JPH08307119A - 誘電体共振器の電極形成方法 - Google Patents
誘電体共振器の電極形成方法Info
- Publication number
- JPH08307119A JPH08307119A JP11424595A JP11424595A JPH08307119A JP H08307119 A JPH08307119 A JP H08307119A JP 11424595 A JP11424595 A JP 11424595A JP 11424595 A JP11424595 A JP 11424595A JP H08307119 A JPH08307119 A JP H08307119A
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- Japan
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- face
- electrode layer
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- sintered
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体セラミックの焼結体に無電解めっき法
によって電極層を形成する誘電体共振器の電極形成方法
において、セラミック焼結体の表面を均一に粗面化して
密着性とＱ特性に優れた電極層を形成することを目的と
する。 【構成】 貫通孔２を備えた強誘電性セラミックの焼結
体１を化学的にエッチングして粗面化し、外周面を機械
的研磨法によって平滑化した後で、再度化学的エッチン
グ法によって粗面化し、しかる後に無電解めっき法によ
って電極層３を形成する。
によって電極層を形成する誘電体共振器の電極形成方法
において、セラミック焼結体の表面を均一に粗面化して
密着性とＱ特性に優れた電極層を形成することを目的と
する。 【構成】 貫通孔２を備えた強誘電性セラミックの焼結
体１を化学的にエッチングして粗面化し、外周面を機械
的研磨法によって平滑化した後で、再度化学的エッチン
グ法によって粗面化し、しかる後に無電解めっき法によ
って電極層３を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体共振器の電極形成
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話や携帯電話などの移動
体通信機の進歩はめざましく、それに伴って誘電体フィ
ルタの需要が著しく拡大している。
体通信機の進歩はめざましく、それに伴って誘電体フィ
ルタの需要が著しく拡大している。
【０００３】一般にこれらの誘電体フィルタにはその構
成素子として誘電体共振器が多く使われているが、昨今
誘電体共振器の小型化、高性能化に対する要求が著しく
高まっている。
成素子として誘電体共振器が多く使われているが、昨今
誘電体共振器の小型化、高性能化に対する要求が著しく
高まっている。
【０００４】この誘電体共振器は、中央部に貫通孔を設
けた円筒状または６面体を有する角柱形状をした誘電体
セラミックの焼結体の貫通孔を含む外周面のほぼ全域に
わたって電極層が形成されて構成されている。
けた円筒状または６面体を有する角柱形状をした誘電体
セラミックの焼結体の貫通孔を含む外周面のほぼ全域に
わたって電極層が形成されて構成されている。
【０００５】その電極層の形成は、通常銀粉末とガラス
フリット及び樹脂バインダーからなる導電ペーストを塗
布して、高温焼成する方法が多く行われているが、昨
今、誘電体共振器の小形、高性能化や低価格化の要求に
対して無電解めっき技術を利用して銅電極層を形成する
方法が実施されている。
フリット及び樹脂バインダーからなる導電ペーストを塗
布して、高温焼成する方法が多く行われているが、昨
今、誘電体共振器の小形、高性能化や低価格化の要求に
対して無電解めっき技術を利用して銅電極層を形成する
方法が実施されている。
【０００６】この無電解めっき法によって銅電極を形成
する方法は、先ず誘電体セラミックの焼結体を化学的エ
ッチング処理を施して粗面化し、活性化処理によって金
属パラジウムの微粒子核を全面に付着させてから無電解
銅めっきを行うことによって金属銅からなる電極層を形
成するものである。
する方法は、先ず誘電体セラミックの焼結体を化学的エ
ッチング処理を施して粗面化し、活性化処理によって金
属パラジウムの微粒子核を全面に付着させてから無電解
銅めっきを行うことによって金属銅からなる電極層を形
成するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た無電解めっき法による電極形成方法においては、ただ
単に化学的エッチング処理によって貫通孔の内壁面と誘
電体セラミックの焼結体の外周面を同じ状態に粗面化す
