JPS6283352A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6283352A JPS6283352A JP60222243A JP22224385A JPS6283352A JP S6283352 A JPS6283352 A JP S6283352A JP 60222243 A JP60222243 A JP 60222243A JP 22224385 A JP22224385 A JP 22224385A JP S6283352 A JPS6283352 A JP S6283352A
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- Japan
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- composition
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- dielectric constant
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- Granted
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が１１００’Ｃ以下で焼成される高誘
電率系誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗
率の大きいものに関する。
電率系誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗
率の大きいものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサにおいては、素子の小型化、
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが
、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極材料
としてはＰｔ、Ｐｄなとの高価な金属を用いる必要があ
った。
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが
、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極材料
としてはＰｔ、Ｐｄなとの高価な金属を用いる必要があ
った。
これに対し１１００℃以下で焼成でき、内部電極として
前者より安価なＡ ｇ糸材料を用いることができる鉛複
合へロブスカイト系材料が開発されている。
前者より安価なＡ ｇ糸材料を用いることができる鉛複
合へロブスカイト系材料が開発されている。
これらのうちＰｂ（Ｚｎｔｚ３Ｎｂ２ｉ３）Ｃ）＋とｐ
ｂ（Ｍｇ１．ｓ Ｎｂ２ｚ３ ） Ｏｓを含むものとし
ては、特開昭５７−２５６０７号公報、同５７−２７９
７４号公報に記載の材料などが知られている。
ｂ（Ｍｇ１．ｓ Ｎｂ２ｚ３ ） Ｏｓを含むものとし
ては、特開昭５７−２５６０７号公報、同５７−２７９
７４号公報に記載の材料などが知られている。
発明が解決しようとする問題点
Ｐｂ（Ｚｎ１ｔ３ Ｎｂ２ｚ３ ）０３ Ｐ
ｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２ｚｓ ） Ｏｓ系固溶体は高い誘
電率が得られるが、特に高温下での抵抗値がやや低下す
る傾向を有していた。
ｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２ｚｓ ） Ｏｓ系固溶体は高い誘
電率が得られるが、特に高温下での抵抗値がやや低下す
る傾向を有していた。
本発明は、Ｐｂ（Ｚｎ＋／ｓ Ｎｂ２ｚ３ ）０３ｐｂ
（Ｍｇ、ｚ＋ Ｎｂ２ｔｓ ） Ｏ！３系のもつ高い誘
電率をそこなわず、高温下での抵抗値の高い誘電体磁器
組成物を提供することを目的としている。
（Ｍｇ、ｚ＋ Ｎｂ２ｔｓ ） Ｏ！３系のもつ高い誘
電率をそこなわず、高温下での抵抗値の高い誘電体磁器
組成物を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
Ｐｂ（Ｚｎｔｚｚ Ｎｂ２ｚ３ ）０３− Ｐｂ（Ｍｇ
ｔ／ｚＮ ｂ ２．３ ） ０３系に第三成分として、
Ｐｂ （Ｎｉ１ｚ２Ｗｌ、２ ） ０＋を加えた組成と
する。
ｔ／ｚＮ ｂ ２．３ ） ０３系に第三成分として、
Ｐｂ （Ｎｉ１ｚ２Ｗｌ、２ ） ０＋を加えた組成と
する。
作用
本発明の範囲の組成物においては、Ｐｂ（Ｚｎｓ、５Ｎ
ｂ２７３）Ｏｓ −Ｐｂ（Ｍｇｔｚｓ Ｎｂ２ｚ＊ ）
０３系にｐｂ（Ｎ ｉ １，２ Ｗ！７２ ） ０３を
加えることにより、１１ｏｏ’ｃ以下の焼成温度で、積
層コンデンサ素子として高信頼性を得られるチ密な焼結
体が得られ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いること
が可能となり、かつ高温度下において高い抵抗値を有す
る素子が得られる。
ｂ２７３）Ｏｓ −Ｐｂ（Ｍｇｔｚｓ Ｎｂ２ｚ＊ ）
０３系にｐｂ（Ｎ ｉ １，２ Ｗ！７２ ） ０３を
加えることにより、１１ｏｏ’ｃ以下の焼成温度で、積
層コンデンサ素子として高信頼性を得られるチ密な焼結
体が得られ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いること
が可能となり、かつ高温度下において高い抵抗値を有す
る素子が得られる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なＰｂＯ１Ｍｇ０１Ｎｂｚ
Ｏｓ 、Ｎｉｐ、Ｚｎ０１ＷＣ）＋を用いた。これら
を純度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、メノウ
製玉石を用い純水を溶媒としボールミルで１７時時間式
混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を分離した後
乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後粉体量の５
ｗｔ％の水分を加え、直径６０ｆｆｌ＋１１１高さ約５
０ｍｍの円柱状に、成形圧力５００ｋｇ／ｃｎ２で成形
した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、
７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物をア
ルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水を
溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸引ろ
過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼、粉
砕、乾燥を数回くりかえした後、この粉末にポリビニル
アルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え、３
２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力１０００ｋ
ｇ／ｃｍ２で、直径１３Ｍ１高さ約５Ｍの円柱状に成形
した。成形物は空気中で７００℃まで昇温し１時間保持
してポリビニルアルコール分をバーンアウトし、冷却後
これをマグネシャ磁器容器に移し、同質のフタをし、空
気中で所定温度まで４００℃／ｈｒで昇温し２時間保持
後４００℃／ｈｒで降温した。
Ｏｓ 、Ｎｉｐ、Ｚｎ０１ＷＣ）＋を用いた。これら
