JPH09115768A - コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPH09115768A JPH09115768A JP29765295A JP29765295A JPH09115768A JP H09115768 A JPH09115768 A JP H09115768A JP 29765295 A JP29765295 A JP 29765295A JP 29765295 A JP29765295 A JP 29765295A JP H09115768 A JPH09115768 A JP H09115768A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性のより良好な対向電極を用いることに
より、コンデンサの高周波領域での誘電特性を向上させ
ることを目的とする。 【解決手段】 多孔質化した基板１に均一厚みのポリイ
ミド誘電体膜２を設け、その表面上に導電性ポリピロー
ルまたは二酸化マンガンのいずれかの対向電極３を形成
し、更にその上層に、金属メッキ層よりなる集電電極４
を設ける。
より、コンデンサの高周波領域での誘電特性を向上させ
ることを目的とする。 【解決手段】 多孔質化した基板１に均一厚みのポリイ
ミド誘電体膜２を設け、その表面上に導電性ポリピロー
ルまたは二酸化マンガンのいずれかの対向電極３を形成
し、更にその上層に、金属メッキ層よりなる集電電極４
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンデンサとその製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機高分子膜を誘電体としたフィルムコ
ンデンサは耐電圧，ｔａｎδ，漏れ電流において優れた
特性をもつが、誘電率が小さいため、セラミックコンデ
ンサ，電解コンデンサに比し、小容量となる。そこで高
容量を得るため、多孔質金属上に追従した高分子膜を電
着法により成膜した。しかし、多孔質体金属の内部まで
従来法の蒸着により成膜するのは困難である。そのた
め、多孔質体の内部に導電体として二酸化マンガンの膜
もしくは化学重合法による導電性高分子、主にポリピロ
ールを均一の膜厚に成膜し、その後導電性の高い電解重
合法ポリピロール膜を成膜する方法が採られてきた。
ンデンサは耐電圧，ｔａｎδ，漏れ電流において優れた
特性をもつが、誘電率が小さいため、セラミックコンデ
ンサ，電解コンデンサに比し、小容量となる。そこで高
容量を得るため、多孔質金属上に追従した高分子膜を電
着法により成膜した。しかし、多孔質体金属の内部まで
従来法の蒸着により成膜するのは困難である。そのた
め、多孔質体の内部に導電体として二酸化マンガンの膜
もしくは化学重合法による導電性高分子、主にポリピロ
ールを均一の膜厚に成膜し、その後導電性の高い電解重
合法ポリピロール膜を成膜する方法が採られてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし前記従来の方法
では、対向電極の導電率が１００Ｓ／ｃｍと十分ではな
く、特に高周波数領域の特性でフィルムコンデンサ並が
得られていない。そこで本発明は、高周波領域の特性改
善のため、更に高い導電率の対向電極を求めることを課
題とするものである。
では、対向電極の導電率が１００Ｓ／ｃｍと十分ではな
く、特に高周波数領域の特性でフィルムコンデンサ並が
得られていない。そこで本発明は、高周波領域の特性改
善のため、更に高い導電率の対向電極を求めることを課
題とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記する課題
解決のため多孔質化した基板に均一厚みのポリイミド誘
電体膜を設け、その表面上に導電性ポリピロールまたは
二酸化マンガンのいずれかからなる対向電極を形成し、
更にその上層に金属メッキ層よりなる集電電極を設けた
こととしたものである。この本発明によれば、導電性ポ
リピロールまたは二酸化マンガンのいずれかの対向電極
を形成することにより高い導電率の対向電極とすること
ができる。
解決のため多孔質化した基板に均一厚みのポリイミド誘
電体膜を設け、その表面上に導電性ポリピロールまたは
二酸化マンガンのいずれかからなる対向電極を形成し、
更にその上層に金属メッキ層よりなる集電電極を設けた
こととしたものである。この本発明によれば、導電性ポ
リピロールまたは二酸化マンガンのいずれかの対向電極
を形成することにより高い導電率の対向電極とすること
ができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、多孔質化した基板に均一厚みのポリイミド誘電体膜
を設け、その表面上に導電性ポリピロールまたは二酸化
マンガンのいずれかからなる対向電極を形成し、更にそ
の上層に、金属メッキ層よりなる集電電極を設けるもの
であり、金属メッキ層を集電電極とする導電性ポリピロ
ールあるいは二酸化マンガンのいずれかの対向電極をも
ちその導電率は高いものである。
は、多孔質化した基板に均一厚みのポリイミド誘電体膜
を設け、その表面上に導電性ポリピロールまたは二酸化
マンガンのいずれかからなる対向電極を形成し、更にそ
の上層に、金属メッキ層よりなる集電電極を設けるもの
であり、金属メッキ層を集電電極とする導電性ポリピロ
