JP3208187B2 - 表示素子の端子引出部の製造方法 - Google Patents
表示素子の端子引出部の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば液晶表示素子
などの表示素子において、ワイヤボンディングによる電
気的接続を行うために、透明導電膜から引出される端子
部の製造方法に関する。
などの表示素子において、ワイヤボンディングによる電
気的接続を行うために、透明導電膜から引出される端子
部の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の液晶表示素子の端子引出
部の斜視図である。このような端子引出構造は、たとえ
ば実公平４−２５７２９号公報において開示されてい
る。図５図示の端子引出部において、基板１上に液晶表
示素子２を外部に接続するため、酸化スズを含む酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ）などの透明導電膜３が形成され、そ
の上にクロム膜４が形成され、さらにその上にアルミ膜
５が形成されている。液晶表示素子２はコンパクト化お
よび高信頼性を図る目的で、液晶表示素子２を駆動する
ための集積回路（ＩＣ）を基板１の一方に搭載してい
る。液晶表示素子２の端子引出部とＩＣの端子部とは、
ワイヤボンディングによって電気的に接続される。この
ように接続する方式をＣＯＧ方式と称する。このワイヤ
ボンディングによって接続を行う場合、液晶表示素子２
の端子引出部の表面は、ボンディングワイヤとの密着強
度の強い材料が必要であるので、アルミ膜５が形成され
ている。また透明導電膜３とアルミ膜５との間は密着強
度が不充分なため、クロム膜４などの中間層を介在さ
せ、密着強度の強化を図っている。
部の斜視図である。このような端子引出構造は、たとえ
ば実公平４−２５７２９号公報において開示されてい
る。図５図示の端子引出部において、基板１上に液晶表
示素子２を外部に接続するため、酸化スズを含む酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ）などの透明導電膜３が形成され、そ
の上にクロム膜４が形成され、さらにその上にアルミ膜
５が形成されている。液晶表示素子２はコンパクト化お
よび高信頼性を図る目的で、液晶表示素子２を駆動する
ための集積回路（ＩＣ）を基板１の一方に搭載してい
る。液晶表示素子２の端子引出部とＩＣの端子部とは、
ワイヤボンディングによって電気的に接続される。この
ように接続する方式をＣＯＧ方式と称する。このワイヤ
ボンディングによって接続を行う場合、液晶表示素子２
の端子引出部の表面は、ボンディングワイヤとの密着強
度の強い材料が必要であるので、アルミ膜５が形成され
ている。また透明導電膜３とアルミ膜５との間は密着強
度が不充分なため、クロム膜４などの中間層を介在さ
せ、密着強度の強化を図っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示素子は、高機
能化および小形化に伴い、配線パターンのピッチが狭く
なってきている。これによって、液晶表示素子の透明導
電膜上に形成された端子引出部の表面積も小さくなり、
充分な密着力が得られなくなる。このため、図６に示す
ようにワイヤボンディング１０を行う場合、液晶表示素
子の端子引出部の一部が、透明導電膜３とクロム膜４と
の界面から剥離してしまうことがある。ここで図６
（ａ）は端子引出部のワイヤボンディングによる剥離状
態の側面図を示し、図６（ｂ）はその斜視図を示したも
のである。このような端子引出部の剥離の原因は、端子
引出部の表面積の減少による密着力の低下もその１つで
あるけれども、この密着力は端子引出部の表面積だけで
決定されるものではない。すなわち、端子引出部の密着
力は、透明導電膜３、クロム膜４、およびアルミ膜５な
どの積層物の密着状態によって大きく影響を受ける。
能化および小形化に伴い、配線パターンのピッチが狭く
なってきている。これによって、液晶表示素子の透明導
電膜上に形成された端子引出部の表面積も小さくなり、
充分な密着力が得られなくなる。このため、図６に示す
ようにワイヤボンディング１０を行う場合、液晶表示素
