JPH0821264B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0821264B2 JPH0821264B2 JP61262188A JP26218886A JPH0821264B2 JP H0821264 B2 JPH0821264 B2 JP H0821264B2 JP 61262188 A JP61262188 A JP 61262188A JP 26218886 A JP26218886 A JP 26218886A JP H0821264 B2 JPH0821264 B2 JP H0821264B2
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- Japan
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- porcelain composition
- dielectric porcelain
- dielectric constant
- dielectric
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は1150℃以下の温度で焼成が可能な温度補償用
誘電体磁器組成物に関する。
誘電体磁器組成物に関する。
従来の技術 セラミックコンデンサに用いる温度補償用材料として
は、MgO-CaO-TiO2系の材料(例えば、特開昭48-86097号
公報)や、La2O3-TiO2系の材料(例えば、特開昭51-304
00号公報)が用いられてきたが、これらの材料は焼成温
度が1250〜1400℃と高温であるため、積層セラミックコ
ンデンサに用いるときには、内部電極として高価な白金
やパラジウムの電極が必要である。
は、MgO-CaO-TiO2系の材料(例えば、特開昭48-86097号
公報)や、La2O3-TiO2系の材料(例えば、特開昭51-304
00号公報)が用いられてきたが、これらの材料は焼成温
度が1250〜1400℃と高温であるため、積層セラミックコ
ンデンサに用いるときには、内部電極として高価な白金
やパラジウムの電極が必要である。
一方、高誘電率系の材料では、近年PbOを主体とする
複合ペロブスカイト系の材料が、1000℃前後の低い焼成
温度と優れた誘電体特性を示すことが見いだされ、電極
としてより安価な銀系の電極が使用出来るため、数多く
の組成物が提案されている。例えば、特開昭55-144470
号公報に開示されているPb(Mg1/3 Nb2/3)O3-Pb(Mg1/2
W1/2)O3系では焼成温度が1000℃近傍で、誘電率が3000
以上である。
複合ペロブスカイト系の材料が、1000℃前後の低い焼成
温度と優れた誘電体特性を示すことが見いだされ、電極
としてより安価な銀系の電極が使用出来るため、数多く
の組成物が提案されている。例えば、特開昭55-144470
号公報に開示されているPb(Mg1/3 Nb2/3)O3-Pb(Mg1/2
W1/2)O3系では焼成温度が1000℃近傍で、誘電率が3000
以上である。
発明が解決しようとする問題点 従来用いられてきた温度補償用セラミックコンデンサ
材料は焼成温度が高いため高価な電極を必要とするが、
より安価な銀系の電極を使用するため1150℃以下の温度
で焼成が可能な誘電体が切望されている。PbOを主体と
する複合ペロブスカイト系の材料では誘電率の温度変化
が大きく、温度補償用のコンデンサに使用できる材料は
知られていない。
材料は焼成温度が高いため高価な電極を必要とするが、
より安価な銀系の電極を使用するため1150℃以下の温度
で焼成が可能な誘電体が切望されている。PbOを主体と
する複合ペロブスカイト系の材料では誘電率の温度変化
が大きく、温度補償用のコンデンサに使用できる材料は
知られていない。
本発明は、かかる現状に鑑み低い焼成温度と小さな温
度変化率を有する誘電体磁器組成物を提供することを目
的とする。
度変化率を有する誘電体磁器組成物を提供することを目
的とする。
問題点を解決するための手段 Pb(Mg1/3 Nb2/3)1-y(Mg1/2 W1/2)yO3で表される固溶
体のPbを、一部Caで置換する。
体のPbを、一部Caで置換する。
作用 Pb(Mg1/3 Nb2/3)1-y(Mg1/2 W1/2)yO3のPbを、一部Ca
で置換することにより、低温焼結性を損なわず、温度補
償用の特性を得ることができる。
で置換することにより、低温焼結性を損なわず、温度補
償用の特性を得ることができる。
実施例 出発原料として、化学的に高純度なPbO,CaCO3,MgO,Nb
2O5,WO3を用いた。これらを純度補正をおこなったうえ
で所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒とし
てボールミルで17時間湿式混合した。これを吸引ろ過し
て水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で
充分解砕した後、粉体量の5wt%を水分を加え、成形圧
力500kg/cm2で直径60mm高さ約50mmの円柱状に成形し
た。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、75
0℃〜880℃で2時間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳
鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水を溶媒とし
てボールミルで17時間粉砕し、これを吸引ろ過し水分の
大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼,粉砕,乾燥を
数回くりかえした後この粉末にポリビニルアルコール6w
t%水溶液を粉体量の6wt%加え、32メッシュふるいを通
して造粒し、成形圧力1000kg/cm2で、直径13mm高さ約5m
