JPH0421286B2 - - Google Patents
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- JPH0421286B2 JPH0421286B2 JP60196556A JP19655685A JPH0421286B2 JP H0421286 B2 JPH0421286 B2 JP H0421286B2 JP 60196556 A JP60196556 A JP 60196556A JP 19655685 A JP19655685 A JP 19655685A JP H0421286 B2 JPH0421286 B2 JP H0421286B2
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- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明導電性薄膜の電極形成方法に関
し、詳しくはガラス等の透明基板上に形成した透
明導電性薄膜に電極用の端子を形成する方法に関
する。
し、詳しくはガラス等の透明基板上に形成した透
明導電性薄膜に電極用の端子を形成する方法に関
する。
近年、自動車の窓ガラスやミラー等に、防曇を
目的とするヒータ機能や電磁遮蔽機能を具備させ
るために、ITO膜等の透明導電性薄膜を形成する
ことが考えられており、この件に関しては本件出
願人も何件かの提案をしている（例えば、特願昭
59−135776号、実願昭60−15509号、実願昭59−
84013号等）。
目的とするヒータ機能や電磁遮蔽機能を具備させ
るために、ITO膜等の透明導電性薄膜を形成する
ことが考えられており、この件に関しては本件出
願人も何件かの提案をしている（例えば、特願昭
59−135776号、実願昭60−15509号、実願昭59−
84013号等）。
ところで、透明導電性薄膜にヒータ機能を発揮
させるためには、この透明導電性薄膜に電圧を供
給することが必要である。このため、透明基板上
の透明導電性薄膜、通常は端部に電極用の端子を
形成し、この電極にリード線を接続している。
させるためには、この透明導電性薄膜に電圧を供
給することが必要である。このため、透明基板上
の透明導電性薄膜、通常は端部に電極用の端子を
形成し、この電極にリード線を接続している。
これを更に詳細に説明すると、透明導電性薄膜
に電極を形成するには、通常第３図に示すような
工程で行つていた。
に電極を形成するには、通常第３図に示すような
工程で行つていた。
即ち、まず第３図ａのように、良く洗浄し乾燥
させた透明基板としてのガラス板１上に、スパツ
タリング法等の真空成膜法によりITO膜等の透明
導電性薄膜３を所定の厚さに形成する。続いて、
真空槽内から取り出し、第３図ｂに示すように、
大気中で透明導電性薄膜３の電極形成部にマスキ
ング材８を塗布し、乾燥させる。その後、再び真
空槽内で真空成膜法により絶縁保護膜４を形成す
る。この結果、第３図ｃに示す状態となる。次い
で、第３図ｄに示すように、マスキング材８を除
去し、このマスキング材８を除去した電極形成部
に銀ペースト２等の電極用材料を塗布し、同時に
この銀ペースト２にリード線５を接続させる。そ
して、熱処理を行い第３図ｅに示す状態となる。
最後に、第３図ｆに示すように、電極形成部をシ
ーリング樹脂６で被覆する。
させた透明基板としてのガラス板１上に、スパツ
タリング法等の真空成膜法によりITO膜等の透明
導電性薄膜３を所定の厚さに形成する。続いて、
真空槽内から取り出し、第３図ｂに示すように、
大気中で透明導電性薄膜３の電極形成部にマスキ
ング材８を塗布し、乾燥させる。その後、再び真
空槽内で真空成膜法により絶縁保護膜４を形成す
る。この結果、第３図ｃに示す状態となる。次い
で、第３図ｄに示すように、マスキング材８を除
去し、このマスキング材８を除去した電極形成部
に銀ペースト２等の電極用材料を塗布し、同時に
この銀ペースト２にリード線５を接続させる。そ
して、熱処理を行い第３図ｅに示す状態となる。
最後に、第３図ｆに示すように、電極形成部をシ
ーリング樹脂６で被覆する。