ールあるいは二酸化マンガンのいずれかの対向電極をも
ちその導電率は高いものである。
【０００６】また、請求項２に記載の発明は、多孔質化
した基板は金属のエッチド箔としたものであり、金属の
表面積は大きいものである。
した基板は金属のエッチド箔としたものであり、金属の
表面積は大きいものである。
【０００７】また、請求項３に記載の発明は、金属のエ
ッチド箔はエッチドアルミニウム箔としたものであり、
アルミニウム箔はエッチングし易いものである。
ッチド箔はエッチドアルミニウム箔としたものであり、
アルミニウム箔はエッチングし易いものである。
【０００８】また、請求項４に記載の発明は、導電性ポ
リピロールはイオンドープされたものであり、容易に高
い導電性を有するポリピロールが得られる。
リピロールはイオンドープされたものであり、容易に高
い導電性を有するポリピロールが得られる。
【０００９】また、請求項５に記載の発明は、ドープさ
れたイオンは過硫酸イオンとしたものであり、イオンド
ープが過硫酸によって容易に実現できる。
れたイオンは過硫酸イオンとしたものであり、イオンド
ープが過硫酸によって容易に実現できる。
【００１０】また、請求項６に記載の発明は、金属のメ
ッキ層は銀または錫の層としたものであり、導電性の高
い集電電極を実現することができる。
ッキ層は銀または錫の層としたものであり、導電性の高
い集電電極を実現することができる。
【００１１】また、請求項７に記載の発明は、多孔質化
した基板に均一にポリイミド膜を形成して誘電体膜を設
ける工程と、前記誘電体膜の表面上に導電性ポリピロー
ルか、または二酸化マンガンのいずれかを形成して対向
電極とする工程と、更にその後に、前記対向電極の表面
に金属の電気メッキ層を設けて集電電極とする工程を有
することとしたものであり、高い導電率の対向電極を有
するコンデンサを容易に具体的に実現できる製造方法を
提供するものである。
した基板に均一にポリイミド膜を形成して誘電体膜を設
ける工程と、前記誘電体膜の表面上に導電性ポリピロー
ルか、または二酸化マンガンのいずれかを形成して対向
電極とする工程と、更にその後に、前記対向電極の表面
に金属の電気メッキ層を設けて集電電極とする工程を有
することとしたものであり、高い導電率の対向電極を有
するコンデンサを容易に具体的に実現できる製造方法を
提供するものである。
【００１２】また、請求項８に記載の発明は、ポリイミ
ド誘電体膜の形成方法を電気泳動法としたものであり、
ポリイミド誘電体膜を容易に実現できるものである。
ド誘電体膜の形成方法を電気泳動法としたものであり、
ポリイミド誘電体膜を容易に実現できるものである。
【００１３】また、請求項９に記載の発明は、導電性ポ
リピロール対向電極の形成方法は化学重合法としたもの
であり、導電性ポリピロール対向電極が現実かつ容易に
形成できる。
リピロール対向電極の形成方法は化学重合法としたもの
であり、導電性ポリピロール対向電極が現実かつ容易に
形成できる。
【００１４】また、請求項１０に記載の発明は、二酸化
マンガンの形成方法は硝酸マンガン水溶液に多孔質化し
た基板を浸漬した後に３００℃で熱処理して形成したも
のであり、二酸化マンガンの形成方法を現実かつ具体的
にしたものである。
マンガンの形成方法は硝酸マンガン水溶液に多孔質化し
た基板を浸漬した後に３００℃で熱処理して形成したも
のであり、二酸化マンガンの形成方法を現実かつ具体的
にしたものである。
【００１５】また、請求項１１に記載の発明は、集電金
属電極の形成方法は金属メッキ法としたものであり、集
電電極は金属メッキ法により制御が簡単に形成できるも
のである。
属電極の形成方法は金属メッキ法としたものであり、集
電電極は金属メッキ法により制御が簡単に形成できるも
のである。
【００１６】（実施の形態１）図１に示すように多孔質
化した基板としてのアルミニウムエッチド箔１に電着に
よりポリイミド誘電体膜２を成膜する。その後ポリピロ
ールを化学重合法で成膜する。化学重合法ポリピロール
のエタノール溶液５０ｃｃ／リットル，過硫酸アンモニ
ウム水溶液１２５ｇ／リットルにポリイミド誘電体膜２
を成膜したアルミニウムエッチド箔を交互に浸漬するこ
とにより対向電極３として導電性ポリピロール膜が成膜
する。化学重合ポリピロール膜を陰極、ステンレス板を
陽極としシアン化銀１ｇ／リットル，シアン化カリウム
８０ｇ／リットルのメッキ浴５である水溶液を入れた容
器６中に浸漬し、電流密度２（Ａ／ｄｍ2 ）で２分間メ
ッキして銀の集電電極４を形成する。
化した基板としてのアルミニウムエッチド箔１に電着に
よりポリイミド誘電体膜２を成膜する。その後ポリピロ
ールを化学重合法で成膜する。化学重合法ポリピロール
のエタノール溶液５０ｃｃ／リットル，過硫酸アンモニ
ウム水溶液１２５ｇ／リットルにポリイミド誘電体膜２
を成膜したアルミニウムエッチド箔を交互に浸漬するこ
とにより対向電極３として導電性ポリピロール膜が成膜
する。化学重合ポリピロール膜を陰極、ステンレス板を
陽極としシアン化銀１ｇ／リットル，シアン化カリウム
８０ｇ／リットルのメッキ浴５である水溶液を入れた容
器６中に浸漬し、電流密度２（Ａ／ｄｍ2 ）で２分間メ
ッキして銀の集電電極４を形成する。
【００１７】（実施の形態２）アルミニウムエッチド箔
に電着によりポリイミド膜を成膜する。その後、１．２
モル／リットル硝酸マンガン水溶液に浸漬し、３００℃