ることが難しく、表面粗度に影響を及ぼす電極金属の密
着性とＱ特性の両特性を満足させることが極めて困難
で、品質の安定性に欠ける問題点があった。
た無電解めっき法による電極形成方法においては、ただ
単に化学的エッチング処理によって貫通孔の内壁面と誘
電体セラミックの焼結体の外周面を同じ状態に粗面化す
ることが難しく、表面粗度に影響を及ぼす電極金属の密
着性とＱ特性の両特性を満足させることが極めて困難
で、品質の安定性に欠ける問題点があった。
【０００８】特に、小径の貫通孔を有する誘電体共振器
では、貫通孔内へのエッチング液の循環性が著しく悪く
なるために、内壁面は極めて粗面化されにくく、十分な
内壁面のめっきの密着性を得るには、誘電体共振器の外
周面が過剰に粗面化されるまでエッチング処理しなけれ
ばならず、外周面の過剰な粗面化により表皮効果による
Ｑ特性の劣化が著しくなる問題があった。
では、貫通孔内へのエッチング液の循環性が著しく悪く
なるために、内壁面は極めて粗面化されにくく、十分な
内壁面のめっきの密着性を得るには、誘電体共振器の外
周面が過剰に粗面化されるまでエッチング処理しなけれ
ばならず、外周面の過剰な粗面化により表皮効果による
Ｑ特性の劣化が著しくなる問題があった。
【０００９】本発明はこれらの問題点を解決して強誘電
性セラミックの焼結体の外周面と貫通孔の内壁面を均一
に粗面化して、電極層の密着性とＱ特性の両特性のバラ
ンスがとれた品質の安定性に優れた誘電体共振器の電極
形成方法を提供するものである。
性セラミックの焼結体の外周面と貫通孔の内壁面を均一
に粗面化して、電極層の密着性とＱ特性の両特性のバラ
ンスがとれた品質の安定性に優れた誘電体共振器の電極
形成方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の誘電体共振器の電極形成方法は、強誘電性セ
ラミックの焼結体を先ず化学的エッチング処理によって
内壁面を含む全面を粗面化し、次いで、機械的研磨法に
よって焼結体の外周面のみを平滑化し、再度化学的エッ
チング処理を施して粗面化した後に、無電解めっき法に
よって電極層を形成するものである。
に本発明の誘電体共振器の電極形成方法は、強誘電性セ
ラミックの焼結体を先ず化学的エッチング処理によって
内壁面を含む全面を粗面化し、次いで、機械的研磨法に
よって焼結体の外周面のみを平滑化し、再度化学的エッ
チング処理を施して粗面化した後に、無電解めっき法に
よって電極層を形成するものである。
【００１１】
【作用】これにより、強誘電性セラミックの焼結体の外
周面と貫通孔の内壁面の粗面化状態が均一化でき、無電
解めっきによる電極層の密着性とＱ特性の両特性のバラ
ンスがとれた品質の安定性に優れた誘電体共振器が得ら
れることになる。
周面と貫通孔の内壁面の粗面化状態が均一化でき、無電
解めっきによる電極層の密着性とＱ特性の両特性のバラ
ンスがとれた品質の安定性に優れた誘電体共振器が得ら
れることになる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明による誘電体共振器の電極形成
方法の一実施例について図面を参照しながら説明する。
方法の一実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の一実施例に
おける誘電体共振器の電極形成工程を示す工程断面図で
ある。
おける誘電体共振器の電極形成工程を示す工程断面図で
ある。
【００１４】図１において、１は強誘電性セラミックの
焼結体、２はこの焼結体１の一端面から他端面にかけて
形成された貫通孔、３は無電解銅めっきにより焼結体１
の外周面および貫通孔２の内周面に形成された金属銅に
よる電極層である。
焼結体、２はこの焼結体１の一端面から他端面にかけて
形成された貫通孔、３は無電解銅めっきにより焼結体１
の外周面および貫通孔２の内周面に形成された金属銅に
よる電極層である。
【００１５】本実施例では、先ずチタン酸バリウムなど
の強誘電性セラミックの微粉末を成形、焼成して、中央
に貫通孔２を設けた角柱形状の焼結体１を作製した。
の強誘電性セラミックの微粉末を成形、焼成して、中央
に貫通孔２を設けた角柱形状の焼結体１を作製した。
【００１６】そしてこの焼結体１を先ずフッ酸−硝酸系
の溶液中でエッチング処理を行い、図１（Ａ）に示すよ
うに貫通孔２の内壁面を含む全面を粗面化した。
の溶液中でエッチング処理を行い、図１（Ａ）に示すよ
うに貫通孔２の内壁面を含む全面を粗面化した。
【００１７】このエッチング処理の目的は、粗面化され
にくい貫通孔２の内壁面をおおまかに粗面化して、無電
解めっきの良好な密着性が得られる状態をつくることで
ある。
にくい貫通孔２の内壁面をおおまかに粗面化して、無電
解めっきの良好な密着性が得られる状態をつくることで
ある。
【００１８】本実施例においては、そのエッチング条件