ところで、上記従来の電極形成方法では、透明
導電性薄膜形成後、マスキングを施す必要から一
度真空槽から取り出し、大気開放を行う。このた
め、透明導電性薄膜の表面が酸化されたり、汚染
されることがあり、透明導電性薄膜と絶縁保護膜
の密着性が不十分となる場合があつた。
導電性薄膜形成後、マスキングを施す必要から一
度真空槽から取り出し、大気開放を行う。このた
め、透明導電性薄膜の表面が酸化されたり、汚染
されることがあり、透明導電性薄膜と絶縁保護膜
の密着性が不十分となる場合があつた。
また、銀ペースト塗布後に熱処理を行うため、
透明導電性薄膜の種類によつては、その特性が劣
化する場合があつた。
透明導電性薄膜の種類によつては、その特性が劣
化する場合があつた。
そこで、透明導電性薄膜と絶縁保護膜の密着性
を確保すると共に、透明導電性薄膜を劣化させな
い電極形成方法が求められていた。
を確保すると共に、透明導電性薄膜を劣化させな
い電極形成方法が求められていた。
上記問題は、次に述べる本発明の透明導電性薄
膜の電極形成方法によつて解決される。
膜の電極形成方法によつて解決される。
即ち、本発明は、透明導電性薄膜および絶縁保
護膜が形成された透明基板上の透明導電性薄膜に
電極用の端子を形成する方法であつて、 前記透明基板の電極形成部に導電性物質を含む
ペーストを焼き付けた後、このペーストを含む透
明基板上に真空成膜法で透明導電性薄膜および絶
縁保護膜をこの順で形成し、次いでペースト上の
透明導電性薄膜および絶縁保護膜を除去した後、
このペースト上にハンダ付け等によりリード線を
接続し、最後に電極形成部をシーリング樹脂で覆
うことを特徴としている。……第１の発明 また、本発明は、透明導電性薄膜および絶縁保
護膜が形成された透明基板上の透明導電性薄膜に
電極用の端子を形成する方法であつて、 前記透明基板に電極形成部に導電性物質を含む
ペーストを焼き付けた後、このペーストを含む透
明基板上に真空成膜法で透明導電性薄膜および絶
縁保護膜をこの順で形成し、次いでペースト上の
透明導電性薄膜および絶縁保護膜上に超音波ハン
ダごてをあて、導電性物質を用いて超音波ハンダ
付けを行つてリード線を接続し、最後に電極形成
部をシーリング樹脂で覆うことを特徴としてい
る。……第２の発明 本発明は、自動車のウインドシールドガラス、
バツク（リヤ）ウインドガラス、サイドウインド
ガラス等の窓ガラスやドアミラー等に透明導電性
薄膜を形成する際等に適用することができる。
護膜が形成された透明基板上の透明導電性薄膜に
電極用の端子を形成する方法であつて、 前記透明基板の電極形成部に導電性物質を含む
ペーストを焼き付けた後、このペーストを含む透
明基板上に真空成膜法で透明導電性薄膜および絶
縁保護膜をこの順で形成し、次いでペースト上の
透明導電性薄膜および絶縁保護膜を除去した後、
このペースト上にハンダ付け等によりリード線を
接続し、最後に電極形成部をシーリング樹脂で覆
うことを特徴としている。……第１の発明 また、本発明は、透明導電性薄膜および絶縁保
護膜が形成された透明基板上の透明導電性薄膜に
電極用の端子を形成する方法であつて、 前記透明基板に電極形成部に導電性物質を含む
ペーストを焼き付けた後、このペーストを含む透
明基板上に真空成膜法で透明導電性薄膜および絶
縁保護膜をこの順で形成し、次いでペースト上の
透明導電性薄膜および絶縁保護膜上に超音波ハン
ダごてをあて、導電性物質を用いて超音波ハンダ
付けを行つてリード線を接続し、最後に電極形成
部をシーリング樹脂で覆うことを特徴としてい
る。……第２の発明 本発明は、自動車のウインドシールドガラス、
バツク（リヤ）ウインドガラス、サイドウインド
ガラス等の窓ガラスやドアミラー等に透明導電性
薄膜を形成する際等に適用することができる。
本発明において、透明基板としては、ポリアク
リロニトリル、ポリカーボネート等の透明樹脂、
ガラス等を用いることができる。
リロニトリル、ポリカーボネート等の透明樹脂、
ガラス等を用いることができる。
電極形成部は、透明導電性薄膜に電力を供給す
る端子である電極を形成する透明基板上の部分で
ある。従つて、透明基板上に少なくとも２か所、
一般には透明基板表面の端部に設ける。
る端子である電極を形成する透明基板上の部分で
ある。従つて、透明基板上に少なくとも２か所、
一般には透明基板表面の端部に設ける。
透明導電性薄膜としては、酸化インジウム
（In2O3）、この酸化インジウムにドーパントとし
て錫（Sn）または弗素(F)が用いられた酸化イン
ジウム−錫固溶体（ITO）、酸化インジウム−弗
素固溶体、二酸化錫（SnO2）、この二酸化錫にド
ーパントとして弗素(F)、リン（Ｐ）またはアンチ
モン（Sb）を用いた二酸化錫−弗素固溶体、二
酸化錫−リン固溶体、二酸化錫−アンチモン固溶
体を用いることができ、更には金（Au）、銀
（Ag）、銅（Cu）、クロム（Cr）、パラジウム
（Pd）、ロジウム（Rh）またはこれらの合金から
なる金属（合金）薄膜を用いることができる。
（In2O3）、この酸化インジウムにドーパントとし
て錫（Sn）または弗素(F)が用いられた酸化イン
ジウム−錫固溶体（ITO）、酸化インジウム−弗
素固溶体、二酸化錫（SnO2）、この二酸化錫にド
ーパントとして弗素(F)、リン（Ｐ）またはアンチ
モン（Sb）を用いた二酸化錫−弗素固溶体、二
酸化錫−リン固溶体、二酸化錫−アンチモン固溶
体を用いることができ、更には金（Au）、銀
（Ag）、銅（Cu）、クロム（Cr）、パラジウム
（Pd）、ロジウム（Rh）またはこれらの合金から
なる金属（合金）薄膜を用いることができる。
この透明導電性薄膜は真空蒸着法、スパツタリ
ング、イオンプレーテイング等の真空成膜法によ
り、透明基板上に形成される。
ング、イオンプレーテイング等の真空成膜法によ
り、透明基板上に形成される。
電極は、上記透明導電性薄膜に電流を供給する
端子としての機能を有する。電極としては、アル
ミニウム（Al）、ニツケル（Ni）、銀（Ag）、ク
ロム（Cr）等の低抵抗の材料を用いることがで
きる。この電極は導電性ペーストの焼付等によつ
て形成される。この電極の薄膜は200Å〜300Å程
度がよい。なお、この電極にはハンダ付け、ロウ
付け等によつてリード線を取着し、このリード線
は車載のバツテリ電源等にスイツチを介して接続
される。
端子としての機能を有する。電極としては、アル
ミニウム（Al）、ニツケル（Ni）、銀（Ag）、ク
ロム（Cr）等の低抵抗の材料を用いることがで
きる。この電極は導電性ペーストの焼付等によつ
て形成される。この電極の薄膜は200Å〜300Å程
度がよい。なお、この電極にはハンダ付け、ロウ
付け等によつてリード線を取着し、このリード線
は車載のバツテリ電源等にスイツチを介して接続
される。
また、透明基板上には、透明導電性薄膜の絶縁
と保護のために、二酸化珪素膜等の絶縁保護膜が
形成される。この絶縁保護膜は、透明導電性薄膜
と同様に真空成膜法により形成される。
と保護のために、二酸化珪素膜等の絶縁保護膜が
形成される。この絶縁保護膜は、透明導電性薄膜
と同様に真空成膜法により形成される。
本発明の電極形成方法は、まず透明基板上の電
極形成部に導電性ペーストを印刷あるいは塗布し
た後、焼き付ける。続いて、真空成膜処理を行う
ため真空槽に入れ、真空蒸着法、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法等の適宜な真空成膜
法を用いて、透明導電性薄膜および絶縁保護膜を
真空槽から出すことなく連続して形成する。
極形成部に導電性ペーストを印刷あるいは塗布し
た後、焼き付ける。続いて、真空成膜処理を行う
ため真空槽に入れ、真空蒸着法、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法等の適宜な真空成膜
法を用いて、透明導電性薄膜および絶縁保護膜を
真空槽から出すことなく連続して形成する。
その後、第１の発明では、導電性ペースト上の
透明導電性薄膜と絶縁保護膜をアルミニウム微紛
や#1000以上の紙やすり等を用いて研磨により除
去した後、導電性ペーストの上に常温乾燥導電性
ペーストまたはハンダによりリード線を接続し、
更にシーリング樹脂で電極形成部を覆い、絶縁と
密封を完全なものとする。