子の端子引出部の一部が、透明導電膜３とクロム膜４と
の界面から剥離してしまうことがある。ここで図６
（ａ）は端子引出部のワイヤボンディングによる剥離状
態の側面図を示し、図６（ｂ）はその斜視図を示したも
のである。このような端子引出部の剥離の原因は、端子
引出部の表面積の減少による密着力の低下もその１つで
あるけれども、この密着力は端子引出部の表面積だけで
決定されるものではない。すなわち、端子引出部の密着
力は、透明導電膜３、クロム膜４、およびアルミ膜５な
どの積層物の密着状態によって大きく影響を受ける。
【０００４】図７は、従来の端子引出部の断面図であ
る。透明導電膜３、クロム膜４、およびアルミ膜５など
の層は、全て同一面積および同一形状で積層されて、揃
った状態になっている。このような端子引出部を製造す
る場合、基板１に透明導電膜３、クロム膜４およびアル
ミ膜５の３層をスパッタと称する薄膜作成方法によって
成膜する。次にその成膜した上にポジレジストを塗布
し、所定のパターンのマスクを介して露光し、現像を行
い、さらにそれぞれの層のエッチングを行う。このと
き、まず最上層のアルミ膜５用のエッチング液を通して
エッチングを行い、洗浄し、次にクロム膜４用のエッチ
ング液を通してエッチングを行い洗浄する。さらに透明
導電膜３用のエッチング液を通してエッチングを行い、
洗浄する。このようにして、エッチングの工程が完了す
ると、レジスト剥離工程によってポジレジストを剥離
し、所望の端子引出部のパターンを形成することができ
る。ここで注目すべきは、一連の工程の中で、透明導電
膜３のエッチングのとき、エッチング液が透明導電膜３
とクロム膜４の界面に入り込み、その結果、図７のよう
にパターンエッジ部１２がめくれることである。これに
よって、透明導電膜３とクロム膜４との密着力が低下
し、端子引出部全体の密着力の低下をもたらす。
る。透明導電膜３、クロム膜４、およびアルミ膜５など
の層は、全て同一面積および同一形状で積層されて、揃
った状態になっている。このような端子引出部を製造す
る場合、基板１に透明導電膜３、クロム膜４およびアル
ミ膜５の３層をスパッタと称する薄膜作成方法によって
成膜する。次にその成膜した上にポジレジストを塗布
し、所定のパターンのマスクを介して露光し、現像を行
い、さらにそれぞれの層のエッチングを行う。このと
き、まず最上層のアルミ膜５用のエッチング液を通して
エッチングを行い、洗浄し、次にクロム膜４用のエッチ
ング液を通してエッチングを行い洗浄する。さらに透明
導電膜３用のエッチング液を通してエッチングを行い、
洗浄する。このようにして、エッチングの工程が完了す
ると、レジスト剥離工程によってポジレジストを剥離
し、所望の端子引出部のパターンを形成することができ
る。ここで注目すべきは、一連の工程の中で、透明導電
膜３のエッチングのとき、エッチング液が透明導電膜３
とクロム膜４の界面に入り込み、その結果、図７のよう
にパターンエッジ部１２がめくれることである。これに
よって、透明導電膜３とクロム膜４との密着力が低下
し、端子引出部全体の密着力の低下をもたらす。
【０００５】本発明の目的は、透明導電層と、それに積
層される金属導電層との接合部の密着力を強化すること
ができる端子引出部の製造方法を提供することである。
層される金属導電層との接合部の密着力を強化すること
ができる端子引出部の製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、順次下記（ａ
１）〜（ａ９）の各工程を経て透明導電層上に、その金
属導電層の周縁が透明導電層の周縁よりも内側になるよ
うに少なくとも１つの金属導電層を積層して、ワイヤボ
ンディング用パターンが形成されて成る表示素子の端子
引出部の製造方法である。 （ａ１）基板上に透明導電膜と金属膜とを薄膜形成手段
により成膜する。 （ａ２）前記金属膜上にポジレジストを塗布し、所定の
パターンのマスクを介して露光する。 （ａ３）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ａ４）前記金属膜に対し現像された所定のパターンに
基づいてエッチングを行うことで前記金属導電層を成
