JPH0365557A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に誘電率が１００
０以上の高誘電率誘電体磁器組成物に関する。
０以上の高誘電率誘電体磁器組成物に関する。
磁器コンデンサや粘層コンデンサ、史には高周波用：１
ンデンザ、高圧コンデンサとして広く利用されている高
誘電率磁器組成物として、従来、チタン酸バリウム（Ｒ
ａＴｉＯ３）系の磁器組成物を主成分どしたものが一般
に実用化されている。
ンデンザ、高圧コンデンサとして広く利用されている高
誘電率磁器組成物として、従来、チタン酸バリウム（Ｒ
ａＴｉＯ３）系の磁器組成物を主成分どしたものが一般
に実用化されている。
ところが、従来のＢａＴｉ０ａ系の誘電体は強誘電性で
あるため、講電損失が大きい、交流破壊電圧も２．５〜
３．５ＫＶ／ｍｒｎと低いという問題点があった。
あるため、講電損失が大きい、交流破壊電圧も２．５〜
３．５ＫＶ／ｍｒｎと低いという問題点があった。
従って、本発明の目的は講電損失が小さく、交流破壊電
圧の高い高誘電率磁器組成物を提供することである。
圧の高い高誘電率磁器組成物を提供することである。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者等は鋭
意研究の結果、次の組成の磁器組成物が前記目的を達成
することを見出した。
意研究の結果、次の組成の磁器組成物が前記目的を達成
することを見出した。
即ち、
＋９ンｆ１ｉハ’）ラム（ＢａＴｉ０３）：４１．０〜
４８．Ｏモ／Ｌ４ジルコン酸バリウム （ＢａＺｒＯ：
＋）： ９．０〜１１．０モル２チタン酸カルシウム
（ＣａＴｉＯ３） ：３２．０〜３９．０モルχチタン
酸マグネ’／ ’７ Ｌ （ＭＨＴｉ（ｈ） ：７．０
〜１３．０モル％の範囲からなる主組成物１００モル％
に対し、酸化ニッ’Ｔ ル（Ｎｉｐ） ：０．０５〜０
．４重量％酸化セリウム（ＣｅＯ２） ：０．０３〜０
．３型破ｚ酸化マンガン（ＭｎＯ） ：０．０３〜０．
１９重Ｈｐ ！ｍ化’ｆ イ素（Ｓｉｎ−） ：０．０
０〜０．４重Ｒｚの範囲から成る添加物を含有させて成
ることを特徴とする高誘電体磁器組成物である。
４８．Ｏモ／Ｌ４ジルコン酸バリウム （ＢａＺｒＯ：
＋）： ９．０〜１１．０モル２チタン酸カルシウム
（ＣａＴｉＯ３） ：３２．０〜３９．０モルχチタン
酸マグネ’／ ’７ Ｌ （ＭＨＴｉ（ｈ） ：７．０
〜１３．０モル％の範囲からなる主組成物１００モル％
に対し、酸化ニッ’Ｔ ル（Ｎｉｐ） ：０．０５〜０
．４重量％酸化セリウム（ＣｅＯ２） ：０．０３〜０
．３型破ｚ酸化マンガン（ＭｎＯ） ：０．０３〜０．
１９重Ｈｐ ！ｍ化’ｆ イ素（Ｓｉｎ−） ：０．０
０〜０．４重Ｒｚの範囲から成る添加物を含有させて成
ることを特徴とする高誘電体磁器組成物である。
この組成の磁器組成物を用いることによって、講電損失
が小さく、交流破壊電圧の高い高誘電体磁器組成物が得
られる。
が小さく、交流破壊電圧の高い高誘電体磁器組成物が得
られる。
出発原料として炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化チタ
ン（ＴｉＯ２） 、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、炭
酸カルシウム（ＣａＣＯ，Ｊ）、炭酸マグネシウム（Ｍ
ｇＣＯ３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ） 、酸化セリウム
（ＣｅＯ２）、酸化マンガン（ＭｎＣＯ：＋） 、酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）等を用い、その焼成後の組成が別紙
第１表の資料の如くなるように秤量配合した。
ン（ＴｉＯ２） 、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、炭
酸カルシウム（ＣａＣＯ，Ｊ）、炭酸マグネシウム（Ｍ
ｇＣＯ３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ） 、酸化セリウム
（ＣｅＯ２）、酸化マンガン（ＭｎＣＯ：＋） 、酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）等を用い、その焼成後の組成が別紙
第１表の資料の如くなるように秤量配合した。
以下余白
次ｔ：各試ｎの’Ｎ式？Ｒ，含Ｊｉ２ Ｊ’！−’イー
２０ 時間行い、ＩＩ；２、本乾燥後、１１００−１１
００−［１７’仮焼成し、？’＆乙こ１１粉砕する。
２０ 時間行い、ＩＩ；２、本乾燥後、１１００−１１
００−［１７’仮焼成し、？’＆乙こ１１粉砕する。
これを再び温代混介し２″□（、微粉砕を行い、脱水乾
