JP2975805B2 - メッキ電極を有する電子部品及びその製造方法 - Google Patents
メッキ電極を有する電子部品及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品素体の表面に
メッキを施すことにより電極が形成された電子部品とそ
れを製造する方法に関する。
メッキを施すことにより電極が形成された電子部品とそ
れを製造する方法に関する。
【０００２】この種の電子部品の例として、図４に段付
貫通コンデンサを示す。この段付貫通コンデンサは、上
下両端の径が異なり、中心に貫通孔を有する誘電体から
なる円柱形の電子部品素体１の内周と外周側とに電極
２、３を設け、中心の貫通孔に通したリード線６を内周
側の電極３に半田７で導電固着したものである。この段
付貫通コンデンサは、電子機器のシャーシ８に設けた貫
通孔に嵌め込まれ、外周側の電極２が半田９でシャーシ
８に導電固着されることにより、同シャーシ８に取り付
けられる。
貫通コンデンサを示す。この段付貫通コンデンサは、上
下両端の径が異なり、中心に貫通孔を有する誘電体から
なる円柱形の電子部品素体１の内周と外周側とに電極
２、３を設け、中心の貫通孔に通したリード線６を内周
側の電極３に半田７で導電固着したものである。この段
付貫通コンデンサは、電子機器のシャーシ８に設けた貫
通孔に嵌め込まれ、外周側の電極２が半田９でシャーシ
８に導電固着されることにより、同シャーシ８に取り付
けられる。
【０００３】従来、このような段付貫通コンデンサは、
次のような方法により製造される。まず、前述のような
誘電体からなる円柱形の電子部品素体１を用意し、電子
部品素体１の両端面の所定の位置にガラスペーストを塗
布し、これを焼き付けてガラス膜からなるメッキレジス
ト膜４、５を設ける。その後、図４（ｂ）に示すよう
に、このメッキレジスト膜４を除く電子部品素体１の表
面にＮｉメッキ等のメッキ層２ａ、３ａを形成し、これ
を熱処理した後、再度Ｎｉメッキ等のメッキ層２ｂ、３
ｂを形成し、内外周の電極２、３を形成する。ここで、
２回のメッキ工程を行うのは、電極２、３として所要の
膜厚を得るためである。その後、この電極２、３の表面
にＰｂ−Ｓｎメッキを設ける。さらに、電子部品素体１
の中心の貫通孔にリード線６を通し、これを半田付けす
ることにより、段付貫通コンデンサが完成する。
次のような方法により製造される。まず、前述のような
誘電体からなる円柱形の電子部品素体１を用意し、電子
部品素体１の両端面の所定の位置にガラスペーストを塗
布し、これを焼き付けてガラス膜からなるメッキレジス
ト膜４、５を設ける。その後、図４（ｂ）に示すよう
に、このメッキレジスト膜４を除く電子部品素体１の表
面にＮｉメッキ等のメッキ層２ａ、３ａを形成し、これ
を熱処理した後、再度Ｎｉメッキ等のメッキ層２ｂ、３
ｂを形成し、内外周の電極２、３を形成する。ここで、
２回のメッキ工程を行うのは、電極２、３として所要の
膜厚を得るためである。その後、この電極２、３の表面
にＰｂ−Ｓｎメッキを設ける。さらに、電子部品素体１
の中心の貫通孔にリード線６を通し、これを半田付けす
ることにより、段付貫通コンデンサが完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、このよう
なメッキ電極を有する段付貫通コンデンサでは、これを
シャーシに取り付けて半田付けし、使用しているうち
に、静電容量が小さくなってしまうという課題があっ
た。例えば、図３に比較例として示したのは、従来の段
付貫通コンデンサについて−５５℃〜１２５℃のヒート
サイクル試験を行ったときの静電容量の変化を示してい
る。この図に示す通り、１００回のヒートサイクル後で
は、平均で約７．３％、最大約１０．０％の静電容量値
の減少が見られる。さらに、２００回及び５００回のヒ
ートサイクル後では、平均で約９．８〜９．９％、最大
で約１１．２％の静電容量値の減少が見られる。
なメッキ電極を有する段付貫通コンデンサでは、これを
シャーシに取り付けて半田付けし、使用しているうち
に、静電容量が小さくなってしまうという課題があっ
た。例えば、図３に比較例として示したのは、従来の段
