JPH0340452B2 - - Google Patents
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- JPH0340452B2 JPH0340452B2 JP57235078A JP23507882A JPH0340452B2 JP H0340452 B2 JPH0340452 B2 JP H0340452B2 JP 57235078 A JP57235078 A JP 57235078A JP 23507882 A JP23507882 A JP 23507882A JP H0340452 B2 JPH0340452 B2 JP H0340452B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電性非金属パターンを絶縁基体上に
部分的に金属化する方法およびこの方法で形成し
た物品に関する。
部分的に金属化する方法およびこの方法で形成し
た物品に関する。
この種の方法として透明絶縁基体からなる装置
の製造方法が英国特許第1435319号明細書に記載
されており、この場合透明導体のパターンを金属
層の１部上に設け、この結合をはんだ付け、溶
接、熱圧接および他の技術によつて行つている。
の製造方法が英国特許第1435319号明細書に記載
されており、この場合透明導体のパターンを金属
層の１部上に設け、この結合をはんだ付け、溶
接、熱圧接および他の技術によつて行つている。
この英国特許の方法では形成すべき導体パター
ンの形状の１または２個以上のくぼみを有する補
助金属層を用いている。透明の金属酸化物の導電
層を補助金属層上に設け、かつくぼみで基体と接
触させ、次いで透明導電層の１部に結合を形成す
ることのできる金属の層を設けている。透明導電
層のかかる部分上の結合を形成する金属層の部分
と共に補助金属層上の透明導電層の部分を補助層
の選択的溶解によつて除去し、このために導体パ
ターンは部分的に透明層から形成され、残部は一
番内側部分が透明導電材料からなりおよび一番外
側部分が結合を形成できる金属からなる少なくと
も２層から形成されている。
ンの形状の１または２個以上のくぼみを有する補
助金属層を用いている。透明の金属酸化物の導電
層を補助金属層上に設け、かつくぼみで基体と接
触させ、次いで透明導電層の１部に結合を形成す
ることのできる金属の層を設けている。透明導電
層のかかる部分上の結合を形成する金属層の部分
と共に補助金属層上の透明導電層の部分を補助層
の選択的溶解によつて除去し、このために導体パ
ターンは部分的に透明層から形成され、残部は一
番内側部分が透明導電材料からなりおよび一番外
側部分が結合を形成できる金属からなる少なくと
も２層から形成されている。
この英国特許の方法で用いられる金属層は蒸着
またはスパツターにより設け、および透明金属酸
化物層は表面で関連する金属化合物を加水分解お
よび／または熱分解によりまたはスパツターによ
り設けている。
またはスパツターにより設け、および透明金属酸
化物層は表面で関連する金属化合物を加水分解お
よび／または熱分解によりまたはスパツターによ
り設けている。
上記方法では、例えばネガを介して露光するフ
オトレジストによつてマスクを２回被着し、次い
で現像し、しかる後にフオトレジストのタイプに
よつて露光部分または非露光部分を除去する。ま
た、他の材料の補助層を用いることができる。マ
スクは蒸着、電着、無電解金属めつき、または均
一金属層の部分の腐食除去におけるスクリーニン
グとして用いる。
オトレジストによつてマスクを２回被着し、次い
で現像し、しかる後にフオトレジストのタイプに
よつて露光部分または非露光部分を除去する。ま
た、他の材料の補助層を用いることができる。マ
スクは蒸着、電着、無電解金属めつき、または均
一金属層の部分の腐食除去におけるスクリーニン
グとして用いる。
露光を数回にわたり行う場合に、位置合せ問題
（registration problems）が生ずると共に、アン
ダーカツトが異なる材料の存在のために腐食中に
生ずる。これらの技術において、電流複雑さ
（current complexity）およびパターンにおける
細部の存在が短絡または遮断を起しやくする。
（registration problems）が生ずると共に、アン
ダーカツトが異なる材料の存在のために腐食中に
生ずる。これらの技術において、電流複雑さ
（current complexity）およびパターンにおける
細部の存在が短絡または遮断を起しやくする。
本発明は上述する従来方法を著しくし簡単化し
かつ上述する欠点を除去する方法を提供すること
である。
かつ上述する欠点を除去する方法を提供すること
である。
本発明の方法は金属化すべきパターンの部分を
無電解めつき液に浸漬し、電位差をパターンとめ
つき溶液との間に短い時間の間加えて金属堆積を
開始することを特徴とする。ここに記載する短い
時間とは10秒程度を意味する。
無電解めつき液に浸漬し、電位差をパターンとめ
つき溶液との間に短い時間の間加えて金属堆積を
開始することを特徴とする。ここに記載する短い
時間とは10秒程度を意味する。
本発明において、特に好ましい例は透明電極を
有する液晶パネルである。金属化は部分的にの
み、すなわち、表示素子のための供給導体を存在
させる部分に必要であり、金属化はかかる導体部
分を保持して開始し、次いで電圧パルスを加え
る。
有する液晶パネルである。金属化は部分的にの
み、すなわち、表示素子のための供給導体を存在
させる部分に必要であり、金属化はかかる導体部
分を保持して開始し、次いで電圧パルスを加え
る。
電解液に関して金属化すべき部分において電位
を減少することは種々の手段で行うことができ
る。この１つの手段としては外部電圧源および電
解液に突出する補助電極を用いることである。他
の可能な手段としては金属化すべきパターンを他
の物体と外部的に短絡させ、その上に金属堆積を
進行させ、電位を堆積金属と電解液との間に固定
する。
を減少することは種々の手段で行うことができ
る。この１つの手段としては外部電圧源および電
解液に突出する補助電極を用いることである。他
の可能な手段としては金属化すべきパターンを他
の物体と外部的に短絡させ、その上に金属堆積を
進行させ、電位を堆積金属と電解液との間に固定
する。
堆積すべき金属としてはニツケルが好ましく、
もつとも好ましい還元剤はボラザンである。この
場合には大きい比導電率を有するNi−Ｂ−堆積
が得られ、この堆積は良好なはんだ付け適性を有
する。また、還元剤としては次亜リン酸塩を用い
ることができる。
もつとも好ましい還元剤はボラザンである。この
場合には大きい比導電率を有するNi−Ｂ−堆積
が得られ、この堆積は良好なはんだ付け適性を有
する。また、還元剤としては次亜リン酸塩を用い
ることができる。
厚いフイルムスクリーニング法（thick−film
−silk−screening techniques）によつて形成す
るパターンにおいて、本発明の方法は、例えば抵
抗または導体トラツク上に低オーム接続を設ける
ことができる。この場合、ガラス状マトリツクス
に分散した金属粒子および／または金属酸化物粒
子からなるか、または結合剤中に分散した無定形
炭素またはグラフアイト粒子からなる、いわゆる
セラミツク材料である。抵抗体パターンにおい
て、金属堆積の開始はもつぱら外部直流電圧源に
よつて行う。
−silk−screening techniques）によつて形成す
るパターンにおいて、本発明の方法は、例えば抵
抗または導体トラツク上に低オーム接続を設ける
ことができる。この場合、ガラス状マトリツクス
に分散した金属粒子および／または金属酸化物粒
子からなるか、または結合剤中に分散した無定形
炭素またはグラフアイト粒子からなる、いわゆる
セラミツク材料である。抵抗体パターンにおい
て、金属堆積の開始はもつぱら外部直流電圧源に
よつて行う。
次に、本発明を添付図面について説明する。
添付図面はパイレレツクス ガラス板上に透明
な酸化錫インジウムの電極を設けた液晶表示体の
側面を示している。表示体はそれぞれ７つのセグ
メント４１〜４７から形成される９個の記号を示
しており、これからデイジタル１〜９および０を
構成する。各セグメントは細い導体トラツク４８
〜〜５４によつてはんだ付け接点５５〜６１に接
続する。区域EFDAにおけるすべての接点および
導体トラツクに金属層を本発明の方法によつて被
覆する。この目的のために、開始に望ましい電位
は区域EFCB内の導体４８〜５４を電圧源に接続
することによつて供給する。接点を遮断した後、
区域EFDA内の核形成部分（uncleated parts）
を無電解めつきする。
な酸化錫インジウムの電極を設けた液晶表示体の
側面を示している。表示体はそれぞれ７つのセグ
メント４１〜４７から形成される９個の記号を示
しており、これからデイジタル１〜９および０を
構成する。各セグメントは細い導体トラツク４８
〜〜５４によつてはんだ付け接点５５〜６１に接
続する。区域EFDAにおけるすべての接点および
導体トラツクに金属層を本発明の方法によつて被
覆する。この目的のために、開始に望ましい電位
は区域EFCB内の導体４８〜５４を電圧源に接続
することによつて供給する。接点を遮断した後、
区域EFDA内の核形成部分（uncleated parts）
を無電解めつきする。
次に本発明を例について説明する。
例 １
３×cm2のガラス基板を300Ω／□の抵抗を有す
る酸化錫インジウムの透明層で被覆し、0.1mmの
相互間隔を有する27×0.5mmの導体トラツクのパ
ターンに腐食し、常温でアルカリ性脱脂溶液中で
の処理後冷脱イオン水中で洗浄し、次いで65℃の
温度でニツケル塩に加えて還元剤としてジメチル
アミノボランを含有するシツプレイの沈澱「ニポ
シツト 468（NIPOSIT468）」による組成を有す
る無電解ニツケルめつき浴中に導体トラツクの長
さの80％を浸漬させた。
る酸化錫インジウムの透明層で被覆し、0.1mmの
相互間隔を有する27×0.5mmの導体トラツクのパ
ターンに腐食し、常温でアルカリ性脱脂溶液中で
の処理後冷脱イオン水中で洗浄し、次いで65℃の
温度でニツケル塩に加えて還元剤としてジメチル
アミノボランを含有するシツプレイの沈澱「ニポ
シツト 468（NIPOSIT468）」による組成を有す
る無電解ニツケルめつき浴中に導体トラツクの長
さの80％を浸漬させた。
導体パターンのトラツクを同じ溶液中に配置
し、すでに金属堆積が行われている基板に外部的
に導電接続する場合に、金属堆積が約15秒後溶液
に浸漬したトラツクの部分の表面上に開始した。
約10分後、各トラツクに1μmの層厚さの均一層を
有する接着しやすいはんだ付けしうる金属層が選
択的に形成した。
