JPH07183659A - プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents
プリント配線板及びその製造方法Info
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- JPH07183659A JPH07183659A JP34672693A JP34672693A JPH07183659A JP H07183659 A JPH07183659 A JP H07183659A JP 34672693 A JP34672693 A JP 34672693A JP 34672693 A JP34672693 A JP 34672693A JP H07183659 A JPH07183659 A JP H07183659A
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント配線板のバイアホール用孔の内面に
低コストで導電性を付与する。また、その導電性付与の
ための処理工程数と処理時間とを短縮する。 【構成】 絶縁層１とその両面に形成された導電層２と
の積層体からなり、該積層体にはバイアホール用孔とそ
の内面に形成されたバイアホールメッキ層３からなるバ
イアホールＶｈが形成されているプリント配線板におい
て、バイアホールメッキ層３とその下地となる絶縁層１
との間に硫化銅又は硫化ニッケルの薄層４を形成する。
この硫化銅又は硫化ニッケルの薄層４の形成は、銅塩又
はニッケル塩水溶液と硫化ナトリウム水溶液とをバイア
ホール用の孔内で反応させることにより硫化銅又は硫化
ニッケルを孔内に付着させることにより行う。
低コストで導電性を付与する。また、その導電性付与の
ための処理工程数と処理時間とを短縮する。 【構成】 絶縁層１とその両面に形成された導電層２と
の積層体からなり、該積層体にはバイアホール用孔とそ
の内面に形成されたバイアホールメッキ層３からなるバ
イアホールＶｈが形成されているプリント配線板におい
て、バイアホールメッキ層３とその下地となる絶縁層１
との間に硫化銅又は硫化ニッケルの薄層４を形成する。
この硫化銅又は硫化ニッケルの薄層４の形成は、銅塩又
はニッケル塩水溶液と硫化ナトリウム水溶液とをバイア
ホール用の孔内で反応させることにより硫化銅又は硫化
ニッケルを孔内に付着させることにより行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バイアホールを有する
プリント配線板とその製造方法に関する。より詳しく
は、バイアホール用孔内に硫化銅又は硫化ニッケルの薄
層が、バイアホールメッキ層として電解メッキ層を形成
するための導電性付与層として形成されているプリント
配線板とその製造方法に関する。
プリント配線板とその製造方法に関する。より詳しく
は、バイアホール用孔内に硫化銅又は硫化ニッケルの薄
層が、バイアホールメッキ層として電解メッキ層を形成
するための導電性付与層として形成されているプリント
配線板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、プリント配線板においては、
絶縁層を介して隔てられた２以上の導電層をスルーホー
ルやブラインドバイアホールなどのバイアホールにより
互いに導通させることが一般的に行われている。この場
合、バイアホールの内面には、通常、電解銅メッキ層等
からなるバイアホールメッキ層が形成されている。そし
て、このような電解銅メッキ層の形成の際しては、予め
絶縁層にドリル等を用いて形成されたバイアホール用孔
の内面に、電解メッキを可能とするために導電性付与処
理を施すことが行われている。これは、バイアホール用
孔の内面のほとんどはプリプレグや合成樹脂板などの絶
縁性材料で占められているためである。
絶縁層を介して隔てられた２以上の導電層をスルーホー
ルやブラインドバイアホールなどのバイアホールにより
互いに導通させることが一般的に行われている。この場
合、バイアホールの内面には、通常、電解銅メッキ層等
からなるバイアホールメッキ層が形成されている。そし
て、このような電解銅メッキ層の形成の際しては、予め
絶縁層にドリル等を用いて形成されたバイアホール用孔
の内面に、電解メッキを可能とするために導電性付与処
理を施すことが行われている。これは、バイアホール用
孔の内面のほとんどはプリプレグや合成樹脂板などの絶
縁性材料で占められているためである。
【０００３】このような導電性付与処理技術としては、
従来から無電解銅メッキ技術が広く用いられている。
従来から無電解銅メッキ技術が広く用いられている。
【０００４】しかし、無電解銅メッキ技術には、メッキ
液の組成が保存している間に経時的に大きく変化するた
めに、メッキ液の管理が難しくその取扱い性が十分でな
いという問題があった。また、メッキ液の浴組成が経時
的に大きく変化するために、メッキ液の更新のインター
