JPS62119803A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62119803A JPS62119803A JP60258955A JP25895585A JPS62119803A JP S62119803 A JPS62119803 A JP S62119803A JP 60258955 A JP60258955 A JP 60258955A JP 25895585 A JP25895585 A JP 25895585A JP S62119803 A JPS62119803 A JP S62119803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- composition
- temperature
- dielectric porcelain
- porcelain compound
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１１００℃以下の温度で焼成が可能な高誘電率
磁器組成物に関する。
磁器組成物に関する。
従来の技術
セラミックコンデンサ用の高誘電率材料としてはチタン
酸バリウム系の材料が広（用いられてきたが、この材料
は焼成温度が１３００〜１４００℃と高温であるため、
積層セラミックコンデンサに用いるときには、内部電極
として高価な白金やパラジウムの電極が必要である。こ
れに対し、焼成温度が１１５０℃以下の低温であるため
、内部電極としてより安価な銀糸の電極が使用出来る材
料として鉛複合ペロブスカイト系の誘電体が開発されて
いる。たとえばＰｂ（Ｎｉｓｚｓ Ｎｂｑｔ３）Ｏｒ３
を含む系としてＰｂＴｉ０５−Ｐｂ（Ｎｉｓｚｓ Ｎｂ
２ｔ３）０３が、特開昭５８−４９６６１号公報に開示
されている。また、ＰｂＺｒＯｓを含む系としてＰｂＺ
ｒＯＧ−Ｐｂ（Ｍｇｓ、＊ Ｎｂｘｔ＊ ）Ｏａ−Ｐｂ
（Ｍｇ１ｚ２Ｗｌ／２ ）０３が特開昭５６−４８００
４号公報に開示されているが、ＰｂＺｒ０ Ｇ −Ｐｂ
（Ｎｉｔ／ｓ Ｎｂｓ＋ｚ３）Ｏ５Ｐｂ（Ｚｎｔｚ２
Ｗｌ／２ ） ０３の固溶体について開示された例はな
い。
酸バリウム系の材料が広（用いられてきたが、この材料
は焼成温度が１３００〜１４００℃と高温であるため、
積層セラミックコンデンサに用いるときには、内部電極
として高価な白金やパラジウムの電極が必要である。こ
れに対し、焼成温度が１１５０℃以下の低温であるため
、内部電極としてより安価な銀糸の電極が使用出来る材
料として鉛複合ペロブスカイト系の誘電体が開発されて
いる。たとえばＰｂ（Ｎｉｓｚｓ Ｎｂｑｔ３）Ｏｒ３
を含む系としてＰｂＴｉ０５−Ｐｂ（Ｎｉｓｚｓ Ｎｂ
２ｔ３）０３が、特開昭５８−４９６６１号公報に開示
されている。また、ＰｂＺｒＯｓを含む系としてＰｂＺ
ｒＯＧ−Ｐｂ（Ｍｇｓ、＊ Ｎｂｘｔ＊ ）Ｏａ−Ｐｂ
（Ｍｇ１ｚ２Ｗｌ／２ ）０３が特開昭５６−４８００
４号公報に開示されているが、ＰｂＺｒ０ Ｇ −Ｐｂ
（Ｎｉｔ／ｓ Ｎｂｓ＋ｚ３）Ｏ５Ｐｂ（Ｚｎｔｚ２
Ｗｌ／２ ） ０３の固溶体について開示された例はな
い。
発明が解決しようとする問題点
ＰｂＴｉ０ｓ−Ｐｂ（Ｎｉｔｚｓ Ｎｂ２ｔ３）０３系
の固溶体は、高い誘電率が得られるが、誘電率の温度変
化率が大きい。また、より低温で焼成できるなら電極の
銀の含有量を増すことができ、より安価に生産できる。
の固溶体は、高い誘電率が得られるが、誘電率の温度変
化率が大きい。また、より低温で焼成できるなら電極の
銀の含有量を増すことができ、より安価に生産できる。
一方ＰｂＺｒ０３−Ｐｂ（Ｍｇｔ、５Ｎｂｚ、ｓ ）０
３− Ｐｂ（Ｍｇｔ、＊ Ｗｌ／２ ）０３系では誘電
率が高々６０００程度である。本発明はこのような問題
点に鑑み、高い誘電率と比較的小さな温度変化率が得ら
れる磁器組成物を提供することを目的とする。
３− Ｐｂ（Ｍｇｔ、＊ Ｗｌ／２ ）０３系では誘電
率が高々６０００程度である。本発明はこのような問題
点に鑑み、高い誘電率と比較的小さな温度変化率が得ら
れる磁器組成物を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
ＰｂＺｒＯ３とＰｂ（Ｎｉ’ｔｚｓ Ｎｂ２．ｓ ）０
３の固溶体に、さらに第三成分としてＰｂ（Ｚｎｔｚ２
Ｗｌ／２ ）０３を添加する。
３の固溶体に、さらに第三成分としてＰｂ（Ｚｎｔｚ２
Ｗｌ／２ ）０３を添加する。
作用
ＰｂＺｒ０３−Ｐｂ（Ｎｉ１ｚｓ Ｎｂ２ｔｓ ）０３
の二元系組成にＰｂ（Ｚｎ１ｔ２Ｗ１ｔ１１） ０３を
固溶することにより、高い誘電率を有し、誘電率の温度
変化率が小さく、より低温で焼成できる磁器組成物が得
られる。
の二元系組成にＰｂ（Ｚｎ１ｔ２Ｗ１ｔ１１） ０３を
固溶することにより、高い誘電率を有し、誘電率の温度
変化率が小さく、より低温で焼成できる磁器組成物が得
られる。
実施例
出発原料として、化学的に高純度なｐｂｏ。
Ｎｂ２Ｏ５，ＺｒＯ２，ＷＯ３，Ｎｉｐ、ＺｎＯを用い
た。これらを純度褌正をおこなったうえで所定量を秤量
し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで
１７時時間式混合した。これを吸引ろ過して水分の大半
を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した
後、粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、成形圧力５００’
ｋｇ ／ ｃ＋Ｊで直径６０−高さ約５０ｗｍの円柱状
に成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタ
をし、７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼
物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い
純水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを
吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。
た。これらを純度褌正をおこなったうえで所定量を秤量
し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで
１７時時間式混合した。これを吸引ろ過して水分の大半
を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した
後、粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、成形圧力５００’
ｋｇ ／ ｃ＋Ｊで直径６０−高さ約５０ｗｍの円柱状
に成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタ
をし、７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼
物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い
