JPS61155249A - 高誘電率系誘電体磁器組成物 - Google Patents

高誘電率系誘電体磁器組成物

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JPS61155249A
JPS61155249A JP59280317A JP28031784A JPS61155249A JP S61155249 A JPS61155249 A JP S61155249A JP 59280317 A JP59280317 A JP 59280317A JP 28031784 A JP28031784 A JP 28031784A JP S61155249 A JPS61155249 A JP S61155249A
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JP
Japan
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dielectric constant
composition
ceramic composition
temperature
present
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JP59280317A
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横谷 洋一郎
純一 加藤
西田 正光
俊一郎 河島
宏 大内
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は焼成温度が1100℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電2 ベー。
率の温度変化率がY級F特性を満たすものに関する。
従来の技術 近年セラミックコンデンサは素子の小型化、大容量化へ
の要求から積層型セラミックコンデンザが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材料にはチ
タン酸バリウム系の材料が用いられてきだが、焼成温度
が1000℃程度と高いため、内部電極材料としてはP
t、およびPdなどの高価な金属を用いる必要があった
これに対し1100’C以下で焼成でき内部電極として
前者よシ安価なAq系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
これらのうち本発明同様にP b T z Oaとpb
(Mg〆Nb%)o3を含むものとしては特開昭55−
5175855−60069などが知られており、さら
にPb(Fe%W!A)03t P b (Mg5AW
%)03を含むものとして、特開昭57−168405
.65−111011などが知られている。
またP b T i O3P b (N 1%Nb%)
03−pb(yg%W!A)03系どしては特開昭58
−58565が知られており、これは本発明のPbT 
i○3−Pb(Mq!ANb3イ)03−Pb (Ni
3AW3A)03系と一部重複する組成範囲を有してお
り、本発明では重複部分を請求の範囲から除いた。
発明が解決しようとする問題点 PbT 1o3−Pb (Mg%Nb%)03系固溶体
は高い誘電率が得られるが、積層コンデンサ素子として
高信頼性を得るためのチ密な焼結体を得るためには11
00°C以上の焼成温度が必要であるという問題点を有
していた。
本発明ではかかる問題点に鑑み、p’bTi○3−Pb
(Mcr3ANb%)03系のもつ高い誘電率をそこ々
わず、焼成温度を低下することを目的としている。
問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決する本発明の技術的手段として、各種
組成物を第三成分として横側した結果、P b (N 
13A−VJ%)03を加えた組成物において上記問題
点を解決した。
作用 すなわち、本発明の特許請求の範囲のn1成物において
は、Pb(Ni3AW3A)03をP b T t O
3P b(Mq%Nb%)03系に加えることにより、
1100°C以下の焼成温度で積層コンデンサ素子とし
て高信頼性を得られるチ密な焼結体が得られ内部電極と
してAq系の材料を用いることが可能となり、かつ誘電
率が8000以上で誘電率の温度変化率がTIS  Y
級F特性の規格を満たすものが得られる。
実施例 出発原料には化学的に高純度なpb○p”J○。
N b 205p T 102 N 10.WO2を用
いた。これらを純度補正をおこなったうえで所定量を秤
量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としボールミルで
17時時間式混合した。これを吸いんろ過して水5/、
− 分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分
解砕しまた後粉体量の5wt%の水分を加え、直径60
mm高さ約50mmの円柱状に成形圧力500シで成形
した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、
750°C〜880℃で2時間仮焼した。次に仮焼物を
アルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水
を溶媒としてボールミルで17時間粉砕し、これを吸い
んろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
粉砕乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビニルア
ルコール6wt%水溶液を粉体量の6wt%加え、32
メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力1000〜で
直径13B高さ約5鮨の円柱状に成形した。
成形物は空気中で700°Cまで昇温し、1時間保持し
ポリビニルアルコール分をバーンアウトし、冷却後とれ
をマグネシア磁器容器に移し、同質のふたをし、空気中
で所定温度まで400′C/hrで昇温し2時間保持後
400°C/hrで降温した。
焼成物は厚さ18の円柱状に切断し、両面にCr −A
 uを蒸着し、誘電率、 janδをIKHz  IV
/wn6ペ、−−ノ゛ の電界下で測定した。
焼成物の密度はアルキメデス法により測定し、密度が最
大となる焼成温度を最適焼成温度としだ。
焼成物の相対密度はX線法により求めた密度に対する焼
成物の密度の比で求めた。本発明の特許請求の範囲の組
成物では、最適焼成温度で焼成した焼成物の粉末X線回
折法からはペロブスカイト相−相のみが確認された。そ
こで次式(1)に示す方法で密度を求めた。
(1)式でdは密度、Nはアボガドヮ数、Miは1番目
の原子の原子量、a i 1l−1:i番目の原子の配
合組成より求めだ1ユニツトセル中の存在量、■はX線
回折法により求めだペロブスカイト構造1ユニツトセル
の体積を示し、Xは構成元素すべてについて合計するこ
とを示す。
表1に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、最適焼
成温度、誘電率、tanδ、誘電率の温度変化率、X線
法により求めた密度に対する焼成物の相対密度を示す。
図(d、 表I K 示L k 各試料ヲP b T 
103P b (”J%Nb%)03−Pb(N13A
W3A)o3を端成分とする三角組成図中に示したもの
である。
9べ− 特許請求の範囲を限定した理由は、限定範囲外の組成物
では、表1に爲に※をつけた試料を例として挙げたが最
適焼成温度が1100℃を越える。
誘電率が8000以下となる、誘電率の温度変化率がJ
IS  Y級F特性を満たさないの3点のいずれか又は
それらの重複した難点を有しており、特許請求の範囲よ
シ除いた。特許請求の範囲内の組成物では前記3点の問
題がいずれも克服されている。
発明の効果 以上述べたように本発明の特許請求の範囲の組成物は1
10o′C以下の温度で積層コンデンサ素子として高信
頼性を得るためのチ密な焼結体が得られ、内部電極とし
てAq系の材料を用いることが可能になり、かつ誘電率
がBooo以上で誘電率の温度変化率がJIS  Y級
F特性の規格を満たす優れた高誘電率系誘電体磁器組成
物である。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 PbTi_x(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)_
    y(Ni_1_/_2W_1_/_2)_zO_3で表
    わされる磁器組成分(ただしx+y+z=1)において
    、PbTiO_3、Pb(Mg_1_/_3Nb_2_
    /_3)O_3、Pb(Ni_1_/_2W_1_/_
    2)O_3を頂点とする三角座標で、組成A、B、C、
    D、Eを頂点とする五角形の領域内の組成物からなるこ
    とを特徴とする高誘電率系誘電体磁器組成物。ただしz
    =(2/3)yとなる組成を除く。 Aはx=2.5y=95、z=2.5Bはx=12.5
    y=85、z=2.5Cはx=60、y=10z=30
    Dはx=40y=10 z=50Eはx=2.5y=90z=7.5(モル%)
JP59280317A 1984-12-27 1984-12-27 高誘電率系誘電体磁器組成物 Granted JPS61155249A (ja)

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JP59280317A JPS61155249A (ja) 1984-12-27 1984-12-27 高誘電率系誘電体磁器組成物
US06/813,521 US4711862A (en) 1984-12-27 1985-12-26 Dielectric ceramic compositions

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JP59280317A JPS61155249A (ja) 1984-12-27 1984-12-27 高誘電率系誘電体磁器組成物

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JPS61155249A true JPS61155249A (ja) 1986-07-14
JPH02309B2 JPH02309B2 (ja) 1990-01-05

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH029750A (ja) * 1988-06-27 1990-01-12 Tdk Corp 高誘電率セラミックス組成物

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH029750A (ja) * 1988-06-27 1990-01-12 Tdk Corp 高誘電率セラミックス組成物

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JPH02309B2 (ja) 1990-01-05

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