JPH04264801A - 同軸誘電体共振器 - Google Patents
同軸誘電体共振器Info
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- JPH04264801A JPH04264801A JP2472791A JP2472791A JPH04264801A JP H04264801 A JPH04264801 A JP H04264801A JP 2472791 A JP2472791 A JP 2472791A JP 2472791 A JP2472791 A JP 2472791A JP H04264801 A JPH04264801 A JP H04264801A
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波フィルター、高周
波発振器等に用いられる同軸誘電体共振器に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】図２は従来の一般的な同軸誘電体共振器
を示したものである。図において、１は誘電体セラミッ
クスであり、中央に円筒状の孔２を有する直方体形状に
焼結される。３は電極層であり、外導体４、内導体５お
よび短絡端６が、銀ペーストの焼付けによって形成され
る。すなわち、銀粉末にガラスフリット、有機バインダ
および溶剤を混合しペースト状に形成した銀ペーストを
、印刷、筆塗りあるいはディップ等の方法で誘電体に付
着させたのち、８００℃前後の高温で焼付けされる。 ７は電極層を形成しない開放端である。 【０００３】ところで、高周波用の誘電体共振器には高
いＱが要求される。誘電体共振器の無負荷ＱをＱｕ誘電
体セラミック材料のＱをＱｄ電極の導体損によるＱをＱ
ｅ、放 射損によるＱをＱｒとすると、Ｑｕは次式で示
される。 【０００４】 【数１】 【０００５】通常、Ｑｄは１０，０００〜２０，０００
程度であり、Ｑｅは数百程度である。また、誘電体共振
器が開放端以外の面が全て導体で被われている場合、Ｑ
ｒは無限大となる。従 って、Ｑｅの値がＱｕに大きく
影響する。電極を構成する金属の導電率が高いほどＱｅ
は高くなるため、高いＱｕを実現するためには電極の導
電率を高くする必要がある。 【０００６】上述の従来技術においては、銀ペーストは
密着性を得るためにガラスフリットの混入が不可欠であ
り、これにより、銀本来の導電率６．０６×１０５（Ω
−１ｃｍ−１）が２０〜３０％低下するため、Ｑｕが低
くなるという欠点がある。また、上述の従来 技術では
、外導体４、内導体５および短絡端６の合計６面に電極
を形成する必要があるが、構造が複雑なため、銀ペース
トを塗布する際の作業性が悪く量産に適さない。さらに
、塗りむらが発生しやすくＱｕの低下や、素子間でのば
らつきを 生じるという欠点があった。 【０００７】このような理由から、例えば特開昭６４−
７７８４０号公報（Ｈ０１Ｊ２３／２０）に記載されて
いる如く、最近では銀ペーストを塗布する代わりに、誘
電体セラミック上に無電解メッキにより銅被膜を形成す
る方法が提案されている。この従来技術では、■誘電体
セラミックの脱脂工程（セラミック表面を洗浄し界面活
性剤により濡れ性をよくする。）■エッチング工程（フ
ッ酸、硝酸、塩酸等の混合液にて表面を粗化する。） ■活性化工程（触媒を付与する。） ■メッキ工程（硫酸銅、ＥＤＴＡ、ホルマリン、ＮａＯ
Ｈ等を含むメッキ浴。） ■水洗、乾燥工程 等の工程よりなる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来技術に示されるように、無電解メッキにより銅被膜を
形成した誘電体共振器では、以下の理由により、素子間
でＱｕのばらつきが大き くなるという問題がある。 【０００９】すなわち、■の活性化工程により誘電体セ
ラミックは、まず塩化第１錫にて感受性化され、次に塩
化パラジウム等で活性化されるが、いずれも水溶液中に
誘電体セラミックをディッピングし表面に吸着させる事
によって行われる。このとき各々の触媒は誘電体セラミ
ックの全表面に均一には吸着せず、図３に示すように各
面によって形成される稜線部８、９、１０には触媒１１
があまり吸着しない。このため、メッキ反応に必要な触
媒が十分に得られず、図４に示すように、電極層３が形
成されない部分が生じたり、膜厚のむらが発生したりし
、これらによって導電体損Ｑｅが大きくばらつき、その
結果、各素子間でＱｕのばらつきが大きくなるのである
。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は上述の従来技術
の欠点を改善するものであり、高周波用誘電体セラミッ
ク上に無電解メッキによる銅被膜電極を形成してなる同
軸誘電体共振器において、外導体面と短絡端面とによっ
て形成される稜線部および内導体面と短絡端面とによっ
て形成される稜線部に導電体層を設けたことを特徴とす
るものである。 【００１１】 【作用】電極層が形成されにくい外導体面と短絡端面と
によって形成される稜線部、および内導体面と短絡端面
とによって形成される稜線部に導電体層を設けることに
より電極層の不形成を補い、これによってＱｕのばらつ
きを押さえるのである。 【００１２】 【実施例】以下本発明の実施例を図面によって説明する
。図１は本発明による同軸誘電体共振器である。図にお
いて、１は誘電体セラミックスであり、中央に円筒状の
孔２を有する直方体形状に焼結される。３は電極層であ
り、従来技術と同様の無電解銅メッキによって全ての面
に形成され、その後、一面の銅箔を研摩剥離することに
よって開放端７を形成している。１２は外導体面４と短
絡端面６とによって形成される稜線部、および内導体面
５と短絡端面６とによって形成される稜線部に設けられ
た導電体層である。導電体層１２は例えば半田付け、導
電性ペーストの塗布、銅の溶射等によって形成する。 【００１３】表１は本発明による同軸誘電体共振器と従
来技術とのＱｕを比較したものであ る。本実施例、従
来技術とも、誘電体セラミックの材料としてＱｄが２０
，０００のも のを用い、焼結後の寸法として、一辺の
長さ３ｍｍ、共振器長４．８ｍｍとし、無電解 メッキ
工程により約１０μの銅をメッキした。なお、各試料数
は１０とした。 【００１４】 【表１】 【００１５】導電体層を設けていない従来技術による同
軸誘電体共振器では、最小のＱｕが ３４３、最大のＱ
ｕは３９２であり、その差は４９と大きい。これに対し
本発明 によるＱｕの最大と最小の差は７であり、各試
料間でのばらつきが少ない。また 平均のＱｕも従来技
術に比べて大きい。 【００１６】 【発明の効果】本発明による同軸誘電体共振器は、各素
子間でＱｕのばらつきが少なくなり、 この結果、誘電
体共振器としての高周波特性のばらつきを小さくするこ
とができる。
波発振器等に用いられる同軸誘電体共振器に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】図２は従来の一般的な同軸誘電体共振器
を示したものである。図において、１は誘電体セラミッ
クスであり、中央に円筒状の孔２を有する直方体形状に
焼結される。３は電極層であり、外導体４、内導体５お
よび短絡端６が、銀ペーストの焼付けによって形成され
る。すなわち、銀粉末にガラスフリット、有機バインダ
および溶剤を混合しペースト状に形成した銀ペーストを
、印刷、筆塗りあるいはディップ等の方法で誘電体に付
着させたのち、８００℃前後の高温で焼付けされる。 ７は電極層を形成しない開放端である。 【０００３】ところで、高周波用の誘電体共振器には高
いＱが要求される。誘電体共振器の無負荷ＱをＱｕ誘電
体セラミック材料のＱをＱｄ電極の導体損によるＱをＱ
ｅ、放 射損によるＱをＱｒとすると、Ｑｕは次式で示
される。 【０００４】 【数１】 【０００５】通常、Ｑｄは１０，０００〜２０，０００
程度であり、Ｑｅは数百程度である。また、誘電体共振
器が開放端以外の面が全て導体で被われている場合、Ｑ
ｒは無限大となる。従 って、Ｑｅの値がＱｕに大きく
影響する。電極を構成する金属の導電率が高いほどＱｅ
は高くなるため、高いＱｕを実現するためには電極の導
電率を高くする必要がある。 【０００６】上述の従来技術においては、銀ペーストは
密着性を得るためにガラスフリットの混入が不可欠であ
り、これにより、銀本来の導電率６．０６×１０５（Ω
−１ｃｍ−１）が２０〜３０％低下するため、Ｑｕが低
くなるという欠点がある。また、上述の従来 技術では
、外導体４、内導体５および短絡端６の合計６面に電極
を形成する必要があるが、構造が複雑なため、銀ペース
トを塗布する際の作業性が悪く量産に適さない。さらに
、塗りむらが発生しやすくＱｕの低下や、素子間でのば
らつきを 生じるという欠点があった。 【０００７】このような理由から、例えば特開昭６４−
７７８４０号公報（Ｈ０１Ｊ２３／２０）に記載されて
いる如く、最近では銀ペーストを塗布する代わりに、誘
電体セラミック上に無電解メッキにより銅被膜を形成す
る方法が提案されている。この従来技術では、■誘電体
セラミックの脱脂工程（セラミック表面を洗浄し界面活
性剤により濡れ性をよくする。）■エッチング工程（フ
ッ酸、硝酸、塩酸等の混合液にて表面を粗化する。） ■活性化工程（触媒を付与する。） ■メッキ工程（硫酸銅、ＥＤＴＡ、ホルマリン、ＮａＯ
Ｈ等を含むメッキ浴。） ■水洗、乾燥工程 等の工程よりなる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来技術に示されるように、無電解メッキにより銅被膜を
形成した誘電体共振器では、以下の理由により、素子間
でＱｕのばらつきが大き くなるという問題がある。 【０００９】すなわち、■の活性化工程により誘電体セ
ラミックは、まず塩化第１錫にて感受性化され、次に塩
化パラジウム等で活性化されるが、いずれも水溶液中に
誘電体セラミックをディッピングし表面に吸着させる事
によって行われる。このとき各々の触媒は誘電体セラミ
ックの全表面に均一には吸着せず、図３に示すように各
面によって形成される稜線部８、９、１０には触媒１１
があまり吸着しない。このため、メッキ反応に必要な触