付貫通コンデンサについて−５５℃〜１２５℃のヒート
サイクル試験を行ったときの静電容量の変化を示してい
る。この図に示す通り、１００回のヒートサイクル後で
は、平均で約７．３％、最大約１０．０％の静電容量値
の減少が見られる。さらに、２００回及び５００回のヒ
ートサイクル後では、平均で約９．８〜９．９％、最大
で約１１．２％の静電容量値の減少が見られる。
【０００５】本件発明者らは、この原因について検討し
たところ、電極２、３、特にシャーシ８側に半田付けさ
れる外周側の電極２のメッキレジスト膜４との境界とな
る縁部が電子部品素体１の表面から剥がれることによる
ものであることが分かった。すなわち、ガラス膜からな
るメッキレジスト膜４の縁に近い部分では、電子部品素
体１の表面へのメッキ層２ａの析出が悪いため、同メッ
キレジスト膜４と境界をなすメッキ層２ａの縁近くの膜
厚が特に薄くなる。この状態では、メッキ層２ａの縁部
の電子部品素体１の表面との密着性も悪い。このため、
シャーシ８に電極２を半田付けした後、ヒートサイクル
等の信頼性試験を行うと、電極２と半田９との熱応力等
により、メッキ層２ａの縁が電子部品素体１の表面から
剥れてしまう。これにより、実質的に内外周側の電極
２、３の対向面積が減少し、静電容量値が減少してしま
うものである。
たところ、電極２、３、特にシャーシ８側に半田付けさ
れる外周側の電極２のメッキレジスト膜４との境界とな
る縁部が電子部品素体１の表面から剥がれることによる
ものであることが分かった。すなわち、ガラス膜からな
るメッキレジスト膜４の縁に近い部分では、電子部品素
体１の表面へのメッキ層２ａの析出が悪いため、同メッ
キレジスト膜４と境界をなすメッキ層２ａの縁近くの膜
厚が特に薄くなる。この状態では、メッキ層２ａの縁部
の電子部品素体１の表面との密着性も悪い。このため、
シャーシ８に電極２を半田付けした後、ヒートサイクル
等の信頼性試験を行うと、電極２と半田９との熱応力等
により、メッキ層２ａの縁が電子部品素体１の表面から
剥れてしまう。これにより、実質的に内外周側の電極
２、３の対向面積が減少し、静電容量値が減少してしま
うものである。
【０００６】ここでは、段付貫通コンデンサの問題につ
いて述べたが、ガラス膜等によるメッキレジスト膜とメ
ッキ膜との境界では、一般に前述のような現象が起こり
やすく、このようなメッキ電極を有する他の部品、例え
ば、円板貫通コンデンサ、円筒コンデンサ、円筒レジス
タ等も同様の問題を有している。そこで本発明は、前述
のようなメッキ膜の縁部の電子部品素体からの剥離が生
じることなく、高い信頼性が得られるメッキ電極を有す
る電子部品とその製造方法を提供することを目的とす
る。
いて述べたが、ガラス膜等によるメッキレジスト膜とメ
ッキ膜との境界では、一般に前述のような現象が起こり
やすく、このようなメッキ電極を有する他の部品、例え
ば、円板貫通コンデンサ、円筒コンデンサ、円筒レジス
タ等も同様の問題を有している。そこで本発明は、前述
のようなメッキ膜の縁部の電子部品素体からの剥離が生
じることなく、高い信頼性が得られるメッキ電極を有す
る電子部品とその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、前記の目的を
達成するため、本発明において採用した手段は、電子部
品素体１１の表面にメッキレジスト膜１４を設け、この
メッキレジスト膜１４以外の部分にメッキ膜を設けて電
極１２を形成したメッキ電極を有する電子部品におい
て、前記電極１２が少なくとも第一と第二のメッキ層１
２ａ、１２ｂからなり、第一のメッキ層１２ａの縁部
は、前記メッキレジスト膜１４の縁部で覆われているこ
とを特徴とするものである。この場合、メッキレジスト
膜１４を、少なくとも第一のレジスト層１４ａと第二の
レジスト層１４ｂとを有する複数層とし、電極１２の第
一のメッキ層１２ａの縁部を上側の第二のレジスト層１
４ｂの縁部で覆う構造とすることができる。
達成するため、本発明において採用した手段は、電子部
品素体１１の表面にメッキレジスト膜１４を設け、この
メッキレジスト膜１４以外の部分にメッキ膜を設けて電
