JPH01304427A - 端子形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、例えば液晶パネルとかエレクトロクロミッ
クパネル等の表示パネルに用いられる透明導電膜パター
ン上に選択的に無電解めっきを施し端子を形成する端子
形成方法に関し、特にその選択めっき方法に関するもの
である。

［従来の技術］ ここでは表示パネルの端子形成方法について説明する。

一般的な表示パネルである液晶パネルにおいては、その
表示に反射光あるいは透過光を利用するために、液晶セ
ルを構成する基板の少なくとも一方に透明絶縁基板が用
いられており、この透明絶縁基板上に形成した同様に透
明な導電膜パターンと、その対向電極間への電界印加に
より液晶配向を変化させて、一つの画素毎に選択的に光
の透過あるいは遮蔽をなし、これによって所期の表示機
能を得るようにしている。

しかしてこのような液晶パネルにあって、一つの画素毎
に複数の外部端子をもつ液晶セルと、その駆動回路基板
との電気的接続方法としては、導電層と絶縁層とを交互
に形成した導電性エラストマによる圧縮接続とか、ある
いは各外部端子にメタライズしてリードビンを介した間
接的、もしくは直接的な半田接続がなされるが、特に液
晶セルと駆動回路基板との接続端子の幅およびピッチが
５００μｍ以下の微細パターンの場合には、前者の導電
性エラストマによる接続方法では、接触面積が小さいた
めに圧接による電気的接続抵抗の増加とともに、複数の
各端子に−様な圧接力を与えることが困難で接続信頼性
の低下を招くことから、通常は後者の半田接続方法を採
用している。

そしてこの半田接続のためには、前記したように各ｉα
品セルの外部端子となる部分に選択的にメタライズを施
す必要があり、これには蒸着、スパッタ、導電ペースト
印刷、めっきなどの方法がある。しかし蒸着、スパッタ
方法では、そのメタライズ膜厚が薄いと半［■付けの際
の金属拡散により接合強度が著しく低下し、かつ膜厚を
１μｍ程度まで厚くするのには長時間かかるという問題
点を生じ、また同時にバッチ処理となるために量産性に
欠け、しかも高価な装置を用いなければならない不利が
あり、さらに導電ペースト印刷による方法では、半田付
は可能なペーストの選択の必要性、および還元界ＵＭ気
での前焼成などのペーストの硬化条件に大きな制約を受
けるもので、これらのことからめっきによるメタライズ
方法が最適である。

そしてまたこのめっき方）去ζこも、電気めっきと無電
解めっきとがあるが、絶縁基板上にそれぞれに分離した
形状でバターニングする高抵抗の透明導電膜のめっき方
法としては、後者の無電解めっき方法が最も効果的であ
る。

従来の無電解めっき方法は、例えば特開昭６１−１０７
２２０号公報に示されるように被めっき物を脱脂、酸洗
いした後に、塩化錫を主成分とする増感液に浸漬させ、
ついで塩化パラジウムを主成分とする活性化液に浸漬し
て水洗いし、その後、無電解ニッケルあるいは無電解銅
めっきがなされるのである。しかし一方、このような一
連の工程をガラス絶縁基板上にバターニングされた透明
導電膜上へのメタライズ方法として適用すると、活性化
液への浸ｉｔｔ後の水洗いの程度によっては、そのめっ
き自体が目的とする透明導電膜上だけてなく、本来めっ
きが不要であるところのカラス面上に対しても析出され
、選択的なめっきをなし得ないという不具合を生じるも
のであった。

第４図および第５図の斜視図にこのような不具合の状態
を示す。すなわぢ、これらの各図において、（１）はガ
ラス絶縁基板、（２）はこのガラス絶縁基板（１）上に
バターニングした透明導電膜、（３）は半田接続のため
の外部端子部、（４）は液晶画素と端子部とを結ぶ引出
し線である。

ここで前記外部端子部（３）以外をマスク（５）で覆っ
て無電解めっきを行った場合、活性化液への浸漬後の水
洗いを激しくしたところ、第４図に見られるようにメタ
ライズを必要とするこの外部端子分（３）にめっき不析
出部分（６）を生じた。また反対にこの水洗いをゆるく
したところ、第５図に見られるように、この外部端子部
（３）へのめつき析出は達成されたが、めっき析出の不
要部分であるガラス面上にもめっき析出部（７）を生じ
た。

［発明が解決しようとする課題］ すなわち、以上述べたようにガラス面上の透明導電膜へ
の無電解めつきては、活性化液への浸漬後のパラジウム
の吸着力は極めて弱く、その水洗条件を調整することで
、外部端子部の必要部分のみに選択的にめっきを行うこ
とは頗る困難であるという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、例えば従来の高価で資源希少なパラジウムの
活性化処理を行わずに、表示パネルの外部端子となる透
明導電膜上への選択的なめっき皮膜の形成を確実に簡便
になし得る端子形成方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明の端子形成方法は、絶縁基板上に形成される透
明導電膜パターン上に選択的に無電解めっきを施し端子
を形成するものにおいて、−上記透明導電膜パターンに
上記無電解めっきで析出させる金属より還元電位が卑な
金属を接触させ、上記卑金属を透明絶縁膜で被覆し、上
記卑金属と透明絶縁膜を額縁状に除去し、上記透明導電
膜を露出した状態で上記無電解めっき液に浸漬して上記
透明導電膜の露出部にめっき皮膜を形成するようにした
ものである。

［作用］ この発明においては、透明導電膜を露出した状態で１記
無電解めっき液に浸）口して、卑金属側面と透明導電膜
をめっき液に同時に接触させることにより、まず卑金属
が無電解めっき液中に溶は出し、卑金属内に生じた電子
が卑金属内及び透明導電膜内に拡散して等電位となるた
め、透明導電膜の露出部にめっきが析出する。高価で資
源希少なパラジウムの活性化処理を行ねなす、卑金属を
用いており安定供給を受けられる。

［実施例］ 以下、この発明の端子形成方法に係わる透明導電膜上へ
のめつき方法の一実施例について、第１図、第２図及び
第３図を参照して詳細に説明する。

第１図はこの発明の一実施例により得られた液晶パネル
端子を示す上面図、第２図は第１図のｎ−■線における
断面図、第３図は第１図の■−■線におけろ断面図であ
る。図において、（１１）は絶縁基板で、この場合はソ
ーダガラス基板、（１２）はこのガラス基板（１【）上
にバターニングされているところの例えば酸化インジウ
ムに酸化錫をドーピングさせた複数の透明導電膜、（１
３）はこの透明導電膜（１２）に額縁状に接触させた、
還元電位が無電解めっきで析出させる金属、この場合は
ニッケルよりも卑な金属膜で、この場合はアルミニウム
膜、（１４）は卑金属膜（１３）及びガラス基板（１１
）上に形成された透明路は膜で、この場合はＳｉＮ膜、
（１Ｇ）は対向電極を有する対向基板で、この場合はソ
ーダガラス基板、（１５）は両ガラス基板（１１）及び
（ＩＧ）を接合する接着シール剤である。

すなわち、この実施例においては、無電解めっきに先だ
って、まずガラス基板（１１）上に蒸着、スパッタ等で
透明導電膜（１２）のベタ膜を形成し、写真製版技術で
図に示すごとくパッド状にバターニングする。ざらにそ
の透明導電膜（１２）上に同様に蒸着、スパッタ等でア
ルミニウム膜（１３）、透明絶縁膜のＳｉＮ膜（１４）
の順てベタ膜を連続蒸着し、ＳｉＮ膜（１４）、アルミ
ニウム膜（１３）の順に写真製版技術によりｎ縁状にバ
ターニングした後、シール剤（１５）により対向基板（
１６）とガラス基板（１１）とを接合させ、パネルを作
製する。このパネルを、まずアルカリ脱脂液（ｌ素地用
、メルテツクス社製エンボンドＮＳ−３５）に６５℃、
５分浸漬し、透明導電膜（＋２）、、ｔ：、を清浄化す
るとともに濡れ性を向上させろ。水洗後、１％塩酸に室
温で４〜５秒浸漬して酸による中和を行う。再び水洗後
、無電解二・ンケ′ルめつきｉ夜（日本カニゼン社製、
Ｓ−７９０）に９０℃で浸漬すると、アルミニウム膜（
１３）の側面と透明導電膜（１２）が同時にめっき液と
接触し、ＡＱ　−＋ＡＱ　３°＋３ｃとなってめっき液
中に溶出、アルミニウム膜（１３）内に生じた電子は、
アルミニウム膜（１３）内及び透明導電膜（１２）内に
も拡散して　両者が等電位となり、水素発生とともにニ
ッケル皮膜の析出が見られた。このようにして　透明導
電膜（１２）上に６０００〜８０００人厚さのニッケル
皮膜を選択的に形成でき、熱処理なしで１ｋｇ／ｌＴｌ
１１２以上の密着強度が得られた。

すなわち、このように処理することによって、目的とす
る透明導電膜上にのみ選択的にめっきでき、このように
して形成した液晶セルとの半田接続においては、全端子
に亘って熱拡散による半田付は不良も発生せず、良好か
つ効果的な結果が得られた。

この発明によれば、従来の高価で資源希少なパラジウム
等の活性化処理をなくしたので、めっきプロセスの簡略
化、及びコスト削減が可能になるだけでなく、端子間ス
ペースの材質を問わず、選択的な３Ｉ！！、電解めっき
を確実に行うことができ、結果的に例えは微細パターン
の複数の外部端子をもつ大型液晶セルの半田付けを効果
的に達成し得るものである。また、この端子の構成皮膜
は、液晶表示パネル、特に薄膜トランジスタ等の非線形
素子を有する１α品表示パネルの製造上必要不可欠のも
のであり、新たに端子形成のためのみに設けられるもの
でないため、それによるコストの発生もない。

なお、上記実施例においては、透明絶縁基板にソーダガ
ラスを用いたが、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスなどの
硬質ガラスとか、あるいはポリエステル、ポリエーテル
サルフオン、酢酸セルロースなどの有■フィルムで可撓
性のあるものであってもよい。また、透明導電膜として
は、酸化インジューム系のほかにａ（ヒ錫系のもの、Ｉ
ＴＯｌＳ　ＩＩ　０２、ＺｎＯ等の薄膜でもよい。さら
に透明絶縁膜としては、５ｉＮ）１世に、５１０２、Ａ
Ｑ２１）ａ、５ｉＯＮ　等（７）ａＨであってもよい。

そｌノでまた上記実施例では、無電解めっきとしてニッ
ケル皮膜を析出させたが、ニッケルーホウ素、ニッケル
ーリンあるいはニッケルーリン合金、または無電解鋼め
っきであってもよいが、密着性の点からは無電解ニッケ
ルめっき、特にニッケルーリンめっきが望ましい。

さらに、無電解めっきで析出させる金属より還元電位が
卑な金属としては、アルミニウムの他に、インジウム、
亜鉛等の金属でもよく、同様の効果を奏する。

［発明の効果コ 以上のように、この発明によれば、絶縁基板上に形成さ
れる透明導電膜パターン上に選択的に無電解めっきを施
し端子を形成するものにおいて、上記透明導電膜パター
ンに上記無電解めっきで析出させる金属より卑な金属を
接触させ、上記卑金属を透明絶縁膜で被覆し、上記卑金
属と透明絶縁膜を額縁状に除去し、上記透明導電膜を露
出した状態で上記１！！電解めっき；αに浸漬して上記
透明導電膜の露出部にめっき皮膜を形成するようにした
ので、例えば従来の高価で資源希少なパラジウムの活性
化処理を行わずに、表示パネルの外部端子となる透明導
電膜上に選択的にめっき皮膜を形成、端子形成を確実に
簡便になし得る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例により得られた液晶表示パ
ネルを示す上面図、第２図は第１図の■−ｎ線における
断面図、第３図は第１図の［１ｌ−ＩＩＩ線における断
面図、第４区および第５図は従来法により得られた端子
部を示す斜視図である。 図において、（１１）は絶縁基板、（１２）は無電解め
っきて析出する金属より卑な金属、（１３）は透明導電
膜、（１４）は透明絶縁膜である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁基板上に形成される透明導電膜パターン上に選択的
   に無電解めっきを施し端子を形成するものにおいて、上
   記透明導電膜パターンに上記無電解めっきで析出させる
   金属より卑な金属を接触させ、上記卑金属を透明絶縁膜
   で被覆し、上記卑金属と透明絶縁膜を額縁状に除去し、
   上記透明導電膜を露出した状態で上記無電解めっき液に
   浸漬して上記透明導電膜の露出部にめっき皮膜を形成す
   るようにしたことを特徴とする端子形成方法。