JPS61155246A - 高誘電率系誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61155246A JPS61155246A JP59280314A JP28031484A JPS61155246A JP S61155246 A JPS61155246 A JP S61155246A JP 59280314 A JP59280314 A JP 59280314A JP 28031484 A JP28031484 A JP 28031484A JP S61155246 A JPS61155246 A JP S61155246A
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- JP
- Japan
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- dielectric constant
- composition
- ceramic composition
- firing temperature
- density
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が１１００°Ｃ以下で焼成される高誘
電率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変化
率がＹ級Ｆ特性を満たすものに関する。
電率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変化
率がＹ級Ｆ特性を満たすものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサは素子の小型化、大容量化へ
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材料にはチ
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が１３００’Ｃ程度と高いため、内部電極材料としては
ｐｔおよびＰｄ などの高価な金属を用いる必要があ
った。
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が１３００’Ｃ程度と高いため、内部電極材料としては
ｐｔおよびＰｄ などの高価な金属を用いる必要があ
った。
これに対し１０００°Ｃ以下で焼成でき内部電極として
前者より安価なＡｑ系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
前者より安価なＡｑ系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
これらのうち本発明同様にＰｂＴｉＯ３とＰｂ、（Ｎｉ
％Ｎｂ％）０３を含むものとしては、特開昭５８−４９
６６１゜５８−１７６１７５などが知られており、さら
に３”−／ Ｐ ｂ （Ｍｇ３ＡＷ３Ａ）、０３を含むものとしては
特開昭５８−１７６１７５などが知られている。
％Ｎｂ％）０３を含むものとしては、特開昭５８−４９
６６１゜５８−１７６１７５などが知られており、さら
に３”−／ Ｐ ｂ （Ｍｇ３ＡＷ３Ａ）、０３を含むものとしては
特開昭５８−１７６１７５などが知られている。
発明が解決しようとする問題点
Ｐ ｂ Ｔ ＩＯ３Ｐ ｂ （旧３ＡＮ ｂＸ ）０３
’！＜ 固溶体ハ高イ誘電率が得られるが、積層コン
デンザ素子として高信頼性を得るだめの緻密な焼結体を
イｎるためには１１００°Ｃ以」二の焼成温度が必要で
ある。一方上記の系にＰｂ（Ｍｑ％Ｗ％）０３をさらに
加えた系では焼成温度は下がるが、誘電率も同時に低下
する傾向にあった。
’！＜ 固溶体ハ高イ誘電率が得られるが、積層コン
デンザ素子として高信頼性を得るだめの緻密な焼結体を
イｎるためには１１００°Ｃ以」二の焼成温度が必要で
ある。一方上記の系にＰｂ（Ｍｑ％Ｗ％）０３をさらに
加えた系では焼成温度は下がるが、誘電率も同時に低下
する傾向にあった。
本発明ではかかる問題点に鑑み、Ｐ ｂ Ｔ １０３−
Ｐｂ（Ｎｉ％Ｎｂ％）０３系のもつ高い誘電率をそこな
わず、焼成温度を低下することを目的としている。
Ｐｂ（Ｎｉ％Ｎｂ％）０３系のもつ高い誘電率をそこな
わず、焼成温度を低下することを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
」−記問題点を解決する本発明の技術的手段として、各
種組成物を第三成分として検討した結果、Ｐ ｂ （Ｎ
ｉ ！ＡＷ〆）０３を加えた組成物において上記問題
点を解決した。
種組成物を第三成分として検討した結果、Ｐ ｂ （Ｎ
ｉ ！ＡＷ〆）０３を加えた組成物において上記問題
点を解決した。
作 用
すなわち、本発明の特許請求の範囲の組成物においては
、Ｐｂ（Ｎｔ３ＡＷイ）０３をＰｂＴｉＯ２−Ｐｂ（Ｎ
ｉ％Ｎｂ％）０３ 系に加えることにより、１１００°
Ｃ以下の焼成温度で積層コンデンザ素子として高信頼性
を得られる緻密な焼結体が得られ、内部電極としてＡｑ
系の材料を用いることが可能となり、かつ誘電率が８ｏ
○０以」−で誘電率の温度変化率がＪＩＳ Ｙ級Ｆ特