極１２を形成したメッキ電極を有する電子部品におい
て、前記電極１２が少なくとも第一と第二のメッキ層１
２ａ、１２ｂからなり、第一のメッキ層１２ａの縁部
は、前記メッキレジスト膜１４の縁部で覆われているこ
とを特徴とするものである。この場合、メッキレジスト
膜１４を、少なくとも第一のレジスト層１４ａと第二の
レジスト層１４ｂとを有する複数層とし、電極１２の第
一のメッキ層１２ａの縁部を上側の第二のレジスト層１
４ｂの縁部で覆う構造とすることができる。
【０００８】さらに本発明で採用した手段は、電子部品
素体１１の表面にメッキレジスト膜１４を設け、このメ
ッキレジスト膜１４以外の部分にメッキ膜を設けて電極
１２を形成したメッキ電極を有する電子部品を製造する
方法において、電子部品素体１１の表面に第一のレジス
ト層１４ａを形成する工程と、この第一のレジスト層１
４ａを除く電子部品素体１１の表面に電極１２を形成す
る第一のメッキ層１２ａを設ける工程と、前記第一のレ
ジスト層１４ａの少なくとも縁部から第一のメッキ層１
２ａの縁部にわたって第二のレジスト層１４ｂを設ける
工程と、この第二のレジスト層１４ａの外側であって、
第一のメッキ層１２ａの上に第二のメッキ層１２ｂを設
ける工程とを有することを特徴とするものである。
素体１１の表面にメッキレジスト膜１４を設け、このメ
ッキレジスト膜１４以外の部分にメッキ膜を設けて電極
１２を形成したメッキ電極を有する電子部品を製造する
方法において、電子部品素体１１の表面に第一のレジス
ト層１４ａを形成する工程と、この第一のレジスト層１
４ａを除く電子部品素体１１の表面に電極１２を形成す
る第一のメッキ層１２ａを設ける工程と、前記第一のレ
ジスト層１４ａの少なくとも縁部から第一のメッキ層１
２ａの縁部にわたって第二のレジスト層１４ｂを設ける
工程と、この第二のレジスト層１４ａの外側であって、
第一のメッキ層１２ａの上に第二のメッキ層１２ｂを設
ける工程とを有することを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】前記本発明によるメッキ電極を有する電子部品
では、第一のメッキ層１２ａの縁部は、前記メッキレジ
スト膜１４の縁部で覆われているので、薄いこの部分が
半田との熱応力等で剥がれにくくなる。このため、電極
２の電子部品素体１表面への接触面積が変わらず、信頼
性試験での電子部品の特性変動が起こらなくなる。
では、第一のメッキ層１２ａの縁部は、前記メッキレジ
スト膜１４の縁部で覆われているので、薄いこの部分が
半田との熱応力等で剥がれにくくなる。このため、電極
２の電子部品素体１表面への接触面積が変わらず、信頼
性試験での電子部品の特性変動が起こらなくなる。
【００１０】なお、メッキレジスト膜１４を、少なくと
も第一のレジスト層１４ａと第二のレジスト層１４ｂと
を有する複数層とし、第一のレジスト層１４ａの縁と接
するよう形成された第一のメッキ層１２ａの縁部を上側
の第二のレジスト層１４ｂの縁部で覆うことで、前述の
ようにメッキレジスト膜１４の縁部で電極１２の第一の
メッキ層１２ａの縁部を覆う前述の構造が容易に得られ
る。
も第一のレジスト層１４ａと第二のレジスト層１４ｂと
を有する複数層とし、第一のレジスト層１４ａの縁と接
するよう形成された第一のメッキ層１２ａの縁部を上側
の第二のレジスト層１４ｂの縁部で覆うことで、前述の
ようにメッキレジスト膜１４の縁部で電極１２の第一の
メッキ層１２ａの縁部を覆う前述の構造が容易に得られ
る。
【００１１】さらにこのようなメッキ電極を有する電子
部品は、前述の本発明の製造方法により容易に製造する
ことができる。すなわち、前記の電子部品の製造方法に
よれば、第一のレジスト層１４ａと縁を接するように設
けられた第一のメッキ層１２ａの縁部が、第一のレジス
ト層１４ａの縁部から第一のメッキ層１２ａの縁部にわ
たって設けられた第二のレジスト層１４ｂの縁部によっ
て覆われる。
部品は、前述の本発明の製造方法により容易に製造する
ことができる。すなわち、前記の電子部品の製造方法に
よれば、第一のレジスト層１４ａと縁を接するように設
けられた第一のメッキ層１２ａの縁部が、第一のレジス
