JPS61155249A - 高誘電率系誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61155249A JPS61155249A JP59280317A JP28031784A JPS61155249A JP S61155249 A JPS61155249 A JP S61155249A JP 59280317 A JP59280317 A JP 59280317A JP 28031784 A JP28031784 A JP 28031784A JP S61155249 A JPS61155249 A JP S61155249A
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- JP
- Japan
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- dielectric constant
- composition
- ceramic composition
- temperature
- present
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が1100℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電2 ベー。
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電2 ベー。
率の温度変化率がY級F特性を満たすものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサは素子の小型化、大容量化へ
の要求から積層型セラミックコンデンザが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
の要求から積層型セラミックコンデンザが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材料にはチ
タン酸バリウム系の材料が用いられてきだが、焼成温度
が1000℃程度と高いため、内部電極材料としてはP
t、およびPdなどの高価な金属を用いる必要があった
。
タン酸バリウム系の材料が用いられてきだが、焼成温度
が1000℃程度と高いため、内部電極材料としてはP
t、およびPdなどの高価な金属を用いる必要があった
。
これに対し1100’C以下で焼成でき内部電極として
前者よシ安価なAq系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
前者よシ安価なAq系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
これらのうち本発明同様にP b T z Oaとpb
(Mg〆Nb%)o3を含むものとしては特開昭55−
5175855−60069などが知られており、さら
にPb(Fe%W!A)03t P b (Mg5AW
%)03を含むものとして、特開昭57−168405
.65−111011などが知られている。
(Mg〆Nb%)o3を含むものとしては特開昭55−
5175855−60069などが知られており、さら
にPb(Fe%W!A)03t P b (Mg5AW
%)03を含むものとして、特開昭57−168405
.65−111011などが知られている。
またP b T i O3P b (N 1%Nb%)
03−pb(yg%W!A)03系どしては特開昭58
−58565が知られており、これは本発明のPbT
i○3−Pb(Mq!ANb3イ)03−Pb (Ni
3AW3A)03系と一部重複する組成範囲を有してお
り、本発明では重複部分を請求の範囲から除いた。
03−pb(yg%W!A)03系どしては特開昭58
−58565が知られており、これは本発明のPbT
i○3−Pb(Mq!ANb3イ)03−Pb (Ni
3AW3A)03系と一部重複する組成範囲を有してお
り、本発明では重複部分を請求の範囲から除いた。
発明が解決しようとする問題点
PbT 1o3−Pb (Mg%Nb%)03系固溶体
は高い誘電率が得られるが、積層コンデンサ素子として
高信頼性を得るためのチ密な焼結体を得るためには11
00°C以上の焼成温度が必要であるという問題点を有
していた。
は高い誘電率が得られるが、積層コンデンサ素子として
高信頼性を得るためのチ密な焼結体を得るためには11
00°C以上の焼成温度が必要であるという問題点を有
していた。
本発明ではかかる問題点に鑑み、p’bTi○3−Pb
(Mcr3ANb%)03系のもつ高い誘電率をそこ々
わず、焼成温度を低下することを目的としている。
(Mcr3ANb%)03系のもつ高い誘電率をそこ々
わず、焼成温度を低下することを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決する本発明の技術的手段として、各種
組成物を第三成分として横側した結果、P b (N
13A−VJ%)03を加えた組成物において上記問題
点を解決した。
組成物を第三成分として横側した結果、P b (N
13A−VJ%)03を加えた組成物において上記問題
点を解決した。
作用
すなわち、本発明の特許請求の範囲のn1成物において
は、Pb(Ni3AW3A)03をP b T t O
3P b(Mq%Nb%)03系に加えることにより、
1100°C以下の焼成温度で積層コンデンサ素子とし
て高信頼性を得られるチ密な焼結体が得られ内部電極と
してAq系の材料を用いることが可能となり、かつ誘電
率が8000以上で誘電率の温度変化率がTIS Y
級F特性の規格を満たすものが得られる。
は、Pb(Ni3AW3A)03をP b T t O
3P b(Mq%Nb%)03系に加えることにより、
1100°C以下の焼成温度で積層コンデンサ素子とし
て高信頼性を得られるチ密な焼結体が得られ内部電極と
してAq系の材料を用いることが可能となり、かつ誘電
率が8000以上で誘電率の温度変化率がTIS Y
級F特性の規格を満たすものが得られる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なpb○p”J○。
N b 205p T 102 N 10.WO2を用
いた。これらを純度補正をおこなったうえで所定量を秤
量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としボールミルで
17時時間式混合した。これを吸いんろ過して水5/、
− 分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分
解砕しまた後粉体量の5wt%の水分を加え、直径60
mm高さ約50mmの円柱状に成形圧力500シで成形
した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、
750°C〜880℃で2時間仮焼した。次に仮焼物を
アルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水
を溶媒としてボールミルで17時間粉砕し、これを吸い
んろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
粉砕乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビニルア
ルコール6wt%水溶液を粉体量の6wt%加え、32
メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力1000〜で
直径13B高さ約5鮨の円柱状に成形した。
いた。これらを純度補正をおこなったうえで所定量を秤
量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としボールミルで
17時時間式混合した。これを吸いんろ過して水5/、
− 分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分