す。 （ａ５）この金属導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。 （ａ６）金属導電層が形成された透明導電膜上にポジレ
ジストを塗布し、金属導電層のパターンエッジよりも外
側にパターンエッジを形成すべく所定のパターンのマス
クを介して露光する。 （ａ７）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ａ８）前記透明導電膜に対し現像された所定のパター
ンに基づいてエッチングを行うことで前記透明導電層を
成す。 （ａ９）この透明導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。 また本発明は、順次下記（ｂ１）〜（ｂ９）の各工程を
経て透明導電層上に、その金属導電層の周縁が透明導電
層の周縁よりも内側になるように少なくとも１つの金属
導電層を積層して、ワイヤボンディング用パターンが形
成されて成る表示素子の端子引出部の製造方法である。 （ｂ１）基板上に透明導電膜と金属膜とを薄膜形成手段
により成膜する。 （ｂ２）前記金属膜上にポジレジストを塗布し、所定の
パターンのマスクを介して露光する。 （ｂ３）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ｂ４）前記金属膜および透明導電膜に対し現像された
所定のパターンに基づいてエッチングを行うことで前記
透明導電層を成す。 （ｂ５）金属膜上の残余ポジレジストを剥離する。 （ｂ６）金属膜および透明導電層が形成された基板上に
ポジレジストを塗布し、透明導電層のパターンエッジよ
りも内側にパターンエッジを形成すべく所定のパターン
のマスクを介して露光する。 （ｂ７）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ｂ８）前記金属膜に対し現像された所定のパターンに
基づいてエッチングを行うことで前記金属導電層を成
す。 （ｂ９）この金属導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。
１）〜（ａ９）の各工程を経て透明導電層上に、その金
属導電層の周縁が透明導電層の周縁よりも内側になるよ
うに少なくとも１つの金属導電層を積層して、ワイヤボ
ンディング用パターンが形成されて成る表示素子の端子
引出部の製造方法である。 （ａ１）基板上に透明導電膜と金属膜とを薄膜形成手段
により成膜する。 （ａ２）前記金属膜上にポジレジストを塗布し、所定の
パターンのマスクを介して露光する。 （ａ３）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ａ４）前記金属膜に対し現像された所定のパターンに
基づいてエッチングを行うことで前記金属導電層を成
す。 （ａ５）この金属導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。 （ａ６）金属導電層が形成された透明導電膜上にポジレ
ジストを塗布し、金属導電層のパターンエッジよりも外
側にパターンエッジを形成すべく所定のパターンのマス
クを介して露光する。 （ａ７）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ａ８）前記透明導電膜に対し現像された所定のパター
ンに基づいてエッチングを行うことで前記透明導電層を
成す。 （ａ９）この透明導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。 また本発明は、順次下記（ｂ１）〜（ｂ９）の各工程を
経て透明導電層上に、その金属導電層の周縁が透明導電
層の周縁よりも内側になるように少なくとも１つの金属
導電層を積層して、ワイヤボンディング用パターンが形
成されて成る表示素子の端子引出部の製造方法である。 （ｂ１）基板上に透明導電膜と金属膜とを薄膜形成手段
により成膜する。 （ｂ２）前記金属膜上にポジレジストを塗布し、所定の
パターンのマスクを介して露光する。 （ｂ３）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ｂ４）前記金属膜および透明導電膜に対し現像された
所定のパターンに基づいてエッチングを行うことで前記