で熱分解する。結果、ポリイミド膜表面に二酸化マンガ
ンが成膜される。二酸化マンガン膜を陰極、ステンレス
板を陽極としシアン化銀１ｇ／リットル，シアン化カリ
ウム８０ｇ／リットルの水溶液中に浸漬し、電流密度２
（Ａ／ｄｍ2 ）で２分間メッキする。
に電着によりポリイミド膜を成膜する。その後、１．２
モル／リットル硝酸マンガン水溶液に浸漬し、３００℃
で熱分解する。結果、ポリイミド膜表面に二酸化マンガ
ンが成膜される。二酸化マンガン膜を陰極、ステンレス
板を陽極としシアン化銀１ｇ／リットル，シアン化カリ
ウム８０ｇ／リットルの水溶液中に浸漬し、電流密度２
（Ａ／ｄｍ2 ）で２分間メッキする。
【００１８】（実施の形態３）実施の形態１の方法でポ
リピロールの化成までを行い、錫酸ナトリウム９０ｇ／
リットル，水酸化ナトリウム７．５ｇ／リットル，酢酸
ナトリウム１５ｇ／リットル水溶液中に浸漬し、電流密
度１．５（Ａ／ｄｍ2 ）で２分間メッキする。
リピロールの化成までを行い、錫酸ナトリウム９０ｇ／
リットル，水酸化ナトリウム７．５ｇ／リットル，酢酸
ナトリウム１５ｇ／リットル水溶液中に浸漬し、電流密
度１．５（Ａ／ｄｍ2 ）で２分間メッキする。
【００１９】（比較例）アルミニウムエッチド箔に電着
によりポリイミド膜を成膜する。その後、実施の形態１
と同様の方法で化学重合ポリピロール膜を成膜した。化
学重合ポリピロール膜を陽極、ステンレス板を陰極と
し、２．５ｃｃ／リットル、ブチルナフタレンスルホン
酸ナトリウム２．５ｃｃ／リットルピロール水溶液中に
浸漬し、電流密度０．３（ｍＡ／ｃｍ2 ）で電解重合し
ポリピロール膜を成膜する。その上に、カーボン，銀ペ
ーストの順で塗布する。
によりポリイミド膜を成膜する。その後、実施の形態１
と同様の方法で化学重合ポリピロール膜を成膜した。化
学重合ポリピロール膜を陽極、ステンレス板を陰極と
し、２．５ｃｃ／リットル、ブチルナフタレンスルホン
酸ナトリウム２．５ｃｃ／リットルピロール水溶液中に
浸漬し、電流密度０．３（ｍＡ／ｃｍ2 ）で電解重合し
ポリピロール膜を成膜する。その上に、カーボン，銀ペ
ーストの順で塗布する。
【００２０】以上の実施の形態１，２，３と比較例によ
るコンデンサの特性を次の表に示す。
るコンデンサの特性を次の表に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】以上の表により比較例に比し、本発明の実
施の形態１，２，３によるコンデンサが高周波特性の優
れたものであることが判る。
施の形態１，２，３によるコンデンサが高周波特性の優
れたものであることが判る。
【００２３】
【発明の効果】本発明の対向電極を金属とした高容量フ
ィルムコンデンサは従来のフィルムコンデンサの低容
量、高容量フィルムコンデンサの高周波領域の特性を改
善することができ、電解コンデンサ，フィルムコンデン
サの特性の長所を合わせ持つコンデンサが得られる。
ィルムコンデンサは従来のフィルムコンデンサの低容
量、高容量フィルムコンデンサの高周波領域の特性を改
善することができ、電解コンデンサ，フィルムコンデン
サの特性の長所を合わせ持つコンデンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のコンデンサの断面の説明図
【図２】金属の電気メッキの説明図
１ アルミニウムエッチド箔（多孔質化した基板） ２ ポリイミド誘電体膜 ３ 対向電極 ４ 集電電極 ５ メッキ浴 ６ 容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅田 純一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 多孔質化した基板に均一厚みのポリイミ
ド誘電体膜を設け、その表面上に導電性ポリピロールま
たは二酸化マンガンのいずれかからなる対向電極を形成
し、更にその上層に、金属メッキ層よりなる集電電極を
設けたことを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項２】 多孔質化した基板は金属のエッチド箔と
したことを特徴とする請求項１記載のコンデンサ。 - 【請求項３】 金属のエッチド箔はエッチドアルミニウ
ム箔としたことを特徴とする請求項２記載のコンデン
サ。 - 【請求項４】 導電性ポリピロールはイオンドープされ
たものとしたことを特徴とする請求項１記載のコンデン
サ。 - 【請求項５】 ドープされたイオンは過硫酸イオンとし
たことを特徴とする請求項４記載のコンデンサ。 - 【請求項６】 金属のメッキ層は銀または錫の層とした
ことを特徴とする請求項１記載のコンデンサ。 - 【請求項７】 多孔質化した基板に追従するように、均
一にポリイミド膜を形成して誘電体膜を設ける工程と、
前記誘電体膜の表面上に導電性ポリピロールか、または
二酸化マンガンのいずれかを形成して対向電極とする工
程と、更にその後に、前記対向電極の表面に金属の電気
メッキ層を設けて集電電極とする工程とを有するコンデ
ンサの製造方法。 - 【請求項８】 ポリイミド誘電体膜の形成方法は電気泳
動法としたことを特徴とする請求項７記載のコンデンサ
の製造方法。 - 【請求項９】 導電性ポリピロール対向電極の形成方法