燥後、ポリビニルアルニト−ル（ＰＶＡ）をバインダと
して加え、造粒１．た。、゛れを直径と厚みが１６．５
ｍｓ’ Ｘｌ、 ２ｇ−の円板状５ｍ３ｉン／ｅｌｆ１
２の圧力で成形１．／た。
燥後、ポリビニルアルニト−ル（ＰＶＡ）をバインダと
して加え、造粒１．た。、゛れを直径と厚みが１６．５
ｍｓ’ Ｘｌ、 ２ｇ−の円板状５ｍ３ｉン／ｅｌｆ１
２の圧力で成形１．／た。
その後、１２００−・１３５０℃で焼成し−Ｃ講雷体磁
器組成物を得た。
器組成物を得た。
各講′ｉ；５体磁器組成物θ）両面に銀電極イ・二焼イ
４け１２、リード線を取イ・１けたａご、れを測定試料
としτ各試料の霊気的特性を測定１．た、この測定結果
を第１表に示す。
４け１２、リード線を取イ・１けたａご、れを測定試料
としτ各試料の霊気的特性を測定１．た、この測定結果
を第１表に示す。
なお、第１表において、講雫率（Ｃ５）及び講雷損失（
ｔａｎδ）は周波数ＩＫＩＩｚ 、ｌ Ｖで測定１２、
絶縁抵抗（Ｉ Ｒ）は直涜５００Ｖを印加して測ガニし
２、破壊電圧は試料の交流破壊電ＩＥを測定［２、試料
の厚みで割り、中位１゛ｌみ当たりの破壊電圧（Ｅｂ）
とした。
ｔａｎδ）は周波数ＩＫＩＩｚ 、ｌ Ｖで測定１２、
絶縁抵抗（Ｉ Ｒ）は直涜５００Ｖを印加して測ガニし
２、破壊電圧は試料の交流破壊電ＩＥを測定［２、試料
の厚みで割り、中位１゛ｌみ当たりの破壊電圧（Ｅｂ）
とした。
、１ミた、第１表ｔこおいて、試料Ｎｏｌ、５，６゜１
２、 １３． １４． １８． ２２． ２５． ２８
． ２９．３０．３１は本発明の実施例には含まれない
。
２、 １３． １４． １８． ２２． ２５． ２８
． ２９．３０．３１は本発明の実施例には含まれない
。
第１表から明らかな如く、本発明の講電体磁器組成物は
、誘電率が１０００以−Ｅと高く、破壊電圧も高く温度
特性もＲ好な講電体磁器組成物が得られる。
、誘電率が１０００以−Ｅと高く、破壊電圧も高く温度
特性もＲ好な講電体磁器組成物が得られる。
次に本発明の組成範囲について説明する。
ＨａＴｉＯ３が４１．０モル％未満であると誘電率が大
幅に低下ｊ７、破壊電圧も悪化しく第１表試料Ｎａ１３
参照）、４８．０干ル％以上になると、１治憲損失が多
く、絶縁抵抗破壊ＺＥ川も低くなる（第１表よＡ１料Ｎ
ｏ、１２参照）。
幅に低下ｊ７、破壊電圧も悪化しく第１表試料Ｎａ１３
参照）、４８．０干ル％以上になると、１治憲損失が多
く、絶縁抵抗破壊ＺＥ川も低くなる（第１表よＡ１料Ｎ
ｏ、１２参照）。
またＢａＺｒＯ３が９．０モル％未満になると、講電損
失が悪＜ ’ｌ：；す１．絶縁抵抗破壊電圧（〉低くな
る（第１表試料陥６参照）。１１．０モル％以上になる
と焼結不足となるＩ−、誘電率、破壊電圧ともに太軸に
低ドし、温度特性も悪化する（第１表試料Ｎａ５参照）
。
失が悪＜ ’ｌ：；す１．絶縁抵抗破壊電圧（〉低くな
る（第１表試料陥６参照）。１１．０モル％以上になる
と焼結不足となるＩ−、誘電率、破壊電圧ともに太軸に
低ドし、温度特性も悪化する（第１表試料Ｎａ５参照）
。
Ｃａ Ｔ ｉ ０３が３２．０重ル％未満であると、焼
結不足となる土詰電率、絶縁抵抗破壊電Ｊ’Ｅが太軸に
低下Ｌ７、温度特性も悪化する（第１表試料Ｎａ５参照
）６さらに３９．０千ル％以上であると１．誘電率が大
幅に低Ｆｊ７、破壊電圧も劣化する（第１表試料狙ｌ参
照）。
結不足となる土詰電率、絶縁抵抗破壊電Ｊ’Ｅが太軸に
低下Ｌ７、温度特性も悪化する（第１表試料Ｎａ５参照
）６さらに３９．０千ル％以上であると１．誘電率が大
幅に低Ｆｊ７、破壊電圧も劣化する（第１表試料狙ｌ参
照）。
Ｍ（ＨＴ ｉ Ｏ＊が７モル％未満になると、試宣（１
１失が悪く１、絶縁■１抗破壊重圧も低くなり（第１表
試料陥。１２＠照）、１３．０−モル％以上になると、
よ電率が著しく低下−ぐる（第１表試料Ｎａ１３参照）
。
１失が悪く１、絶縁■１抗破壊重圧も低くなり（第１表
試料陥。１２＠照）、１３．０−モル％以上になると、
よ電率が著しく低下−ぐる（第１表試料Ｎａ１３参照）
。
また添加′ｐＡら′すいて説明すると、ＮｉＯが、０゜
０５東星％よりノνないと１、焼結困難とｔ（す、誘電
率が大幅に低下′するとともに、他の電気特性も悪化し
く第１表試料Ｎａ５参照）、０．／ｌ車１１１％を超え
ると講雫損失が著しく大きくなる（第１表試料Ｎｎ１８
参照）。
０５東星％よりノνないと１、焼結困難とｔ（す、誘電
率が大幅に低下′するとともに、他の電気特性も悪化し
く第１表試料Ｎａ５参照）、０．／ｌ車１１１％を超え
ると講雫損失が著しく大きくなる（第１表試料Ｎｎ１８
参照）。
Ｃｅ０ｚが０．０３重（１（％より少ないと、焼結困難
と４（り誘電率が大幅に低ドするとともに他の”＋＝気
時特性悪化１，２（第１表試料Ｎａ５参照）、０．３重
：１：％を超えると、絶縁抵抗が劣化し、破壊電圧も低
くなる（第１表試料Ｎａ５参照）。