媒が十分に得られず、図４に示すように、電極層３が形
成されない部分が生じたり、膜厚のむらが発生したりし
、これらによって導電体損Ｑｅが大きくばらつき、その
結果、各素子間でＱｕのばらつきが大きくなるのである
。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は上述の従来技術
の欠点を改善するものであり、高周波用誘電体セラミッ
ク上に無電解メッキによる銅被膜電極を形成してなる同
軸誘電体共振器において、外導体面と短絡端面とによっ
て形成される稜線部および内導体面と短絡端面とによっ
て形成される稜線部に導電体層を設けたことを特徴とす
るものである。 【００１１】 【作用】電極層が形成されにくい外導体面と短絡端面と
によって形成される稜線部、および内導体面と短絡端面
とによって形成される稜線部に導電体層を設けることに
より電極層の不形成を補い、これによってＱｕのばらつ
きを押さえるのである。 【００１２】 【実施例】以下本発明の実施例を図面によって説明する
。図１は本発明による同軸誘電体共振器である。図にお
いて、１は誘電体セラミックスであり、中央に円筒状の
孔２を有する直方体形状に焼結される。３は電極層であ
り、従来技術と同様の無電解銅メッキによって全ての面
に形成され、その後、一面の銅箔を研摩剥離することに
よって開放端７を形成している。１２は外導体面４と短
絡端面６とによって形成される稜線部、および内導体面
５と短絡端面６とによって形成される稜線部に設けられ
た導電体層である。導電体層１２は例えば半田付け、導
電性ペーストの塗布、銅の溶射等によって形成する。 【００１３】表１は本発明による同軸誘電体共振器と従
来技術とのＱｕを比較したものであ る。本実施例、従
来技術とも、誘電体セラミックの材料としてＱｄが２０
，０００のも のを用い、焼結後の寸法として、一辺の
長さ３ｍｍ、共振器長４．８ｍｍとし、無電解 メッキ
工程により約１０μの銅をメッキした。なお、各試料数
は１０とした。 【００１４】 【表１】 【００１５】導電体層を設けていない従来技術による同
軸誘電体共振器では、最小のＱｕが ３４３、最大のＱ
ｕは３９２であり、その差は４９と大きい。これに対し
本発明 によるＱｕの最大と最小の差は７であり、各試
料間でのばらつきが少ない。また 平均のＱｕも従来技
術に比べて大きい。 【００１６】 【発明の効果】本発明による同軸誘電体共振器は、各素
子間でＱｕのばらつきが少なくなり、 この結果、誘電
体共振器としての高周波特性のばらつきを小さくするこ
とができる。
【図１】本発明による同軸誘電体共振器の断面図である
。
。
【図２】従来の同軸誘電体共振器の部分断面図である。
【図３】従来の同軸誘電体共振器のメッキ工程を示す断
面図である。
面図である。
【図４】従来の同軸誘電体共振器の断面図である。
１ 誘電体セラミック
３ 銅被膜電極
４ 外導体面
５ 内導体面
６ 短絡端面
１２ 導電体層
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波用誘電体セラミック上に無電解
メッキによる銅被膜電極を形成してなる同軸誘電体共振
器において、外導体面と短絡端面とによって形成される
稜線部および内導体面と短絡端面とによって形成される
稜線部に導電体層を設けたことを特徴とする同軸誘電体
共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2472791A JPH04264801A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 同軸誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2472791A JPH04264801A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 同軸誘電体共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264801A true JPH04264801A (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=12146189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2472791A Pending JPH04264801A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 同軸誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04264801A (ja) |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP2472791A patent/JPH04264801A/ja active Pending
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