JPH0158489B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0158489B2 JPH0158489B2 JP56004859A JP485981A JPH0158489B2 JP H0158489 B2 JPH0158489 B2 JP H0158489B2 JP 56004859 A JP56004859 A JP 56004859A JP 485981 A JP485981 A JP 485981A JP H0158489 B2 JPH0158489 B2 JP H0158489B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- nickel plating
- electroless nickel
- manufacturing
- crystal panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017398 Au—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
- H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネルと表示駆動回路基板部との
接続法に関するものである。特に本発明は、大容
量表示液晶パネルの端子部に金属メツキを行な
い、この部分にハンダ付けによつて液晶パネルと
表示駆動回路基板部と信頼性の高い接続ができる
ことを特徴とするものである。
接続法に関するものである。特に本発明は、大容
量表示液晶パネルの端子部に金属メツキを行な
い、この部分にハンダ付けによつて液晶パネルと
表示駆動回路基板部と信頼性の高い接続ができる
ことを特徴とするものである。
従来、液晶パネルと表示駆動回路基板との接続
は、第1図から第4図に示すように、ソーダガラ
ス又はホウケイ酸ガラス1にパターン形成した透
明導電膜2の上にCr−Au又はCr−Au−Niなど
真空蒸着法、スパツタ法、ビーム法等により金属
膜3を積層被覆し、表示駆動回路基板との接続
は、リードゴム4又は金属ピン5、コネクター
6、クリツプ7法によつて、第5図は導電性接着
剤8により回路基板9に付いている表示駆動回路
10と接続していた。これらの方式は、比較的容
易に接続できる半面、特に大容量表示パネルにな
ると端子数が多くなり、かつ、間隙が小さくな
る。したがつて、接続が難かしく、また、接続の
信頼性がとぼしくなる大きな欠点があつた。
は、第1図から第4図に示すように、ソーダガラ
ス又はホウケイ酸ガラス1にパターン形成した透
明導電膜2の上にCr−Au又はCr−Au−Niなど
真空蒸着法、スパツタ法、ビーム法等により金属
膜3を積層被覆し、表示駆動回路基板との接続
は、リードゴム4又は金属ピン5、コネクター
6、クリツプ7法によつて、第5図は導電性接着
剤8により回路基板9に付いている表示駆動回路
10と接続していた。これらの方式は、比較的容
易に接続できる半面、特に大容量表示パネルにな
ると端子数が多くなり、かつ、間隙が小さくな
る。したがつて、接続が難かしく、また、接続の
信頼性がとぼしくなる大きな欠点があつた。
一方、製造上では一般には、基板上に形成した
透明導電膜上に前記したCr−Au又はCr−Au−
Niなど真空蒸着法、スパツタ法ビーム法等によ
つて金属膜を被覆し、フオトエツチング法により
端子透明電導膜上に金属膜を形成していた。これ
らの方法は、バツチ処理のため多量生産には向か
ず、Auを使うため材料費も高価なので製造コス
トに大きな負荷となつていた。
透明導電膜上に前記したCr−Au又はCr−Au−
Niなど真空蒸着法、スパツタ法ビーム法等によ
つて金属膜を被覆し、フオトエツチング法により
端子透明電導膜上に金属膜を形成していた。これ
らの方法は、バツチ処理のため多量生産には向か
ず、Auを使うため材料費も高価なので製造コス
トに大きな負荷となつていた。
本発明は、かかる欠点を解決する方法に関する
ものであり、特にAu蒸着を変更しニツケル−リ
ン系の無電解ニツケルメツキにより金属被覆を形
成してハンダ付け下地を作ることを特徴とするも
のである。
ものであり、特にAu蒸着を変更しニツケル−リ
ン系の無電解ニツケルメツキにより金属被覆を形
成してハンダ付け下地を作ることを特徴とするも
のである。
この方法により、製造工数、製造時間、製造工
程の容易性等によりコスト低減と製造能力の向上
およびハンダ付けの品質、信頼性の向上にすぐれ
た効果を発揮するものである。
程の容易性等によりコスト低減と製造能力の向上
およびハンダ付けの品質、信頼性の向上にすぐれ
た効果を発揮するものである。
本発明にかゝる液晶パネル端子部の無電解ニツ
ケルメツキは、次亜リン酸塩によるNi−P系浴
が適しているが、好ましくは低リン系浴がすぐれ
ている。この無電解ニツケルメツキは基板上の透
明導電膜との密着性がよく、ハンダ付け性、電導
性などの特性がすぐれよい結果を得ることができ
た。
ケルメツキは、次亜リン酸塩によるNi−P系浴
が適しているが、好ましくは低リン系浴がすぐれ
ている。この無電解ニツケルメツキは基板上の透
明導電膜との密着性がよく、ハンダ付け性、電導
性などの特性がすぐれよい結果を得ることができ
た。
本発明による無電解ニツケルメツキの厚みは
2000Å以上あればよいが、好ましくは5000Å以上
あつた方がよい結果を得ることができる。また透
明導電膜との密着性を向上させるためメツキ後大
気中において100℃〜250℃、N2雰囲気中で100℃
〜300℃の範囲で30分〜60分間熱処理を行うこと
によつてメツキと透明導電膜との密着性が著しく
向上し、真空蒸着等による密着強度とは、何ら損
色ない優れた効果のあることがわかつた。また前
記熱処理温度範囲は、無電解ニケルルメツキ面へ
のハンダ付け性がすぐれた条件として選定された
範囲である。
2000Å以上あればよいが、好ましくは5000Å以上
あつた方がよい結果を得ることができる。また透
明導電膜との密着性を向上させるためメツキ後大
気中において100℃〜250℃、N2雰囲気中で100℃
〜300℃の範囲で30分〜60分間熱処理を行うこと
によつてメツキと透明導電膜との密着性が著しく
向上し、真空蒸着等による密着強度とは、何ら損
色ない優れた効果のあることがわかつた。また前
記熱処理温度範囲は、無電解ニケルルメツキ面へ
のハンダ付け性がすぐれた条件として選定された
範囲である。
なお、本発明による液晶パネル端子部上の無電
解ニツケルメツキは、Cu、Ag、Snなどの無電解
メツキに置き替えることもできる。
解ニツケルメツキは、Cu、Ag、Snなどの無電解
メツキに置き替えることもできる。
以下本発明の実施例をさらに詳細に説明する。
実施例 1(第6図参照)
ソーダガラス又はホウケイ酸ガラス上にパター
ンを形成した透明導電膜1のついた基板2を前処
理としてアルカリ洗浄し、次に60℃クロム酸と硫
酸混液中で1Hr表面を清浄する。その後SnCl21
g/−HCl1c.c./液に2分間浸漬し感受性処
理をした後、レツドシユーマー(日本カニゼン)
にて2分間活性化処理を行なつた。このとき感受
性処理−活性化処理工程を再度繰り返し処理した
のち熱風にて基板2を乾燥した。この乾燥工程は
メツキ面の曇りを除去するためである。次に無電
解ニツケルメツキ液シユーマーS680(日本カニゼ
ン)の60℃浴中に浸漬5000Å〜6000Åに厚みのニ
ツケルメツキ(全面メツキ)を被覆した。
ンを形成した透明導電膜1のついた基板2を前処
理としてアルカリ洗浄し、次に60℃クロム酸と硫
酸混液中で1Hr表面を清浄する。その後SnCl21
g/−HCl1c.c./液に2分間浸漬し感受性処
理をした後、レツドシユーマー(日本カニゼン)
にて2分間活性化処理を行なつた。このとき感受
性処理−活性化処理工程を再度繰り返し処理した
のち熱風にて基板2を乾燥した。この乾燥工程は
メツキ面の曇りを除去するためである。次に無電
解ニツケルメツキ液シユーマーS680(日本カニゼ
ン)の60℃浴中に浸漬5000Å〜6000Åに厚みのニ
ツケルメツキ(全面メツキ)を被覆した。
次に被覆したニツケルメツキをフオトエツチン
グ法により、基板2上にパターニングした透明導
電膜1の端子部のみにニツケルメツキ3を残し
た。
グ法により、基板2上にパターニングした透明導
電膜1の端子部のみにニツケルメツキ3を残し
た。
この基板2を大気中において250℃、1時間熱
処理し密着強度の向上を計つた。次にこの基板2
に配向処理−ラビング処理−エポキシ系接着剤4
を用い基板間隙8μに保つた液晶パネルセルを組
み立て液晶5を真空封入−密封して液晶パネルを
作つた。さらに、端子部にハンダフラツクスを塗
布し、塗布した端子部をハンダバスに浸漬しハン
ダ6盛りを行なつた。次に表示駆動回路基板7の
回路部8を液晶表示パネル端子部に重ね合わせハ
ンダ付け機により圧着ハンダ付けを行なつた。
処理し密着強度の向上を計つた。次にこの基板2
に配向処理−ラビング処理−エポキシ系接着剤4
を用い基板間隙8μに保つた液晶パネルセルを組
み立て液晶5を真空封入−密封して液晶パネルを
作つた。さらに、端子部にハンダフラツクスを塗
布し、塗布した端子部をハンダバスに浸漬しハン
ダ6盛りを行なつた。次に表示駆動回路基板7の
回路部8を液晶表示パネル端子部に重ね合わせハ
ンダ付け機により圧着ハンダ付けを行なつた。
この方法によつて、従来の製造法より優れた品
質のものができた。かつ製造工程が容易となり、
製造時間の短縮、工数の低減が計られたトータル
コストの低減と品質信頼性の高い接続ができた。
質のものができた。かつ製造工程が容易となり、
製造時間の短縮、工数の低減が計られたトータル
コストの低減と品質信頼性の高い接続ができた。
実施例 2(第6図参照)
実施例1と同様な基板2に、前処理としてアル
カリ洗浄し、次に40℃の硝酸1N液に0.4wt%の弗
化アンモニウム混液中に2分間浸漬面の清浄をし
たのち、HS−101B増感液(日立化成工業)で5
分間以上、ADP−201密着促進剤(日立化成工
業)で5分間各々処理したのち、無電解ニツケル
メツキ液シユーマーS680(日本カニゼン)の60℃
浴中において5000Å〜6000Åの厚みのニツケルメ
ツキ(透明導電膜上のみメツキされる)を被覆し
た。
カリ洗浄し、次に40℃の硝酸1N液に0.4wt%の弗
化アンモニウム混液中に2分間浸漬面の清浄をし
たのち、HS−101B増感液(日立化成工業)で5
分間以上、ADP−201密着促進剤(日立化成工
業)で5分間各々処理したのち、無電解ニツケル
メツキ液シユーマーS680(日本カニゼン)の60℃
浴中において5000Å〜6000Åの厚みのニツケルメ
ツキ(透明導電膜上のみメツキされる)を被覆し
た。
以後の製造工程は、実施例1と同様である。
比較例(第7図参照)
ここで、Ni−P系の無電解ニツケルメツキと
Ni−B系の無電解ニツケルメツキとの密着強度
の比較を行つた結果を第7図に示す。なお、密着
強度はピーリング試験による結果である。
Ni−B系の無電解ニツケルメツキとの密着強度
の比較を行つた結果を第7図に示す。なお、密着
強度はピーリング試験による結果である。
同図から明らかなように、Ni−P系はNi−B
系に比べて格段に優れるものであつた。
系に比べて格段に優れるものであつた。
本発明の製造方法によれば、特にニツケル−リ
ン系の無電解ニツケルメキを用いたので、基板上
に形成された透明導電膜との密着性に優れてお
り、さらに導電部材との接合度、例えばハンダ付
け性や電導性などの特性も優れている。また金属
被膜を大気中およびまたは窒素雰囲気中で加熱処
理したので、透明導電膜との密着性が著しく向上
し、真空蒸着等による場合と同等の密着強度が得
られる。
ン系の無電解ニツケルメキを用いたので、基板上
に形成された透明導電膜との密着性に優れてお
り、さらに導電部材との接合度、例えばハンダ付
け性や電導性などの特性も優れている。また金属
被膜を大気中およびまたは窒素雰囲気中で加熱処
理したので、透明導電膜との密着性が著しく向上
し、真空蒸着等による場合と同等の密着強度が得
られる。
本発明は、液晶パネルについて述べたが、小型
LCD、EL、EC等の表示装置に応用できる。
LCD、EL、EC等の表示装置に応用できる。
第1図〜第5図は従来の接続法の断面図。第6
図は、本発明による液晶表示パネル端子と駆動回
路部との接続法の断面図。第7図は、Ni−P系
とNi−B系の無電解ニツケルメツキにおける密
着強度を示す図。
図は、本発明による液晶表示パネル端子と駆動回
路部との接続法の断面図。第7図は、Ni−P系
とNi−B系の無電解ニツケルメツキにおける密
着強度を示す図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (a) 基板上に形成された透明導電膜からなる
端子部上にニツケル−リン系の無電解ニツケル
メツキにより金属被膜を形成する工程と、 (b) 該金属被膜を大気中およびまたは窒素雰囲気
中で加熱処理する工程と、 (c) 該金属被膜と回路基板の端子部とを導電部材
で接合する工程とを少くとも具備することを特
徴とする液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP485981A JPS57119325A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Connecting method of liquid crystal display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP485981A JPS57119325A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Connecting method of liquid crystal display panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57119325A JPS57119325A (en) | 1982-07-24 |
JPH0158489B2 true JPH0158489B2 (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=11595395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP485981A Granted JPS57119325A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Connecting method of liquid crystal display panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57119325A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0453674Y2 (ja) * | 1985-02-06 | 1992-12-16 | ||
JPH05119367A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-18 | Asahi Optical Co Ltd | ズームレンズ鏡筒の絞機構 |
JP2007052192A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Fujinon Corp | 絞り機構 |
CN110634593B (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-25 | 合肥微晶材料科技有限公司 | 一种具有低方阻及优异耐弯折性能的纳米银线柔性透明导电膜及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5050946A (ja) * | 1973-09-03 | 1975-05-07 | ||
JPS53139999A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-06 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal panel |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4980686U (ja) * | 1972-10-31 | 1974-07-12 |
-
1981
- 1981-01-16 JP JP485981A patent/JPS57119325A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5050946A (ja) * | 1973-09-03 | 1975-05-07 | ||
JPS53139999A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-06 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57119325A (en) | 1982-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6227393A (ja) | セラミツク基材に銅膜を形成する方法 | |
US4666078A (en) | Electroless plated terminals of display panel | |
US5384154A (en) | Method of selectively providing a pattern of a material other than glass on a glass substrate by electroless metallization | |
JPH0372713B2 (ja) | ||
US4824693A (en) | Method for depositing a solderable metal layer by an electroless method | |
JPH0158489B2 (ja) | ||
JP2990955B2 (ja) | 銅メタライズ法 | |
US4495253A (en) | Solderable plated plastic components and process for plating _ | |
WO1984004762A1 (en) | Solderable plated plastic components | |
JPH0470613B2 (ja) | ||
JPH0447923B2 (ja) | ||
JPS6056073A (ja) | セラミツク基板への部分厚付け金被覆方法 | |
JPS60245781A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
JPS60245782A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
JPS6032340B2 (ja) | 磁器コンデンサの製造方法 | |
JP2003147573A (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
JPS58161759A (ja) | アルミニウム基板のめつき方法 | |
JPH0585637B2 (ja) | ||
KR100352229B1 (ko) | 접착제를 이용한 하이브리드 ic용 기판 제조 방법 | |
JPH01304427A (ja) | 端子形成方法 | |
KR100373315B1 (ko) | 전도성 폴리머를 이용한 하이브리드 ic 기판 제조 방법 | |
JPH0437967B2 (ja) | ||
JPS62254381A (ja) | 接触子の製造方法 | |
JP2914019B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH01169811A (ja) | 電極構造 |