を用いた。
゜ＮｉＯ、Ｎｂ２Ｏ５，ＷＯ，、ＭｎＯ□、 Ｃｒ２Ｏ
，、ＭｏＯ２を用いた。
これらを純度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、
メノウ製玉石を用い純水を溶媒としボールミルで１７時
時間式混合した。これを吸いん掴して水分の大半を分離
した後乾燥し、その後ライカ・ イ機で充分解砕した
後、粉体量のＳｗｔ％の水分を加え、直径６０Ｍ１１．
高さ約ＳＯＷの円柱状に成形圧力６００に９／ｃｍで成
形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし
、７５０’Ｃ〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鋲で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸
いんろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮
焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビ
ニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え
、３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力１０ｏ
Ｏｋｇ／ｃｒＩｌで直径１３朋。
メノウ製玉石を用い純水を溶媒としボールミルで１７時
時間式混合した。これを吸いん掴して水分の大半を分離
した後乾燥し、その後ライカ・ イ機で充分解砕した
後、粉体量のＳｗｔ％の水分を加え、直径６０Ｍ１１．
高さ約ＳＯＷの円柱状に成形圧力６００に９／ｃｍで成
形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし
、７５０’Ｃ〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鋲で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸
いんろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮
焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビ
ニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え
、３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力１０ｏ
Ｏｋｇ／ｃｒＩｌで直径１３朋。
高さ約６朋の円柱状に成形した。成形物は空気中で７０
０℃まで昇温し、１時間保持しポリビニルアルコール分
をバーンアウトし、冷却後これをマグネシア磁器容器に
移し、同質のふたをし、空気中で所定温度まで４００℃
／ｈｒで昇温し２時間保持後４００℃／ｈｒで降温した
つ 焼成物は厚さ１朋の円柱状に切断し、両面にＯｒ−ムＵ
を蒸着し、誘電率、 ｔａｎδをＩ Ｋ）ｌｚＩ １７
ＭＭ ９の電界下で測定した。
０℃まで昇温し、１時間保持しポリビニルアルコール分
をバーンアウトし、冷却後これをマグネシア磁器容器に
移し、同質のふたをし、空気中で所定温度まで４００℃
／ｈｒで昇温し２時間保持後４００℃／ｈｒで降温した
つ 焼成物は厚さ１朋の円柱状に切断し、両面にＯｒ−ムＵ
を蒸着し、誘電率、 ｔａｎδをＩ Ｋ）ｌｚＩ １７
ＭＭ ９の電界下で測定した。
焼成物の密度はアルキメデス法により測定し、密度が最
大となる焼成温度を最適焼成温度とした。
大となる焼成温度を最適焼成温度とした。
表１に本発明の２０℃における誘電率、 ｔ２Ｌｎδ。
誘電率の温度変化率を示す。
（以下余白）
図には本発明の主成分の組成範囲をＰｂＴｉ０．−Ｐｂ
（Ｎｉ晃Ｎｂ％）０３ 、 Ｐｂ （ＮｉｙＷＩＡ）Ｏ
ｓ を端成分とする三角組成図中に示した。
（Ｎｉ晃Ｎｂ％）０３ 、 Ｐｂ （ＮｉｙＷＩＡ）Ｏ
ｓ を端成分とする三角組成図中に示した。
範囲限定した理由は限定範囲外の組成物では、室温のｔ
ａｎδが２００Ｘ１０−’ を超える。誘電率が６０
００以下に低下する。誘電率の温度変化率がｚ６υ規格
を満たさないの３点のいずれか、又はそれらの重複した
難点を有していることによる。
ａｎδが２００Ｘ１０−’ を超える。誘電率が６０
００以下に低下する。誘電率の温度変化率がｚ６υ規格
を満たさないの３点のいずれか、又はそれらの重複した
難点を有していることによる。
また本発明において、Ｍｎ 、 Ｏｒ 、 Ｇｏ 、
Ｍｏ は炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩等、もしくは酸化数の
異なる酸化物を加えても、請求の範囲に挙げた酸化物に
換算し、０．０３〜０・ｓ ｏ ｗｔ％を加えれば、同
等の効果がある。
Ｍｏ は炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩等、もしくは酸化数の
異なる酸化物を加えても、請求の範囲に挙げた酸化物に
換算し、０．０３〜０・ｓ ｏ ｗｔ％を加えれば、同
等の効果がある。
発明の効果
以上述べたように本発明の特許請求の範囲の組成物は１
０００℃以下の温度で焼成でき内部電極としてムｇ系の
材料を用いることが可能であり１、かつ室温のｔａｎδ
が２００Ｘ１０−’ 以下で誘電ユ°率の温度変化率
がＩＣＩＡＪ規格のＺ５Ｕ特性を満たす優れた高誘電率
系誘電体磁器組成物である。
０００℃以下の温度で焼成でき内部電極としてムｇ系の
材料を用いることが可能であり１、かつ室温のｔａｎδ
が２００Ｘ１０−’ 以下で誘電ユ°率の温度変化率
がＩＣＩＡＪ規格のＺ５Ｕ特性を満たす優れた高誘電率
系誘電体磁器組成物である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／
＿３）Ｏ＿３およびＰｂ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／
＿２）Ｏ＿３からなる三成分系磁器組成物を ＰｂＴｉｘ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｙ
（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３と表わ
したときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）この三成
物組成図において、ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿
／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／
＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３を頂点とする三角座標で以
下の組成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥＡ ｘ＝２５．０ ｙ＝
７２．５ ｚ＝２．５Ｂ ｘ＝３０．０ ｙ＝６７．５
ｚ＝２．５Ｃ ｘ＝４０．０ ｙ＝４５．０ ｚ＝１
５．０Ｄ ｘ＝３５．０ ｙ＝４０．０ ｚ＝２５．０
Ｅ ｘ＝２２．５ ｙ＝７２．５ ｚ＝５．０を頂点と
する五角形の領域内の組成範囲にある主成分組成物に対
し、副成分としてＭｎＯ＿２、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＣｏＯ
、ＭｎＯ＿３からなる群の少なくとも一つを重量％で０
．０３〜０．５ｗｔ％含有することを特徴とする高誘電
率系誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030906A JPS61191558A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030906A JPS61191558A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191558A true JPS61191558A (ja) | 1986-08-26 |
Family
ID=12316759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030906A Pending JPS61191558A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0249275A2 (en) * | 1986-06-10 | 1987-12-16 | North American Philips Corporation | Lead calcium titanate piezoelectric ceramic element |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP60030906A patent/JPS61191558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0249275A2 (en) * | 1986-06-10 | 1987-12-16 | North American Philips Corporation | Lead calcium titanate piezoelectric ceramic element |
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