ト層１４ａの縁部から第一のメッキ層１２ａの縁部にわ
たって設けられた第二のレジスト層１４ｂの縁部によっ
て覆われる。
【００１２】
【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について詳細に説明する。電子部品の例として、図１に
本発明を段付貫通コンデンサに適用した例を示す。この
段付貫通コンデンサに用いられる電子部品素体１１は、
上下両端の径が異なり、中心に貫通孔を有する段付円柱
形で、それはチタン酸ストロンチウム等の誘電体セラミ
ックからなる。この電子部品素体１１の内周側と外周側
とには、各々電極１２、１３が設けられ、これら電極１
２、１３は、電子部品素体１１の両端面にリング状に設
けたメッキレジスト膜１４、１５で分離されている。
について詳細に説明する。電子部品の例として、図１に
本発明を段付貫通コンデンサに適用した例を示す。この
段付貫通コンデンサに用いられる電子部品素体１１は、
上下両端の径が異なり、中心に貫通孔を有する段付円柱
形で、それはチタン酸ストロンチウム等の誘電体セラミ
ックからなる。この電子部品素体１１の内周側と外周側
とには、各々電極１２、１３が設けられ、これら電極１
２、１３は、電子部品素体１１の両端面にリング状に設
けたメッキレジスト膜１４、１５で分離されている。
【００１３】ここで、上側のメッキレジスト膜１４と内
周側の電極１２との縁部が図１（ｂ）に示されている。
この電極１２は、２回のメッキ処理により設けられたメ
ッキ層１２ａ、１２ｂからなり、メッキレジスト膜１４
も２回の塗布と焼き付けにより形成された２層のレジス
ト層１４ａ、１４ｂからなる。メッキ層１２ａ、１２ｂ
は、例えばＮｉメッキ等からなり、さらにその外側に別
の金属からなるメッキ膜、例えばＳｎメッキ膜やＳｎ−
Ｐｂメッキ膜等を設けることもきる。これらのＳｎメッ
キ膜やＳｎ−Ｐｂメッキ膜は、電極２をシャーシ１８に
半田付けするときの半田付性を良好にする。
周側の電極１２との縁部が図１（ｂ）に示されている。
この電極１２は、２回のメッキ処理により設けられたメ
ッキ層１２ａ、１２ｂからなり、メッキレジスト膜１４
も２回の塗布と焼き付けにより形成された２層のレジス
ト層１４ａ、１４ｂからなる。メッキ層１２ａ、１２ｂ
は、例えばＮｉメッキ等からなり、さらにその外側に別
の金属からなるメッキ膜、例えばＳｎメッキ膜やＳｎ−
Ｐｂメッキ膜等を設けることもきる。これらのＳｎメッ
キ膜やＳｎ−Ｐｂメッキ膜は、電極２をシャーシ１８に
半田付けするときの半田付性を良好にする。
【００１４】下側の第一のレジスト層１４ａは、図１の
実施例の場合、ガラス膜からなり、その上の第二のレジ
スト層１４ｂは樹脂系レジスト材からなる。前記第一の
メッキ層１２ａの縁は、第一のレジスト層１４ａの縁と
接するよう形成されている。第二のレジスト層１４ｂ
は、この第一のレジスト層１４ａを完全の覆い、さら
に、第一のメッキ層１２ａの縁部を覆うように形成され
ている。第二のメッキ層１２ｂは、第二のレジスト層１
４ｂから露出した部分の上に形成されている。
実施例の場合、ガラス膜からなり、その上の第二のレジ
スト層１４ｂは樹脂系レジスト材からなる。前記第一の
メッキ層１２ａの縁は、第一のレジスト層１４ａの縁と
接するよう形成されている。第二のレジスト層１４ｂ
は、この第一のレジスト層１４ａを完全の覆い、さら
に、第一のメッキ層１２ａの縁部を覆うように形成され
ている。第二のメッキ層１２ｂは、第二のレジスト層１
４ｂから露出した部分の上に形成されている。
【００１５】なお、第二のレジスト層１４ａは、第一の
レジスト層１４ａの縁部から第一のメッキ層１２ａの縁
部にわたる部分にのみ形成してもよい。また、第二のレ
ジスト層１４ｂの上にさらに別のレジスト層を設けるこ
ともできる。さらに、図１（ａ）に示すように、前記電
子部品素体１１の中心の貫通孔にリード線１６を通し、
このリード線１６を内周側の電極１３に半田１７で導電
固着する。
レジスト層１４ａの縁部から第一のメッキ層１２ａの縁
部にわたる部分にのみ形成してもよい。また、第二のレ
ジスト層１４ｂの上にさらに別のレジスト層を設けるこ
ともできる。さらに、図１（ａ）に示すように、前記電