し、すでに金属堆積が行われている基板に外部的
に導電接続する場合に、金属堆積が約15秒後溶液
に浸漬したトラツクの部分の表面上に開始した。
約10分後、各トラツクに1μmの層厚さの均一層を
有する接着しやすいはんだ付けしうる金属層が選
択的に形成した。
例 ２
例１に記載すると同じ導体パターンを同じ無電
解ニツケルめつき溶液に配置したが、この例では
常温で行つた。約1Vの電圧差を導体トラツクと
同じ溶液に配置した不活性電極（例えばPt）と
の間に５秒間外部電圧源によつて（陰極的に
（cathodically））加えた時に、まだ目で確認でき
ないけれども上記トラツクに十分な接触核
（catalytic nuclei）が形成した。
解ニツケルめつき溶液に配置したが、この例では
常温で行つた。約1Vの電圧差を導体トラツクと
同じ溶液に配置した不活性電極（例えばPt）と
の間に５秒間外部電圧源によつて（陰極的に
（cathodically））加えた時に、まだ目で確認でき
ないけれども上記トラツクに十分な接触核
（catalytic nuclei）が形成した。
上記基板を65℃で例１におけると同じ組成の溶
液に移した後、ただちに、核形成したトラツクの
選択無電解堆積がトラツクの全長にわたつて開始
した。勿論、核形成は同じ溶液および同じ温度で
行うことができる。この例において、電圧パルス
は接触核だけを生じ、かつ金属化は選択的無電解
堆積によるものであることを確かめた。
液に移した後、ただちに、核形成したトラツクの
選択無電解堆積がトラツクの全長にわたつて開始
した。勿論、核形成は同じ溶液および同じ温度で
行うことができる。この例において、電圧パルス
は接触核だけを生じ、かつ金属化は選択的無電解
堆積によるものであることを確かめた。
例 ３
例２に記載したと同じ核形成方法を稀薄「ニポ
シツト468」ニツケルめつき溶液で行つた。１：
20の稀釈は、核形成基体を65℃の非稀釈ニツケル
めつき溶液に移した後、約10秒間5.5の最小電圧
差が金属化を均質に開始するために必要であるこ
とを意味する。核形成中、加える電圧を高め、同
時に濃度を減少することは30Ω／□以上の抵抗値
を有する導体に特に有利であることを確めた。
シツト468」ニツケルめつき溶液で行つた。１：
20の稀釈は、核形成基体を65℃の非稀釈ニツケル
めつき溶液に移した後、約10秒間5.5の最小電圧
差が金属化を均質に開始するために必要であるこ
とを意味する。核形成中、加える電圧を高め、同
時に濃度を減少することは30Ω／□以上の抵抗値
を有する導体に特に有利であることを確めた。
例 ４
金属化すべき基体をセラミツク板とし、この基
体に抵抗性パターンを設けた。この場合、パター
ンは1KΩ／□の抵抗を有するE.I、Dupontde
Ncmours社製のNo.1331のペーストから酸化ルテ
ニウムの導電性粒子を含有するガラス上にスクリ
ーニング印刷により設けた。
体に抵抗性パターンを設けた。この場合、パター
ンは1KΩ／□の抵抗を有するE.I、Dupontde
Ncmours社製のNo.1331のペーストから酸化ルテ
ニウムの導電性粒子を含有するガラス上にスクリ
ーニング印刷により設けた。
1.7×2.5mm2の面積を有する上記パターンの接触
個所を0.25mm巾の通路に接続した。
個所を0.25mm巾の通路に接続した。
アルカリ性溶液において例１に記載するように
脱脂し、かつ脱イオン化水でゆすいた後、1.7×
2.5mm2の接触個所を上述する同じ組成の非稀釈金
属化溶液（「ニポシツト 468」）に浸漬した。
脱脂し、かつ脱イオン化水でゆすいた後、1.7×
2.5mm2の接触個所を上述する同じ組成の非稀釈金
属化溶液（「ニポシツト 468」）に浸漬した。
外部直流電圧源を溶液上に存在する0.25mmの抵
抗トラツクと同じ溶液中に配置した不活性補助電
極、例えばPtとの間に接続した。接触個所を15V
の供給電圧で補助電極に対して10秒間抵抗トラツ
クを介して陰極的に（cathodically）切替える時
に、この結果として表面が十分に接触して65℃の
同じ溶液に移動した後に均一厚さの金属層が選択
的に生長した。
抗トラツクと同じ溶液中に配置した不活性補助電
極、例えばPtとの間に接続した。接触個所を15V
の供給電圧で補助電極に対して10秒間抵抗トラツ
クを介して陰極的に（cathodically）切替える時
に、この結果として表面が十分に接触して65℃の
同じ溶液に移動した後に均一厚さの金属層が選択
的に生長した。
電圧パルスを測定した後ただちに抵抗が減少し
ないで、接触表面が65℃のニツケルめつき溶液に
浸漬中時間がたつにつれて連続的に減少するか
ら、効果的金属化が無電解期間中においてのみ生
じたことを確めた。
ないで、接触表面が65℃のニツケルめつき溶液に
浸漬中時間がたつにつれて連続的に減少するか
ら、効果的金属化が無電解期間中においてのみ生
じたことを確めた。
添付図面はパイレツクス ガラス板上に透明な
酸化錫インジウムの電極を設けた液晶表示体の一
側面を示す説明用線図である。 ４１〜４７……セグメント、４８〜５４……導
体トラツク、５５〜６１……はんだ付け接点。
酸化錫インジウムの電極を設けた液晶表示体の一
側面を示す説明用線図である。 ４１〜４７……セグメント、４８〜５４……導
体トラツク、５５〜６１……はんだ付け接点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基体上に電気的に導電性の非金属パター