性の規格を満たずものが得られる０ 実施例 出発原料には化学的に高純度なＰｂｏ、Ｎｂ２Ｏ６゜Ｎ
ｉＯ，ＷＯ２を用いた。これらを純度補正をおこ々つだ
うえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒
としボールミルで１７時時間式混合した。これを吸いん
ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカ
イ機で充分解砕した後粉体量の５ｗｔ％ の水分を加
え、直径６０ｍπ高さ約５ｏｍｍの円柱状に成形圧力６
００ Ｋｇ／ａｌ で成形した。これをアルミナルツボ
中に入れ同質のフタをし、７６０°Ｃ〜８８０°Ｃで２
時間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳錬で粗砕し、さ
らにメノウ５ベー・ 製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時間粉
砕し、これを吸いんろ過し水分の大半を分離した後乾燥
した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後こ
の粉末にポリビニルアルコール６ｗｔ％ 水溶液を粉体
量の６ｗｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し
、成形圧力１０００に９／ｌｖｔ で直径１３問高さ約
５間の円柱状に成形した。成形物は空気中で７００°Ｃ
４で昇温し、１時間保持しポリビニルアルコール分をバ
ルンアウトし、冷却後これをマグネシア磁器容器に移し
、同質のふたをし、空気中で所定温度捷で４００°Ｃ／
ｈｒで昇温し２時間保持後４００°Ｃ／ｈｒで降温した
。
、Ｐｂ（Ｎｔ３ＡＷイ）０３をＰｂＴｉＯ２−Ｐｂ（Ｎ
ｉ％Ｎｂ％）０３ 系に加えることにより、１１００°
Ｃ以下の焼成温度で積層コンデンザ素子として高信頼性
を得られる緻密な焼結体が得られ、内部電極としてＡｑ
系の材料を用いることが可能となり、かつ誘電率が８ｏ
○０以」−で誘電率の温度変化率がＪＩＳ Ｙ級Ｆ特
性の規格を満たずものが得られる０ 実施例 出発原料には化学的に高純度なＰｂｏ、Ｎｂ２Ｏ６゜Ｎ
ｉＯ，ＷＯ２を用いた。これらを純度補正をおこ々つだ
うえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒
としボールミルで１７時時間式混合した。これを吸いん
ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカ
イ機で充分解砕した後粉体量の５ｗｔ％ の水分を加
え、直径６０ｍπ高さ約５ｏｍｍの円柱状に成形圧力６
００ Ｋｇ／ａｌ で成形した。これをアルミナルツボ
中に入れ同質のフタをし、７６０°Ｃ〜８８０°Ｃで２
時間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳錬で粗砕し、さ
らにメノウ５ベー・ 製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時間粉
砕し、これを吸いんろ過し水分の大半を分離した後乾燥
した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後こ
の粉末にポリビニルアルコール６ｗｔ％ 水溶液を粉体
量の６ｗｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し
、成形圧力１０００に９／ｌｖｔ で直径１３問高さ約
５間の円柱状に成形した。成形物は空気中で７００°Ｃ
４で昇温し、１時間保持しポリビニルアルコール分をバ
ルンアウトし、冷却後これをマグネシア磁器容器に移し
、同質のふたをし、空気中で所定温度捷で４００°Ｃ／
ｈｒで昇温し２時間保持後４００°Ｃ／ｈｒで降温した
。
焼成物は厚さ１間の円柱状に切断し、両面にＣｒ−Ａｕ
を蒸着し、誘電率、 ｔａｎδをＩ ＫＨｚ ＩＶ／
ｍｙの電界下で測定した。
を蒸着し、誘電率、 ｔａｎδをＩ ＫＨｚ ＩＶ／
ｍｙの電界下で測定した。
焼成物の密度はアルキメデス法により測定し、密度が最
大となる焼成温度を最適焼成温度とした。
大となる焼成温度を最適焼成温度とした。
焼成物の相対密度はＸ線法により求めた密度に対する焼
成物の密度の比で求めた。本発明の特許６′ゞ−−− 請求の範囲の組成物では、最適焼成温度で焼成した焼成
物の粉末Ｘ線回折法からはペロブスカイト相−相のみが
確認された。そこで次式（１）に示す方法で密度を求め
た。
成物の密度の比で求めた。本発明の特許６′ゞ−−− 請求の範囲の組成物では、最適焼成温度で焼成した焼成
物の粉末Ｘ線回折法からはペロブスカイト相−相のみが
確認された。そこで次式（１）に示す方法で密度を求め
た。
■
（１）式でｄは密度、ＮはアボガドＷ数、Ｍ□は１番目
の原子の原子量、ａｉは１番目の原子の配合組成より求
めた１ユニツトセル中の存在量、■はＸ線回折法により
求めたペロブスカイト構造１ユニットセルの体積を示し
、拳は構成元素すべてについて合計することを示す。
の原子の原子量、ａｉは１番目の原子の配合組成より求
めた１ユニツトセル中の存在量、■はＸ線回折法により
