JPH08335810A - 同軸型誘電体共振器及びその製造方法 - Google Patents
同軸型誘電体共振器及びその製造方法Info
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- JPH08335810A JPH08335810A JP7166928A JP16692895A JPH08335810A JP H08335810 A JPH08335810 A JP H08335810A JP 7166928 A JP7166928 A JP 7166928A JP 16692895 A JP16692895 A JP 16692895A JP H08335810 A JPH08335810 A JP H08335810A
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- coaxial
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体セラミック表面に下地層としＣｕめっ
き層を形成し、めっき膜付着強度が垂直引っ張り応力で
２.０Ｋｇ／ｍｍ2で安定し、かつ実用上、十分大きいＱ
ｕが得られる同軸型共振器の製造方法を提供すること。 【構成】 高周波誘電体セラミック上に無電解めっきに
よりＣｕ膜下地層を形成し、その上に、更にＣｕ膜、あ
るいはＡｇ膜、もしくは、その双方を無電解、あるいは
電解めっきにより電極として形成してなる同軸型誘電体
共振器では、めっきされるセラミック表面を超音波処理
を加えながらエッチングを行い、セラミックの最大表面
粗さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍとすることで、２.０
Ｋｇ／ｍｍ2以上の垂直引っ張り強度を有し、かつ実用
上、十分大きいＱｕを有する。
き層を形成し、めっき膜付着強度が垂直引っ張り応力で
２.０Ｋｇ／ｍｍ2で安定し、かつ実用上、十分大きいＱ
ｕが得られる同軸型共振器の製造方法を提供すること。 【構成】 高周波誘電体セラミック上に無電解めっきに
よりＣｕ膜下地層を形成し、その上に、更にＣｕ膜、あ
るいはＡｇ膜、もしくは、その双方を無電解、あるいは
電解めっきにより電極として形成してなる同軸型誘電体
共振器では、めっきされるセラミック表面を超音波処理
を加えながらエッチングを行い、セラミックの最大表面
粗さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍとすることで、２.０
Ｋｇ／ｍｍ2以上の垂直引っ張り強度を有し、かつ実用
上、十分大きいＱｕを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信等に実装さ
れる高周波フィルタ、高周波発振器等に用いられる同軸
型誘電体共振器及びその製造方法に関する。
れる高周波フィルタ、高周波発振器等に用いられる同軸
型誘電体共振器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信等の開発が進み、ＰＨ
Ｓ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｈａｎｄｙｐｈｏｎｅ Ｓｙｓ
ｔｅｍ）等の試験も盛んに行われている。この移動体通
信等は、高周波帯域で様々な方式が使用されるため、方
式間の周波数の分別は今後益々重要な問題となる。
Ｓ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｈａｎｄｙｐｈｏｎｅ Ｓｙｓ
ｔｅｍ）等の試験も盛んに行われている。この移動体通
信等は、高周波帯域で様々な方式が使用されるため、方
式間の周波数の分別は今後益々重要な問題となる。
【０００３】この周波数分別に対して誘電体セラミック
を用いた同軸型誘電体共振器は、共振器自体の長さによ
って共振周波数を自由に設定できること、１ＧＨｚ以上
の高周波帯域に対応できること、体積に比し共振周波数
を最も低くできる共振モードであること等の利点があ
り、今後、需要拡大が期待される。
を用いた同軸型誘電体共振器は、共振器自体の長さによ
って共振周波数を自由に設定できること、１ＧＨｚ以上
の高周波帯域に対応できること、体積に比し共振周波数
を最も低くできる共振モードであること等の利点があ