子部品素体１１の中心の貫通孔にリード線１６を通し、
このリード線１６を内周側の電極１３に半田１７で導電
固着する。
【００１６】この段付貫通コンデンサは、電子機器のシ
ャーシ１８に設けた貫通孔に嵌め込まれ、外周側の電極
１２が半田１９でシャーシ１８に導電固着されること
は、前記従来のものと同様である。この場合に、第一の
メッキ層１２ａの縁部は、前記レジスト層１４ｂの縁部
で覆われているので、この第一のメッキ層１２ａの縁部
が半田との熱応力等で剥がれにくくなる。
ャーシ１８に設けた貫通孔に嵌め込まれ、外周側の電極
１２が半田１９でシャーシ１８に導電固着されること
は、前記従来のものと同様である。この場合に、第一の
メッキ層１２ａの縁部は、前記レジスト層１４ｂの縁部
で覆われているので、この第一のメッキ層１２ａの縁部
が半田との熱応力等で剥がれにくくなる。
【００１７】次に、このような段付貫通コンデンサを製
造する方法の実施例について説明する。まず、前述のよ
うな誘電体からなる段付円柱形の電子部品素体１１を用
意し、電子部品素体１の両端面部分の所定の位置にリン
グ状にガラスペーストを塗布し、これを焼き付けてガラ
ス膜からなるレジスト層１４ａを設ける。このようなガ
ラスからなるレジスト層１４ａは、例えば、スクリーン
印刷等の手段でガラスペーストを印刷し、これを６２０
℃程度の温度で焼き付けることで設けることができる。
その後、図１（ｂ）に示すように、このレジスト層１４
ａを除く電子部品素体１１の表面にＮｉメッキ等のメッ
キ層１２ａを設け、これを熱処理する。こうして設けら
れたメッキ層１２ａの縁は、前記レジスト層１４ａの縁
と接するように設けられるが、レジスト層１４ａのレジ
スト作用により、その縁部は他の部分より薄くなる。
造する方法の実施例について説明する。まず、前述のよ
うな誘電体からなる段付円柱形の電子部品素体１１を用
意し、電子部品素体１の両端面部分の所定の位置にリン
グ状にガラスペーストを塗布し、これを焼き付けてガラ
ス膜からなるレジスト層１４ａを設ける。このようなガ
ラスからなるレジスト層１４ａは、例えば、スクリーン
印刷等の手段でガラスペーストを印刷し、これを６２０
℃程度の温度で焼き付けることで設けることができる。
その後、図１（ｂ）に示すように、このレジスト層１４
ａを除く電子部品素体１１の表面にＮｉメッキ等のメッ
キ層１２ａを設け、これを熱処理する。こうして設けら
れたメッキ層１２ａの縁は、前記レジスト層１４ａの縁
と接するように設けられるが、レジスト層１４ａのレジ
スト作用により、その縁部は他の部分より薄くなる。
【００１８】次に、前記レジスト層１４ａの全体を覆
い、かつメッキ層１２ａの縁部を覆うようにレジスト用
樹脂ペーストを塗布し、これを硬化させて樹脂膜からな
る第二のレジスト層１４ｂを形成する。このような樹脂
ペーストは、１５０℃程度の温度で硬化させることがで
きる。その後、この第二のレジスト層１４ｂを除くメッ
キ層１２ａの上に再度Ｎｉメッキ等のメッキ層１２ｂを
形成する。これにより、外周側の電極１２が形成され
る。なお、図１（ｂ）では、外周側の電極１２や一方の
メッキレジスト膜１４側のみを示したが、内周側の電極
１３や他方のメッキレジスト膜１５も同様にして設け
る。
い、かつメッキ層１２ａの縁部を覆うようにレジスト用
樹脂ペーストを塗布し、これを硬化させて樹脂膜からな
る第二のレジスト層１４ｂを形成する。このような樹脂
ペーストは、１５０℃程度の温度で硬化させることがで
きる。その後、この第二のレジスト層１４ｂを除くメッ
キ層１２ａの上に再度Ｎｉメッキ等のメッキ層１２ｂを
形成する。これにより、外周側の電極１２が形成され
る。なお、図１（ｂ）では、外周側の電極１２や一方の
メッキレジスト膜１４側のみを示したが、内周側の電極
１３や他方のメッキレジスト膜１５も同様にして設け
る。
【００１９】その後、この内外周の電極１２、１３の表
面にＰｂ−Ｓｎメッキ或はＳｎメッキを設ける。さら
に、電子部品素体１１の中心の貫通孔にリード線１６を
通し、これを半田１７で半田付けすることにより、段付
貫通コンデンサが完成する。
面にＰｂ−Ｓｎメッキ或はＳｎメッキを設ける。さら
に、電子部品素体１１の中心の貫通孔にリード線１６を
通し、これを半田１７で半田付けすることにより、段付
貫通コンデンサが完成する。
【００２０】次に、図２の実施例について説明すると、
ここでは、前記第一のレジスト層１４ａとして、ガラス
膜に代えて樹脂系のレジスト材からなるレジスト層を設
けている。メッキ層１２ａ、１２ｂの焼き付けに耐え得
る樹脂材料であれば、このように第一のレジスト層は必
ずしもガラス膜でなくてもよい。もちろん、第一と第二
のレジスト層１４ａ、１４ｂを共にガラス膜とすること
も可能である。
ここでは、前記第一のレジスト層１４ａとして、ガラス
膜に代えて樹脂系のレジスト材からなるレジスト層を設
けている。メッキ層１２ａ、１２ｂの焼き付けに耐え得
る樹脂材料であれば、このように第一のレジスト層は必
ずしもガラス膜でなくてもよい。もちろん、第一と第二
のレジスト層１４ａ、１４ｂを共にガラス膜とすること
も可能である。
【００２１】図３に実施例として示したのは、第一のレ
ジスト層１４ａにガラス膜を、第二のレジスト層１４ｂ
に樹脂膜を形成した図１に示すような５００個の段付貫
通コンデンサについて、−５５℃〜１２５℃のヒートサ
イクル試験を行ったときの静電容量の変化を示してい
る。この図に示す通り、１００回のヒートサイクル後で
は、平均で約２．０％、最大約２．９％の静電容量値の
減少が見られる。さらに、２００回及び５００回のヒー
トサイクル後では、平均で約１．２％、最大で約２．０
％の静電容量値の減少が見られる。しかしその減少は、
前述した従来例、つまり図３に比較例として示したもの
にくらべて遥かに小さいのが分かる。
ジスト層１４ａにガラス膜を、第二のレジスト層１４ｂ
に樹脂膜を形成した図１に示すような５００個の段付貫
通コンデンサについて、−５５℃〜１２５℃のヒートサ
イクル試験を行ったときの静電容量の変化を示してい
る。この図に示す通り、１００回のヒートサイクル後で
は、平均で約２．０％、最大約２．９％の静電容量値の
減少が見られる。さらに、２００回及び５００回のヒー
トサイクル後では、平均で約１．２％、最大で約２．０
％の静電容量値の減少が見られる。しかしその減少は、
前述した従来例、つまり図３に比較例として示したもの
にくらべて遥かに小さいのが分かる。
【００２２】なお、前記実施例は、段付貫通コンデンサ
の例であるが、メッキレジスト膜とメッキ膜との境界を
有する他の電子部品、例えば、円板貫通コンデンサ、円
筒コンデンサ、円筒レジスタ等についても本発明を同様
にして適用することができることはもちろんである。
の例であるが、メッキレジスト膜とメッキ膜との境界を
有する他の電子部品、例えば、円板貫通コンデンサ、円
筒コンデンサ、円筒レジスタ等についても本発明を同様
にして適用することができることはもちろんである。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、前述のよ
うなメッキ膜の縁部の電子部品素体からの剥離が生じる
ことなく、高い信頼性が得られるメッキ電極を有する電
子部品とその製造方法を提供することができる。
うなメッキ膜の縁部の電子部品素体からの剥離が生じる
ことなく、高い信頼性が得られるメッキ電極を有する電
子部品とその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施例である段付貫通コンデンサをシ
ャーシに取り付けた状態の縦断側面図とそのＡ部拡大図
である。
ャーシに取り付けた状態の縦断側面図とそのＡ部拡大図
である。
【図２】本発明の他の実施例である段付貫通コンデンサ
の要部拡大図である。
の要部拡大図である。
【図３】本発明の実施例とその比較例の段付貫通コンデ
ンサをシャーシに取り付けてヒートサイクル試験を行っ
たときのヒートサイクル回数と静電容量の低下率の平均
値及び最大最小値との関係を示すグラフである。
ンサをシャーシに取り付けてヒートサイクル試験を行っ
たときのヒートサイクル回数と静電容量の低下率の平均
値及び最大最小値との関係を示すグラフである。
【図４】従来例である段付貫通コンデンサをシャーシに
取り付けた状態の縦断側面図とそのＢ部拡大図である。