ンを部分的に金属化する方法において、金属化す
べきパターンの１部を無電解めつき溶液に浸漬
し、電位差をパターンと溶液との間に短い時間の
間加えて金属堆積を開始することを特徴とする電
気的に導電性の非金属パターンを部分的に金属化
する方法。 ２ ガラス基体上に酸化インジウムおよび／また
は酸化錫の透明なパターンを部分的に金属化する
特許請求の範囲第１項記載の電気的に導電性の非
金属パターンを部分的に金属化する方法。 ３ ガラス状マトリツクス中の金属酸化物およ
び／または微細金属からなるか、または結合剤中
に分散した無定形粒子またはグラフアイト粒子か
らなる導電性材料上における抵抗を部分的に金属
化する特許請求の範囲第１項記載の電気的に導電
性の非金属パターンを部分的に金属化する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8105922A NL8105922A (nl) | 1981-12-31 | 1981-12-31 | Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen. |
| NL8105922 | 1981-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119111A JPS58119111A (ja) | 1983-07-15 |
| JPH0340452B2 true JPH0340452B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=19838645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57235078A Granted JPS58119111A (ja) | 1981-12-31 | 1982-12-27 | 電気的に導電性の非金属パタ−ンを部分的に金属化する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4478690A (ja) |
| EP (1) | EP0083458B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58119111A (ja) |
| DE (1) | DE3269524D1 (ja) |
| HK (1) | HK75786A (ja) |
| NL (1) | NL8105922A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4671968A (en) * | 1985-04-01 | 1987-06-09 | Macdermid, Incorporated | Method for electroless deposition of copper on conductive surfaces and on substrates containing conductive surfaces |
| DE3536821A1 (de) * | 1985-10-16 | 1987-04-16 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht |
| DE3705251A1 (de) * | 1987-02-19 | 1988-09-01 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht |
| JPS63250488A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | めつき処理方法 |
| JPS63311235A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置作製方法 |
| JPH0196383A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Seiko Instr & Electron Ltd | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
| US5016986A (en) * | 1988-04-12 | 1991-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device having an improvement in insulating between conductors connected to electronic components |
| EP0518422B1 (en) * | 1991-06-12 | 1995-09-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of selectively metallizing a pattern of a material other than glass on a glass substrate by electroless metallization |
| JPH0544075A (ja) * | 1991-08-15 | 1993-02-23 | Nippon Riironaale Kk | 無電解銅めつき代替銅ストライクめつき方法 |