解砕しまた後粉体量の5wt%の水分を加え、直径60
mm高さ約50mmの円柱状に成形圧力500シで成形
した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、
750°C〜880℃で2時間仮焼した。次に仮焼物を
アルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水
を溶媒としてボールミルで17時間粉砕し、これを吸い
んろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
粉砕乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビニルア
ルコール6wt%水溶液を粉体量の6wt%加え、32
メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力1000〜で
直径13B高さ約5鮨の円柱状に成形した。
成形物は空気中で700°Cまで昇温し、1時間保持し
ポリビニルアルコール分をバーンアウトし、冷却後とれ
をマグネシア磁器容器に移し、同質のふたをし、空気中
で所定温度まで400′C/hrで昇温し2時間保持後
400°C/hrで降温した。
ポリビニルアルコール分をバーンアウトし、冷却後とれ
をマグネシア磁器容器に移し、同質のふたをし、空気中
で所定温度まで400′C/hrで昇温し2時間保持後
400°C/hrで降温した。
焼成物は厚さ18の円柱状に切断し、両面にCr −A
uを蒸着し、誘電率、 janδをIKHz IV
/wn6ペ、−−ノ゛ の電界下で測定した。
uを蒸着し、誘電率、 janδをIKHz IV
/wn6ペ、−−ノ゛ の電界下で測定した。
焼成物の密度はアルキメデス法により測定し、密度が最
大となる焼成温度を最適焼成温度としだ。
大となる焼成温度を最適焼成温度としだ。
焼成物の相対密度はX線法により求めた密度に対する焼
成物の密度の比で求めた。本発明の特許請求の範囲の組
成物では、最適焼成温度で焼成した焼成物の粉末X線回
折法からはペロブスカイト相−相のみが確認された。そ
こで次式(1)に示す方法で密度を求めた。
成物の密度の比で求めた。本発明の特許請求の範囲の組
成物では、最適焼成温度で焼成した焼成物の粉末X線回
折法からはペロブスカイト相−相のみが確認された。そ
こで次式(1)に示す方法で密度を求めた。
(1)式でdは密度、Nはアボガドヮ数、Miは1番目
の原子の原子量、a i 1l−1:i番目の原子の配
合組成より求めだ1ユニツトセル中の存在量、■はX線
回折法により求めだペロブスカイト構造1ユニツトセル
の体積を示し、Xは構成元素すべてについて合計するこ
とを示す。
の原子の原子量、a i 1l−1:i番目の原子の配
合組成より求めだ1ユニツトセル中の存在量、■はX線
回折法により求めだペロブスカイト構造1ユニツトセル
の体積を示し、Xは構成元素すべてについて合計するこ
とを示す。
表1に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、最適焼
成温度、誘電率、tanδ、誘電率の温度変化率、X線
法により求めた密度に対する焼成物の相対密度を示す。
成温度、誘電率、tanδ、誘電率の温度変化率、X線
法により求めた密度に対する焼成物の相対密度を示す。
図(d、 表I K 示L k 各試料ヲP b T
103P b (”J%Nb%)03−Pb(N13A
W3A)o3を端成分とする三角組成図中に示したもの
である。
103P b (”J%Nb%)03−Pb(N13A
W3A)o3を端成分とする三角組成図中に示したもの
である。
9べ−
特許請求の範囲を限定した理由は、限定範囲外の組成物
では、表1に爲に※をつけた試料を例として挙げたが最
適焼成温度が1100℃を越える。
では、表1に爲に※をつけた試料を例として挙げたが最
適焼成温度が1100℃を越える。
誘電率が8000以下となる、誘電率の温度変化率がJ
IS Y級F特性を満たさないの3点のいずれか又は
それらの重複した難点を有しており、特許請求の範囲よ
シ除いた。特許請求の範囲内の組成物では前記3点の問
題がいずれも克服されている。
IS Y級F特性を満たさないの3点のいずれか又は
それらの重複した難点を有しており、特許請求の範囲よ
シ除いた。特許請求の範囲内の組成物では前記3点の問
題がいずれも克服されている。
発明の効果
以上述べたように本発明の特許請求の範囲の組成物は1
10o′C以下の温度で積層コンデンサ素子として高信
頼性を得るためのチ密な焼結体が得られ、内部電極とし
てAq系の材料を用いることが可能になり、かつ誘電率
がBooo以上で誘電率の温度変化率がJIS Y級
F特性の規格を満たす優れた高誘電率系誘電体磁器組成
物である。
10o′C以下の温度で積層コンデンサ素子として高信
頼性を得るためのチ密な焼結体が得られ、内部電極とし
てAq系の材料を用いることが可能になり、かつ誘電率
がBooo以上で誘電率の温度変化率がJIS Y級
F特性の規格を満たす優れた高誘電率系誘電体磁器組成
物である。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 PbTi_x(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)_
y(Ni_1_/_2W_1_/_2)_zO_3で表
わされる磁器組成分(ただしx+y+z=1)において
、PbTiO_3、Pb(Mg_1_/_3Nb_2_
/_3)O_3、Pb(Ni_1_/_2W_1_/_
2)O_3を頂点とする三角座標で、組成A、B、C、
D、Eを頂点とする五角形の領域内の組成物からなるこ
とを特徴とする高誘電率系誘電体磁器組成物。ただしz
=(2/3)yとなる組成を除く。 Aはx=2.5y=95、z=2.5Bはx=12.5
y=85、z=2.5Cはx=60、y=10z=30
Dはx=40y=10 z=50Eはx=2.5y=90z=7.5(モル%)
。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59280317A JPS61155249A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
US06/813,521 US4711862A (en) | 1984-12-27 | 1985-12-26 | Dielectric ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59280317A JPS61155249A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61155249A true JPS61155249A (ja) | 1986-07-14 |
JPH02309B2 JPH02309B2 (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=17623307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59280317A Granted JPS61155249A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61155249A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH029750A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59280317A patent/JPS61155249A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH029750A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02309B2 (ja) | 1990-01-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |