JPS62119804A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62119804A JPS62119804A JP60258960A JP25896085A JPS62119804A JP S62119804 A JPS62119804 A JP S62119804A JP 60258960 A JP60258960 A JP 60258960A JP 25896085 A JP25896085 A JP 25896085A JP S62119804 A JPS62119804 A JP S62119804A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- temperature
- dielectric constant
- dielectric porcelain
- fired
- Prior art date
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- Pending
Links
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１１００℃以下の温度で焼成が可能な高誘電率
磁器組成物に関する。
磁器組成物に関する。
従来の技術
セラミックコンデンサ用の高誘電率材料としてはチタン
酸バリウム系の材料が広（用いられてきたが、この材料
は焼成温度が１３００〜１４００℃と高温であるため、
積層セラミックコンデンサに用いるときには、内部電極
として高価な白金やパラジウムの電極が必要である。こ
れに対し、焼成温度が１１５０℃以下の低温であるため
、内部電極としてより安価な銀糸の電極が使用出来る材
料として鉛複合ペロブスカイト系の誘電体が開発されて
いる。たとえばＰｂＴｉ０３Ｐｂ（ＮｉｓｚｓＮｂ２／
３ ）０３を含む系が°特開昭５８−４９６６１号公報
に開示されている。
酸バリウム系の材料が広（用いられてきたが、この材料
は焼成温度が１３００〜１４００℃と高温であるため、
積層セラミックコンデンサに用いるときには、内部電極
として高価な白金やパラジウムの電極が必要である。こ
れに対し、焼成温度が１１５０℃以下の低温であるため
、内部電極としてより安価な銀糸の電極が使用出来る材
料として鉛複合ペロブスカイト系の誘電体が開発されて
いる。たとえばＰｂＴｉ０３Ｐｂ（ＮｉｓｚｓＮｂ２／
３ ）０３を含む系が°特開昭５８−４９６６１号公報
に開示されている。
発明が解決しようとする問題点
ＰｂＴｉＯ３Ｐｂ（Ｎｉｔｚ３Ｎｂ＊、：＋）０３系の
固溶体は、高い誘電率が得られるが、誘電率の温度
゛変化率が大きい。また、より低温で焼成できるなら電
極の銀の含有量を増すことができ、より安価に生産でき
る。本発明はこのような問題点に鑑み、高い誘電率と比
較的小さな温度変化率が得られ、ＰｂＴｉ０３ Ｐｂ
（Ｎｉ１ｚ３Ｎｂ２ｔｓ ）０３系の固溶体より低温で
焼成できる磁器組成物を提供することを目的とする。
固溶体は、高い誘電率が得られるが、誘電率の温度
゛変化率が大きい。また、より低温で焼成できるなら電
極の銀の含有量を増すことができ、より安価に生産でき
る。本発明はこのような問題点に鑑み、高い誘電率と比
較的小さな温度変化率が得られ、ＰｂＴｉ０３ Ｐｂ
（Ｎｉ１ｚ３Ｎｂ２ｔｓ ）０３系の固溶体より低温で
焼成できる磁器組成物を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
ＰｂＴｉＯｓとＰ ｂ（Ｎ １ｓｔ３Ｎｂ２ｔｓ ）
０３の固溶体に、さらに第三成分としてＰｂ（Ｚｎｔ／
２Ｗｌ／２ ）０３を添加する。
０３の固溶体に、さらに第三成分としてＰｂ（Ｚｎｔ／
２Ｗｌ／２ ）０３を添加する。
作用
ＰｂＴｉ０ ｓ −Ｐｂ（Ｎ１５ｚｓ Ｎｂ２ｔ３）Ｏ
３（７１に元系組成にＰ ｂ（Ｚ ｎ１ｔ２Ｗｘｔ２）
Ｏａを固溶することにより、誘電率の温度変化率が小
さく、より低温で焼成できる磁器組成物が得られる。
３（７１に元系組成にＰ ｂ（Ｚ ｎ１ｔ２Ｗｘｔ２）
Ｏａを固溶することにより、誘電率の温度変化率が小
さく、より低温で焼成できる磁器組成物が得られる。
実施例
出発原料として、化学的に高純度なｐｂｏ。
Ｎｂ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＷＯ３，Ｎｉｐ、ＺｎＯを用い
た。これらを純度補正をおこなったうえで所定量を秤量
し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで
１７時時間式混合した。これを吸引ろ過して水分の大半
を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した
後、粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、成形圧力５００ｋ
ｇ／ｃｎｆで直径６０瞳高さ約５０＋ｎ＋ｎの円柱状に
成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタを
し、７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸
引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。
た。これらを純度補正をおこなったうえで所定量を秤量
し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで
１７時時間式混合した。これを吸引ろ過して水分の大半
を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した
後、粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、成形圧力５００ｋ
ｇ／ｃｎｆで直径６０瞳高さ約５０＋ｎ＋ｎの円柱状に
成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタを
し、７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸
引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。
以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回（りかえした後この粉末
にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗ
ｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧
力１０００ｋｇ／ｃＪで、直径１３ｗｎ高さ約５’ｗａ
の円柱状に成形した。成形物を空気中で７００℃まで昇
温し１時間保持することによりポリビニルアルコール分