り、今後、需要拡大が期待される。
【０００４】同軸型誘電体共振器は、一般的に、図１の
ような構成になっている。
ような構成になっている。
【０００５】図１において、１はＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｒ
Ｏ系、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−ＲＯ系、ＢａＯ−
ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＲＯ系、ＺｒＯ2−ＴｉＯ
2系等の誘電体セラミック体からなり、中央に円筒状の
貫通穴２を有する直方体形状とする。３は電極層であ
り、従来法では外導体４、内導体５、及び短絡端６がＡ
ｇペースト法等による、塗布、焼付け、あるいは無電解
Ｃｕめっき等により形成されていた。尚、７は開放端で
ある。
Ｏ系、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−ＲＯ系、ＢａＯ−
ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＲＯ系、ＺｒＯ2−ＴｉＯ
2系等の誘電体セラミック体からなり、中央に円筒状の
貫通穴２を有する直方体形状とする。３は電極層であ
り、従来法では外導体４、内導体５、及び短絡端６がＡ
ｇペースト法等による、塗布、焼付け、あるいは無電解
Ｃｕめっき等により形成されていた。尚、７は開放端で
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】Ａｇペースト法は、一
般に、Ａｇペーストの製品への塗布または浸漬、製品の
乾燥、焼成の工程で行われるが、その際、Ａｇペースト
の粘度調整が必要となる。
般に、Ａｇペーストの製品への塗布または浸漬、製品の
乾燥、焼成の工程で行われるが、その際、Ａｇペースト
の粘度調整が必要となる。
【０００７】しかし、粘度調整過程における粘度のばら
つきは、セラミック表面の膜厚のばらつきを引き起こ
し、連続的に塗布または浸漬処理をする際には、溶剤の
蒸発による粘度の変化等多くの製造上の問題があった。
つきは、セラミック表面の膜厚のばらつきを引き起こ
し、連続的に塗布または浸漬処理をする際には、溶剤の
蒸発による粘度の変化等多くの製造上の問題があった。
【０００８】また、Ａｇペースト法における焼成工程で
は、Ａｇ粒子の焼成が行われるため、Ａｇ電極層は多孔
性の焼結体となり、緻密な金属層が得られず、量産上、
あるいは電気特性等の品質上、多くの問題があった。
は、Ａｇ粒子の焼成が行われるため、Ａｇ電極層は多孔
性の焼結体となり、緻密な金属層が得られず、量産上、
あるいは電気特性等の品質上、多くの問題があった。
【０００９】この問題を解決するため、特開昭６３−１
３５０４号に、誘電体セラミック表面に無電解Ｃｕめっ
き層を形成することが提案されている。
３５０４号に、誘電体セラミック表面に無電解Ｃｕめっ
き層を形成することが提案されている。
【００１０】ところで、高周波用誘電体共振器には、高
いＱが要求される。一般に、誘電体共振器の無負荷のＱ
をＱｕ、誘電体セラミック材料の誘電損失によるＱをＱ
M、電極の導電損失によるＱをＱｃとすると、Ｑｕ，Ｑ
M，Ｑｃの関係は（１）式で与えられる。 １／Ｑｕ＝１／ＱM＋１／Ｑｃ ・・・・・ （１）
いＱが要求される。一般に、誘電体共振器の無負荷のＱ
をＱｕ、誘電体セラミック材料の誘電損失によるＱをＱ
M、電極の導電損失によるＱをＱｃとすると、Ｑｕ，Ｑ
M，Ｑｃの関係は（１）式で与えられる。 １／Ｑｕ＝１／ＱM＋１／Ｑｃ ・・・・・ （１）
【００１１】通常、ＱMは４,０００〜２００,０００程
度（１ＧＨｚ換算）であり、Ｑｃは２００〜１,０００
程度であるため、ＱｕにはＱｃが大きく影響する。
度（１ＧＨｚ換算）であり、Ｑｃは２００〜１,０００
程度であるため、ＱｕにはＱｃが大きく影響する。
【００１２】ここで、円筒状同軸型共振器の場合のＱｃ
は、（２）式に表されるように、電極を形成する金属の
導電率σの１／２乗に比例して大きくなる。 Ｑｃ＝｛［（２σωμ0）］［ｌｎ（ｂ／ａ）］／［２／ａ＋２／ｂ＋２／ｌ ×ｌｎ（ｂ／ａ）］｝1/2 ・・・・・ （２） ここで、ω＝２πｆ0（ｆ0：共振周波数）、μ0＝４π