透明導電性薄膜と絶縁保護膜をアルミニウム微紛
や#1000以上の紙やすり等を用いて研磨により除
去した後、導電性ペーストの上に常温乾燥導電性
ペーストまたはハンダによりリード線を接続し、
更にシーリング樹脂で電極形成部を覆い、絶縁と
密封を完全なものとする。
また、第２の発明は、第１の発明と異なり、導
電性ペースト上の透明導電性薄膜と絶縁保護膜を
除去することなく、導電性材料を用いて超音波ハ
ンダごてでリード線を接続する。このとき、ハン
ダ付け時に掛かる超音波により導電性ペースト上
の透明導電性薄膜と絶縁保護膜は自動的に除去さ
れ、導電性ペーストと導電性材料の接続がおこな
われると共に、リード線の接続がなされる。その
後、シーリング樹脂で電極形成部を覆うことによ
り、絶縁とシールを行う。
電性ペースト上の透明導電性薄膜と絶縁保護膜を
除去することなく、導電性材料を用いて超音波ハ
ンダごてでリード線を接続する。このとき、ハン
ダ付け時に掛かる超音波により導電性ペースト上
の透明導電性薄膜と絶縁保護膜は自動的に除去さ
れ、導電性ペーストと導電性材料の接続がおこな
われると共に、リード線の接続がなされる。その
後、シーリング樹脂で電極形成部を覆うことによ
り、絶縁とシールを行う。
本発明の透明導電性薄膜の電極形成方法によれ
ば、従来のようにマスキング材を使用することな
く、最初に透明基板上に導電性ペーストを形成す
るため、透明導電性薄膜および絶縁保護膜を真空
槽から出すことなく連続的に形成できる。このた
め、大気開放による透明導電性薄膜の酸化や汚染
が防止され、透明導電性薄膜と絶縁保護膜は良好
な密着性を維持できることになる。
ば、従来のようにマスキング材を使用することな
く、最初に透明基板上に導電性ペーストを形成す
るため、透明導電性薄膜および絶縁保護膜を真空
槽から出すことなく連続的に形成できる。このた
め、大気開放による透明導電性薄膜の酸化や汚染
が防止され、透明導電性薄膜と絶縁保護膜は良好
な密着性を維持できることになる。
また、導電性ペーストを塗布あるいは印刷後に
焼き付け（熱処理）を行つているが、本発明の場
合は従来法と異なり、導電性ペーストの焼き付け
を行つた後に透明導電性薄膜を形成しているの
で、熱処理に基づく透明導電性薄膜の劣化が防止
される。
焼き付け（熱処理）を行つているが、本発明の場
合は従来法と異なり、導電性ペーストの焼き付け
を行つた後に透明導電性薄膜を形成しているの
で、熱処理に基づく透明導電性薄膜の劣化が防止
される。
次に、本発明の実施例を図面を参考にして説明
する。
する。
（第１実施例）
第１実施例として第１の発明を第１図を参考に
して説明する。
して説明する。
ここで、第１図は本発明の第１実施例に係る透
明導電性薄膜の電極形成方法を示す工程図であ
る。
明導電性薄膜の電極形成方法を示す工程図であ
る。
まず、透明基板として自動車の窓ガラスに用い
るガラス板１を準備し、これを有機溶剤と純水で
十分に洗浄した後、電極としてガラスフリツトの
入つた銀ペースト２を、第１図ａに示すように、
ガラス板１の端部の電極形成部にスクリーン印刷
し、150℃で20分間乾燥後、450℃で30分間焼き付
ける。このとき、電極面との段差（通常50μm程
度）を無くすために、アルミナ微粉の入つた研磨
剤を用いて研磨を行い、段差をなくしてなだらか
な傾斜面に仕上げる。
るガラス板１を準備し、これを有機溶剤と純水で
十分に洗浄した後、電極としてガラスフリツトの
入つた銀ペースト２を、第１図ａに示すように、
ガラス板１の端部の電極形成部にスクリーン印刷
し、150℃で20分間乾燥後、450℃で30分間焼き付
ける。このとき、電極面との段差（通常50μm程
度）を無くすために、アルミナ微粉の入つた研磨
剤を用いて研磨を行い、段差をなくしてなだらか
な傾斜面に仕上げる。
続いて、銀ペースト２を焼付けたガラス板１を
スパツタリング真空槽に入れ、スパツタリング法
により透明導電性薄膜としてITO膜３を形成し
た。即ち、ガラス板１をスパツタリング真空槽内
の陽極側に設置し、一方陰極側には蒸発源として
酸化インジウム（In2O3）に10重量％二酸化錫
（SnO2）を含むITO焼結ターゲツトを設置した。
