JPS61174162A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61174162A JPS61174162A JP60013685A JP1368585A JPS61174162A JP S61174162 A JPS61174162 A JP S61174162A JP 60013685 A JP60013685 A JP 60013685A JP 1368585 A JP1368585 A JP 1368585A JP S61174162 A JPS61174162 A JP S61174162A
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- Japan
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- composition
- dielectric constant
- dielectric ceramic
- ceramic composition
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が１１００’Ｃ以下で焼成される高誘
電率系の誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変
化率がＥＩＡ■規格のＺ５Ｕ特性（＋１０℃〜＋８６℃
の誘電率が＋２０℃の値に対し＋２２％ 〜−ｓｅ％
）を満し、２０ ℃０ｔａｎδが２００Ｘ１０”−’以
下である条件を満たすものに関する。
電率系の誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変
化率がＥＩＡ■規格のＺ５Ｕ特性（＋１０℃〜＋８６℃
の誘電率が＋２０℃の値に対し＋２２％ 〜−ｓｅ％
）を満し、２０ ℃０ｔａｎδが２００Ｘ１０”−’以
下である条件を満たすものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサは素子の小型化、大容量化へ
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
従来よシ高誘電率系のセラミックコンデンサ材料にはチ
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が１３００ｔｌ：程度と高いため、内部電極材料として
はＰｔ、およびＰｄなどの高価な金属を用いる必要があ
った。
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が１３００ｔｌ：程度と高いため、内部電極材料として
はＰｔ、およびＰｄなどの高価な金属を用いる必要があ
った。
これに対し１１００℃以下で焼成でき内部電極として前
者より安価なＡｑ系材料を用いることができる銀複合ペ
ロプスカイト系材料が開発されている。
者より安価なＡｑ系材料を用いることができる銀複合ペ
ロプスカイト系材料が開発されている。
発明者らはすでにＰ ｂＴ Ｉ Ｏｓ 、 Ｐｂ （Ｍ
ｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３゜Ｐｂ （Ｎ ｉ、Ｗ、）Ｑ
３三成分からなる高誘電率系誘電体磁器組成物を提案
している。
ｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３゜Ｐｂ （Ｎ ｉ、Ｗ、）Ｑ
３三成分からなる高誘電率系誘電体磁器組成物を提案
している。
この系ＰｂＴ １０３− Ｐ ｂ （棒鴨Ｎｂ、！Ａ）
０３二成分系組成物のもつ高い誘電率の特性をそこなわ
ず、積層コンデンサ素子として高信頼性を得るための緻
密な焼結体が、１１００℃以下の焼成温度で得られると
いう優れた特性を有している。
０３二成分系組成物のもつ高い誘電率の特性をそこなわ
ず、積層コンデンサ素子として高信頼性を得るための緻
密な焼結体が、１１００℃以下の焼成温度で得られると
いう優れた特性を有している。
発明が解決しようとする問題点
ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（ＭｇｇＮｂｂ）Ｏｓ、 Ｐｂ（Ｎ
ｉ、Ｗ％）０３三成分からなる磁器組成物は、上述のよ
うに優れた特性を有しているが、室温でのｔａｎδが若
干大きい、誘電率の温度変化率がやや大きく、ＺｓＵ規
格の限度値程度である、という問題点を有してＡだ。
ｉ、Ｗ％）０３三成分からなる磁器組成物は、上述のよ
うに優れた特性を有しているが、室温でのｔａｎδが若
干大きい、誘電率の温度変化率がやや大きく、ＺｓＵ規
格の限度値程度である、という問題点を有してＡだ。
本発明は、高誘電率で焼成温度が１１００℃以下である
特性をそこなわず、室温のｔａｎδを低下させ、誘電率
の温度変化率を小さくする新規な誘電体磁器組成物を提
供することを目的とする。
特性をそこなわず、室温のｔａｎδを低下させ、誘電率
の温度変化率を小さくする新規な誘電体磁器組成物を提
供することを目的とする。
問題点を解決するための＃≠≠手段
ＰｂＴｔＯ３，Ｐｂ （ＭｑＨＮｂ５．）０３． Ｐｂ
（Ｎｉ、Ｗ、）０３からなる主成分に対し、ＭｎＯ２
，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃ００２Ｍｏｏ３からなる群から選んだ
少なくとも一種を添加する。
（Ｎｉ、Ｗ、）０３からなる主成分に対し、ＭｎＯ２
，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃ００２Ｍｏｏ３からなる群から選んだ
少なくとも一種を添加する。
作 用
庵０２． Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｏｏ、 Ｍｏ５３からなる群
から選んだ少なくとも一種の添加により、室温でのｔａ