×１０-7［Ｈ／ｍ］（μ0：真空中の透磁率）、ａ、
ｂ、ｌは、それぞれ誘電体共振器の内径、外径、高さで
ある。
は、（２）式に表されるように、電極を形成する金属の
導電率σの１／２乗に比例して大きくなる。 Ｑｃ＝｛［（２σωμ0）］［ｌｎ（ｂ／ａ）］／［２／ａ＋２／ｂ＋２／ｌ ×ｌｎ（ｂ／ａ）］｝1/2 ・・・・・ （２） ここで、ω＝２πｆ0（ｆ0：共振周波数）、μ0＝４π
×１０-7［Ｈ／ｍ］（μ0：真空中の透磁率）、ａ、
ｂ、ｌは、それぞれ誘電体共振器の内径、外径、高さで
ある。
【００１３】従って、Ｃｕの導電率が高いことに着目し
て無電解Ｃｕめっきを行った場合、Ｑｃが大きくなるた
めに、Ｑｕを大きくすることが期待できる。
て無電解Ｃｕめっきを行った場合、Ｑｃが大きくなるた
めに、Ｑｕを大きくすることが期待できる。
【００１４】しかし、誘電体共振器が移動体通信器等に
実装された場合、移動体通信器自体の落下衝撃等によっ
て、めっき膜の剥離が生じると、誘電体共振器の性能が
実質的に損なわれるため、十分大きなめっき膜付着強度
が必要である。
実装された場合、移動体通信器自体の落下衝撃等によっ
て、めっき膜の剥離が生じると、誘電体共振器の性能が
実質的に損なわれるため、十分大きなめっき膜付着強度
が必要である。
【００１５】この際、めっき膜付着強度は、垂直引っ張
り応力で２.０Ｋｇ／ｍｍ2程度以上であることが要求さ
れる。
り応力で２.０Ｋｇ／ｍｍ2程度以上であることが要求さ
れる。
【００１６】めっき膜付着強度を大きくするためには、
セラミック表面をエッチング等により適度に荒すことが
必要で、これを行わないと、付着強度を大きくすること
は非常に困難である。
セラミック表面をエッチング等により適度に荒すことが
必要で、これを行わないと、付着強度を大きくすること
は非常に困難である。
【００１７】ところが、セラミック表面を荒すことによ
り、電極金属の実効的な導電率が低下し、Ｑｃを劣化さ
せるという欠点がある。
り、電極金属の実効的な導電率が低下し、Ｑｃを劣化さ
せるという欠点がある。
【００１８】また、セラミック表面をエッチングする場
合、ロット間、あるいは同一ロット内でも共振器間のエ
ッチング状態が異なることがあり、安定しためっき電極
付着強度が得にくいという問題がある。
合、ロット間、あるいは同一ロット内でも共振器間のエ
ッチング状態が異なることがあり、安定しためっき電極
付着強度が得にくいという問題がある。
【００１９】一般に、セラミック表面にめっき処理を行
う場合、めっき膜付着強度はアンカー効果（投錨効果）
に依存するといわれている。
う場合、めっき膜付着強度はアンカー効果（投錨効果）
に依存するといわれている。
【００２０】アンカー効果とは、セラミック表面にある
程度の凹凸をつくり、その凹凸にめっき金属を入り込ま
せることで、めっき膜付着強度が向上することを称して
いる。
程度の凹凸をつくり、その凹凸にめっき金属を入り込ま
せることで、めっき膜付着強度が向上することを称して
いる。
【００２１】このアンカー効果の観点から、同軸型共振
器において、エッチングにより均一に荒されたセラミッ
ク表面を得ることが、安定した付着強度のめっき電極を
得るために重要である。
器において、エッチングにより均一に荒されたセラミッ
ク表面を得ることが、安定した付着強度のめっき電極を
得るために重要である。
【００２２】そこで、本発明の目的は、同軸型共振器に
おいて、誘電体セラミック表面に下地層としＣｕめっき
層を形成し、めっき膜付着強度が垂直引っ張り応力で
２.０Ｋｇ／ｍｍ2で安定し、かつ実用上、十分大きいＱ
ｕが得られる同軸型共振器の製造方法を提供することに
ある。
おいて、誘電体セラミック表面に下地層としＣｕめっき
層を形成し、めっき膜付着強度が垂直引っ張り応力で
２.０Ｋｇ／ｍｍ2で安定し、かつ実用上、十分大きいＱ
ｕが得られる同軸型共振器の製造方法を提供することに
ある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波誘電
体セラミック上にＣｕ無電解めっき膜下地層を形成し、
その上に更にＣｕもしくはＡｇ、またはその双方を無電
解もしくは電解めっきにより電極として形成してなる同
軸型誘電体共振器において、めっきの前処理工程のエッ
チング処理過程でめっきされるセラミックの最大表面粗
さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍであることを特徴とする
同軸型誘電体共振器であり、上記記載の同軸型誘電
体共振器において、前記高周波誘電体セラミックは、Ｂ
ａＯ−ＴｉＯ2−ＲＯ系、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−
ＲＯ系、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＲＯ系
（ＲＯは希土類酸化物を示し、ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄの少なくとも一種）のいずれか
ひとつであることを特徴とする同軸型誘電体共振器であ
り、上記記載の同軸型誘電体共振器において、セ
ラミック表面を超音波処理を加えながらエッチングする
ことを特徴とする同軸型誘電体共振器の製造方法を提供
するものである。
体セラミック上にＣｕ無電解めっき膜下地層を形成し、
その上に更にＣｕもしくはＡｇ、またはその双方を無電
解もしくは電解めっきにより電極として形成してなる同
軸型誘電体共振器において、めっきの前処理工程のエッ
チング処理過程でめっきされるセラミックの最大表面粗
さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍであることを特徴とする
同軸型誘電体共振器であり、上記記載の同軸型誘電
体共振器において、前記高周波誘電体セラミックは、Ｂ
ａＯ−ＴｉＯ2−ＲＯ系、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−
ＲＯ系、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＲＯ系
（ＲＯは希土類酸化物を示し、ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄの少なくとも一種）のいずれか
ひとつであることを特徴とする同軸型誘電体共振器であ
り、上記記載の同軸型誘電体共振器において、セ
ラミック表面を超音波処理を加えながらエッチングする
ことを特徴とする同軸型誘電体共振器の製造方法を提供
するものである。
【００２４】
【作用】以下、本発明の作用を具体的に説明する。前述
のように、同軸型共振器において、無電解Ｃｕめっきを
誘電体セラミック表面に行う場合、エッチングによるセ
ラミック面の荒れ方によって、めっき電極付着強度が変
化し、それに伴いＱｕも変化する。
のように、同軸型共振器において、無電解Ｃｕめっきを
誘電体セラミック表面に行う場合、エッチングによるセ
ラミック面の荒れ方によって、めっき電極付着強度が変
化し、それに伴いＱｕも変化する。
【００２５】そのため、本発明者は、種々、条件下にお
いてエッチング処理を行ったところ、超音波処理を加え
ながらエッチングを行うこと、また、その時、セラミッ
ク表面粗さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍとすることによ
り、実用に適し、安定しためっき電極付着強度、またＱ
ｕが得られることを見い出した。
いてエッチング処理を行ったところ、超音波処理を加え
ながらエッチングを行うこと、また、その時、セラミッ
ク表面粗さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍとすることによ
り、実用に適し、安定しためっき電極付着強度、またＱ
ｕが得られることを見い出した。
【００２６】尚、Ｒｍａｘとは、断面曲線から基準長さ
だけ抜き取った部分の平均線に平行な２直線で抜取り部
分を挟んだ時、この２直線の間隔を断面曲線の縦倍率の
方向にμｍ単位で表したものであり、最大高さとも呼ば
れる。
だけ抜き取った部分の平均線に平行な２直線で抜取り部
分を挟んだ時、この２直線の間隔を断面曲線の縦倍率の
方向にμｍ単位で表したものであり、最大高さとも呼ば
れる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明における実施例を説明する。
【００２８】まず、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｔｉ
Ｏ2系誘電体セラミック材料（ε＝９５）を中心に円孔
を有する３ｍｍ×３ｍｍ×１０ｍｍの直方体に成形後、
１２００〜１４００℃の温度で２時間以上焼結し、誘電
体セラミックを得た。
Ｏ2系誘電体セラミック材料（ε＝９５）を中心に円孔
を有する３ｍｍ×３ｍｍ×１０ｍｍの直方体に成形後、
１２００〜１４００℃の温度で２時間以上焼結し、誘電
体セラミックを得た。
【００２９】次に、誘電体セラミック表面に対して超音
波処理を加えながらフッ化アンモニウム１５ｇ／ｌ、硝
酸３００ｍｌ／ｌの混合液を用いてエッチングを行っ
た。
波処理を加えながらフッ化アンモニウム１５ｇ／ｌ、硝
酸３００ｍｌ／ｌの混合液を用いてエッチングを行っ
た。
【００３０】この際、セラミック表面粗さは、エッチン
グ時間を変化させることで変化できた。
グ時間を変化させることで変化できた。
【００３１】また、比較のために、超音波処理を加え
ず、フッ化アンモニウム１５ｇ／ｌ、硝酸３００ｍｌ／
ｌの混合液を用いてのエッチング、フッ硝酸によるエッ
チングも行った。
ず、フッ化アンモニウム１５ｇ／ｌ、硝酸３００ｍｌ／
ｌの混合液を用いてのエッチング、フッ硝酸によるエッ
チングも行った。
【００３２】その後、誘電体セラミック上に無電解Ｃｕ
めっきにより、種々の厚さのＣｕめっき層を形成した。
めっきにより、種々の厚さのＣｕめっき層を形成した。
【００３３】次に、Ｃｕめっき下地層の上に、電解めっ
きによりＣｕめっき層を形成し、更に、そのＣｕめっき
層の上に電解めっきにより、０.１μｍのＡｇめっき層
を形成した。
きによりＣｕめっき層を形成し、更に、そのＣｕめっき
層の上に電解めっきにより、０.１μｍのＡｇめっき層
を形成した。
【００３４】以上のようにして作製した同軸型共振器の
各最大表面粗さＲｍａｘにおけるめっき膜付着強度とＱ
ｕを図２に示した。ここで、点線は目標値を示してい
る。
各最大表面粗さＲｍａｘにおけるめっき膜付着強度とＱ
ｕを図２に示した。ここで、点線は目標値を示してい
る。
【００３５】尚、図２に示したＲｍａｘは、断面ＳＥＭ
で観察した値である。
で観察した値である。
【００３６】また、めっき膜付着強度とは、誘電体共振
器を２ｍｍ幅に切り出し、一方のめっき膜上にφ０.５
ｍｍのワイヤーを半田付けし、対面のめっき膜をプリン
ト基板等に半田付けし、ワイヤーを垂直に引っ張ってめ
っき膜が剥離した時の応力を示す。
器を２ｍｍ幅に切り出し、一方のめっき膜上にφ０.５
ｍｍのワイヤーを半田付けし、対面のめっき膜をプリン
ト基板等に半田付けし、ワイヤーを垂直に引っ張ってめ
っき膜が剥離した時の応力を示す。
【００３７】ところで、誘電体共振器は、（２）式に示
されるように、その寸法によって要求されるＱｕ値が異
なり、今回作製した３ｍｍ×３ｍｍ×１０ｍｍの形状の
同軸型共振器の場合、概ねＱｕ≧２５０であることが要
求される。
されるように、その寸法によって要求されるＱｕ値が異
なり、今回作製した３ｍｍ×３ｍｍ×１０ｍｍの形状の
同軸型共振器の場合、概ねＱｕ≧２５０であることが要
求される。
【００３８】図２に白円で示したのは、超音波処理を加
えながらフッ化アンモニウム、硝酸の混合液を用いてエ
ッチングを行った同軸型共振器のめっき膜付着強度、Ｑ
ｕである。
えながらフッ化アンモニウム、硝酸の混合液を用いてエ
ッチングを行った同軸型共振器のめっき膜付着強度、Ｑ
ｕである。
【００３９】この結果から分かるように、セラミックの
最大表面粗さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍの間では、め
っき膜付着強度が２.０Ｋｇ／ｍｍ2以上であり、かつＱ
ｕが２５０以上である。
最大表面粗さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍの間では、め
っき膜付着強度が２.０Ｋｇ／ｍｍ2以上であり、かつＱ
ｕが２５０以上である。
【００４０】しかし、Ｒｍａｘ＜１.０μｍでは、Ｑｕ
は２５０以上であるが、アンカー効果が不足しているた
めに、めっき膜付着強度が２.０Ｋｇ／ｍｍ2を下回る。
は２５０以上であるが、アンカー効果が不足しているた
めに、めっき膜付着強度が２.０Ｋｇ／ｍｍ2を下回る。
【００４１】Ｒｍａｘ＞３.０μｍでは、セラミック自
体の脆さが現れてしまうため、めっき膜付着強度が２.
