JPH02294486A - 無電解めっき法 - Google Patents

無電解めっき法

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JPH02294486A JP1115834A JP11583489A JPH02294486A JP H02294486 A JPH02294486 A JP H02294486A JP 1115834 A JP1115834 A JP 1115834A JP 11583489 A JP11583489 A JP 11583489A JP H02294486 A JPH02294486 A JP H02294486A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、無電解めっき法に関する． （従来の技術） ガラスやプラスチック等の絶縁物上への無電解めっき法
は、一般に、無電解めっき用触媒の絶縁物表面への吸着
力を向上させるためのコンデショニング処理に続いて、
塩化パラジウム及び塩化スズ（Ｕ）を含む水溶液等の無
電解めっき用触媒溶液に接触させ絶縁物表面に無電解め
っき用触媒を吸着させる処理を行い、次に無電解めっき
用触媒の活性促進処理を行った後、無電解めっき液に浸
漬している． 従来、この活性促進処理には、特開昭５０−８１９２７
号公報に開示されているように、硫酸と塩酸の混酸やこ
のような混酸に酒石酸を添加した処理液に浸漬する方法
や、あるいは、特開昭５１−８１２７号公報に開示され
ているように、Ｎａ０Ｈとエチレンジアミン四酢酸を含
む水溶液に浸漬する方法が提案されている． （発明が解決しようとする課Ｈ） 現在、プリント配線板の製造において、無電解めっきは
、絶縁材料に隔てられた回路パターン間の接続を行うス
ルーホールを形成するために重要な技術である．ところ
で、高い信幀性が要求されるプリント配線板の絶縁材料
には、ガラス繊維等の無機酸化物繊維で強化された絶縁
樹脂が使用されているので、このような絶縁材料にスル
ーホールを形成するためには、孔あけされた内壁に露出
している絶縁樹脂と無機酸化物繊維の２種類の材料に無
電解めっきが充分にされなければならない．もしも、ど
ちらか一方に無電解めっきの析出が不十分である場合に
は、ピンホールとよばれる金属化していない部分ができ
、この無電解めっきの後に電気めっきによってスルーホ
ール内の金属層を厚くした場合でもビンホールは残り、
プリント配線板に電子部品を実装するときに用いる溶融
はんだが充分にスルーホール内の金属層と接触せず、電
子部品と回路との電気的接続が充分でない。
従来の活性促進処理である硫酸と塩酸の混酸やこのよう
な混酸に酒石酸を添加した処理液またはＮａＯＨとエチ
レンジアミン四酢酸を含む水溶液に浸漬する方法では、
絶縁樹脂と無機酸化物繊維の２種類の材料に対して活性
促進が充分に行われないという問題があった． また、配線板を製造する場合には、前記の絶縁樹脂と無
機酸化物繊維の２種類の材料に対して無電解めっきを析
出させるのみならず、回路間の電気的接続のために、回
路を構成している金属に対しても無電解めっきの析出が
行われなければならない．しかも、熱衝撃による金属間
の剥離等が起こり易いことから、この回路を構成する金
属と無電解めっきによる析出金属との密着力が必要とさ
れるが、従来の活性促進処理法では、銅箔と無電解めっ
き被膜の密着力が低下する場合もあるという問題があっ
た． 本発明は、スルーホール内の無電解めっきの析出がが良
好であり、かつ銅箔との密着力の高い無電解銅めっき法
を提供するものである．（諜題を解決するための手段） 本発明の無電解めっき法は、被めっき体を、塩化パラジ
ウム及び塩化スズを含む水溶液の無電解めっき用触媒に
接触させ、続いて硫酸と塩化第二銅を含む水溶液に接触
させた後、無電解めっきを行うことを特徴とする． 本発明に用いる硫酸と塩化第二銅を含む水溶液において
、硫酸の濃度は、０．Ｏｌ〜５モル／ｌが好まし《、さ
らに好まし《はＯ．１〜２モル／ｌの範囲であり、塩化
第二銅の濃度は、０．００００３〜０．０３モル／２が
好ましく、さらに好ましくはｏ．ｏｏｏｔ〜０．００５
モル／１の範囲である．この塩化第二銅の濃度は、銅箔
と無電解めっき銅との密着力特性と活性処理液の寿命を
支配し、濃度が０．００００３モル／ｊ！より低いと銅
箔と無電解めっき銅との密着力が低下し、０．０３モル
／ｌより高いと活性処理液の寿命が低下する．このよう
な硫酸と塩化第二銅を含む水溶液に代えて、硫酸と塩化
第二銅と有機酸を加えた水溶液を用いることもでき、ス
ルーホール内の無電解めっきの析出をさらに良好にする
ことができる．このような有機酸としては、クエン酸、
グリセリン酸、マロン酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳
酸、酒石酸、アジピン酸等が使用でき、一種類以上を添
加して用いることもできる． この活性促進処理液において、硫酸と塩化第二銅の濃度
は前記と同欅であり、有機酸の濃度は５モル／Ｑ以下が
好ましい範囲である． （作用） 前記の活性処理液を用いることによって、スルーホール
内の無電解めっきが良好であり、かつ銅箔との密着力の
高い無電解銅めっきを行うことができる． 実施例１ 直径０．９ｍ−の孔をあけたガラス繊維強化エボキシ樹
脂積層板であるＭＣＬＥ−６７（日立化成工業株式会社
、商品名）をペルオクソ硫酸アンモニウム１００ｇ／ｌ
ｆｉの水溶液に２分間浸漬し、３分間水洗し、無電解め
っき用触媒の吸着促進を行うコンディショナーであるＣ
ＬＣ−２０１（日立化成工業株式会社、商品名）に５０
゜Ｃで５分間浸漬し、３分間水洗し、無電解めっき用触
媒液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社、商
品名）に１０分間浸漬した後、５分間水洗した．この基
板を、濃度０．５モル／ｌの硫酸と濃度０．０００３モ
ル／ｌの塩化第二銅を含む水溶液に５分間浸漬し、５分
間水洗した後、無電解銅めっき液であるＣＵＳＴ−２０
１　（日立化成工業株式会社、商品名）に１５分間浸漬
し無電解銅めっきを行った． 実施例２ 活性促進処理液として、濃度０．５モル／ｌの硫酸と濃
度０．０００６モル／ｉの塩化第二銅とクエン酸０．０
５モル／ｌを含む水溶液を用いた以外は実施例ｌと同様
とした． 実施例３ 活性促進処理液として、濃度１．０モル／ｊ！の硫酸と
濃度０．０００１モル／ｌの塩化第二銅とグリセリン酸
２．０モル／ｌを含む水溶液を用いた以外は実施例１と
同様とした。
実施例４ 活性促進処理液として、濃度０．５モル／Ｉ！の硫酸と
濃度０．０００３モル／ｌの塩化第二銅とマロン酸０．
０５モル／ｌを含む水溶液を用いた以外は実施例ｌと同
様とした． 実施例５ 活性促進処理液として、濃度０．５モル／ｌの硫酸と濃
度０．０００３モル／ｉの塩化第二銅とアジピン酸０．
０２モル／ｌを含む水溶液を用いた以外は実施例１と同
様とした． 実施例６ 活性促進処理液として、濃度０．５モル／Ｉ！の硫酸と
濃度０．　Ｏ　Ｏ　Ｏ　３モル／ｌの塩化第二銅とリン
ゴ酸０．１モル／ｌを含む水溶液を用いた以外は実施例
ｌと同様とした． 実施例７ 活性促進処理液として、濃度０．５モル／ｌの硫酸と濃
度０．０００３モル／ｉの塩化第二銅と乳酸０．１モル
／ｌを含む水溶液を用いた以外は実施例１と同様とした
。
実施例８ 活性促進処理液として、濃度０．５モル／１の硫酸と濃
度０．０００３モル／ｌの塩化第二銅とグリコール酸０
．０５モル／ｌを含む水溶液を用いた以外は実施例１と
同様とした． 実施例９ 活性促進処理液として、濃度０．５モル／２の硫酸と濃
度０．０００３モル／２の塩化第二銅と酒石酸０．０５
モル／ｌを含む水溶液を用いた以外は実施例１と同様と
した。
以上のように無電解めっきを行った基板のスルーホール
内壁のめっき状態を光学顕微鏡で観察した結果、ガラス
繊維表面及びエポキシ樹脂表面のいずれも無電解銅めっ
きが良好に析出していた．また、この無電解めっきを行
った基板に、一般のプリント配線板に使用されている電
気めっきに用いる硫酸銅に浸漬し、金属層の厚さが４０
ａｍになるまで電気めっきを行い、ｔＪ４　ｆａと無電
解銅めっきの引き剥がし試験を行ったところ、銅箔と無
電解銅の界面では剥離せず、銅箔と絶縁基材との間で剥
離が起こり、銅箔と無電解銅との密着力の高いことが確
認できた． （発明の効果） 以上に説明したように、本発明は、スルーホール内の無
電解めっきが良好であり、がっ銅箔との密着力の高い無
電解銅めっき法を提供することができた．

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、被めっき体を、塩化パラジウム及び塩化スズを含む
    水溶液の無電解めっき用触媒に接触させ、続いて硫酸と
    塩化第二銅を含む水溶液に接触させた後、無電解めっき
    を行うことを特徴とする無電解めっき法。 ２、硫酸と塩化第二銅を含む水溶液に代えて、硫酸と塩
    化第二銅と有機酸を加えた水溶液を用いることを特徴と
    する請求項１記載の無電解めっき法。 ３、硫酸と塩化第二銅を含む水溶液において、硫酸の濃
    度が０．０１〜５モル／ｌでありかつ、塩化第二銅の濃
    度が０．００００３〜０．０３モル／ｌである水溶液を
    用いることを特徴とする請求項１または２のいずれかに
    記載の無電解めっき法。 ４、硫酸と塩化第二銅と有機酸を加えた水溶液において
    、有機酸の濃度が５モル／ｌ以下である水溶液を用いる
    ことを特徴とする請求項２または３のうちいずれかに記
    載の無電解めっき法。
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