としてフッ酸−硝酸混液中（容積比１：１）で約３０分
エッチング処理を行った。
としてフッ酸−硝酸混液中（容積比１：１）で約３０分
エッチング処理を行った。
【００１９】次いで、この焼結体１に機械的研磨処理を
施して、図１（Ｂ）に示すように前工程の化学的エッチ
ング処理で粗面化された外周面のみを研削して平滑化し
た。
施して、図１（Ｂ）に示すように前工程の化学的エッチ
ング処理で粗面化された外周面のみを研削して平滑化し
た。
【００２０】本実施例では機械的研磨法としてバレル研
磨を採用し、バレルの中の球状のメディアと共に焼結体
１を入れて、水中で回転させながら焼結体１の外周面を
研磨し平滑化した。
磨を採用し、バレルの中の球状のメディアと共に焼結体
１を入れて、水中で回転させながら焼結体１の外周面を
研磨し平滑化した。
【００２１】そして、この焼結体１を再びフッ酸−硝酸
系の溶液中でエッチング処理を行って、図１（Ｃ）に示
すように平滑化された焼結体１の外周面を適度に粗面化
すると同時に貫通孔２の内壁面もさらに粗面化して外周
面と貫通孔２の内壁面の粗面化状態をほぼ同じとした。
系の溶液中でエッチング処理を行って、図１（Ｃ）に示
すように平滑化された焼結体１の外周面を適度に粗面化
すると同時に貫通孔２の内壁面もさらに粗面化して外周
面と貫通孔２の内壁面の粗面化状態をほぼ同じとした。
【００２２】この場合、貫通孔２の内壁面は２度エッチ
ングして粗面化されるが、Ｑ特性に悪影響を及ぼさない
程度に先に行った化学的エッチング処理と併せ、エッチ
ング条件をコントロールする必要があった。本実施例に
おいては、このエッチング条件として、フッ酸−硝酸混
液中（容積比１：１）で約１０分エッチング処理を行っ
た。
ングして粗面化されるが、Ｑ特性に悪影響を及ぼさない
程度に先に行った化学的エッチング処理と併せ、エッチ
ング条件をコントロールする必要があった。本実施例に
おいては、このエッチング条件として、フッ酸−硝酸混
液中（容積比１：１）で約１０分エッチング処理を行っ
た。
【００２３】このようにして表面粗化した焼結体１を、
塩化錫と塩化パラジウムの塩酸酸性溶液に順次浸漬して
活性化処理を行い、全面に金属パラジウムの微粒子核か
らなる触媒核を付着させた後で、銅錯塩のアルカリ溶液
とホルマリンから成る無電解銅めっき液に浸漬して図１
（Ｄ）に示すように金属銅を析出し、電極層３を形成し
た。尚、この電極層３を形成するに当っては無電解めっ
きのみならず電解めっき法を併用した電極層の形成につ
いても実施した。
塩化錫と塩化パラジウムの塩酸酸性溶液に順次浸漬して
活性化処理を行い、全面に金属パラジウムの微粒子核か
らなる触媒核を付着させた後で、銅錯塩のアルカリ溶液
とホルマリンから成る無電解銅めっき液に浸漬して図１
（Ｄ）に示すように金属銅を析出し、電極層３を形成し
た。尚、この電極層３を形成するに当っては無電解めっ
きのみならず電解めっき法を併用した電極層の形成につ
いても実施した。
【００２４】この方法によって得られた誘電体共振器
は、図２に示すように焼結体１の貫通孔２の内壁面と外
周面が適度に粗面化された上に無電解めっき法により電
極層３が形成されるので、電極層３の密着強度とＱ特性
に優れた高品質が実現できた。
は、図２に示すように焼結体１の貫通孔２の内壁面と外
周面が適度に粗面化された上に無電解めっき法により電
極層３が形成されるので、電極層３の密着強度とＱ特性
に優れた高品質が実現できた。
【００２５】このようにして得られた誘電体共振器を用
いた誘電体フィルタの斜視図を図３に示す。図におい
て、４は誘電体共振器、５は共振器金具、６は結合コン
デンサ基板、７は端子基板を示す。
いた誘電体フィルタの斜視図を図３に示す。図におい
て、４は誘電体共振器、５は共振器金具、６は結合コン
デンサ基板、７は端子基板を示す。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、まず強誘電性セラミックの焼結体を先ず化学的エッ
チング処理によって粗面化し、次いで機械的研磨法によ
って外周面のみを一旦平滑化した後に、再度化学的エッ
チング処理によって貫通孔を含む全面を微細にかつ均一
に粗面化してから無電解めっき法によって電極層を形成
したものであるため、化学的エッチング処理を２回行う
ために小径の貫通孔でもその内壁面の粗面化が十分に行
えると共に、外周面は機械的研磨によって一度平滑化し
た上で再度のエッチングで粗面化されるだけで過剰に粗
面化されないために、電極層の密着性と電極層と焼結体
の界面が必要以上に長くならないのでＱ特性の均一化が
図られ、品質の安定性に優れた誘電体共振器が得られる
ものである。
は、まず強誘電性セラミックの焼結体を先ず化学的エッ
チング処理によって粗面化し、次いで機械的研磨法によ
って外周面のみを一旦平滑化した後に、再度化学的エッ
チング処理によって貫通孔を含む全面を微細にかつ均一
に粗面化してから無電解めっき法によって電極層を形成
したものであるため、化学的エッチング処理を２回行う
ために小径の貫通孔でもその内壁面の粗面化が十分に行
えると共に、外周面は機械的研磨によって一度平滑化し
た上で再度のエッチングで粗面化されるだけで過剰に粗
面化されないために、電極層の密着性と電極層と焼結体
の界面が必要以上に長くならないのでＱ特性の均一化が
図られ、品質の安定性に優れた誘電体共振器が得られる
ものである。
【図１】本発明による誘電体共振器の電極形成方法を説
明するための工程断面図
明するための工程断面図
【図２】同方法で得た誘電体共振器の斜視図
【図３】同誘電体共振器を用いた誘電体フィルタの分解
斜視図
斜視図
１ 強誘電性セラミックの焼結体 ２ 貫通孔 ３ 電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 恒 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 貫通孔を備えた任意の形状の強誘電性セ
ラミックの焼結体を先ず化学的エッチング処理によって
貫通孔を含む全面を粗面化し、次いで機械的研磨法によ
りセラミック焼結体の外周面のみを研磨して平滑化した
後、再度化学的エッチング処理によって貫通孔を含む全
面を微細に粗面化し、表面処理を施した後に無電解めっ
き法により電極層を形成する誘電体共振器の電極形成方
法。 - 【請求項２】 機械的研磨法としてバレル研磨を用いた
請求項１記載の誘電体共振器の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11424595A JPH08307119A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 誘電体共振器の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11424595A JPH08307119A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 誘電体共振器の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307119A true JPH08307119A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14632931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11424595A Pending JPH08307119A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 誘電体共振器の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307119A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0959557A1 (en) * | 1998-05-22 | 1999-11-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oscillator and communications device |
| US6549101B2 (en) | 1999-09-17 | 2003-04-15 | Tdk Corporation | Dielectric filter, and method of manufacturing the same |
-
1995
- 1995-05-12 JP JP11424595A patent/JPH08307119A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0959557A1 (en) * | 1998-05-22 | 1999-11-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oscillator and communications device |
| US6163688A (en) * | 1998-05-22 | 2000-12-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oscillator and communications device |
| US6549101B2 (en) | 1999-09-17 | 2003-04-15 | Tdk Corporation | Dielectric filter, and method of manufacturing the same |
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