０Ｋｇ／ｍｍ2を下回り、また、めっき電極の実質的な
導電率が低下するため、Ｑｕは２５０を下回る。
体の脆さが現れてしまうため、めっき膜付着強度が２.
０Ｋｇ／ｍｍ2を下回り、また、めっき電極の実質的な
導電率が低下するため、Ｑｕは２５０を下回る。
【００４２】尚、ばらつきを含めためっき膜付着強度の
観点からは、Ｒｍａｘ＝１.２〜２.８μｍであれば、更
に望ましい。
観点からは、Ｒｍａｘ＝１.２〜２.８μｍであれば、更
に望ましい。
【００４３】図２に黒円で示したのは、超音波処理を加
えずにフッ化アンモニウム、硝酸の混合液を用いてエッ
チングを行った同軸型共振器のめっき膜付着強度、Ｑｕ
である。
えずにフッ化アンモニウム、硝酸の混合液を用いてエッ
チングを行った同軸型共振器のめっき膜付着強度、Ｑｕ
である。
【００４４】この結果から分かるように、Ｒｍａｘが大
きくなっても、エッチングが不十分であり、また均一で
ないため、めっき電極付着強度は要求値を下回り、ばら
つきも大きい。また、エッチング時間を長くしても、Ｒ
ｍａｘは１.６μｍ程度以上にはならない。
きくなっても、エッチングが不十分であり、また均一で
ないため、めっき電極付着強度は要求値を下回り、ばら
つきも大きい。また、エッチング時間を長くしても、Ｒ
ｍａｘは１.６μｍ程度以上にはならない。
【００４５】Ｑｕは、超音波処理を加えながらエッチン
グを行った同軸型共振器と、ほぼ同等であるが、エッチ
ング面が不均一であるため、ばらつきが大きい。
グを行った同軸型共振器と、ほぼ同等であるが、エッチ
ング面が不均一であるため、ばらつきが大きい。
【００４６】図２に四角で示したのは、超音波処理を加
えずにフッ硝酸を用いてエッチングを行った同軸型共振
器のめっき膜付着強度Ｑｕである。
えずにフッ硝酸を用いてエッチングを行った同軸型共振
器のめっき膜付着強度Ｑｕである。
【００４７】この結果から分かるように、セラミック表
面粗さＲｍａｘが大きくなっても、エッチングが不十分
であり、また均一でないため、めっき膜付着強度は、超
音波処理を加えずにフッ化アンモニウム、硝酸の混合液
を用いてエッチングを行った同軸型共振器の値は上回る
ものの、要求値を下回り、ばらつきも大きい。
面粗さＲｍａｘが大きくなっても、エッチングが不十分
であり、また均一でないため、めっき膜付着強度は、超
音波処理を加えずにフッ化アンモニウム、硝酸の混合液
を用いてエッチングを行った同軸型共振器の値は上回る
ものの、要求値を下回り、ばらつきも大きい。
【００４８】Ｑｕは、超音波処理を加えながらエッチン
グを行った同軸型共振器と、ほぼ同等であるが、エッチ
ング面が不均一であるため、ばらつきが大きい。
グを行った同軸型共振器と、ほぼ同等であるが、エッチ
ング面が不均一であるため、ばらつきが大きい。
【００４９】更に、フッ硝酸は、危険性が高く廃液処理
も困難であるため、フッ硝酸を用いずに十分実用域であ
るめっき膜付着強度を確保する利点は大きい。
も困難であるため、フッ硝酸を用いずに十分実用域であ
るめっき膜付着強度を確保する利点は大きい。
【００５０】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、高周波誘電体セラミック上に無電解めっきにより、
Ｃｕ膜下地層を形成し、その上に、更にＣｕ膜、あるい
はＡｇ膜、もしくは、その双方を無電解、あるいは電解
めっきにより電極として形成してなる同軸型誘電体共振
器において、めっきされるセラミック表面を超音波処理
を加えながらエッチングして、セラミックの最大表面粗
さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍとすることで、２.０Ｋ
ｇ／ｍｍ2以上の垂直引っ張り強度を安定して有し、か
つ実用上、十分大きいＱｕを有する同軸型共振器の製造
方法が得られ、工業的利用価値は大である。
ば、高周波誘電体セラミック上に無電解めっきにより、
Ｃｕ膜下地層を形成し、その上に、更にＣｕ膜、あるい
はＡｇ膜、もしくは、その双方を無電解、あるいは電解
めっきにより電極として形成してなる同軸型誘電体共振
器において、めっきされるセラミック表面を超音波処理
を加えながらエッチングして、セラミックの最大表面粗
さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μｍとすることで、２.０Ｋ
ｇ／ｍｍ2以上の垂直引っ張り強度を安定して有し、か
つ実用上、十分大きいＱｕを有する同軸型共振器の製造
方法が得られ、工業的利用価値は大である。
【図１】同軸型共振器を示す部分破断斜視図である。
【図２】本発明の実施例における同軸型共振器における
セラミックの最大表面粗さＲｍａｘとＣｕめっき膜付着
強度及びＱｕの関係を示す図。
セラミックの最大表面粗さＲｍａｘとＣｕめっき膜付着
強度及びＱｕの関係を示す図。
１ 誘電体セラミック ２ 円筒状の貫通穴 ３ 電極層 ４ 外導体 ５ 内導体 ６ 短絡端 ７ 開放端 Ａ ＮＨ4Ｆ１５ｇ／ｌ＋ＨＮＯ3３００ｍｌ／ｌ（超
音波） Ｂ 〃 （
〃 なし） Ｃ フッ硝酸 （
〃 〃 ）
音波） Ｂ 〃 （
〃 なし） Ｃ フッ硝酸 （
〃 〃 ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波誘電体セラミック上にＣｕ無電解
めっき膜下地層を形成し、その上に更にＣｕもしくはＡ
ｇ、またはその双方を無電解もしくは電解めっきにより
電極として形成してなる同軸型誘電体共振器において、
めっきの前処理工程のエッチング処理過程でめっきされ
るセラミックの最大表面粗さＲｍａｘ＝１.０〜３.０μ
ｍであることを特徴とする同軸型誘電体共振器。 - 【請求項２】 請求項１記載の同軸型誘電体共振器にお
いて、前記高周波誘電体セラミックは、ＢａＯ−ＴｉＯ