求めたペロブスカイト構造１ユニットセルの体積を示し
、拳は構成元素すべてについて合計することを示す。
表１に本発明の組成範囲および周辺組成の成分。
最適焼成温度、誘電率、 ｔａｎδ、誘電率の温度変化
率、Ｘ線法により求めた密度に対する焼成物の相対密度
を示す。
率、Ｘ線法により求めた密度に対する焼成物の相対密度
を示す。
図は表１に示した各試料をＰｂＴｉ○−Ｐｂ（Ｎｉ％Ｎ
ｂ％） ０３Ｐ ｂ （Ｎ １％Ｗ％）０３を端成分と
する三角組成図中に示したものである。
ｂ％） ０３Ｐ ｂ （Ｎ １％Ｗ％）０３を端成分と
する三角組成図中に示したものである。
了ベーン
特許請求の範囲を限定した理由は、限定範囲外の組成物
では、表１に届に＊をつけた試料を例として挙げたが、
最適焼成温度が１１ｏＯ′Ｃを超える、誘電率が８００
０以下となる、誘電率の温度、 変化率ＪＩＳ Ｙ級
Ｆ特性を満たさない、の３点のいずれか又はそれらの重
複した難点を有しており、特許請求の範囲より除いた。
では、表１に届に＊をつけた試料を例として挙げたが、
最適焼成温度が１１ｏＯ′Ｃを超える、誘電率が８００
０以下となる、誘電率の温度、 変化率ＪＩＳ Ｙ級
Ｆ特性を満たさない、の３点のいずれか又はそれらの重
複した難点を有しており、特許請求の範囲より除いた。
特許請求の範囲内の組成物では前記３点の問題がいずれ
も克服されている。
も克服されている。
発明の効果
以」−述べたように本発明の特許請求の範囲の組成物は
１１０ｏ ’Ｃ以下の温度で積層コンデンサ素子として
高信頼性を得るだめの緻密な焼結体が得られ、内部電極
としてＡｑ系の材料を用いることが可能になり、かつ誘
電率が５ｏｏｏ以上で誘電率の湯度変化率がＪＩＳ
Ｙ級Ｆ特性の規格を満たす優れた高誘電率系誘電体磁器
組成物である。
１１０ｏ ’Ｃ以下の温度で積層コンデンサ素子として
高信頼性を得るだめの緻密な焼結体が得られ、内部電極
としてＡｑ系の材料を用いることが可能になり、かつ誘
電率が５ｏｏｏ以上で誘電率の湯度変化率がＪＩＳ
Ｙ級Ｆ特性の規格を満たす優れた高誘電率系誘電体磁器
組成物である。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＴｉ＿ｘ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿
ｙ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３で表
わされる磁器組成物（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において
、ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿
／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿
２）Ｏ＿３を頂点とする三角座標で、組成Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅを頂点とする五角形の領域内の組成物からなるこ
とを特徴とする高誘電率系誘電体磁器組成物。 ただし Ａはｘ＝２５．０、ｙ＝７２．５、ｚ＝２．５、 Ｂはｘ＝３０．０、ｙ＝６７．５、ｚ＝２．５、 Ｃはｘ＝５５、ｙ＝１０、ｚ＝３５、 Ｄはｘ＝４５、ｙ＝１０、ｚ＝４５、 Ｅはｘ＝２２．６、ｙ＝７２．５、ｚ＝５．０（モル％
）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280314A JPS61155246A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280314A JPS61155246A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61155246A true JPS61155246A (ja) | 1986-07-14 |
Family
ID=17623264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59280314A Pending JPS61155246A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61155246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798277A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59280314A patent/JPS61155246A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798277A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5759934A (en) * | 1996-03-26 | 1998-06-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
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