バルが短く、メッキコストが上昇するという問題もあっ
た。更に、無電解メッキ液で還元剤として一般的に使用
するホルマリンは毒性が高いという問題もあった。
液の組成が保存している間に経時的に大きく変化するた
めに、メッキ液の管理が難しくその取扱い性が十分でな
いという問題があった。また、メッキ液の浴組成が経時
的に大きく変化するために、メッキ液の更新のインター
バルが短く、メッキコストが上昇するという問題もあっ
た。更に、無電解メッキ液で還元剤として一般的に使用
するホルマリンは毒性が高いという問題もあった。
【０００５】これらの問題を解決する目的で、電解銅メ
ッキ層の形成に先立って、無電解銅メッキ技術を用いず
に、まず、プリント配線板のバイアホール用孔の内面に
Ｐｄ／Ｓｎコロイドを付着させ、次にＳｎ分を除去し、
その後に残存するＰｄをＰｄＳに変換することにより貫
通孔の内面に導電性を付与するという技術（クリムソン
プロセス技術）が提案されている（サーキットテクノロ
ジ、第８巻（１号）、４７頁（１９９３））。
ッキ層の形成に先立って、無電解銅メッキ技術を用いず
に、まず、プリント配線板のバイアホール用孔の内面に
Ｐｄ／Ｓｎコロイドを付着させ、次にＳｎ分を除去し、
その後に残存するＰｄをＰｄＳに変換することにより貫
通孔の内面に導電性を付与するという技術（クリムソン
プロセス技術）が提案されている（サーキットテクノロ
ジ、第８巻（１号）、４７頁（１９９３））。
【０００６】このクリムソンプロセス技術は、基本的に
以下の工程（ａ）〜（ｈ）の８工程から構成されてい
る： （ａ）脱脂／コンディショニング工程 プリント配線板のバイアホール用孔内の泡抜きとＰｄ／
Ｓｎコロイドを孔内表面に付着させ易くするための工程 （ｂ）プレディップ工程 次工程のキャタライズ工程への洗浄水の持ち込みを防止
するために、Ｐｄ成分が添加されていない以外は次工程
で使用するキャタリスト浴と同じ浴組成のプレディップ
浴にプリント配線板をディッピングする工程 （ｃ）キャタライズ工程 Ｐｄ／Ｓｎコロイドを含むキャタリスト浴にプリント配
線板をディッピングする工程 （ｄ）アクセレレーティング工程 バイアホール用孔内表面に付着したＰｄ／Ｓｎコロイド
からＳｎ成分を除去する工程 （ｅ）硫化工程 バイアホール用孔内表面のＰｄに硫化処理液を作用させ
てＰｄをＰｄＳに変換する工程 （ｆ）硫化処理液除去工程 バイアホール用孔内も含め、プリント配線板表面から硫
化処理液を除去する工程 （ｇ）ソフトエッチング工程 プリント配線板の導電層の上に形成された層状のＰｄＳ
の隙間から導電層をエッチングして、その導電層上のＰ
ｄＳを除去し、導電層上に電解銅メッキ層を形成しやす
くする工程 （ｈ）バイアホールメッキ工程 電解銅メッキを行うことにより、バイアホール用孔内に
メッキ層を形成して絶縁層の両面の２つの導電層を導通
させる工程。
以下の工程（ａ）〜（ｈ）の８工程から構成されてい
る： （ａ）脱脂／コンディショニング工程 プリント配線板のバイアホール用孔内の泡抜きとＰｄ／
Ｓｎコロイドを孔内表面に付着させ易くするための工程 （ｂ）プレディップ工程 次工程のキャタライズ工程への洗浄水の持ち込みを防止
するために、Ｐｄ成分が添加されていない以外は次工程
で使用するキャタリスト浴と同じ浴組成のプレディップ
浴にプリント配線板をディッピングする工程 （ｃ）キャタライズ工程 Ｐｄ／Ｓｎコロイドを含むキャタリスト浴にプリント配
線板をディッピングする工程 （ｄ）アクセレレーティング工程 バイアホール用孔内表面に付着したＰｄ／Ｓｎコロイド
からＳｎ成分を除去する工程 （ｅ）硫化工程 バイアホール用孔内表面のＰｄに硫化処理液を作用させ
てＰｄをＰｄＳに変換する工程 （ｆ）硫化処理液除去工程 バイアホール用孔内も含め、プリント配線板表面から硫
化処理液を除去する工程 （ｇ）ソフトエッチング工程 プリント配線板の導電層の上に形成された層状のＰｄＳ
の隙間から導電層をエッチングして、その導電層上のＰ
ｄＳを除去し、導電層上に電解銅メッキ層を形成しやす
くする工程 （ｈ）バイアホールメッキ工程 電解銅メッキを行うことにより、バイアホール用孔内に
メッキ層を形成して絶縁層の両面の２つの導電層を導通
させる工程。
【０００７】なお、工程（ｂ）と（ｃ）の間には水洗浄
は行われないが、他の工程間には２乃至３段階の水洗浄
が行われる。
は行われないが、他の工程間には２乃至３段階の水洗浄
が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たクリムソンプロセス技術は、無電解銅メッキ技術に伴
う前述した欠点を克服できるものの、高価なパラジウム
を多量に使用する必要がある。従って、メッキコストが
上昇するという問題があった。また、バイアホールメッ
キ工程（ｈ）を除いた各工程（ａ）〜（ｇ）は、それぞ
れ約５分、１分、５分、５分、１分、１分、１分の処理
時間（合計約１９分）を必要とし、無電解銅メッキ技術
と同等程度の合計処理時間が必要となり、単位時間当た
りの処理量を上げることが困難であるという問題があっ
た。
たクリムソンプロセス技術は、無電解銅メッキ技術に伴
う前述した欠点を克服できるものの、高価なパラジウム
を多量に使用する必要がある。従って、メッキコストが
上昇するという問題があった。また、バイアホールメッ
キ工程（ｈ）を除いた各工程（ａ）〜（ｇ）は、それぞ
れ約５分、１分、５分、５分、１分、１分、１分の処理
時間（合計約１９分）を必要とし、無電解銅メッキ技術
と同等程度の合計処理時間が必要となり、単位時間当た
りの処理量を上げることが困難であるという問題があっ
た。
【０００９】本発明は、以上のような従来技術の問題点
を解決しようとするものであり、プリント配線板のバイ
アホール用孔の内面に低コストで導電性を付与でき、し
かもその導電性付与のための処理工程数と処理時間とを
短縮できるようにすることを目的とする。
を解決しようとするものであり、プリント配線板のバイ
アホール用孔の内面に低コストで導電性を付与でき、し
かもその導電性付与のための処理工程数と処理時間とを
短縮できるようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、プリント配
線板のバイアホール用孔の内面に電解銅メッキ層を形成
するに先立って、バイアホール用孔の内面の導電性付与
処理として、銅塩又はニッケル塩含有水溶液と硫化ナト
リウム水溶液とをバイアホール用貫通孔の内面で反応さ
せ、その内面上に硫化銅又は硫化ニッケルの薄層を形成
することにより上述の目的が達成できることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
線板のバイアホール用孔の内面に電解銅メッキ層を形成
するに先立って、バイアホール用孔の内面の導電性付与
処理として、銅塩又はニッケル塩含有水溶液と硫化ナト
リウム水溶液とをバイアホール用貫通孔の内面で反応さ
せ、その内面上に硫化銅又は硫化ニッケルの薄層を形成
することにより上述の目的が達成できることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
【００１１】即ち、本発明は、絶縁層とその両面に形成
された導電層との積層体からなり、該積層体にはバイア
ホール用孔とその内面に形成されたバイアホールメッキ
層からなるバイアホールが形成されているプリント配線
板において、バイアホールメッキ層とその下地となる絶
縁層との間に硫化銅又は硫化ニッケルの薄層が形成され
ていることを特徴とするプリント配線板を提供する。
された導電層との積層体からなり、該積層体にはバイア
ホール用孔とその内面に形成されたバイアホールメッキ
層からなるバイアホールが形成されているプリント配線
板において、バイアホールメッキ層とその下地となる絶
縁層との間に硫化銅又は硫化ニッケルの薄層が形成され
ていることを特徴とするプリント配線板を提供する。
【００１２】また、本発明は、上述のプリント配線板の
製造方法であって、絶縁層とその両面に形成された導電
層とからなる積層体のバイアホール用孔内に、銅塩又は
ニッケル塩と硫化ナトリウムとを反応させることによ
り、硫化銅又は硫化ニッケルの薄層を形成する工程と、
バイアホール用の孔内に形成された硫化銅又は硫化ニッ
ケルの薄層上にバイアホールメッキ層を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする製造方法を提供する。
製造方法であって、絶縁層とその両面に形成された導電
層とからなる積層体のバイアホール用孔内に、銅塩又は
ニッケル塩と硫化ナトリウムとを反応させることによ
り、硫化銅又は硫化ニッケルの薄層を形成する工程と、
バイアホール用の孔内に形成された硫化銅又は硫化ニッ
ケルの薄層上にバイアホールメッキ層を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする製造方法を提供する。
【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】図１は、両面銅張板からなる本発明のプリ
ント配線板の断面図である。同図のプリント配線板は、
絶縁層１とその両面に配設されている導電層２ａ及び２
ｂとから基本的に構成されている。ここで、導電層２ａ
と２ｂとは、絶縁層１に設けられたバイアホールＶｈ内
のバイアホールメッキ層３を介して互いに導通してい
る。そして、バイアホールＶｈ内の絶縁層１の面１ａと
バイアホールメッキ層３との間に、硫化銅又は硫化ニッ
ケルの薄層４（以下、硫化物薄層と称する）が形成され
ている。
ント配線板の断面図である。同図のプリント配線板は、
絶縁層１とその両面に配設されている導電層２ａ及び２
ｂとから基本的に構成されている。ここで、導電層２ａ
と２ｂとは、絶縁層１に設けられたバイアホールＶｈ内
のバイアホールメッキ層３を介して互いに導通してい
る。そして、バイアホールＶｈ内の絶縁層１の面１ａと
バイアホールメッキ層３との間に、硫化銅又は硫化ニッ
ケルの薄層４（以下、硫化物薄層と称する）が形成され
ている。
【００１５】本発明において、プリント配線板に設けら
れたバイアホール用孔内に導電性を付与するためにＰｄ
Ｓに代えて硫化銅又は硫化ニッケルを使用した理由は、
硫化銅と硫化ニッケルが、孔内導電性付与処理の観点か
らＰｄＳに対して遜色のない性質を示し、しかも材料コ
ストも低く、また、後述するプリント配線板の製造方法
において説明するように、その形成も容易だからであ
る。
れたバイアホール用孔内に導電性を付与するためにＰｄ
Ｓに代えて硫化銅又は硫化ニッケルを使用した理由は、
硫化銅と硫化ニッケルが、孔内導電性付与処理の観点か
らＰｄＳに対して遜色のない性質を示し、しかも材料コ
ストも低く、また、後述するプリント配線板の製造方法
において説明するように、その形成も容易だからであ
る。
【００１６】なお、硫化物薄層４は、硫化銅又は硫化ニ
ッケルから形成されるが、その上に密着のよい電解銅メ
ッキ層を形成し易い点から硫化銅を使用することがより
好ましい。
ッケルから形成されるが、その上に密着のよい電解銅メ
ッキ層を形成し易い点から硫化銅を使用することがより
好ましい。
【００１７】本発明のプリント配線板において、硫化物
薄層４の厚さは、硫化銅又は硫化ニッケルの単分子層で
もよいが、通常、導電性の点から１００〜１００００オ
ングストロームとすることが好ましく、１０００〜５０
００オングストロームすることがより好ましい。
薄層４の厚さは、硫化銅又は硫化ニッケルの単分子層で
もよいが、通常、導電性の点から１００〜１００００オ
ングストロームとすることが好ましく、１０００〜５０
００オングストロームすることがより好ましい。
【００１８】なお、本発明のプリント配線板において、
硫化物薄層４以外の他の構成要素は、従来と同様な構成
とすることができ、例えば、絶縁層１としては、ガラス
繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを使用する
ことができる。また、導電層２ａ及び２ｂも、銅箔、ア
ルミニウム層などを使用することができる。電解メッキ
層３も、電解銅メッキ、電解ハンダメッキ、電解金メッ
キなどにより形成した層を使用することができる。
硫化物薄層４以外の他の構成要素は、従来と同様な構成
とすることができ、例えば、絶縁層１としては、ガラス
繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを使用する
ことができる。また、導電層２ａ及び２ｂも、銅箔、ア
ルミニウム層などを使用することができる。電解メッキ
層３も、電解銅メッキ、電解ハンダメッキ、電解金メッ
キなどにより形成した層を使用することができる。
【００１９】なお、図１には、両面銅張板からなるプリ
ント配線板を例示したが、本発明のプリント配線板は図
１の態様に限られず、図２示すように、絶縁層１Ａ〜１
Ｃと導電層２ａ〜２ｄとから形成され、硫化物薄層４が
バイアホールＶｈ内の絶縁層の断面とバイアホールメッ
キ層３との間に設けられている４層プリント配線板や、
それ以上の多層プリント配線板も含む。
ント配線板を例示したが、本発明のプリント配線板は図
１の態様に限られず、図２示すように、絶縁層１Ａ〜１
Ｃと導電層２ａ〜２ｄとから形成され、硫化物薄層４が
バイアホールＶｈ内の絶縁層の断面とバイアホールメッ
キ層３との間に設けられている４層プリント配線板や、
それ以上の多層プリント配線板も含む。
【００２０】また、図１及び図２のプリント配線板にお
いては、バイアホールＶｈはプリント配線板を貫通する
スルーホールとなっているが、本発明はそれに限らず、
図３に示すように、ブラインドバイアホールｂＶｈの場
合も含む。
いては、バイアホールＶｈはプリント配線板を貫通する
スルーホールとなっているが、本発明はそれに限らず、
図３に示すように、ブラインドバイアホールｂＶｈの場
合も含む。
【００２１】次に本発明のプリント配線板の製造方法を
図１のプリント配線板を例にとり、クリムソンプロセス
技術の処理工程と対応させて説明する。
図１のプリント配線板を例にとり、クリムソンプロセス
技術の処理工程と対応させて説明する。
【００２２】脱脂／コンディショニング工程 まず、絶縁層とその両面に形成された導電層とからなる
積層体を用意する。このような積層体としては、従来か
ら用いられているような両面銅張エポキシ板などを使用
することができる。
積層体を用意する。このような積層体としては、従来か
ら用いられているような両面銅張エポキシ板などを使用
することができる。
【００２３】次に、この積層体に、バイアホール用の貫
通孔をドリルなどで形成し、高圧水洗浄法などで孔内を
洗浄する。
通孔をドリルなどで形成し、高圧水洗浄法などで孔内を
洗浄する。
【００２４】洗浄された積層体を脱脂／コンディショニ
ング処理する。この処理のためには、例えば、シプレー
社のコンディショナー１１１７を使用することができ、
この場合には約８０℃のコンディショナー液に５分間浸
漬する。
ング処理する。この処理のためには、例えば、シプレー
社のコンディショナー１１１７を使用することができ、
この場合には約８０℃のコンディショナー液に５分間浸
漬する。
【００２５】銅塩又はニッケル塩水溶液処理工程及び硫
化ナトリウム水溶液処理工程 この処理の後、水洗、例えば５０℃温水洗とイオン交換
水との２段階水洗を行った後に、プリント配線板のバイ
アホール用孔内で、銅塩又はニッケル塩と硫化ナトリウ
ムとを反応させることにより、バイアホール用孔内面に
硫化銅又は硫化ニッケルの薄層（硫化物薄層）を形成す
る。ここで、銅塩又はニッケル塩と硫化ナトリウムとを
反応させる方法としては、積層体のバイアホール用孔内
に銅塩又はニッケル塩を含有する水溶液を接触させた後
に、積層体のバイアホール用孔内に硫化ナトリウム水溶
液を接触させてもよく、逆に積層体のバイアホール用孔
内に硫化ナトリウム水溶液を接触させた後に、積層体の
バイアホール用孔内に銅塩又はニッケル塩を含有する水
溶液を接触させてもよい。具体的には、銅塩又はニッケ
ル塩水溶液と硫化ナトリウム水溶液とを用意し、プリン
ト配線板をいずれか一方から順次浸漬することにより行
うことができる。
化ナトリウム水溶液処理工程 この処理の後、水洗、例えば５０℃温水洗とイオン交換
水との２段階水洗を行った後に、プリント配線板のバイ
アホール用孔内で、銅塩又はニッケル塩と硫化ナトリウ
ムとを反応させることにより、バイアホール用孔内面に
硫化銅又は硫化ニッケルの薄層（硫化物薄層）を形成す
る。ここで、銅塩又はニッケル塩と硫化ナトリウムとを
反応させる方法としては、積層体のバイアホール用孔内
に銅塩又はニッケル塩を含有する水溶液を接触させた後
に、積層体のバイアホール用孔内に硫化ナトリウム水溶
液を接触させてもよく、逆に積層体のバイアホール用孔
内に硫化ナトリウム水溶液を接触させた後に、積層体の
バイアホール用孔内に銅塩又はニッケル塩を含有する水
溶液を接触させてもよい。具体的には、銅塩又はニッケ
ル塩水溶液と硫化ナトリウム水溶液とを用意し、プリン
ト配線板をいずれか一方から順次浸漬することにより行
うことができる。
【００２６】銅塩水溶液に含ませる銅塩としては、硫酸
銅などを使用することができ、また、ニッケル塩水溶液
に含ませるニッケル塩としては、硫酸ニッケルなどを使
用することができる。それらの濃度は、生成物の均一性
等を考慮すると好ましくは１ｇ／ｌ〜１００ｇ／ｌ、よ
り好ましくは約１０ｇ／ｌとする。
銅などを使用することができ、また、ニッケル塩水溶液
に含ませるニッケル塩としては、硫酸ニッケルなどを使
用することができる。それらの濃度は、生成物の均一性
等を考慮すると好ましくは１ｇ／ｌ〜１００ｇ／ｌ、よ
り好ましくは約１０ｇ／ｌとする。
【００２７】なお、銅塩又はニッケル塩水溶液には、銅
塩又はニッケル塩の他に、ｐＨ調整剤等などの添加物を
適宜添加することができる。
塩又はニッケル塩の他に、ｐＨ調整剤等などの添加物を
適宜添加することができる。
【００２８】一方、硫化ナトリウム水溶液中の硫化ナト
リウムは生成物の均一性等を考慮すると好ましくは１〜
１００ｇ／ｌ、より好ましくは約１０ｇ／ｌとすること
が好ましい。
リウムは生成物の均一性等を考慮すると好ましくは１〜
１００ｇ／ｌ、より好ましくは約１０ｇ／ｌとすること
が好ましい。
【００２９】なお、硫化ナトリウム水溶液には、銅塩又
はニッケル塩の他に、分解抑制剤などの添加物を適宜添
加することができる。
はニッケル塩の他に、分解抑制剤などの添加物を適宜添
加することができる。
【００３０】プリント配線板の銅塩又はニッケル塩水溶
液に対する浸漬処理条件（温度、時間）は、使用する塩
の種類や水溶液の撹拌の程度などにより異なるが、好ま
しくは２０〜４０℃、より好ましくは２５〜３０℃で、
好ましくは１０秒〜１０分、より好ましくは３０秒〜１
分とする。
液に対する浸漬処理条件（温度、時間）は、使用する塩
の種類や水溶液の撹拌の程度などにより異なるが、好ま
しくは２０〜４０℃、より好ましくは２５〜３０℃で、
好ましくは１０秒〜１０分、より好ましくは３０秒〜１
分とする。
【００３１】一方、プリント配線板の硫化ナトリウム水
溶液に対する浸漬処理条件（温度、時間）は、使用する
塩の種類や水溶液の撹拌の程度などにより異なるが、生
成物の均一性の点から、好ましくは１５〜３０℃、より
好ましくは２０〜２５℃で、好ましくは１０秒〜１０
分、より好ましくは３０秒〜１分とする。
溶液に対する浸漬処理条件（温度、時間）は、使用する
塩の種類や水溶液の撹拌の程度などにより異なるが、生
成物の均一性の点から、好ましくは１５〜３０℃、より
好ましくは２０〜２５℃で、好ましくは１０秒〜１０
分、より好ましくは３０秒〜１分とする。
【００３２】ソフトエッチング工程 次に孔内に硫化物薄膜が形成されたプリント配線板を水
洗した後に導電層のソフトエッチングを行うことによ
り、導電層の表面をわずかにエッチング除去する。これ
により、導電層上に形成された硫化物薄層を導電層の表
面部分と共に除去し、併せて導電層の表面清浄化を行
う。導電層上では、硫化物層を形成しておく必要性がな
く、導電層上に直接バイアホールメッキを行う方が、導
電性、メッキ密着性等の点から好ましい。
洗した後に導電層のソフトエッチングを行うことによ
り、導電層の表面をわずかにエッチング除去する。これ
により、導電層上に形成された硫化物薄層を導電層の表
面部分と共に除去し、併せて導電層の表面清浄化を行
う。導電層上では、硫化物層を形成しておく必要性がな
く、導電層上に直接バイアホールメッキを行う方が、導
電性、メッキ密着性等の点から好ましい。
【００３３】ここでソフトエッチングの方法としては、
従来から用いられているようなソフトエッチング浴を使
用することができ、例えば、過硫酸ナトリウム水溶液、
硫酸と過酸化水素との混合液などを使用することができ
る。過硫酸ナトリウム水溶液を使用する場合、過硫酸ナ
トリウムの濃度は、好ましくは５０〜３００ｇ／ｌ、よ
り好ましくは１５０〜２５０ｇ／ｌである。その処理温
度と処理時間は適宜設定することができるが、通常は約
２５〜３０℃で３０秒〜２分程度が好ましい。
従来から用いられているようなソフトエッチング浴を使
用することができ、例えば、過硫酸ナトリウム水溶液、
硫酸と過酸化水素との混合液などを使用することができ
る。過硫酸ナトリウム水溶液を使用する場合、過硫酸ナ
トリウムの濃度は、好ましくは５０〜３００ｇ／ｌ、よ
り好ましくは１５０〜２５０ｇ／ｌである。その処理温
度と処理時間は適宜設定することができるが、通常は約
２５〜３０℃で３０秒〜２分程度が好ましい。
【００３４】バイアホールメッキ工程 次に、このようにして硫化物薄層が形成されたバイアホ
ール用の孔を有するプリント配線板を水洗し、バイアホ
ールメッキを行い絶縁層の両面の導電層を導通させる。
こうして本発明のプリント配線板が製造される。
ール用の孔を有するプリント配線板を水洗し、バイアホ
ールメッキを行い絶縁層の両面の導電層を導通させる。
こうして本発明のプリント配線板が製造される。
【００３５】なお、バイアホールメッキとしては従来か
らバイアホールメッキとして行われている方法を採用す
ることができ、例えば、硫酸銅メッキを行うことにより
バイアホールメッキ層を硫化物薄層上に好ましく形成す
ることができる。
らバイアホールメッキとして行われている方法を採用す
ることができ、例えば、硫酸銅メッキを行うことにより
バイアホールメッキ層を硫化物薄層上に好ましく形成す
ることができる。
【００３６】上述したように本発明の製造方法は、バイ
アホールメッキ工程を除いた工程数は、脱脂／コンディ
ショニング工程、硫化物水溶液処理工程、硫化ナトリウ
ム水溶液工程及びソフトエッチング工程の４工程から構
成され、従来のクリムソンプロセス技術の７工程に比べ
工程数が減少しており、また、その工程処理時間も合計
で約８分であり、従来のクリムソンプロセス技術の１９
分に比べ大きく短縮されている。従って、材料コストの
点だけでなく、製造プロセスの面からも、製造装置の簡
略化、小型化ができて低コスト化を図ることができ、ま
た、製造時間の短縮により、スループットを大きく増大
することができる。
アホールメッキ工程を除いた工程数は、脱脂／コンディ
ショニング工程、硫化物水溶液処理工程、硫化ナトリウ
ム水溶液工程及びソフトエッチング工程の４工程から構
成され、従来のクリムソンプロセス技術の７工程に比べ
工程数が減少しており、また、その工程処理時間も合計
で約８分であり、従来のクリムソンプロセス技術の１９
分に比べ大きく短縮されている。従って、材料コストの
点だけでなく、製造プロセスの面からも、製造装置の簡
略化、小型化ができて低コスト化を図ることができ、ま
た、製造時間の短縮により、スループットを大きく増大
することができる。
【００３７】
【作用】本発明においては、プリント配線板のバイアホ
ール用孔の内面に、電解メッキ法によるバイアホールメ
ッキ層の形成に先立って、導電性を有する硫化銅又は硫
化ニッケルの薄層が形成される。従って、無電解銅メッ
キを施すことなく、ダイレクトに硫化銅または硫化ニッ
ケルの薄層上にバイアホールメッキ層を形成することが
可能となる。
ール用孔の内面に、電解メッキ法によるバイアホールメ
ッキ層の形成に先立って、導電性を有する硫化銅又は硫
化ニッケルの薄層が形成される。従って、無電解銅メッ
キを施すことなく、ダイレクトに硫化銅または硫化ニッ
ケルの薄層上にバイアホールメッキ層を形成することが
可能となる。
【００３８】このような硫化銅又は硫化ニッケルの薄層
は、バイアホール用孔内で、例えば次の化学反応式
は、バイアホール用孔内で、例えば次の化学反応式
【００３９】
【化１】 ＣｕＳＯ４＋Ｎａ２Ｓ→ＣｕＳ↓＋Ｎａ２ＳＯ４ ＮｉＳＯ４＋Ｎａ２Ｓ→ＮｉＳ↓＋Ｎａ２ＳＯ４ に示すように、水溶性の銅塩又はニッケル塩と水溶液の
硫化ナトリウムとを反応させると実質的に非水溶液の硫
化物が生成し、それが孔内面に付着することにより形成
される。
硫化ナトリウムとを反応させると実質的に非水溶液の硫
化物が生成し、それが孔内面に付着することにより形成
される。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を実施例によりより詳細に説明
する。
する。
【００４１】実施例１ １．６ｍｍ厚の両面銅張積層プリント配線板（銅箔厚１
８μｍ）に、ドリルで直径０．４ｍｍのバイアホール用
の貫通孔を開孔した。この配線板を高圧水洗した後に、
脱脂／コンディショニング液（コンディショナー１１７
５、シプレー社）に８０℃で５分間浸漬した。
８μｍ）に、ドリルで直径０．４ｍｍのバイアホール用
の貫通孔を開孔した。この配線板を高圧水洗した後に、
脱脂／コンディショニング液（コンディショナー１１７
５、シプレー社）に８０℃で５分間浸漬した。
【００４２】次に、脱脂／コンディショニング液から引
き上げた配線板を５０℃の温水で洗浄し、更に室温で水
洗した後に、硫化ナトリウム水溶液（硫化ナトリウム５
０ｇ／ｌ）に室温で１分間浸漬した。そして、硫化ナト
リウム水溶液から配線板を引上げ、約３０秒水切りした
後に、硫酸銅水溶液（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ１００ｇ／
ｌ）に室温で１分間浸漬することにより、貫通孔内も含
め配線板全面にＣｕＳ薄層を形成した。
き上げた配線板を５０℃の温水で洗浄し、更に室温で水
洗した後に、硫化ナトリウム水溶液（硫化ナトリウム５
０ｇ／ｌ）に室温で１分間浸漬した。そして、硫化ナト
リウム水溶液から配線板を引上げ、約３０秒水切りした
後に、硫酸銅水溶液（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ１００ｇ／
ｌ）に室温で１分間浸漬することにより、貫通孔内も含
め配線板全面にＣｕＳ薄層を形成した。
【００４３】次に、硫酸銅水溶液から配線板を引上げ、
約３０秒水切りし、更に水洗を３回行い、過硫酸ナトリ
ウム水溶液（過硫酸ナトリウム１００ｇ／ｌ）に３０℃
で１分間浸漬することによりソフトエッチングを行い、
銅箔表面部分をエッチング除去して清浄化した。このと
き、貫通孔内の絶縁性部分にはＣｕＳ薄層が除去されず
に残っていた。
約３０秒水切りし、更に水洗を３回行い、過硫酸ナトリ
ウム水溶液（過硫酸ナトリウム１００ｇ／ｌ）に３０℃
で１分間浸漬することによりソフトエッチングを行い、
銅箔表面部分をエッチング除去して清浄化した。このと
き、貫通孔内の絶縁性部分にはＣｕＳ薄層が除去されず
に残っていた。
【００４４】ソフトエッチングの後、水洗を３回行い、
５％硫酸水溶液に１分間浸漬した後、２５℃の硫酸銅浴
（浴組成：ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ８０ｇ／ｌ、Ｈ２ＳＯ
４２５０ｇ／ｌ、Ｃｌ−８０ｐｐｍ）中で、２．０Ａ／
ｄｍ２、４０分という条件で電解銅メッキを行い、２０
μｍ厚の表面銅メッキ層が形成された。このとき、孔内
の電解銅メッキ層の厚みは１９μｍであり、効率よくバ
イアホールメッキを行うことができた。
５％硫酸水溶液に１分間浸漬した後、２５℃の硫酸銅浴
（浴組成：ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ８０ｇ／ｌ、Ｈ２ＳＯ
４２５０ｇ／ｌ、Ｃｌ−８０ｐｐｍ）中で、２．０Ａ／
ｄｍ２、４０分という条件で電解銅メッキを行い、２０
μｍ厚の表面銅メッキ層が形成された。このとき、孔内
の電解銅メッキ層の厚みは１９μｍであり、効率よくバ
イアホールメッキを行うことができた。
【００４５】得られたプリント配線板を、ハンダディッ
プ試験（２８８℃、１０秒、１回）とヒートサイクル試
験［１２５℃（３０分）←→室温（１０分）←→−６５
℃（３０分）、２００サイクル］に供したところ、メッ
キ部分にクラックの発生は見られなかった。
プ試験（２８８℃、１０秒、１回）とヒートサイクル試
験［１２５℃（３０分）←→室温（１０分）←→−６５
℃（３０分）、２００サイクル］に供したところ、メッ
キ部分にクラックの発生は見られなかった。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、プリント配線板のバイ
アホール用孔の内面に低コストで導電性を付与でき、し
かもその導電性付与するための処理工程数と処理時間と
を短縮できる。
アホール用孔の内面に低コストで導電性を付与でき、し
かもその導電性付与するための処理工程数と処理時間と
を短縮できる。
【図１】本発明のプリント配線板の断面図である。
【図２】本発明のプリント配線板の断面図である。
【図３】本発明のプリント配線板の断面図である。
１ 絶縁層 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ 導電層 ３ バイアホールメッキ層 ４ 硫化銅又は硫化ニッケルの薄層
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁層とその両面に形成された導電層と
の積層体からなり、該積層体にはバイアホール用孔とそ
の内面に形成されたバイアホールメッキ層からなるバイ
アホールが形成されているプリント配線板において、バ
イアホールメッキ層とその下地となる絶縁層との間に硫
化銅又は硫化ニッケルの薄層が形成されていることを特
徴とするプリント配線板。 - 【請求項２】 バイアホールメッキ層が電解銅メッキ層
である請求項１記載のプリント配線板。 - 【請求項３】 請求項１記載のプリント配線板の製造方
法において：絶縁層とその両面に形成された導電層とか
らなる積層体のバイアホール用孔内に、銅塩又はニッケ
ル塩と硫化ナトリウムとを反応させることにより、硫化
銅又は硫化ニッケルの薄層を形成する工程；及びバイア
ホール用の孔内に形成された硫化銅又は硫化ニッケルの
薄層上にバイアホールメッキ層を形成する工程を含んで
なることを特徴とする製造方法。 - 【請求項４】 銅塩又はニッケル塩と硫化ナトリウムと
を反応させるために、該積層体のバイアホール用孔内に
銅塩又はニッケル塩を含有する水溶液を接触させた後
に、該積層体のバイアホール用孔内に硫化ナトリウム水
溶液を接触させるか、又は該積層体のバイアホール用孔
内に硫化ナトリウム水溶液を接触させた後に、該積層体
のバイアホール用の孔内に銅塩又はニッケル塩を含有す
る水溶液を接触させる請求項３記載の製造方法。 - 【請求項５】 銅塩が硫酸銅である請求項４記載の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34672693A JPH07183659A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | プリント配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34672693A JPH07183659A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | プリント配線板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183659A true JPH07183659A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18385407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34672693A Pending JPH07183659A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | プリント配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183659A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008038663A1 (fr) * | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Procédé de fabrication d'une carte à câblage imprimé |
| CN101442886A (zh) * | 2007-11-23 | 2009-05-27 | 三星电机株式会社 | 印刷电路板及其制造方法 |
| CN102938985A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-02-20 | 无锡江南计算技术研究所 | 全板覆盖膜软硬结合板粗化沉铜方法 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP34672693A patent/JPH07183659A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008038663A1 (fr) * | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Procédé de fabrication d'une carte à câblage imprimé |
| CN101442886A (zh) * | 2007-11-23 | 2009-05-27 | 三星电机株式会社 | 印刷电路板及其制造方法 |
| CN102938985A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-02-20 | 无锡江南计算技术研究所 | 全板覆盖膜软硬结合板粗化沉铜方法 |
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