透明導電層を成す。 （ｂ５）金属膜上の残余ポジレジストを剥離する。 （ｂ６）金属膜および透明導電層が形成された基板上に
ポジレジストを塗布し、透明導電層のパターンエッジよ
りも内側にパターンエッジを形成すべく所定のパターン
のマスクを介して露光する。 （ｂ７）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ｂ８）前記金属膜に対し現像された所定のパターンに
基づいてエッチングを行うことで前記金属導電層を成
す。 （ｂ９）この金属導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。
【０００７】
【作用】本発明に従えば、工程（ａ８）において金属導
電層がポジレジストによって保護されているため、透明
導電層を形成する際に透明導電層と金属導電層の界面に
透明導電層のエッチング液が染み込まない。よって、ワ
イヤボンディング用パターンエッジ部のめくれがない端
子引出部を形成でき、透明導電層とそれに積層されてい
る金属導電層との接合部の密着強度の強化を図ることが
できる。また本発明に従えば、工程（ｂ４）において透
明導電層のエッチング液の染み込みによりめくれが生
じ、透明導電層と金属導電層との密着力が低下している
部分を、工程（ｂ６）〜（ｂ８）において除去するた
め、ワイヤボンディング用パターンエッジ部のめくれが
ない端子引出部を形成できる。よって、透明導電層とそ
れに積層されている金属導電層との接合部の密着強度の
強化を図ることができる。
電層がポジレジストによって保護されているため、透明
導電層を形成する際に透明導電層と金属導電層の界面に
透明導電層のエッチング液が染み込まない。よって、ワ
イヤボンディング用パターンエッジ部のめくれがない端
子引出部を形成でき、透明導電層とそれに積層されてい
る金属導電層との接合部の密着強度の強化を図ることが
できる。また本発明に従えば、工程（ｂ４）において透
明導電層のエッチング液の染み込みによりめくれが生
じ、透明導電層と金属導電層との密着力が低下している
部分を、工程（ｂ６）〜（ｂ８）において除去するた
め、ワイヤボンディング用パターンエッジ部のめくれが
ない端子引出部を形成できる。よって、透明導電層とそ
れに積層されている金属導電層との接合部の密着強度の
強化を図ることができる。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例における液晶表示
素子の端子引出部の斜視図である。基板２１上に液晶表
示素子２２から引出された透明導電膜２３が形成され、
その上にクロム膜２４が形成され、さらにその上にアル
ミ膜２５が形成されている。液晶表示素子２２は、この
端子引出部と透明導電膜２３を介して、電気的に接続さ
れている。液晶表示素子２２は、コンパクト化および高
信頼性を図る目的で、液晶表示素子２２を駆動するため
のＩＣをこの基板２１の一方に搭載している。液晶表示
素子２２の端子引出部とＩＣの端子部とは、ワイヤボン
ディングによって電気的に接続されている。このワイヤ
ボンディングによって接続を行う場合、液晶表示素子２
２の端子引出部の表面は、ボンディングワイヤとの密着
強度の強い材料が必要であるため、アルミ膜２５が形成
されている。また透明導電膜２３とアルミ膜２５との間
の密着強度が不充分なため、クロム膜２４などの中間層
を介在させ、密着強度の強化を図っている。また、クロ
ム膜２４のパターンエッジは透明導電膜用のパターンエ
ッジより内側に形成されており、製造工程におけるエッ
チング液の染み込みによるパターンエッジ部のめくれを
防止している。
素子の端子引出部の斜視図である。基板２１上に液晶表
示素子２２から引出された透明導電膜２３が形成され、
その上にクロム膜２４が形成され、さらにその上にアル
ミ膜２５が形成されている。液晶表示素子２２は、この
端子引出部と透明導電膜２３を介して、電気的に接続さ
れている。液晶表示素子２２は、コンパクト化および高
信頼性を図る目的で、液晶表示素子２２を駆動するため
のＩＣをこの基板２１の一方に搭載している。液晶表示
素子２２の端子引出部とＩＣの端子部とは、ワイヤボン
ディングによって電気的に接続されている。このワイヤ