| DE19841900A1 (de) * | 1998-09-11 | 2000-03-30 | Schott Glas | Verfahren zum Aufbringen von metallischen Leiterbahnen als Elektroden auf eine Kanalplatte für großflächige Flachbildschirme |
| DE10011455B4 (de) * | 2000-03-10 | 2005-12-08 | Schott Ag | Verfahren zum Aufbringen von metallischen Leiterbahnen als Elektroden auf eine Kanalplatte aus Glas für großflächige Flachbildschirme |
| US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
| KR20060098522A (ko) * | 2005-03-03 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| EP3578899B1 (en) * | 2017-04-14 | 2021-09-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Indoor unit for air conditioner |
Citations (3)
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| JPS52120929A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Suwa Seikosha Kk | Method of etching transparent conductive films |
| JPS55845A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device for burning liquid fuel |
| JPS5884964A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-21 | Seiko Epson Corp | 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3303111A (en) * | 1963-08-12 | 1967-02-07 | Arthur L Peach | Electro-electroless plating method |
| US4264646A (en) * | 1979-03-12 | 1981-04-28 | Xerox Corporation | Selectively electrolessly depositing a metal pattern on the surface of a laminar film |
-
1981
- 1981-12-31 NL NL8105922A patent/NL8105922A/nl not_active Application Discontinuation
-
1982
- 1982-12-20 EP EP82201626A patent/EP0083458B1/en not_active Expired
- 1982-12-20 DE DE8282201626T patent/DE3269524D1/de not_active Expired
- 1982-12-23 US US06/452,570 patent/US4478690A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-27 JP JP57235078A patent/JPS58119111A/ja active Granted
-
1986
- 1986-10-09 HK HK757/86A patent/HK75786A/xx unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120929A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Suwa Seikosha Kk | Method of etching transparent conductive films |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0083458B1 (en) | 1986-02-26 |
| HK75786A (en) | 1986-10-17 |
| DE3269524D1 (en) | 1986-04-03 |
| JPS58119111A (ja) | 1983-07-15 |
| US4478690A (en) | 1984-10-23 |
| NL8105922A (nl) | 1983-07-18 |
| EP0083458A1 (en) | 1983-07-13 |
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