そして、真空槽内を２×10-5Torr程度まで排気
した後、２×10-3Torrまでアルゴンガスを導入
する。この状態で、1KWのスパツタ電圧を投入
し、透明導電性薄膜としてのITO膜３を約1μm形
成した。このときの状態を第１図ｂに示す。
スパツタリング真空槽に入れ、スパツタリング法
により透明導電性薄膜としてITO膜３を形成し
た。即ち、ガラス板１をスパツタリング真空槽内
の陽極側に設置し、一方陰極側には蒸発源として
酸化インジウム（In2O3）に10重量％二酸化錫
（SnO2）を含むITO焼結ターゲツトを設置した。
そして、真空槽内を２×10-5Torr程度まで排気
した後、２×10-3Torrまでアルゴンガスを導入
する。この状態で、1KWのスパツタ電圧を投入
し、透明導電性薄膜としてのITO膜３を約1μm形
成した。このときの状態を第１図ｂに示す。
次いで、ガラス板１を真空槽から出すことな
く、陰極側の蒸発源を二酸化珪素に変えて、透明
導電性薄膜の場合と略同様にして、ITO膜３上に
絶縁保護膜としての二酸化珪素膜４を約1000Åの
厚さに形成した。この結果、第１図ｃに示す状態
となつた。
く、陰極側の蒸発源を二酸化珪素に変えて、透明
導電性薄膜の場合と略同様にして、ITO膜３上に
絶縁保護膜としての二酸化珪素膜４を約1000Åの
厚さに形成した。この結果、第１図ｃに示す状態
となつた。
次に、銀ペースト２上に形成されているITO膜
３と二酸化珪素膜４を、アルミナ微粉の入つた研
磨剤を用いて研磨することにより除去し、第１図
ｄに示す状態とした。
３と二酸化珪素膜４を、アルミナ微粉の入つた研
磨剤を用いて研磨することにより除去し、第１図
ｄに示す状態とした。
その後、露出した銀ペースト２に、常温乾燥銀
ペーストを用いたリード線５を取り付け、最後に
シーリング樹脂６により電極形成部をシールし
た。この結果、第１図ｅに示す導電性透明部材が
得られた。
ペーストを用いたリード線５を取り付け、最後に
シーリング樹脂６により電極形成部をシールし
た。この結果、第１図ｅに示す導電性透明部材が
得られた。
以上の結果得られた導電性透明部材は、同一真
空槽内で連続してITO膜（透明導電性薄膜）と二
酸化珪素膜（絶縁保護膜）を形成したため、従来
のように透明導電性薄膜形成後に大気に開放する
ことがなくなり、大気開放に起因する透明導電性
薄膜表面の劣化が防止される。このため、透明導
電性薄膜と絶縁保護膜の密着性が向上する。
空槽内で連続してITO膜（透明導電性薄膜）と二
酸化珪素膜（絶縁保護膜）を形成したため、従来
のように透明導電性薄膜形成後に大気に開放する
ことがなくなり、大気開放に起因する透明導電性
薄膜表面の劣化が防止される。このため、透明導
電性薄膜と絶縁保護膜の密着性が向上する。
また、銀ペーストの焼き付け（熱処理）後に透
明導電性薄膜を形成するため、透明導電性薄膜は
熱処理の影響を受けることがなくなり、熱処理に
起因する特性の劣化が防止される。
明導電性薄膜を形成するため、透明導電性薄膜は
熱処理の影響を受けることがなくなり、熱処理に
起因する特性の劣化が防止される。
（第２実施例）
第２実施例として第２の発明を第２図を参考に
して説明する。
して説明する。
ここで、第２図は本発明の第２実施例に係る透
明導電性薄膜の電極形成方法を示す工程図であ
る。
明導電性薄膜の電極形成方法を示す工程図であ
る。
第２実施例において、第２図ａ〜第２図ｃに示
す工程は第１実施例と同様なため、説明を省略す
る。
す工程は第１実施例と同様なため、説明を省略す
る。
ガラス板１上に銀ペースト２、ITO膜３および
二酸化珪素膜４を形成した後、第２図ｄに示すよ
うに、導電性物質としての銀合金７を用いて銀ペ
ースト２上のITO膜３および二酸化珪素膜４の上
に、超音波ハンダごてでリード線５を接続する。
この結果、銀合金７にリード線５が接続されると
共に、超音波により銀ペースト２上のITO膜３と
二酸化珪素膜４が破壊、除去されて銀ペースト２
と銀合金７が接続される。
二酸化珪素膜４を形成した後、第２図ｄに示すよ
うに、導電性物質としての銀合金７を用いて銀ペ
ースト２上のITO膜３および二酸化珪素膜４の上
に、超音波ハンダごてでリード線５を接続する。
この結果、銀合金７にリード線５が接続されると
共に、超音波により銀ペースト２上のITO膜３と
二酸化珪素膜４が破壊、除去されて銀ペースト２
と銀合金７が接続される。
その後、第２図ｅに示すように、電極形成部の
周囲をシーリング樹脂６で覆うことにより、第２
図ｅに示す導電性透明部材が得られた。
周囲をシーリング樹脂６で覆うことにより、第２
図ｅに示す導電性透明部材が得られた。
この結果得られた導電性透明部材は、第１実施
例の場合と同様な効果を奏するのみでなく、銀ペ
ースト上のITO膜と二酸化珪素膜を研磨により除
去する必要がないため、電極形成工程が一工程省
略できるという優れた効果を奏する。
例の場合と同様な効果を奏するのみでなく、銀ペ
ースト上のITO膜と二酸化珪素膜を研磨により除
去する必要がないため、電極形成工程が一工程省
略できるという優れた効果を奏する。
以上、本発明の特定の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲内において種々の実施態様を
包含するものである。
が、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲内において種々の実施態様を
包含するものである。
例えば、第１実施例ではリード線の取り付けに
常温乾燥銀ペーストを用いたが、ハンダによりリ
ード線を取り付けてもよい。
常温乾燥銀ペーストを用いたが、ハンダによりリ
ード線を取り付けてもよい。
また、実施例では透明導電性薄膜および絶縁保
護膜の形成法としてスパツタリング法を用いた
が、他の真空蒸着法やイオンプレーテイング法で
もよい。
護膜の形成法としてスパツタリング法を用いた
が、他の真空蒸着法やイオンプレーテイング法で
もよい。
以上より、本発明の透明導電性薄膜の電極形成
方法によれば、以下の効果を奏する。
方法によれば、以下の効果を奏する。
(イ) 透明導電性薄膜と絶縁保護膜の密着性が大幅
に向上する。
に向上する。
(ロ) 透明導電性薄膜の劣化が防止され、品質の向
上が図れる。
上が図れる。
第１図は本発明の第１実施例に係る透明導電性
薄膜の電極形成方法を示す工程図、第２図は本発
明の第２実施例に係る透明導電性薄膜の電極形成
方法を示す工程図、第３図は従来の透明導電性薄
膜の電極形成方法を示す工程図である。 １……ガラス板（透明基板）、２……銀ペース
ト（電極）、３……ITO膜（透明導電性薄膜）、４
……二酸化珪素膜（絶縁保護膜）、５……リード
線、６……シーリング樹脂、７……銀合金（導電
性物質）。
薄膜の電極形成方法を示す工程図、第２図は本発
明の第２実施例に係る透明導電性薄膜の電極形成
方法を示す工程図、第３図は従来の透明導電性薄
膜の電極形成方法を示す工程図である。 １……ガラス板（透明基板）、２……銀ペース
ト（電極）、３……ITO膜（透明導電性薄膜）、４
……二酸化珪素膜（絶縁保護膜）、５……リード
線、６……シーリング樹脂、７……銀合金（導電
性物質）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明導電性薄膜および絶縁保護膜が形成され
た透明基板上の透明導電性薄膜に電極用の端子を
形成する方法であつて、 前記透明基板の電極形成部に導電性物質を含む
ペーストを焼き付けた後、このペーストを含む透
明基板上に真空成膜法で透明導電性薄膜および絶
縁保護膜をこの順で形成し、次いでペースト上の
透明導電性薄膜および絶縁保護膜を除去した後、
このペースト上にハンダ付け等によりリード線を
接続し、最後に電極形成部をシーリング樹脂で覆
うことを特徴とする透明導電性薄膜の電極形成方
法。 ２ 透明導電性薄膜および絶縁保護膜が形成され
た透明基板上の透明導電性薄膜に電極用の端子を
形成する方法であつて、 前記透明基板の電極形成部に導電性物質を含む
ペーストを焼き付けた後、このペーストを含む透
明基板上に真空成膜法で透明導電性薄膜および絶
縁保護膜をこの順で形成し、次いでペースト上の
透明導電性薄膜および絶縁保護膜上に超音波ハン
ダごてをあて、導電性物質を用いて超音波ハンダ
付けを行つてリード線を接続し、最後に電極形成
部をシーリング樹脂で覆うことを特徴とする透明
導電性薄膜の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196556A JPS6255244A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 透明導電性薄膜の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196556A JPS6255244A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 透明導電性薄膜の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255244A JPS6255244A (ja) | 1987-03-10 |
| JPH0421286B2 true JPH0421286B2 (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=16359698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196556A Granted JPS6255244A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 透明導電性薄膜の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1059139A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-03-03 | Pentel Kk | ヒーター付ミラー及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120449U (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-15 | ||
| JP5026032B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-09-12 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | 液晶表示装置とその製造方法 |
| KR101178863B1 (ko) | 2009-03-13 | 2012-08-31 | 코리아 오토글라스 주식회사 | 미세 열선패턴을 갖는 자동차용 안전유리 및 그 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112713A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of pattern of metallic oxide film |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP60196556A patent/JPS6255244A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112713A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of pattern of metallic oxide film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1059139A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-03-03 | Pentel Kk | ヒーター付ミラー及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6255244A (ja) | 1987-03-10 |
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