と４（り誘電率が大幅に低ドするとともに他の”＋＝気
時特性悪化１，２（第１表試料Ｎａ５参照）、０．３重
：１：％を超えると、絶縁抵抗が劣化し、破壊電圧も低
くなる（第１表試料Ｎａ５参照）。
ＭｎＯが０．１９重量％より大きくなると、絶縁抵抗が
低下１２、破壊電圧も低くなる（第１表試料に２５参照
）。０゜０３３東星より少ないと１、誘電率が小さく焼
結性も悪い（第１表試料Ｎａ５参照）。
低下１２、破壊電圧も低くなる（第１表試料に２５参照
）。０゜０３３東星より少ないと１、誘電率が小さく焼
結性も悪い（第１表試料Ｎａ５参照）。
またＳ ｉ ０２がＣ）、５重里％を超えると焼成時に
素地イく１着が見られるようムこなり、更に誘ｌＥ率や
破壊電圧も劣化する（第１表試料Ｎａ５参照）。
素地イく１着が見られるようムこなり、更に誘ｌＥ率や
破壊電圧も劣化する（第１表試料Ｎａ５参照）。
本発明の組成の磁器組成物は、誘電率が１０００以上と
高話電率であるり、破壊電圧、絶縁抵抗も高く、講電損
失が少なく温度特性も良好な講重体である。
高話電率であるり、破壊電圧、絶縁抵抗も高く、講電損
失が少なく温度特性も良好な講重体である。
従って磁器′Ｘ２ンデンＪＪ−等電子部品材料として大
変イ１用である。
変イ１用である。
Claims (1)
- チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ＿３）：４１．０〜４
８．０モル％ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ＿３）：
９．０〜１１．０モル％チタン酸カルシウム（ＣａＴｉ
Ｏ＿３）：３２．０〜３９．０モル％チタン酸マグネシ
ウム（ＭｇＴｉＯ＿３）：７．０〜１３．０モル％の範
囲からなる主組成物１００モル％に対し、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）：０．０５〜０．４重量％酸化セリウム（Ｃ
ｅＯ＿２）：０．０３〜０．３重量％酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ）：０．０３〜０．１９重量％酸化ケイ素（ＳｉＯ
＿２）：０．００〜０．４重量％の範囲から成る添加物
を含有させて成ることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199047A JPH0365557A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199047A JPH0365557A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365557A true JPH0365557A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16401230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199047A Pending JPH0365557A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0365557A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5248640A (en) * | 1991-09-25 | 1993-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reducible dielectric ceramic composition |
| US5264402A (en) * | 1992-05-01 | 1993-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reducible dielectric ceramic composition |
| US5604166A (en) * | 1995-02-14 | 1997-02-18 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition |
| DE102016115970A1 (de) | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Futaba Corporation | Fluoreszenz-Anzeigeröhre |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1199047A patent/JPH0365557A/ja active Pending
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