取り付けた状態の縦断側面図とそのＢ部拡大図である。
１１ 電子部品素体 １２ 電極 １２ａ 第一のメッキ層 １２ｂ 第二のメッキ層 １３ 電極 １４ メッキレジスト膜 １４ａ 第一のレジスト層 １４ｂ 第二のレジスト層 １５ メッキレジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 1/00 - 13/00
Claims (3)
- 【請求項１】 電子部品素体（１１）の表面にメッキレ
ジスト膜（１４）、（１５）を設け、このメッキレジス
ト膜（１４）、（１５）以外の部分にメッキ膜を設けて
電極（１２）、（１３）を形成したメッキ電極を有する
電子部品において、前記電極（１２）が少なくとも第一
と第二のメッキ層（１２ａ）、（１２ｂ）からなり、第
一のメッキ層（１２ａ）の縁部は、前記メッキレジスト
膜（１４）の縁部で覆われていることを特徴とするメッ
キ電極を有する電子部品。 - 【請求項２】 前記請求項１において、メッキレジスト
膜（１４）は、少なくとも第一のレジスト層（１４ａ）
と第二のレジスト層（１４ｂ）とを有し、電極（１２）
の第一のメッキ層（１２ａ）の縁部が第二のレジスト層
（１４ｂ）の縁部で覆われていることを特徴とするメッ
キ電極を有する電子部品。 - 【請求項３】 電子部品素体（１１）の表面にメッキレ
ジスト膜（１４）、（１５）を設け、このメッキレジス
ト膜（１４）、（１５）以外の部分にメッキ膜を設けて
電極（１２）、（１３）を形成したメッキ電極を有する
電子部品を製造する方法において、電子部品素体（１
１）の表面に第一のレジスト層（１４ａ）を形成する工
程と、この第一のレジスト層（１４ａ）を除く電子部品
素体（１１）の表面に電極（１２）を形成する第一のメ
ッキ層（１２ａ）を設ける工程と、前記第一のレジスト
層（１４ａ）の少なくとも縁部から第一のメッキ層（１
２ａ）の縁部にわたって第二のレジスト層（１４ｂ）を
設ける工程と、この第二のレジスト層（１４ａ）の外側
であって、第一のメッキ層（１２ａ）の上に第二のメッ
キ層（１２ｂ）を設ける工程とを有することを特徴とす
るメッキ電極を有する電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120992A JP2975805B2 (ja) | 1993-04-24 | 1993-04-24 | メッキ電極を有する電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120992A JP2975805B2 (ja) | 1993-04-24 | 1993-04-24 | メッキ電極を有する電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310373A JPH06310373A (ja) | 1994-11-04 |
| JP2975805B2 true JP2975805B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=14800104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5120992A Expired - Fee Related JP2975805B2 (ja) | 1993-04-24 | 1993-04-24 | メッキ電極を有する電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975805B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-24 JP JP5120992A patent/JP2975805B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06310373A (ja) | 1994-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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