ｎδが２００Ｘ１０−４以下におさえられ、かつ誘電率
の温度変化率が小さくなる。
から選んだ少なくとも一種の添加により、室温でのｔａ
ｎδが２００Ｘ１０−４以下におさえられ、かつ誘電率
の温度変化率が小さくなる。
実施例
出発原料には、化学的に高純度なＰｂＯ，Ｍｑｏ。
ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，Ｎｉｐ、 ＷＯ３，ＭｎＯ２，
Ｃｒ２Ｏ３゜Ｃｏｏ、 ＭｏＯ３を用いた。これらを純
度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、メノウ製玉
互を用い純水を溶媒として、ボールミルで１７時時間式
混合した。これを吸いんろ過して水分の大半を分離した
後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後、粉体量
の５ｗｔ％の水分を加え、直径６０ｍｍ高さ約５０１１
１１１１の円柱状に、成形圧力５００ Ｋｒ／讐で成形
した。これをアルミナルツボ中に入れ、同質のフタをし
、７６０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物を
アルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水
を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸い
んろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
、粉砕、乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビニ
ルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え、
３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力１０ｏＯ
Ｋｇ／ｃｄで直径１３叫、高さ約５閣の円柱状に成形し
た。成形物は空気中で７ｏｏ′Ｃｔで昇温し、１時間保
持しポリビニルアルコール分をバーンアウトし、冷却後
これをマグネシア磁器容器に移し、同質のふたをし、空
気中で所定温度まで４００℃／ｈ ｒで昇温し２時間保
持後４００℃／ｈｒで降温した。
Ｃｒ２Ｏ３゜Ｃｏｏ、 ＭｏＯ３を用いた。これらを純
度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、メノウ製玉
互を用い純水を溶媒として、ボールミルで１７時時間式
混合した。これを吸いんろ過して水分の大半を分離した
後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後、粉体量
の５ｗｔ％の水分を加え、直径６０ｍｍ高さ約５０１１
１１１１の円柱状に、成形圧力５００ Ｋｒ／讐で成形
した。これをアルミナルツボ中に入れ、同質のフタをし
、７６０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物を
アルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水
を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸い
んろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
、粉砕、乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビニ
ルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え、
３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力１０ｏＯ
Ｋｇ／ｃｄで直径１３叫、高さ約５閣の円柱状に成形し
た。成形物は空気中で７ｏｏ′Ｃｔで昇温し、１時間保
持しポリビニルアルコール分をバーンアウトし、冷却後
これをマグネシア磁器容器に移し、同質のふたをし、空
気中で所定温度まで４００℃／ｈ ｒで昇温し２時間保
持後４００℃／ｈｒで降温した。
焼成物は厚さ１龍の円柱状に切断し、両面にＣｒ−Ａｕ
を蒸着し、誘電率、 ｔａｎδを１ＫＨｚ ＩＶ／＋ｍ
の電界下で測定した。
を蒸着し、誘電率、 ｔａｎδを１ＫＨｚ ＩＶ／＋ｍ
の電界下で測定した。
焼成物の密度はアルキメデス法により測定し、密度が最
大となる焼成温度を最適焼成温度とした。
大となる焼成温度を最適焼成温度とした。
第１表に本発明の特許請求の範囲および周辺組成の成分
最適焼成温度、２０℃における誘電率。
最適焼成温度、２０℃における誘電率。
ｔａｎδ、誘電率の温度変化率を示す。＊のついたサン
プル濫のものが、本発明範囲外のものである。
プル濫のものが、本発明範囲外のものである。
図には本発明の主成分の組成範囲をＰｂＴ ｉＯ３゜Ｐ
ｂ （ＭｑＨＮｂＨ）０３． Ｐｂ （Ｎｔ３（ＷＨ）
０３ ヲ端成分トｆ ；Ｅ）三角組成図中に示した。
ｂ （ＭｑＨＮｂＨ）０３． Ｐｂ （Ｎｔ３（ＷＨ）
０３ ヲ端成分トｆ ；Ｅ）三角組成図中に示した。
特許請求の範囲を限定した理由は限定範囲外の組成物で
は、室温のｔａｎδが２００Ｘ１０””を超える、誘電
率がｅｏｏｏ以下に低下する、誘電率の温度変化率がＺ
６Ｕ規格を満たさないの３点のいずれか、又はそれらの
重複した難点を有していることによる。
は、室温のｔａｎδが２００Ｘ１０””を超える、誘電
率がｅｏｏｏ以下に低下する、誘電率の温度変化率がＺ
６Ｕ規格を満たさないの３点のいずれか、又はそれらの
重複した難点を有していることによる。
また本発明において、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏは、炭酸