mの円柱状に成形した。成形物を空気中で700℃まで昇温
し1時間保持することによりポリビニルアルコール分を
バーンアウトし冷却後これをマグネシヤ磁器容器に移
し、同質のフタをし、空気中で所定温度まで400℃/hrで
昇温し2時間保持後400℃/hrで降温した。
2O5,WO3を用いた。これらを純度補正をおこなったうえ
で所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒とし
てボールミルで17時間湿式混合した。これを吸引ろ過し
て水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で
充分解砕した後、粉体量の5wt%を水分を加え、成形圧
力500kg/cm2で直径60mm高さ約50mmの円柱状に成形し
た。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、75
0℃〜880℃で2時間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳
鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水を溶媒とし
てボールミルで17時間粉砕し、これを吸引ろ過し水分の
大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼,粉砕,乾燥を
数回くりかえした後この粉末にポリビニルアルコール6w
t%水溶液を粉体量の6wt%加え、32メッシュふるいを通
して造粒し、成形圧力1000kg/cm2で、直径13mm高さ約5m
mの円柱状に成形した。成形物を空気中で700℃まで昇温
し1時間保持することによりポリビニルアルコール分を
バーンアウトし冷却後これをマグネシヤ磁器容器に移
し、同質のフタをし、空気中で所定温度まで400℃/hrで
昇温し2時間保持後400℃/hrで降温した。
焼成物は厚さ1mmの円板状に切断し、両面にCr-Auを蒸
着し誘電率、およびQを、1MHz、1V/mmの電界下で測定
した。また抵抗率は、20℃で1kV/mmの電圧を印加後1分
値から求めた。
着し誘電率、およびQを、1MHz、1V/mmの電界下で測定
した。また抵抗率は、20℃で1kV/mmの電圧を印加後1分
値から求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温
度とした。
度とした。
表1に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成
温度、誘電率、Q、誘電率の温度変化率、抵抗率を示
す。
温度、誘電率、Q、誘電率の温度変化率、抵抗率を示
す。
発明の範囲外の組成物では、表1のNo.に*印をつけ
た試料を例として挙げたが、Ca量が0.6越えると最適焼
成温度が1150℃を越え、0.2以下では誘電率の変化率が1
000ppm/℃以上となる、あるいは(Mg1/3 Nb2/3)量が0.
5以下ではQが1000以下となる等の難点を有している。
た試料を例として挙げたが、Ca量が0.6越えると最適焼
成温度が1150℃を越え、0.2以下では誘電率の変化率が1
000ppm/℃以上となる、あるいは(Mg1/3 Nb2/3)量が0.
5以下ではQが1000以下となる等の難点を有している。
発明の効果 本発明の誘電体磁器組成物によれば、誘電率の温度変
化率が1000ppm/℃以下、Qが1000以上の特性が得られ、
さらに1150℃以下の温度で焼成できるので、積層コンデ
ンサ素子の内部電極としてAg-Pd系の材料を用いること
が可能であり、安価な積層コンデンサを実現できるので
工業的価値が大である。
化率が1000ppm/℃以下、Qが1000以上の特性が得られ、
さらに1150℃以下の温度で焼成できるので、積層コンデ
ンサ素子の内部電極としてAg-Pd系の材料を用いること
が可能であり、安価な積層コンデンサを実現できるので
工業的価値が大である。
Claims (1)
- 【請求項1】(PbCa)(Mg1/3 Nb2/3)O3および(PbCa)
(Mg1/2 W1/2)O3よりなる磁器組成物を、 Pb1-xCax(Mg1/3 Nb2/3)1-y(Mg1/2 W1/2)yO3 と表したとき、xおよびyがそれぞれ、 0.3≦x≦0.6 0.05≦y≦0.5 の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61262188A JPH0821264B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61262188A JPH0821264B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63116307A JPS63116307A (ja) | 1988-05-20 |
JPH0821264B2 true JPH0821264B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=17372291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61262188A Expired - Lifetime JPH0821264B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0821264B2 (ja) |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61262188A patent/JPH0821264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63116307A (ja) | 1988-05-20 |
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