JPH068207B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH068207B2 JPH068207B2 JP60222243A JP22224385A JPH068207B2 JP H068207 B2 JPH068207 B2 JP H068207B2 JP 60222243 A JP60222243 A JP 60222243A JP 22224385 A JP22224385 A JP 22224385A JP H068207 B2 JPH068207 B2 JP H068207B2
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- JP
- Japan
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- composition
- temperature
- porcelain composition
- dielectric porcelain
- dielectric constant
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は焼成温度が1100℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率
の大きいものに関する。
率系誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率
の大きいものに関する。
従来の技術 近年セラミックコンデンサにおいては、素子の小型化、
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきた
が、焼成温度が1300℃程度と高いため、内部電極材
料としてはPt、Pdなどの高価な金属を用いる必要が
あった。
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきた
が、焼成温度が1300℃程度と高いため、内部電極材
料としてはPt、Pdなどの高価な金属を用いる必要が
あった。
これに対し1100℃以下で焼成でき、内部電極として
前者より安価なAg系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
前者より安価なAg系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
これらのうちPb(Zn1/3Nb2/3)O3とPb(Mg1/3Nb2/3)O
3を含むものとしては、特開昭57−25607号公
報、同57−27974号公報に記載の材料などが知ら
れている。
3を含むものとしては、特開昭57−25607号公
報、同57−27974号公報に記載の材料などが知ら
れている。
発明が解決しようとする問題点 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−Pb(Mg1/3Nb2/3)O3系固溶体は高
い誘電率が得られるが、特に高温下での抵抗値がやや低
下する傾向を有していた。
い誘電率が得られるが、特に高温下での抵抗値がやや低
下する傾向を有していた。
本発明は、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−Pb(Mg1/3Nb2/3)O3
系のもつ高い誘電率をそこなわず、高温下での抵抗値の
高い誘電体磁器組成物を提供することを目的としてい
る。
系のもつ高い誘電率をそこなわず、高温下での抵抗値の
高い誘電体磁器組成物を提供することを目的としてい
る。
問題点を解決するための手段 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−Pb(Mg1/3Nb2/3)O3系に第三成分
として、Pb(Ni1/2W1/2)O3を加えた組成とする。
として、Pb(Ni1/2W1/2)O3を加えた組成とする。
作用 本発明の範囲の組成物においては、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3
−Pb(Mg1/3Nb2/3)O3系にPb(Ni1/2W1/2)O3を加え
ることにより、1100℃以下の焼成温度で、積層コン
デンサ素子として高信頼性を得られるチ密な焼結体が得
られ、内部電極としてAg系の材料を用いることが可能
となり、かつ高温度下において高い抵抗値を有する素子
が得られる。
−Pb(Mg1/3Nb2/3)O3系にPb(Ni1/2W1/2)O3を加え
ることにより、1100℃以下の焼成温度で、積層コン
デンサ素子として高信頼性を得られるチ密な焼結体が得
られ、内部電極としてAg系の材料を用いることが可能
となり、かつ高温度下において高い抵抗値を有する素子
が得られる。
実施例 出発原料には化学的に高純度なPbO、MgO、Nb2O5、
NiO、ZnO、WO3を用いた。これらを純度補正をお
こなったうえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純
水を溶媒としボールミルで17時間湿式混合した,これ
を吸引ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後
ライカイ機で充分解砕した後粉体量の5wt%の水分を加
え、直径60mm、高さ約50mmの円柱状に、成形圧力5
00kg/cm2で成形した。これをアルミナルツボ中に入れ
同質のフタをし、750℃〜880℃で2時間仮焼し
た。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ
製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで17時間粉
砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥し
た。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、こ
の粉末にポリビニルアルコール6wt%水溶液を粉体量の
6wt%加え、32メッシュふるいを通して造粒し、成形
圧力1000kg/cm2で、直径13mm、高さ約5mmの円柱
状に成形した。成形物は空気中で700℃まで昇温し1
時間保持してポリビニルアルコール分をバーンアウト
し、冷却後これをマグネシヤ磁器容器に移し、同質のフ
タをし、空気中で所定温度まで400℃/hrで昇温し2
時間保持後400℃/hrで降温した。
NiO、ZnO、WO3を用いた。これらを純度補正をお
こなったうえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純