2−ＲＯ系、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−ＲＯ系、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＲＯ系（ＲＯは希土
類酸化物を示し、ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄの少なくとも一種）のいずれかひとつである
ことを特徴とする同軸型誘電体共振器。 - 【請求項３】 請求項１，２記載の同軸型誘電体共振器
において、セラミック表面を超音波処理を加えながらエ
ッチングすることを特徴とする同軸型誘電体共振器の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7166928A JPH08335810A (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 同軸型誘電体共振器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7166928A JPH08335810A (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 同軸型誘電体共振器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08335810A true JPH08335810A (ja) | 1996-12-17 |
Family
ID=15840263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7166928A Pending JPH08335810A (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 同軸型誘電体共振器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08335810A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999062839A1 (fr) * | 1998-06-04 | 1999-12-09 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique hyperfrequence |
| WO1999062840A1 (fr) * | 1996-11-07 | 1999-12-09 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique hyperfrequence |
| US6833776B2 (en) | 2002-01-16 | 2004-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
| WO2010061842A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 宇部興産株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法、高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
-
1995
- 1995-06-07 JP JP7166928A patent/JPH08335810A/ja active Pending
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| US6331499B1 (en) | 1998-06-04 | 2001-12-18 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Microwave dielectric ceramic composition |
| US6833776B2 (en) | 2002-01-16 | 2004-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
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| JPWO2010061842A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2012-04-26 | 宇部興産株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法、高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| US8765621B2 (en) | 2008-11-25 | 2014-07-01 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition for high-frequency use and method for producing the same, as well as dielectric ceramic for high-frequency use and method for producing the same and high-frequency circuit element using the same |
| JP5582406B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2014-09-03 | 宇部興産株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法、高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
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