をバーンアウトし冷却後これをマグネシャ磁器容器に移
し、同質のフタをし、空気中で所定温度まで４００℃／
ｈｒで昇温し２時間保持後４００℃／ｈｒで降温した。
にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗ
ｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧
力１０００ｋｇ／ｃＪで、直径１３ｗｎ高さ約５’ｗａ
の円柱状に成形した。成形物を空気中で７００℃まで昇
温し１時間保持することによりポリビニルアルコール分
をバーンアウトし冷却後これをマグネシャ磁器容器に移
し、同質のフタをし、空気中で所定温度まで４００℃／
ｈｒで昇温し２時間保持後４００℃／ｈｒで降温した。
焼成物は厚さ１Ｍの円板状に切断し、両面にＣｒ−Ａｕ
を蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ ｋＨｚＩ Ｖ ／
ｍの電界下で測定した。また抵抗率は２０℃でｌ ｋ
Ｖ ／ ｍｍの電圧を印加後１分値から求めた。なお焼
成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度とした
。
を蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ ｋＨｚＩ Ｖ ／
ｍの電界下で測定した。また抵抗率は２０℃でｌ ｋ
Ｖ ／ ｍｍの電圧を印加後１分値から求めた。なお焼
成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度とした
。
表１に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、強誘電的
相転移点、抵抗率を示す。
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、強誘電的
相転移点、抵抗率を示す。
図は表１に示した各試料をＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｎｉｌ
ｚｓ Ｎｂ２ｔ２）Ｏｓ 、Ｐｂ（Ｚｎｔ、２ｗｌ／２
） ０３を各々端成分とする三角組成図中に示したも
ので、斜線の範囲が本発明の範囲を示す。
ｚｓ Ｎｂ２ｔ２）Ｏｓ 、Ｐｂ（Ｚｎｔ、２ｗｌ／２
） ０３を各々端成分とする三角組成図中に示したも
ので、斜線の範囲が本発明の範囲を示す。
発明の範囲外の組成物では、表１のＮｏ、に＊印をつけ
た試料を例として挙げたが、強誘電的相転移点が室温近
傍から大きく外れ誘電率の温度変化率が大きくなる。発
明の範囲内の組成物では前記問題が克服されている。
た試料を例として挙げたが、強誘電的相転移点が室温近
傍から大きく外れ誘電率の温度変化率が大きくなる。発
明の範囲内の組成物では前記問題が克服されている。
発明の効果
本発明の誘電体磁器組成物によれば、高い誘電率を持ち
、かつその変化率が小さい誘電体を得ることができる。
、かつその変化率が小さい誘電体を得ることができる。
さらにこの誘電体は１１００℃以下の温度で焼成できる
ので、積層コンデンサ素子の内部電極としてＡｇ−Ｐｄ
系の材料を用いることが可能であり、安価な積層コンデ
ンサを実現できるので工業的価値が大である。
ので、積層コンデンサ素子の内部電極としてＡｇ−Ｐｄ
系の材料を用いることが可能であり、安価な積層コンデ
ンサを実現できるので工業的価値が大である。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名−ＰｂＴｉ
Ｏ３
図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名−ＰｂＴｉ
Ｏ３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿
／＿３）Ｏ＿３、およびＰｂ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１
＿／＿２）Ｏ＿３から成る三成分系磁器組成物をＰｂＴ
ｉ＿ｘ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｙ（Ｚ
ｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３と表したと
き（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐ
ｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ
（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３を頂点とす
る三角座標で示される三成分系組成図において、下記の
組成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ Ａ：ｘ＝０．１４９ｙ＝０．８５０ｚ＝０．００１Ｂ：
ｘ＝０．２９９ｙ＝０．７００ｚ＝０．００１Ｃ：ｘ＝
０．６４０ｙ＝０．００１ｚ＝０．３５９Ｄ：ｘ＝０．
３２０ｙ＝０．００１ｚ＝０．６７９を頂点とする四角
系の領域内にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258960A JPS62119804A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258960A JPS62119804A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119804A true JPS62119804A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17327412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258960A Pending JPS62119804A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119804A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03261002A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 磁器材料の製造方法 |
-
1985
- 1985-11-19 JP JP60258960A patent/JPS62119804A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03261002A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 磁器材料の製造方法 |
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