塩、硝酸塩、硫酸塩等、もしくは酸化数の異なる酸化物
として加えても、請求の範囲に挙げた酸化物に換算し、
０．０３〜０．６０ｗｔ％を加えれば、同等の効果があ
る。
塩、硝酸塩、硫酸塩等、もしくは酸化数の異なる酸化物
として加えても、請求の範囲に挙げた酸化物に換算し、
０．０３〜０．６０ｗｔ％を加えれば、同等の効果があ
る。
発明の効果
以上述べたように本発明の誘電体磁器組成物は、１００
０℃以下の温度で焼成でき内部電極としてＡｑ系の材料
を用いることが可能であり、かつ室温のｊａｎδが２０
０Ｘ１０””以下で誘電率の温度変化率がＥＩＡＪ規格
のＺｔｓＵ特性を満たす優れた高誘電率系誘電体磁器組
成物である。
０℃以下の温度で焼成でき内部電極としてＡｑ系の材料
を用いることが可能であり、かつ室温のｊａｎδが２０
０Ｘ１０””以下で誘電率の温度変化率がＥＩＡＪ規格
のＺｔｓＵ特性を満たす優れた高誘電率系誘電体磁器組
成物である。
図は本発明の組成範囲を示す、ＰｂＴ １０３ｔｐｂ（
槍嘱島％）０３．Ｐｂ （Ｎ１％−ρ０３を端数分とす
る三角組成図である。
槍嘱島％）０３．Ｐｂ （Ｎ１％−ρ０３を端数分とす
る三角組成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／
＿３）Ｏ＿３およびＰｂ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／
＿２）Ｏ＿３からなる三成分系磁器組成物を ＰｂＴｉ＿ｘ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿
ｙ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３と表
わしたときに（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、ＰｂＴ
ｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）
Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿
３を頂点とする三成分組成図において以下の三角座標で
表わされる組成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ Ａ ｘ＝２．５ ｙ＝９５ ｚ＝２．５ Ｂ ｘ＝１２．５ ｙ＝８５ ｚ＝２．５ Ｃ ｘ＝４０．０ ｙ＝４１．０ ｚ＝１９．０Ｄ ｘ
＝２０．０ ｙ＝５０．０ ｚ＝３０．０Ｅ ｘ＝２．
５ ｙ＝９０ ｚ＝７．５（値はモル％）を頂点とする
五角形の領域内の組成範囲にある主成分組成物に対し、
副成分として、ＭｎＯ＿２、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＣｏＯ、
ＭｏＯ＿３からなる群の少なくとも一つを、重量％で０
．０３〜０．６０％含有することを特徴とする誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60013685A JPH0688825B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 誘電体磁器組成物 |
| US06/813,521 US4711862A (en) | 1984-12-27 | 1985-12-26 | Dielectric ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60013685A JPH0688825B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174162A true JPS61174162A (ja) | 1986-08-05 |
| JPH0688825B2 JPH0688825B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=11840039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60013685A Expired - Lifetime JPH0688825B2 (ja) | 1984-12-27 | 1985-01-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0688825B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0249275A2 (en) * | 1986-06-10 | 1987-12-16 | North American Philips Corporation | Lead calcium titanate piezoelectric ceramic element |
| JPH029750A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60013685A patent/JPH0688825B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0249275A2 (en) * | 1986-06-10 | 1987-12-16 | North American Philips Corporation | Lead calcium titanate piezoelectric ceramic element |
| JPH029750A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0688825B2 (ja) | 1994-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |