JPH0220093A - 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 - Google Patents
高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法Info
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- JPH0220093A JPH0220093A JP16898488A JP16898488A JPH0220093A JP H0220093 A JPH0220093 A JP H0220093A JP 16898488 A JP16898488 A JP 16898488A JP 16898488 A JP16898488 A JP 16898488A JP H0220093 A JPH0220093 A JP H0220093A
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- electrodes
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波誘電体セラミックに設けられる電極の
構造、及び該電極の形成方法に関するものである。
構造、及び該電極の形成方法に関するものである。
従来、直方体状５円柱体状１円筒体状等の高周波用誘電
体セラミックに電極を形成する方法として、例えば特開
昭５８−１６６８０６号公報に開示されているような、
無電解銅メッキにより銅皮膜を形成する方法が知られて
いる。
体セラミックに電極を形成する方法として、例えば特開
昭５８−１６６８０６号公報に開示されているような、
無電解銅メッキにより銅皮膜を形成する方法が知られて
いる。
この方法では、例えば第４図、第５図に示すように円筒
状の誘電体セラミック２１の内周面、外周面及び一端面
に無電解銅メッキによる電極２２゜２３及び２４を連続
して形成させることによって誘電体共振器２５が得られ
る。なお、この共振器は前記一端面の電極４−をマスキ
ングするか、または核部を切断してセラミックを露出さ
せることにより電極２２と２３を対向電極となして実用
に供せられる。
状の誘電体セラミック２１の内周面、外周面及び一端面
に無電解銅メッキによる電極２２゜２３及び２４を連続
して形成させることによって誘電体共振器２５が得られ
る。なお、この共振器は前記一端面の電極４−をマスキ
ングするか、または核部を切断してセラミックを露出さ
せることにより電極２２と２３を対向電極となして実用
に供せられる。
上記無電解銅メッキの電極では、銀電掻を焼付ける方法
に比べて安価となる利点はあるものの、誘電体共振器を
実用に供した場合に酸化反応や硫化反応により劣化して
Ｑ値が低下し易く共振周波数が変化するという問題点が
あった。
に比べて安価となる利点はあるものの、誘電体共振器を
実用に供した場合に酸化反応や硫化反応により劣化して
Ｑ値が低下し易く共振周波数が変化するという問題点が
あった。
本発明者は、前記無電解銅メッキによる被膜上にさらに
スズ又はハンダの電解メッキによる被膜を形成して電極
を構成することにより、従来電極の上記問題点が解決で
きることを知見し本発明に到達したものである。
スズ又はハンダの電解メッキによる被膜を形成して電極
を構成することにより、従来電極の上記問題点が解決で
きることを知見し本発明に到達したものである。
すなわち本発明は、直方体状１円柱体状０円筒体状等の
高周波用誘電体セラミック上に形成される金属被膜の電
極において、該金属被膜が銅の被膜と、該被膜上に形成
されたスズ（Ｓｎ）又はハンダの被膜とからなることを
特徴とする電極である。
高周波用誘電体セラミック上に形成される金属被膜の電
極において、該金属被膜が銅の被膜と、該被膜上に形成
されたスズ（Ｓｎ）又はハンダの被膜とからなることを
特徴とする電極である。
前記鋼の被膜、スズ又はハンダの被膜の形成方法として
は従来公知の方法が採用できるが、操作の簡便性や経済
性等を考慮すると前者については無電解メッキ法が、後
者では電解メッキ法が最も好ましい。
は従来公知の方法が採用できるが、操作の簡便性や経済
性等を考慮すると前者については無電解メッキ法が、後
者では電解メッキ法が最も好ましい。
すなわち、本発明の電極形成方法は、高周波用誘電体セ
ラミック上に無電解メッキによる銅被膜を形成したのち
、該銅被膜上にスズ（Ｓｎ）又はハンダの電解メッキを
行って電極となすことを特徴とするものである。
ラミック上に無電解メッキによる銅被膜を形成したのち
、該銅被膜上にスズ（Ｓｎ）又はハンダの電解メッキを
行って電極となすことを特徴とするものである。
本発明を誘電体共振器に適用した実施例について図面を
参照しつつ説明すると、第１図、第２図において円筒状
の誘電体セラミック１の内周面。
参照しつつ説明すると、第１図、第２図において円筒状
の誘電体セラミック１の内周面。
外周面及び一端面に無電解消メッキによる被膜２１３、
．４．を連続して形成し、さらに、これらの被膜上にス
ズの電解メッキによる被膜２□、３□、４□を連続して
形成することによって、それぞれ電極２．３．４を構成
したものである。
．４．を連続して形成し、さらに、これらの被膜上にス
ズの電解メッキによる被膜２□、３□、４□を連続して
形成することによって、それぞれ電極２．３．４を構成
したものである。
本発明方法に従い電極を形成して誘電体共振器を作成し
、この電極の耐候性試験（高温耐湿試験）、すなわちＨ
，Ｓ試験を行った。
、この電極の耐候性試験（高温耐湿試験）、すなわちＨ
，Ｓ試験を行った。
（１１試料の作成要領及び試験条件
［ａｌ １１極の構成
電極は、無電解銅メッキによる銅被膜及びハンダの電解
メッキによるハンダ被膜によって構成した。誘電体セラ
ミックの形状及び該誘電体への電極配設の態様は第２図
に示すとおりである。
メッキによるハンダ被膜によって構成した。誘電体セラ
ミックの形状及び該誘電体への電極配設の態様は第２図
に示すとおりである。
山）ＴＬ掻の膜厚
ハンダメッキの膜厚については５．０．７．５１０．０
，１２．５，１５．０及び２０．０ μｍとし、比較の
ため従来例として、電極を銀の焼付けにより形成したも
のを用意した。
，１２．５，１５．０及び２０．０ μｍとし、比較の
ため従来例として、電極を銀の焼付けにより形成したも
のを用意した。
なお、これら比較用試料の誘電体形状等は本発明に係る
ものと同一とした。また、試験数はいずれの試料につい
ても１０個とした。
ものと同一とした。また、試験数はいずれの試料につい
ても１０個とした。
（Ｃ１このようにして作成した試料を温度４５°Ｃ９相
対湿度９５％、 Ｈａｓ含存温存濃度５０ｐｐ高温釜ン
界雰囲気に９６時間、継続的に放置したのち取り出し、
ＱメータによりＱｕ （無負荷Ｑ）を測定した。なお、
本発明に係る試料については、ハンダメッキ厚がｌ０１
０μｍで上記雰囲気内に放置しないものについてもＱｕ
を測定した。
対湿度９５％、 Ｈａｓ含存温存濃度５０ｐｐ高温釜ン
界雰囲気に９６時間、継続的に放置したのち取り出し、
ＱメータによりＱｕ （無負荷Ｑ）を測定した。なお、
本発明に係る試料については、ハンダメッキ厚がｌ０１
０μｍで上記雰囲気内に放置しないものについてもＱｕ
を測定した。
（２）試験結果
試験結果は第３図に示すとおりで、黒丸は各試料のＱｕ
を、白丸は試料１０個（黒丸）のＱ。
を、白丸は試料１０個（黒丸）のＱ。
の平均値を表わしている。
第３図から、
ｆａｔ ハンダメッキ厚を７．５μｍ以上とすれば、
電極の耐候性は実用上充分であること、また、そのＱ工
は上記雰囲気に曝さない新品のもの（第１図中、「初期
」で示す）と変わらないこと、 ｆｂｌ ハンダメッキ厚を１０．０μｍ以上とすれば
、従来の銀電極（第１図中、「銀」で示す）と同等の耐
候性を有する電極となることがわかる。
電極の耐候性は実用上充分であること、また、そのＱ工
は上記雰囲気に曝さない新品のもの（第１図中、「初期
」で示す）と変わらないこと、 ｆｂｌ ハンダメッキ厚を１０．０μｍ以上とすれば
、従来の銀電極（第１図中、「銀」で示す）と同等の耐
候性を有する電極となることがわかる。
なお、ハンダメッキに代えてスズメッキを施した試料に
ついても同様の試験を行ったが、第１図と同様に優れた
結果が得られている。
ついても同様の試験を行ったが、第１図と同様に優れた
結果が得られている。
以上述べたように本発明によれば、簡便な方法により、
銀電極を焼付けて形成した従来の電極に比べて著しく安
価な電極が得られ、耐候性も銀電極を焼付けたものと同
等に優れたものとなる効果があり、また本発明は、マイ
クロ波共振器や各種フィルタ等に広く応用できるもので
ある。
銀電極を焼付けて形成した従来の電極に比べて著しく安
価な電極が得られ、耐候性も銀電極を焼付けたものと同
等に優れたものとなる効果があり、また本発明は、マイ
クロ波共振器や各種フィルタ等に広く応用できるもので
ある。
第１図は本発明を誘電体共振器に適用した実施例の斜視
図、第２図はその縦断面図、第３図はこの誘電体共振器
のＵＺＳ試験結果を示すグラフ、第４図は従来の誘電体
共振器の斜視図、第５図はその縦断面図である。 １・・・誘電体セラミック、２，３．４・・・電極、２
１＋ ３１＋ ４□２□＋Ｌ＋４ｇ・・・被■々。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人
弁理士 薬 師 稔第１図 第２図 第４図 第５図
図、第２図はその縦断面図、第３図はこの誘電体共振器
のＵＺＳ試験結果を示すグラフ、第４図は従来の誘電体
共振器の斜視図、第５図はその縦断面図である。 １・・・誘電体セラミック、２，３．４・・・電極、２
１＋ ３１＋ ４□２□＋Ｌ＋４ｇ・・・被■々。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人
弁理士 薬 師 稔第１図 第２図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１） 高周波用誘電体セラミック上に形成される金属
被膜の電極において、該金属被膜が銅の被膜と、該被膜
上に形成されたスズ（Ｓｎ）又はハンダの被膜とからな
ることを特徴とする電極。 - （２） 高周波用誘電体セラミック上に無電解メッキに
よる銅被膜を形成したのち、該銅被膜上にスズ（Ｓｎ）
又はハンダの電解メッキを行って電極となすことを特徴
とする、高周波用誘電体セラミックに電極を形成する方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16898488A JPH0220093A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16898488A JPH0220093A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220093A true JPH0220093A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15878197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16898488A Pending JPH0220093A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220093A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04160904A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
| JPH04185103A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器及びその製造方法 |
| JPH04284003A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平面型誘電体フィルタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124223A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic part |
| JPS59176907A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP16898488A patent/JPH0220093A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124223A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic part |
| JPS59176907A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | マイクロ波用誘電体共振器セラミツクス |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04160904A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
| JPH04185103A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器及びその製造方法 |
| JPH04284003A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平面型誘電体フィルタ |
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