純水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを
吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。
以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後この粉末
にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗ
ｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧
力１０００ｋｇ／ｃｎ？で、直径１３ｗｎ高さ約５Ｍの
円柱状に成形した。成形物を空気中で７００℃まで昇温
し１時間保持することによりポリビニルアルコール分を
バーンアウトし冷却後これをマグネシャ磁器容器に移し
、同質のフタをし、空気中で所定温度まで４００℃／ｈ
ｒで昇温し２時間保持後４００℃／ｈｒで降温した。
にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗ
ｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧
力１０００ｋｇ／ｃｎ？で、直径１３ｗｎ高さ約５Ｍの
円柱状に成形した。成形物を空気中で７００℃まで昇温
し１時間保持することによりポリビニルアルコール分を
バーンアウトし冷却後これをマグネシャ磁器容器に移し
、同質のフタをし、空気中で所定温度まで４００℃／ｈ
ｒで昇温し２時間保持後４００℃／ｈｒで降温した。
焼成物は厚さ１ｉＩ＋１の円板状に切断し、両面にＣｒ
−Ａｕを蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ ｋｔｌｚＩ
Ｖ ／ ｍｍの電界下で測定した。また抵抗率は２０℃
で１ ｋ Ｖ ／ ｍｍの電圧を印加後１分値から求め
た。なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる
温度とした。
−Ａｕを蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ ｋｔｌｚＩ
Ｖ ／ ｍｍの電界下で測定した。また抵抗率は２０℃
で１ ｋ Ｖ ／ ｍｍの電圧を印加後１分値から求め
た。なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる
温度とした。
表１に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、ｔａ、ｎδ、誘電率の温度変化率、強誘電
的相転移点、抵抗率を示す。
度、誘電率、ｔａ、ｎδ、誘電率の温度変化率、強誘電
的相転移点、抵抗率を示す。
図は表１に示した各試料をＰｂＺｒＯｓ 、Ｐｂ（Ｎｉ
１ｔ３Ｎｂｘｔｓ ）０３ ＸＰｂ（Ｚｎｘｔｑ ｗ、
／、 ） Ｏｓを各々端成分とする三角組成図中に示し
たもので、斜線の範囲が本発明の範囲を示す。
１ｔ３Ｎｂｘｔｓ ）０３ ＸＰｂ（Ｚｎｘｔｑ ｗ、
／、 ） Ｏｓを各々端成分とする三角組成図中に示し
たもので、斜線の範囲が本発明の範囲を示す。
発明の範囲外の組成物では、表１のＮｏ、に＊印をつけ
た試料を例として挙げたが、強誘電的相転移点が室温近
傍から大きく外れ誘電率の温度変化率が大きくなる。発
明の範囲内の組成物では前記問題が克服されている。
た試料を例として挙げたが、強誘電的相転移点が室温近
傍から大きく外れ誘電率の温度変化率が大きくなる。発
明の範囲内の組成物では前記問題が克服されている。
発明の効果
本発明の誘電体磁器組成物によれば、高い誘電率を持ち
、かつその変化率が小さい誘電体を得ることができる。
、かつその変化率が小さい誘電体を得ることができる。
さらにこの誘電体は１１００℃以下の温度で焼成できる
ので、積層コンデンサ素子の内部電極としてＡｇ−Ｐｄ
系の材料を用いることが可能であり、安価な積層コンデ
ンサを実現できるので工業的価値が大である。
ので、積層コンデンサ素子の内部電極としてＡｇ−Ｐｄ
系の材料を用いることが可能であり、安価な積層コンデ
ンサを実現できるので工業的価値が大である。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名ｂＺｒＯ３
図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名ｂＺｒＯ３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＺｒＯ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿
／＿３）Ｏ＿３、およびＰｂ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１
＿／＿２）Ｏ＿３から成る三成分系磁器組成物をＰｂＺ
ｒｘ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｙ（Ｚｎ
＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３と表したとき
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）ＰｂＺｒＯ＿３、Ｐｂ
（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（
Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３を頂点とする
三角座標で示される三成分系組成図において、下記の組
成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ Ａ：ｘ＝０．２９９ｙ＝０．７００ｚ＝０．００１Ｂ：
ｘ＝０．４９９ｙ＝０．５００ｚ＝０．００１Ｃ：ｘ＝
０．８４０ｙ＝０．００１ｚ＝０．１５９Ｄ：ｘ＝０．
５２０ｙ＝０．００１ｚ＝０．４７９を頂点とする四角
系の領域内にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258955A JPS62119803A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258955A JPS62119803A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119803A true JPS62119803A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17327345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258955A Pending JPS62119803A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119803A (ja) |
-
1985
- 1985-11-19 JP JP60258955A patent/JPS62119803A/ja active Pending
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