水を溶媒としボールミルで17時間湿式混合した,これ
を吸引ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後
ライカイ機で充分解砕した後粉体量の5wt%の水分を加
え、直径60mm、高さ約50mmの円柱状に、成形圧力5
00kg/cm2で成形した。これをアルミナルツボ中に入れ
同質のフタをし、750℃〜880℃で2時間仮焼し
た。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ
製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで17時間粉
砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥し
た。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、こ
の粉末にポリビニルアルコール6wt%水溶液を粉体量の
6wt%加え、32メッシュふるいを通して造粒し、成形
圧力1000kg/cm2で、直径13mm、高さ約5mmの円柱
状に成形した。成形物は空気中で700℃まで昇温し1
時間保持してポリビニルアルコール分をバーンアウト
し、冷却後これをマグネシヤ磁器容器に移し、同質のフ
タをし、空気中で所定温度まで400℃/hrで昇温し2
時間保持後400℃/hrで降温した。
焼成物は厚さ1mmの円板状に切断し、両面にCr−Au
を蒸着し、誘電率、tanδを1kHz、1V/mmの電界
下で測定した。また抵抗率は20℃および85℃で1k
V/mmの電圧を印加後1分値から求めた。
を蒸着し、誘電率、tanδを1kHz、1V/mmの電界
下で測定した。また抵抗率は20℃および85℃で1k
V/mmの電圧を印加後1分値から求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
表1に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、tanδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
度、誘電率、tanδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
図は表1に示した各試料をPb(Zn1/3Nb2/3)O3−Pb(M
g1/3Nb2/3)O3−Pb(Ni1/2W1/2)O3を端成分とする
三角組成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範囲
である。
g1/3Nb2/3)O3−Pb(Ni1/2W1/2)O3を端成分とする
三角組成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範囲
である。
発明の範囲外の組成物については、表1のNo.に*印を
つけた試料を例として挙げたが、最適焼成温度が110
0℃を越える、誘電率が4000以下となる、高温度下
での抵抗値が低くなる、の3点のいずれか、もしくはそ
れらの重複した難点を有している。発明の範囲内の組成
物では前記3点の問題がいずれも克服されている。
つけた試料を例として挙げたが、最適焼成温度が110
0℃を越える、誘電率が4000以下となる、高温度下
での抵抗値が低くなる、の3点のいずれか、もしくはそ
れらの重複した難点を有している。発明の範囲内の組成
物では前記3点の問題がいずれも克服されている。
発明の効果 本発明によれば、1100℃以下の温度で積層コンデン
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れ、内部電極としてAg系の材料を用いることが可能に
なり、かつ誘電率が4000以上で高温度下での抵抗率
の高い優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れ、内部電極としてAg系の材料を用いることが可能に
なり、かつ誘電率が4000以上で高温度下での抵抗率
の高い優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項1】Pb(Mg1/3Nb2/3)O3、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3
Pb(Ni1/2W1/2)O3からなる三成分系磁器組成物を Pb(Mg1/3Nb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)y (Ni1/2W1/2)zO3 と表したときに(ただし、x+y+z=1.00)、Pb(M
g1/3Nb2/3)O3、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3、Pb(Ni1/2W1/2)
O3を頂点とする三角座標で示される三成分組成図にお
いて、下記の組成点A、B、C、D A: x=0.850 y=0.140 z=0.010 B: x=0.500 y=0.490 z=0.010 C: x=0.010 y=0.940 z=0.050 D: x=0.010 y=0.650 z=0.340 を頂点とする四角形の領域内の組成範囲にあることを特
徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60222243A JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60222243A JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6283352A JPS6283352A (ja) | 1987-04-16 |
JPH068207B2 true JPH068207B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16779341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60222243A Expired - Lifetime JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH068207B2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222243A patent/JPH068207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6283352A (ja) | 1987-04-16 |
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