JPS61191560A - 高誘電率系誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61191560A JPS61191560A JP60030910A JP3091085A JPS61191560A JP S61191560 A JPS61191560 A JP S61191560A JP 60030910 A JP60030910 A JP 60030910A JP 3091085 A JP3091085 A JP 3091085A JP S61191560 A JPS61191560 A JP S61191560A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- composition
- high permittivity
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が１１００”Ｃ以下で焼成される高誘
電率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変化
率がＸＩＡＪ規格のＺ５Ｌｆ特性（＋１０℃〜＋８６°
Ｃの誘電率が＋２０°Ｃの値に対し＋２２％〜−５６％
）を満し、２０℃のｔａｎδが２００Ｘ１０ ’以下で
ある条件を満たすものに関する。
電率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の温度変化
率がＸＩＡＪ規格のＺ５Ｌｆ特性（＋１０℃〜＋８６°
Ｃの誘電率が＋２０°Ｃの値に対し＋２２％〜−５６％
）を満し、２０℃のｔａｎδが２００Ｘ１０ ’以下で
ある条件を満たすものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサは素子の小型化、大容量化へ
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材料にはチ
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が゛ はｐｔおよびｐｄなどの高価な金属を用いる必
要があった。
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が゛ はｐｔおよびｐｄなどの高価な金属を用いる必
要があった。
これに対し１１００°Ｃ以下で焼成でき内部電極として
前者より安価なムｇ 系材料を用いることができる鉛複
合ペロプスカイト系材料が開発されている。
前者より安価なムｇ 系材料を用いることができる鉛複
合ペロプスカイト系材料が開発されている。
発明者らはすでにＰｂＴｉ０． 、 Ｐｂ（Ｍｇ３ＡＮ
ｂ％）０．。
ｂ％）０．。
Ｐｂ （Ｎｉ１／２Ｗ１／２）ｚＯｙ６ ）０３三成分
からなる高誘電率系誘電体磁器組成物を提案している。
からなる高誘電率系誘電体磁器組成物を提案している。
この系はＰｂＴｉＯ３−Ｐｂ（Ｍｇ月Ｎｂ％）０３二成
分系組成物のもつ高い誘電率の特性をそこなわず、積層
コンデンサ素子として高信頼性を得るための緻密な焼結
体が１０００°Ｃ以下の焼成温度で得られるという優れ
た特性を有している。
分系組成物のもつ高い誘電率の特性をそこなわず、積層
コンデンサ素子として高信頼性を得るための緻密な焼結
体が１０００°Ｃ以下の焼成温度で得られるという優れ
た特性を有している。
発明が解決しようとする問題点
ｐｂＴｉｏ、 、 Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）ｚＯｂ
％）Ｏ，、Ｐｔ）（Ｎｉ３ＡＷ％）０３三成分からなる
磁器組成物は上述のように優れた特゛性を有しているが
、室温でのｔＩＬｎδが若干大きい、誘電率の温度変化
率がやや大きく、ｚ５Ｕ規格の限度値程度であるという
問題点を有していた。本発明では上記問題点に鑑み、高
誘電率で焼成温度が１１００’Ｃ以下である特性をそこ
なわず、室温のｔａｎδを低下し、誘電率の温度変化率
を小さくする新規な誘電体磁器組成物を提供することを
目的としている。
％）Ｏ，、Ｐｔ）（Ｎｉ３ＡＷ％）０３三成分からなる
磁器組成物は上述のように優れた特゛性を有しているが
、室温でのｔＩＬｎδが若干大きい、誘電率の温度変化
率がやや大きく、ｚ５Ｕ規格の限度値程度であるという
問題点を有していた。本発明では上記問題点に鑑み、高
誘電率で焼成温度が１１００’Ｃ以下である特性をそこ
なわず、室温のｔａｎδを低下し、誘電率の温度変化率
を小さくする新規な誘電体磁器組成物を提供することを
目的としている。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するための技術的手段として各種組成
物を添加物として検討した結果、Ｐｂ（Ｍｎ３Ａ１１）
％ ）ｏ３． Ｐｂ（Ｍｎ３（Ｗ３４）Ｏ，、Ｐｂ（Ｍ
ｎ３．ｇｓｂ、ｑ）Ｏ。
物を添加物として検討した結果、Ｐｂ（Ｍｎ３Ａ１１）
％ ）ｏ３． Ｐｂ（Ｍｎ３（Ｗ３４）Ｏ，、Ｐｂ（Ｍ
ｎ３．ｇｓｂ、ｑ）Ｏ。
からなる群の少なくとも一つを添加した組成物において
上記問題点を解決した。
上記問題点を解決した。
作用
すなわち、本発明は、Ｐｂ（Ｍｎ３．ｇＮｂ５００３゜
Ｐｂ（Ｍｎｙ６Ｗ３Ａ）０３． Ｐｂ（Ｍｎ３．ｇｓｂ
、ｑ）Ｏ，からなる群の少すくトモーッヲ、ＰｂＴｉ０
． 、 Ｐｂ（Ｍｇ３４Ｎｂ％）ｏ３゜Ｐｂ（Ｎｉ３Ａ
Ｖ３Ａ）０３からなる系に加えることにより、室温でα
＆ｎδを２００Ｘ１０’以下におさえ、かつ誘電率の温
度変化率を小さく１．、Ｚ５ＬＴ規格を満足するものが
得られる。
Ｐｂ（Ｍｎｙ６Ｗ３Ａ）０３． Ｐｂ（Ｍｎ３．ｇｓｂ
、ｑ）Ｏ，からなる群の少すくトモーッヲ、ＰｂＴｉ０
． 、 Ｐｂ（Ｍｇ３４Ｎｂ％）ｏ３゜Ｐｂ（Ｎｉ３Ａ
Ｖ３Ａ）０３からなる系に加えることにより、室温でα
＆ｎδを２００Ｘ１０’以下におさえ、かつ誘電率の温
度変化率を小さく１．、Ｚ５ＬＴ規格を満足するものが
得られる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なＰｂ３０４１Ｍｇ０２Ｎ
ｉＯ、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５，ＷＯ３、ＭｎＯ□、 ５
ｂ２０３を用いた。これらを純度補正をおこなうたうえ
で所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒とし
ボールミルで１７時時間式混合した。これを吸いんろ過
して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機
で充分解砕した後、粉体量の６ｗｔ％の水分を加え、直
径６０ｆｌ＋、高さ約５０５１１３１の円柱状に成形圧
力５００ Ｋｇ ／ ｄで成形した。こレヲア／Ｌ／
ミナルツボ中に入れ同質のフタをし、７５０’Ｃ〜８８
０’Ｃで２時間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳鋲で
粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボ
ールミルで１７時間粉砕し、これを吸いんろ過し水分の
大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を
数回くりかえした後、この粉末にポリビニルアルコール
６ｗｔ％水溶液を粉体量のｅｗｔ％加え、３２メツシユ
ふｉいを通して造粒し、成形圧力１０００Ｋｙ ／ ｃ
ｉで直径１３Ｈ１高さ約５ ＭＭの円柱状に成形＋ ４
． ｅｌ＋恥１Ａ売頗出−７＾＾０ハ峰−刷Ｉ 弓時間
保持しポリビニルアルコール分をバー／アウトシ、冷却
後これをマグネシア磁器容器に移し、同質のふたをし、
空気中で所定温度まで４００°Ｃ／ｈｒで昇温し２時間
保持後４００’Ｃ／ ｈｒ テ降温した。
ｉＯ、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５，ＷＯ３、ＭｎＯ□、 ５
ｂ２０３を用いた。これらを純度補正をおこなうたうえ
で所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒とし
ボールミルで１７時時間式混合した。これを吸いんろ過
して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機
で充分解砕した後、粉体量の６ｗｔ％の水分を加え、直
径６０ｆｌ＋、高さ約５０５１１３１の円柱状に成形圧
力５００ Ｋｇ ／ ｄで成形した。こレヲア／Ｌ／
ミナルツボ中に入れ同質のフタをし、７５０’Ｃ〜８８
０’Ｃで２時間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳鋲で
粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボ
ールミルで１７時間粉砕し、これを吸いんろ過し水分の
大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を
数回くりかえした後、この粉末にポリビニルアルコール
６ｗｔ％水溶液を粉体量のｅｗｔ％加え、３２メツシユ
ふｉいを通して造粒し、成形圧力１０００Ｋｙ ／ ｃ
ｉで直径１３Ｈ１高さ約５ ＭＭの円柱状に成形＋ ４
． ｅｌ＋恥１Ａ売頗出−７＾＾０ハ峰−刷Ｉ 弓時間
保持しポリビニルアルコール分をバー／アウトシ、冷却
後これをマグネシア磁器容器に移し、同質のふたをし、
空気中で所定温度まで４００°Ｃ／ｈｒで昇温し２時間
保持後４００’Ｃ／ ｈｒ テ降温した。
焼成物は厚さ１ｆｆの円柱状に切断し、両面にＯｒ−ム
Ｕを蒸着し、誘電率、 ｔａｎδを１ＫＨ２１ｖ／ｆｆ
の電界下で測定した。
Ｕを蒸着し、誘電率、 ｔａｎδを１ＫＨ２１ｖ／ｆｆ
の電界下で測定した。
焼成物の密度はアルキメデス法により測定し、密度が最
大となる焼成温度を最適焼成温度とした。
大となる焼成温度を最適焼成温度とした。
表１に本発明の特許請求の範囲および周辺組成の成分最
適焼成温度、２０°Ｃにおける誘電率。
適焼成温度、２０°Ｃにおける誘電率。
ｔａｎδ、誘電率の温度変化率を示す。
（以下余白）
図には本発明の主成分の組成範囲をＰｂＴｉＯ３−Ｐｂ
（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）ｚＯｂ％）０３． Ｐｂ（Ｎ
ｉ３ＡＷ％）０．を端成分とする三角組成図中に示した
。
（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）ｚＯｂ％）０３． Ｐｂ（Ｎ
