JPH0196384A - 透明導電膜パターン上へのめっき方法 - Google Patents
透明導電膜パターン上へのめっき方法Info
- Publication number
- JPH0196384A JPH0196384A JP25436587A JP25436587A JPH0196384A JP H0196384 A JPH0196384 A JP H0196384A JP 25436587 A JP25436587 A JP 25436587A JP 25436587 A JP25436587 A JP 25436587A JP H0196384 A JPH0196384 A JP H0196384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- substrate
- plating
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 20
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 5
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/1879—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1896—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by electrochemical pretreatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶パネルなど透明な無機ガラス、有機フィ
ルム上等に形成される透明導電膜パターン上へ、選択的
にめっきを施す方法に関するものである。
ルム上等に形成される透明導電膜パターン上へ、選択的
にめっきを施す方法に関するものである。
透明導電膜パターン上の所定部分を酸性又はアルカリ性
の透明導電膜活性処理液で電解処理した後、パラジウム
を含む液に浸漬してパラジウムを付着析出させた後、無
電解めっきを行うことにより、所望とする通電膜パター
ン上へ選択的にめっきを形成する方法を提供するもので
ある。
の透明導電膜活性処理液で電解処理した後、パラジウム
を含む液に浸漬してパラジウムを付着析出させた後、無
電解めっきを行うことにより、所望とする通電膜パター
ン上へ選択的にめっきを形成する方法を提供するもので
ある。
液晶パネルにおいては、大型化、高密度化に伴い高信幀
性実装法として、端子部のメタライズがなされている。
性実装法として、端子部のメタライズがなされている。
従来液晶パネル基板としては、ソーダガラス、硬質ガラ
スなどの無機材料、ポリエステル、ポリエーテルサルフ
ォン樹脂等の有機材料がある。このような基板上に酸化
スズまたは、ITOなどの透明導電膜が、スパッタ、蒸
着、CVD法などより形成された後、フォトリソグラフ
ィーにより所定のパターンにエツチングされる0次に透
明導電膜上にメタライズする方法としては、蒸着、スパ
ッタなどのドライめっき法とウェットめっき法がある。
スなどの無機材料、ポリエステル、ポリエーテルサルフ
ォン樹脂等の有機材料がある。このような基板上に酸化
スズまたは、ITOなどの透明導電膜が、スパッタ、蒸
着、CVD法などより形成された後、フォトリソグラフ
ィーにより所定のパターンにエツチングされる0次に透
明導電膜上にメタライズする方法としては、蒸着、スパ
ッタなどのドライめっき法とウェットめっき法がある。
しかし、ドライめっき法は、装置が高価なものとなり、
またバッジ処理のため量産化に欠けるなどの問題がある
。一般的には、処理コストが安価で自由形状のものにメ
タライズ可能なウェットめっき法が採用されている。ガ
ラス基板上に形成された透明導電膜上のウェットめっき
法は、めっき性、密着性などの点で優れている無電解め
っきが採用されている。これら従来の透明導電膜上無電
解めっき法は、被めっき物を脱脂、酸洗い後、塩化スズ
、塩化パラジウムを含む触媒付与液に浸漬しその後、フ
ン化物を含む活性液へ浸漬する。
またバッジ処理のため量産化に欠けるなどの問題がある
。一般的には、処理コストが安価で自由形状のものにメ
タライズ可能なウェットめっき法が採用されている。ガ
ラス基板上に形成された透明導電膜上のウェットめっき
法は、めっき性、密着性などの点で優れている無電解め
っきが採用されている。これら従来の透明導電膜上無電
解めっき法は、被めっき物を脱脂、酸洗い後、塩化スズ
、塩化パラジウムを含む触媒付与液に浸漬しその後、フ
ン化物を含む活性液へ浸漬する。
この活性液の浸漬は、ガラス基板および透明導電膜に付
着した触媒(パラジウム)を活性化させる他、ガラス基
板に付着した触媒を遊離させるものである。その後、無
電解ニッケルめっき、無電解鋼めっき等を施すことによ
り透明導電膜上のみに選択的にめっきがなされるもので
あった。
着した触媒(パラジウム)を活性化させる他、ガラス基
板に付着した触媒を遊離させるものである。その後、無
電解ニッケルめっき、無電解鋼めっき等を施すことによ
り透明導電膜上のみに選択的にめっきがなされるもので
あった。
しかし、これら一連の工程の中で、選択性を出す活性液
は、フン化物が含有されているためガラス基板毫侵す問
題があった。また、耐薬品性のあ、る硬質ガラス基板で
は、ガラス面にもめっきが析出してしまうなど選択性の
点で問題があった0本発明は、これら問題点を解決する
ために行われたものである。
は、フン化物が含有されているためガラス基板毫侵す問
題があった。また、耐薬品性のあ、る硬質ガラス基板で
は、ガラス面にもめっきが析出してしまうなど選択性の
点で問題があった0本発明は、これら問題点を解決する
ために行われたものである。
本発明は上記問題点を解決するため、透明導電膜パター
ン所定部分を酸性又はアルカリ性の透明導電改質活性化
処理液中で電解処理を行い、酸化スズ又は170等透明
導電膜の改質を活性化させた後、パラジウムを含む溶液
に浸漬してパラジウムイオンを透明導電膜(酸化スズ又
はITOなど)上にパラジウムを完全に析出させた後、
無電解めっきを行うことにより、ガラス基板をいためず
、そのうえ選択性良好で密着力の強い透明導電膜上への
めっきを形成する方法を見出したものである。
ン所定部分を酸性又はアルカリ性の透明導電改質活性化
処理液中で電解処理を行い、酸化スズ又は170等透明
導電膜の改質を活性化させた後、パラジウムを含む溶液
に浸漬してパラジウムイオンを透明導電膜(酸化スズ又
はITOなど)上にパラジウムを完全に析出させた後、
無電解めっきを行うことにより、ガラス基板をいためず
、そのうえ選択性良好で密着力の強い透明導電膜上への
めっきを形成する方法を見出したものである。
以下、本発明の実施例の1つとして第1図をもとに説明
する。第1図は、液晶パネルの外部端子部分の斜視図で
ある。1は硬質ガラス基板、2は硬質ガラス上に蒸着方
法で形成された複数のITOi3明導電膜、3は半田付
は接合するためのメタライズ端子部分、4はめっき析出
防止のためのマスキング剤、5は透明電極端子間を短絡
させるためのITO透明導電膜である。まず、ガラス基
板l上に透明導電1a2をパターニングし、メタライズ
不要部分をマスキング剤4によりマスクし、ついでこれ
らを脱脂した後、水洗後塩酸酸性液に透明導電膜を陽極
にして電解処理した。
する。第1図は、液晶パネルの外部端子部分の斜視図で
ある。1は硬質ガラス基板、2は硬質ガラス上に蒸着方
法で形成された複数のITOi3明導電膜、3は半田付
は接合するためのメタライズ端子部分、4はめっき析出
防止のためのマスキング剤、5は透明電極端子間を短絡
させるためのITO透明導電膜である。まず、ガラス基
板l上に透明導電1a2をパターニングし、メタライズ
不要部分をマスキング剤4によりマスクし、ついでこれ
らを脱脂した後、水洗後塩酸酸性液に透明導電膜を陽極
にして電解処理した。
(処理条件)
電解電圧 1.5〜3v
温 度 室温
時 間 1〜5分
陰 極 カーボン
電解液濃度 50%塩酸
次に水洗後、塩化パラジウムを主成分とする触媒付与及
び活性液(カニゼン社製レッドシューマー)でパラジウ
ムを付着析出させ、次に水洗後、無電解ニッケルめっき
(カニゼン社製S−680)を50℃7分間めっきして
約0.5ミクロンのニッケルーリン被膜を透明電極上に
選択的に形成した。その後、透明電極間をつなぐ端子5
を切断し、マスキング剤を除去した後、250℃、30
分の熱処理を行った。このようにして得られた無電解め
っきは、透明電極パターンの所定部分に良好なめっき被
膜を形成し、また、ガラス基板の損傷も全く見られなか
った。なお実施例では陽極電解処理方法を示したが、陰
極電解液処理、パルス波形処理、断続波形電解処理、脈
流波形電解処理、交直重畳電解処理、交直併用電解処理
等でも可能である。
び活性液(カニゼン社製レッドシューマー)でパラジウ
ムを付着析出させ、次に水洗後、無電解ニッケルめっき
(カニゼン社製S−680)を50℃7分間めっきして
約0.5ミクロンのニッケルーリン被膜を透明電極上に
選択的に形成した。その後、透明電極間をつなぐ端子5
を切断し、マスキング剤を除去した後、250℃、30
分の熱処理を行った。このようにして得られた無電解め
っきは、透明電極パターンの所定部分に良好なめっき被
膜を形成し、また、ガラス基板の損傷も全く見られなか
った。なお実施例では陽極電解処理方法を示したが、陰
極電解液処理、パルス波形処理、断続波形電解処理、脈
流波形電解処理、交直重畳電解処理、交直併用電解処理
等でも可能である。
また、実施例で示した対極材料はカーボンの他、不溶性
極板ならどれでも使用可能である。また透明導電膜活性
液については、実施例で塩酸を用いたが、硫酸、硝酸等
の酸性液や苛性ソーダ、苛性カリ等のアルカリ性液でも
透明導電膜の活性液と。
極板ならどれでも使用可能である。また透明導電膜活性
液については、実施例で塩酸を用いたが、硫酸、硝酸等
の酸性液や苛性ソーダ、苛性カリ等のアルカリ性液でも
透明導電膜の活性液と。
して使用可能である。
本発明の実施例では、透明絶縁基板に硬質ガラスを用い
たが、ソーダガラス、石英ガラスなどの無機材料、また
、ポリエステルやポリエーテルサルフォンなどの有機フ
ィルムであっても同様な効果を得ることが可能である。
たが、ソーダガラス、石英ガラスなどの無機材料、また
、ポリエステルやポリエーテルサルフォンなどの有機フ
ィルムであっても同様な効果を得ることが可能である。
以上詳述したように本発明によれば、所望とする透明導
電膜パターン上のメタライズをする場合、透明導電膜パ
ターン部分を酸性又はアルカリ性導電膜活性液中で電解
処理を行った後、パラジウムを付着析出させた後、無電
解めっきを施すことによりガラス基板又は有機材料基板
に損傷を与えることなく、選択的な無電解めっき被膜を
形成することができ、さらに従来の方法のものより密着
力強度があり、信頼性の高い液晶パネルなどの実装を可
能としたものでその効果は大きい。
電膜パターン上のメタライズをする場合、透明導電膜パ
ターン部分を酸性又はアルカリ性導電膜活性液中で電解
処理を行った後、パラジウムを付着析出させた後、無電
解めっきを施すことによりガラス基板又は有機材料基板
に損傷を与えることなく、選択的な無電解めっき被膜を
形成することができ、さらに従来の方法のものより密着
力強度があり、信頼性の高い液晶パネルなどの実装を可
能としたものでその効果は大きい。
第1図は液晶パネル外部端子部分の斜視図である。
1・・・ガラス基板(透明絶8!基板)2・・・透明電
極 (ITO膜) 3・・・透明電極メタライズ必要部 4・パ・マスキング剤 5・・・透明電極間を結ぶ端子(ITO膜)以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 パネフレダ瘤じ島3r邸分の茅着地図 第1 ■
極 (ITO膜) 3・・・透明電極メタライズ必要部 4・パ・マスキング剤 5・・・透明電極間を結ぶ端子(ITO膜)以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 パネフレダ瘤じ島3r邸分の茅着地図 第1 ■
Claims (1)
- 透明絶縁基板上に形成される透明導電膜パターンの所定
部分を透明導電膜活性処理液中で電解処理を行った後、
パラジウムを含む溶液に浸漬する工程を経てから、その
あとに無電解めっきを施すことを特徴とする透明導電膜