を純度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、メノウ
製玉石を用い純水を溶媒としボールミルで１７時時間式
混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を分離した後
乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後粉体量の５
ｗｔ％の水分を加え、直径６０ｆｆｌ＋１１１高さ約５
０ｍｍの円柱状に、成形圧力５００ｋｇ／ｃｎ２で成形
した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、
７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物をア
ルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水を
溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸引ろ
過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼、粉
砕、乾燥を数回くりかえした後、この粉末にポリビニル
アルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え、３
２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力１０００ｋ
ｇ／ｃｍ２で、直径１３Ｍ１高さ約５Ｍの円柱状に成形
した。成形物は空気中で７００℃まで昇温し１時間保持
してポリビニルアルコール分をバーンアウトし、冷却後
これをマグネシャ磁器容器に移し、同質のフタをし、空
気中で所定温度まで４００℃／ｈｒで昇温し２時間保持
後４００℃／ｈｒで降温した。
焼成物は厚さ１ｍ＋ｎの円板状に切断し、両面にＣｒ−
Ａｕを蒸着し、誘電率、ｔａｎδをｌ ｋ Ｈｚ ％Ｉ
Ｖ ／ ｎｕｎの電界下で測定した。また抵抗率は２
０℃および８５℃で１ ｋ Ｖ ／ ｍ＋ｎの電圧を印
加後１分値から求めた。
Ａｕを蒸着し、誘電率、ｔａｎδをｌ ｋ Ｈｚ ％Ｉ
Ｖ ／ ｎｕｎの電界下で測定した。また抵抗率は２
０℃および８５℃で１ ｋ Ｖ ／ ｍ＋ｎの電圧を印
加後１分値から求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
表１に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
図は表１に示した各試料をＰｂ（Ｚｎｔ／５Ｎｂ２／）
）０３− Ｐｂ （Ｍｇｔ／ｓ Ｎｂｑｔ３） ０３
Ｐｂ（Ｎｉ１ｔ２Ｗ１／２ ） ０３を端成分とす
る三角組成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範
囲である。
）０３− Ｐｂ （Ｍｇｔ／ｓ Ｎｂｑｔ３） ０３
Ｐｂ（Ｎｉ１ｔ２Ｗ１／２ ） ０３を端成分とす
る三角組成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範
囲である。
発明の範囲外の組成物については、表１のＮｏ。
に＊印をつけた試料を例として挙げたが、最適焼成温度
が１１００℃を越える、誘電率が４０００以下となる、
高温度下での抵抗値が低（なる、の３点のいずれか、も
しくはそれらの重複した難点を有している。発明の範囲
内の組成物では前記３点の問題がいずれも克服されてい
る。
が１１００℃を越える、誘電率が４０００以下となる、
高温度下での抵抗値が低（なる、の３点のいずれか、も
しくはそれらの重複した難点を有している。発明の範囲
内の組成物では前記３点の問題がいずれも克服されてい
る。
発明の効果
本発明によれば、１１００℃以下の温度で積層コンデン
サ素子として高信頼性を得るためのチ審な焼結体が得ら
れ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能に
なり、かつ誘電率が４０００以上で高温度下での抵抗率
の高い優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。
サ素子として高信頼性を得るためのチ審な焼結体が得ら
れ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能に
なり、かつ誘電率が４０００以上で高温度下での抵抗率
の高い優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐ
ｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３Ｐｂ（
Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３からなる三成
分系磁器組成物を Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｘ（Ｚｎ
＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｙ（Ｎｉ＿１＿／＿
２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３と表したときに（ただし
、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎ
ｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ
＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１
＿／＿２）Ｏ＿３を頂点とする三角座標で示される三成
分組成図において、下記の組成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ Ａ：ｘ＝０．８５０ｙ＝０．１４０ｚ＝０．０１０Ｂ：
ｘ＝０．５００ｙ＝０．４９０ｚ＝０．０１０Ｃ：ｘ＝
０．０１０ｙ＝０．９４０ｚ＝０．０５０Ｄ：ｘ＝０．
０１０ｙ＝０．６５０ｚ＝０．３４０を頂点とする四角
形の領域内の組成範囲にあることを特徴とする誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222243A JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222243A JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283352A true JPS6283352A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH068207B2 JPH068207B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16779341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222243A Expired - Lifetime JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068207B2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222243A patent/JPH068207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH068207B2 (ja) | 1994-02-02 |
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