は化学重合法としたことを特徴とする請求項７記載のコ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項１０】 二酸化マンガンの形成方法は硝酸マン
ガン水溶液に多孔質化した基板を浸漬した後に３００℃
で熱処理して形成したことを特徴とする請求項７記載の
コンデンサの製造方法。 - 【請求項１１】 集電金属電極の形成方法は金属メッキ
法としたことを特徴とする請求項７記載のコンデンサの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29765295A JPH09115768A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29765295A JPH09115768A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115768A true JPH09115768A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17849369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29765295A Pending JPH09115768A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115768A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0953996A2 (en) * | 1998-04-21 | 1999-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor and its manufacturing method |
| WO2001091145A1 (fr) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Condensateur |
| JP2009059881A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Nichicon Corp | シートキャパシタおよびその製造方法 |
| US8107222B2 (en) * | 2007-07-23 | 2012-01-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Supercapacitor and manufacturing method thereof |
| WO2014006415A3 (en) * | 2012-07-06 | 2014-06-05 | Zyk S.A. | Energy storage apparatus |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP29765295A patent/JPH09115768A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0953996A2 (en) * | 1998-04-21 | 1999-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor and its manufacturing method |
| WO2001091145A1 (fr) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Condensateur |
| EP1195782A1 (en) * | 2000-05-25 | 2002-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor |
| US6466430B2 (en) | 2000-05-25 | 2002-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor |
| EP1195782A4 (en) * | 2000-05-25 | 2007-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | CAPACITY |
| US8107222B2 (en) * | 2007-07-23 | 2012-01-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Supercapacitor and manufacturing method thereof |
| JP2009059881A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Nichicon Corp | シートキャパシタおよびその製造方法 |
| WO2014006415A3 (en) * | 2012-07-06 | 2014-06-05 | Zyk S.A. | Energy storage apparatus |
| US9870870B2 (en) | 2012-07-06 | 2018-01-16 | Deregallera Holdings Ltd | Energy storage apparatus |
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