パターン上へのめっき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25436587A JPH0196384A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25436587A JPH0196384A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0196384A true JPH0196384A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17263976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25436587A Pending JPH0196384A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0196384A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19726850B4 (de) * | 1996-06-24 | 2005-12-08 | Yazaki Corp. | Verfahren zur Herstellung vonr Leiterplatten |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60141874A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | Seiko Epson Corp | 無電解メツキ方法 |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP25436587A patent/JPH0196384A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60141874A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | Seiko Epson Corp | 無電解メツキ方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19726850B4 (de) * | 1996-06-24 | 2005-12-08 | Yazaki Corp. | Verfahren zur Herstellung vonr Leiterplatten |
DE19726850B8 (de) * | 1996-06-24 | 2006-04-13 | Yazaki Corp. | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4600480A (en) | Method for selectively plating plastics | |
US4144118A (en) | Method of providing printed circuits | |
US3819497A (en) | Electroless and electrolytic copper plating | |
US4233344A (en) | Method of improving the adhesion of electroless metal deposits employing colloidal copper activator | |
EP0079356B1 (en) | A method for chemically stripping platings including palladium and at least one of the metals copper and nickel and a bath intended to be used for the method | |
US5368717A (en) | Metallization of electronic insulators | |
JPH05271986A (ja) | アルミニウム・有機高分子積層体 | |
JPH02101172A (ja) | ニッケルの無電解めっき方法 | |
JPH0196384A (ja) | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 | |
KR100798870B1 (ko) | 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드기판 및 그 제조 방법 | |
JPH02294486A (ja) | 無電解めっき法 | |
JP4081625B2 (ja) | 透明酸化亜鉛皮膜の作製方法 | |
JPH0196383A (ja) | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 | |
JP2001011642A (ja) | 透明導電性酸化亜鉛皮膜及びその作製方法 | |
JP2000178752A (ja) | 無電解メッキ用パラジウム触媒除去剤 | |
JPH06260759A (ja) | プリント回路板の製造方法 | |
DE1814055C3 (de) | Verfahren zur Vorbehandlung von isolierenden Tragern vor der stromlosen Metallabscheidung | |
JP2002302778A (ja) | アルミニウム合金の陽極酸化皮膜上への導電部の形成方法 | |
JP2768451B2 (ja) | セラミック電子部品用電極の形成方法 | |
US5547559A (en) | Process for plating metals onto various substrates in an adherent fashion | |
JPH01294311A (ja) | 透明導電膜パターンのめっき方法 | |
JPS60121616A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
CN106242314A (zh) | 一种玻璃镀铜工艺 | |
SU367746A1 (ru) | Контактно-химический способ осаждени металлов | |
JPH0382187A (ja) | 高耐電食性プリント配線板の製造方法 |