ｉ３ＡＷ％）０．を端成分とする三角組成図中に示した
。
特許請求の範囲を限定した理由は限定範囲外の組成物で
は、室温のｔａｎδが２００Ｘ１０−’を超える。誘電
率が６０００以下に低下する。誘電率の温度変化率がｚ
６■規格を満たさないの３点のいずれか、又はそれらの
重複した難点を有していることによる◎ 発明の効果 以上述べたように本発明の特許請求の範囲の組成物は１
１００°Ｃ以下の温度で焼成でき内部電極としてムｇ糸
の材料を用いることが可能であり、優れた高誘電率系誘
電体磁器組成物である。
は、室温のｔａｎδが２００Ｘ１０−’を超える。誘電
率が６０００以下に低下する。誘電率の温度変化率がｚ
６■規格を満たさないの３点のいずれか、又はそれらの
重複した難点を有していることによる◎ 発明の効果 以上述べたように本発明の特許請求の範囲の組成物は１
１００°Ｃ以下の温度で焼成でき内部電極としてムｇ糸
の材料を用いることが可能であり、優れた高誘電率系誘
電体磁器組成物である。
図は本発明の主成分の組成範囲をｐｂＴｉｏ、 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／
＿３）Ｏ＿３およびＰｂ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／
＿２）Ｏ＿３からなる三成分系磁器組成物を ＰｂＴｉ＿ｘ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿
ｙ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３と表
わしたときに（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）この三成
分組成図において、ＰｂＴｉＯ＿３、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿
／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／
＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３を頂点とする三角座標で以
下の組成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ Ａ ｘ＝２．５ ｙ＝９５ ｚ＝２．５ Ｂ ｘ＝１２．５ ｙ＝８５ ｚ＝２．５ Ｃ ｘ＝４０．０ ｙ＝４１ ｚ＝１９．０Ｄ ｘ＝２
０．０ ｙ＝５０ ｚ＝３０．０Ｅ ｘ＝２．５ ｙ＝
９０ ｚ＝７．５ を頂点とする五角形の領域内の組成範囲にある主成分組
成物に対し、副成分としてＰｂ（Ｍｎ＿１＿／＿３Ｎｂ
＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｍｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１
＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｍｎ＿１＿／＿３Ｓｂ＿２＿
／＿３）Ｏ＿３からなる群の少なくとも一つを重量％で
０．５〜２．５ｗｔ％含有することを特徴とする高誘電
率系誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030910A JPH0688826B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
| US06/813,521 US4711862A (en) | 1984-12-27 | 1985-12-26 | Dielectric ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030910A JPH0688826B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191560A true JPS61191560A (ja) | 1986-08-26 |
| JPH0688826B2 JPH0688826B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=12316859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030910A Expired - Fee Related JPH0688826B2 (ja) | 1984-12-27 | 1985-02-19 | 高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0688826B2 (ja) |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP60030910A patent/JPH0688826B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0688826B2 (ja) | 1994-11-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |