JPH04250492A - 表示パネルの外部接続端子の組み込み方法 - Google Patents

表示パネルの外部接続端子の組み込み方法

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JPH04250492A
JPH04250492A JP127991A JP127991A JPH04250492A JP H04250492 A JPH04250492 A JP H04250492A JP 127991 A JP127991 A JP 127991A JP 127991 A JP127991 A JP 127991A JP H04250492 A JPH04250492 A JP H04250492A
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JP
Japan
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film
display panel
insulating substrate
display
connection terminal
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JP127991A
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English (en)
Inventor
Tomoyuki Kawashima
河島 朋之
Harutaka Taniguchi
谷口 春隆
Toshiaki Kato
利明 加藤
Hisato Kato
久人 加藤
Kazuyoshi Shibata
一喜 柴田
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は表示パネルとくにエレク
トロルミネッセンス (以下ELという) 表示パネル
のパネル面内にマトリックス配列される画素の表示駆動
用の外部接続端子を絶縁基板の周縁部に並べて組み込む
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】上述のEL方式等の表示パネルは、周知
のようにOA機器やパーソナルコンピュータの表示装置
に適する小形軽量なフラットパネル構造のもので、可変
画像の表示用にその面内にマトリックス配列された多数
個の画素を備え、これらの画素の表示駆動用に走査線や
表示データ線が縦横各方向にそれぞれ数百個ずつ細かな
ピッチで設けられており、表示パネルのガラス等の方形
の絶縁基板の周縁部分に配設される端子を介して接続さ
れた外部回路により駆動される。本発明はかかる外部回
路との接続のための端子を表示パネルに組み込む方法に
関する。
【0003】さて、表示パネルはふつうガラスの絶縁基
板の上に作り込まれるが、この絶縁基板に接する上述の
走査線または表示データ線には画素に対する電極膜と共
用に酸化錫やITO(インジウム錫酸化物)等からなる
透明な導電性膜が用いられ、かつこの導電性膜の絶縁基
板との密着性が金属膜の場合よりも良好なので、従来か
ら外部回路との接続端子はこの導電性膜の上にまたはこ
れを利用してその上に金属膜を被覆することにより形成
される。以下、この接続端子を組み込む要領を図5を参
照しながら簡単に説明する。
【0004】図5(a) に示すように、ガラス等の絶
縁基板1の表面にITO等の薄い膜厚の導電性膜2を被
着して、フォトエッチング工程でパターンニングするこ
とにより例えば表示データ線用に数百個の透明電極膜1
1がそれぞれ図の前後方向に延びるストライプ状パター
ンで例えば 0.3mm程度の狭い配列ピッチで形成さ
れる。表示データ線に対する接続端子はこの透明電極膜
11のストライプ状パターンの端部上に設けられるが、
表示データ線と直交する走査線用にも接続端子がもちろ
ん必要なので、導電性膜2をパターンニングする際にそ
れ用の下地膜21を同時に図示のように絶縁基板1の周
縁部に形成して置く。次に、フォトレジスト膜40を全
面に塗布した上でフォトプロセスによって絶縁基板1の
接続端子を並べて配設すべき周縁部のみを露出させるパ
ターンに形成した後に、接続端子用の金属膜22を被覆
して図5(a) に示す状態とする。
【0005】この金属膜22用の金属には接続端子をは
んだ付け接続する場合例えばニッケルがよく、これを無
電解めっき法により被覆するのが有利である。無電解め
っき法によれば金属膜22は導電性膜3からなる下地膜
21と樹脂からなるフォトレジスト膜40の上に被覆さ
れるが、下地膜21の相互間の絶縁基板1の露出面には
被覆されない。従って、フォトレジスト膜40を例えば
剥離液を用いてその上の金属膜22とともに除去すれば
、金属膜22が下地膜21の上にのみ残り、図5(b)
 に示すように下地膜21を金属膜22で覆った接続端
子20を形成できる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来方法によれ
ば、無電解めっき法を利用することにより絶縁基板1の
周縁部では金属膜22を下地膜21の上にのみ被覆し、
絶縁基板1の中央部ではいわゆるリフトオフ法を利用す
ることにより不要な金属膜22をフォトレジスト膜40
とともに除去できる利点が得られるが、実際にはフォト
レジスト40を除去する作業にかなり手間が掛かり、か
つ完全な除去が困難な問題がある。
【0007】これは、フォトレジスト膜40が金属膜2
2で被覆されているのでそれを破った上で剥離液中に長
時間浸漬して置いても、フォトレジスト膜10への剥離
液の浸透がなお不充分で剥がれ難いためであって、実際
の剥離作業では絶縁基板1の表面をブラシ等で擦ってフ
ォトレジスト膜40とその上の金属膜22を除去する必
要があるので手間が掛かり、しかも図6の部分拡大図に
示したように絶縁基板1の表面の透明導電性膜11によ
る凹凸部にフォトレジスト膜40が所々で強固に付着し
ているので完全な除去が非常に困難である。また、これ
を取り切るために絶縁基板1の表面をあまり強く擦ると
、肝心の下地膜11上の金属膜22までが図のように端
の方から剥離して来ることにもなり兼ねない。
【0008】本発明は、金属膜を導電性膜上に選択的に
被覆できる無電解めっき法の利点を生かしながら上述の
問題を解決して、表示パネルの量産に際し手間を掛ける
ことなく容易に接続端子を組み込めるようにすることを
目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、表示パネルの画素の表示駆動電極用の導電性膜を絶
縁基板に接して配設する際に絶縁基板の周縁部の接続端
子を配設すべき個所にこの導電性膜からなる下地膜をそ
れぞれ形成して置き、絶縁基板の中央部を表示パネルを
構成する無機絶縁膜により覆った後にこの無機絶縁膜の
外側に露出する下地膜の上に無電解めっき法により接続
端子用の金属膜を選択的に被覆することにより達成され
る。
【0010】なお、表示パネルがEL表示パネルである
場合は、上記構成中の無機絶縁膜としてEL発光膜に接
する絶縁膜を利用するのが有利で、この絶縁膜としては
窒化シリコン, 酸化シリコン, アルミナおよび酸化
タンタルのいずれかを用いるのがよい。さらに、EL表
示パネルに限らずこの無機絶縁膜として表示パネルの表
示部分を絶縁基板とは反対の裏面側から覆う保護膜を利
用することができる。接続端子がはんだ付け接続用の場
合は、下地膜を被覆する金属膜の材料にニッケル,銅,
 錫, 金および銀とその合金の内の少なくとも一種を
用いるのがよい。
【0011】
【作用】本発明は、無電解めっきには絶縁基板のガラス
等に対すると同様にそれによる金属膜が無機絶縁膜上に
は被覆されない性質があることに着目し、かつこの無機
絶縁膜として表示パネルを構成する積層膜中の絶縁膜を
利用することによって、表示パネルの量産工程内におい
て導電性膜からなる下地膜の上にのみ接続端子用の金属
膜を選択的に被覆することに成功したものである。
【0012】すなわち本発明方法では、表示パネルの絶
縁基板の周縁部の接続端子を設けるべき個所に従来と同
様に導電性膜からなる下地膜を形成して置き、表示パネ
ルを構成する積層構造中の無機絶縁膜により絶縁基板の
中央部を覆った後に、無電解めっき法によりその外側に
露出する下地膜の上に接続端子用の金属膜を選択的に被
覆することにより前述の課題が解決される。
【0013】
【実施例】以下、図を参照して本発明方法の実施例を説
明する。図1は本発明による接続端子の組み込み方法の
実施例を関連する主な工程ごとの状態の表示パネルの断
面により示すもので、図2にその完成状態が上面図で示
されており、図1は図2のX−X矢視断面に相当する。 また、図3と図4には本発明方法のそれぞれ異なる実施
例の無電解めっき時の状態が断面図で示されている。な
お、これらの実施例では表示パネルはEL表示パネルと
するが、本発明はもちろんこれに限らず表示パネル全般
に適用可能である。これらの図中の前に説明した図5と
同じ部分には同じ符号が付されている。
【0014】図1(a) は、絶縁基板1上に被着した
導電性膜2をパターンニングして各画素表示用の透明電
極膜11を形成すると同時に接続端子用に下地膜21を
形成した状態を示す。例えばITOの導電性膜2はスパ
ッタ法等によりふつう 0.2μm程度の膜厚に成膜さ
れ、そのフォトエッチングにより形成される透明電極膜
11は例えば各 0.2mm幅の 0.3mmのピッチ
で数百個並べて配列される。 図2に示すようにこの透明電極膜11用の接続端子20
は絶縁基板1の図では上下の2辺に振り分けて配設され
るので、それ用の下地膜21は透明電極膜11と連続し
てかつ上述の2倍の幅とピッチで絶縁基板の上下の周縁
部に配列される。図2の絶縁基板1の左右の2辺に振り
分けて配設される接続端子20は透明電極膜11と直交
する方向に配列される裏面電極膜15用で、それ用の図
1(a)の下地膜21は上と同じ幅とピッチでただし透
明電極膜11とは独立に絶縁基板1の左右の周縁部に配
列される。
【0015】図1(b) は絶縁基板1の中央部に無機
絶縁膜3を透明電極膜11を覆うパターンで被着して下
側絶縁膜12とした状態を示す。無機絶縁膜3は例えば
窒化シリコンをスパッタ法等により 0.3μmの膜厚
に被着したもので、このほかにも酸化シリコン, アル
ミナ, 酸化タンタル等がこれに用いられる。無機絶縁
膜3のスパッタ時に例えばメタルマスクで絶縁基板1の
周縁部を覆うことにより下側絶縁膜12を図のように下
地膜21を露出させるパターンに形成できる。
【0016】図1(c) は下地膜11上に無電解めっ
き法により金属膜22を被覆して接続端子20を組み込
んだ状態を示す。この実施例では接続端子20がはんだ
付け接続用なので金属膜22には例えばニッケルが用い
られ、このほかにも適宜に銅, 錫, 金, 銀等ない
しはニッケル燐等のそれらの合金が単体あるいは複合し
た形で用いられる。金属膜22の無電解めっきに際して
は、まずその前処理として通例のようにSnCl2を主
成分とする増感液中に浸漬し、かつPdCl2 を主成
分とする活性化液中に浸漬した後に、例えば80℃の無
電解ニッケルめっき浴中に数分間程度浸漬することによ
りニッケルの金属膜22を下地膜21の上に成長させる
。接続端子20用の金属膜22の膜厚は場合に応じて 
0.1〜1μmとされるが、この実施例でははんだ付け
接続用のニッケル膜なので例えば 0.6μm程度とさ
れる。この場合、金属膜22の上にさらにごく薄い 0
.2μm程度の膜厚の金膜を同様に無電解めっき法によ
って被覆して置くのがはんだ付けを容易にする上で望ま
しい。
【0017】なお、無電解めっき用の前述の増感液と活
性化液を用いる前処理の際に、下側絶縁膜11用の無機
絶縁膜3は絶縁基板1のガラスと同様に活性化されない
ので、本発明方法では無電解めっきによって金属膜22
を下側絶縁膜11の外側に露出している下地膜21に対
してのみ選択的に被覆することができる。この金属膜2
2の上に上述の金膜等をさらに無電解めっきする場合も
同じである。
【0018】図1(d) は図2に対応する表示パネル
30の完成状態を示す。図1(c) からこの完成状態
にするには、下側絶縁膜12上に発光活性物質としてマ
ンガンを含む硫化亜鉛からなる発光膜13を電子ビーム
蒸着法等によって例えば 0.6μmの膜厚に,次に再
び窒化シリコンの上側絶縁膜14を 0.3μmの膜厚
にそれぞれ図のパターンに成膜し、さらにアルミを 0
.5μm程度の膜厚で全面被着した上でフォトエッチン
グすることにより裏面電極膜15を図2に示すパターン
に形成する。なお、この裏面電極膜15は絶縁基板1の
左右の周縁部の接続端子20の金属膜22と図2に示す
ように交互に重ねられ、これにより透明導電性膜11と
裏面電極膜15がすべて対応する接続端子20と接続さ
れたことになる。
【0019】図3は本発明の第2実施例を図1(c) 
に対応する無電解めっきの状態で示す。図1の実施例で
は下側絶縁膜12を組み込んだ状態で無電解めっきを行
なったのに対し、この実施例では図示のように下側絶縁
膜12の上に発光膜13と上側絶縁膜14をさらに組み
込んだ状態で無電解めっきを施す点が異なる。上側絶縁
膜14は無機絶縁膜3からなるので、金属膜22は前実
施例と同じく下地膜21の上にのみ選択的に無電解めっ
きされて接続端子20が形成される。
【0020】図4は本発明方法の第3実施例を同様に無
電解めっき工程の状態で示すものである。この実施例で
は、表示パネル30の表示部分を図1(c) ないし図
2の状態とした後さらに裏面電極膜16の上に窒化シリ
コン等からなる保護膜16が設けられるので、この保護
膜16用の無機絶縁膜3を利用して無電解めっきにより
下地膜21を金属膜22で選択的に被覆して接続端子2
0とする。この第3実施例は表示パネル30に対する最
終工程で接続端子20用の金属膜22を被覆するのでそ
の表面が中間工程で汚染されるおそれが少なく、はんだ
付け接続等が容易な利点がある。
【0021】以上の実施例からもわかるように、本発明
方法はこれらの例示に限らず種々な態様で実施すること
ができる。実施例で述べた各部の材料,寸法,工程条件
等はあくまで例示であり、場合ないしは必要に応じ本発
明の要旨内で適宜に変更することが可能である。
【0022】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明では、表示パ
ネルの面内にマトリックス配列された画素の表示駆動用
の外部接続端子を絶縁基板の周縁部に並べて組み込むに
際し、画素の表示電極用の導電性膜を絶縁基板に接して
配設する際に絶縁基板の周縁部の接続端子を配設すべき
個所にこの導電性膜からなる下地膜をそれぞれ形成して
置き、絶縁基板の中央部を表示パネルを構成する無機絶
縁膜により覆った後その外に露出する下地膜の上に無電
解めっき法により接続端子用の金属膜を選択的に被覆す
ることによって、次の効果を得ることができる。
【0023】(a) 絶縁基板の中央部の表示部分を無
機絶縁膜で覆った状態で無電解めっきを施すので金属膜
を接続端子用の下地膜の上にのみ選択的に被覆でき、従
来のように余分な個所に付いた金属膜を除去する必要が
一切なくなって表示パネルの量産を能率的に進めること
ができる。
【0024】(b) 表示パネルの表示部分を構成する
積層膜中の無機絶縁膜を利用して選択性無電解めっきを
施すので量産時のフォトプロセス回数が従来より減少し
て、表示パネルの製造工程を合理化できる。
【0025】(c) 従来のように不要な個所に付いた
フォトレジスト膜や金属膜の除去残渣が表示パネルの表
示部分に残るおそれがなく、残渣による画素の表示欠陥
をなくして画質を向上することができる。
【0026】(d) 従来のように不要な個所に付いた
フォトレジスト膜や金属膜を除去する際に接続端子用金
属膜を傷付けることがないので、表示パネルの外部回路
との接続の信頼性を向上することができる。
【0027】このように、本発明方法は表示パネルの量
産工程の合理化と品質の向上の両面で利点を備え、EL
表示パネル等の表示時の駆動電流が比較的大きく接続端
子に外部回路をはんだ付け接続するのが望ましい場合に
適用して特長をとくに有利に発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の外部接続端子の組み込み方法の第1実
施例を同図(a) から(d) までの主な工程ごとの
状態により示す表示パネルの断面図である。
【図2】図1の表示パネルの完成状態の上面図である。 なお、図1はこの図2のX−X矢視断面に相当する。
【図3】本発明方法の第2実施例を無電解めっき工程の
状態で示す表示パネルの断面図である。
【図4】本発明方法の第3実施例を無電解めっき工程の
状態で示す表示パネルの断面図である。
【図5】従来の外部接続端子の組み込み方法を同図(a
) と(b) の主な工程ごとの状態により示す表示パ
ネルの断面図である。
【図6】従来方法の問題点を示す表示パネルの一部拡大
断面図である。
【符号の説明】
1    絶縁基板 2    導電性膜 3    無機絶縁膜 20    接続端子 21    接続端子用下地膜 22    接続端子用金属膜 30    表示パネル

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表示パネルの面内にマトリックス配列され
    た画素の表示駆動用の外部接続端子を絶縁基板の周縁部
    に並べて組み込む方法であって、画素の表示駆動電極用
    の導電性膜を絶縁基板に接して配設する際に絶縁基板の
    周縁部の接続端子を配設すべき個所にこの導電性膜から
    なる下地膜をそれぞれ形成して置き、絶縁基板の中央部
    を表示パネルを構成する無機絶縁膜により覆った後にこ
    の無機絶縁膜外に露出する下地膜上に無電解めっき法に
    より接続端子用の金属膜を選択的に被覆することを特徴
    とする表示パネルの外部接続端子の組み込み方法。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の方法において、表示パネ
    ルがエレクトロルミネッセンス表示パネルであり、無機
    絶縁膜が発光膜に接する絶縁膜であることを特徴とする
    表示パネルの外部接続端子の組み込み方法。
  3. 【請求項3】請求項2に記載の方法において、無機絶縁
    膜が窒化シリコン,酸化シリコン, アルミナおよび酸
    化タンタル中のいずれかからなることを特徴とする表示
    パネルの外部接続端子の組み込み方法。
  4. 【請求項4】請求項1に記載の方法において、無機絶縁
    膜が表示部分の絶縁基板と反対側の裏面を覆う保護膜で
    あることを特徴とする表示パネルの外部接続端子の組み
    込み方法。
  5. 【請求項5】請求項1に記載の方法において、接続端子
    がはんだ付けによる接続用であり、それ用の金属膜がニ
    ッケル,銅, 錫, 金および銀とその合金との内の少
    なくとも一種からなることを特徴とする表示パネルの外
    部接続端子の組み込み方法。
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