ボンディングによって接続を行う場合、液晶表示素子２
２の端子引出部の表面は、ボンディングワイヤとの密着
強度の強い材料が必要であるため、アルミ膜２５が形成
されている。また透明導電膜２３とアルミ膜２５との間
の密着強度が不充分なため、クロム膜２４などの中間層
を介在させ、密着強度の強化を図っている。また、クロ
ム膜２４のパターンエッジは透明導電膜用のパターンエ
ッジより内側に形成されており、製造工程におけるエッ
チング液の染み込みによるパターンエッジ部のめくれを
防止している。
【０００９】図２は、図１図示の実施例における液晶表
示素子の端子引出部の製造工程を示す。図２（ａ）図示
の工程は、基板２１上に、ＩＴＯによる透明導電膜（２
０００Ａ）２３、クロム膜（５００Ａ）２４およびアル
ミ膜（１００００Ａ）２５を順次、スパッタと称する薄
膜作成方法によって成膜する。なお、「Ａ」はオングス
トロームを表すものとする。次に図２（ｂ）図示の工程
で、成膜したアルミ膜２５上に、ポジレジスト２６を塗
布し、所定のパターンのマスク２７を介して露光し、図
２（ｃ）図示の工程において現像を行う。次に図２
（ｄ）図示の工程において、現像された所定のパターン
に基づいて、エッチングを行う。まず最上層のアルミ膜
２５に、リン酸を含む混酸溶液などのアルミ用エッチン
グ液を通し、エッチングを行い洗浄する。その後、クロ
ム膜２４に、硝酸第２セリウムアンモニウム溶液などの
クロム用エッチング液を通しエッチングを行い洗浄す
る。次に図２（ｅ）図示の工程では、レジスト剥離を行
い、ポジレジスト２６を剥離し、アルミ膜２５およびク
ロム膜２４を所望のパターンに形成することができる。
図２（ｆ）〜（ｉ）図示の工程は、透明導電膜２３のパ
ターンエッジを、前の工程で形成されたアルミ膜２５お
よびクロム膜２４のパターンエッジよりも５〜１０μｍ
外側に形成するための工程である。図２（ｆ）図示の工
程において、図２（ｅ）図示の工程で形成されたパター
ンに、再度ポジレジスト３０を塗布し、透明導電膜２３
のパターンを形成するためのマスク３１を介して、露光
し、図２（ｇ）図示の工程で現像を行う。図２（ｈ）図
示の工程において、塩酸系混酸などのＩＴＯ透明導電膜
用のエッチング液を通してエッチングを行い、洗浄を行
う。ここで注目すべきは、透明導電膜用のエッチング液
を通すときに、クロム膜２４は、ポジレジスト３０によ
って保護されているため、エッチング液が透明導電膜２
３とクロム膜２４との界面に染み込むことはない。した
がって、クロム膜２４のパターンエッジ部のめくれを防
止することができる。図２（ｉ）図示のレジスト剥離の
工程では、ポジレジスト３０の剥離が行われ、所望のパ
ターンを形成することができる。したがって、アルミや
クロムといった金属導電膜のパターンエッジが透明導電
膜２３のパターンエッジより内側にある引出端子部を形
成することができる。またこの後、透明導電膜の低抵抗
化のために、３００℃で焼成することもできる。
示素子の端子引出部の製造工程を示す。図２（ａ）図示
の工程は、基板２１上に、ＩＴＯによる透明導電膜（２
０００Ａ）２３、クロム膜（５００Ａ）２４およびアル
ミ膜（１００００Ａ）２５を順次、スパッタと称する薄
膜作成方法によって成膜する。なお、「Ａ」はオングス
トロームを表すものとする。次に図２（ｂ）図示の工程
で、成膜したアルミ膜２５上に、ポジレジスト２６を塗
布し、所定のパターンのマスク２７を介して露光し、図
２（ｃ）図示の工程において現像を行う。次に図２
（ｄ）図示の工程において、現像された所定のパターン
に基づいて、エッチングを行う。まず最上層のアルミ膜
２５に、リン酸を含む混酸溶液などのアルミ用エッチン
グ液を通し、エッチングを行い洗浄する。その後、クロ
ム膜２４に、硝酸第２セリウムアンモニウム溶液などの
クロム用エッチング液を通しエッチングを行い洗浄す
る。次に図２（ｅ）図示の工程では、レジスト剥離を行
い、ポジレジスト２６を剥離し、アルミ膜２５およびク
ロム膜２４を所望のパターンに形成することができる。
図２（ｆ）〜（ｉ）図示の工程は、透明導電膜２３のパ
ターンエッジを、前の工程で形成されたアルミ膜２５お
よびクロム膜２４のパターンエッジよりも５〜１０μｍ
外側に形成するための工程である。図２（ｆ）図示の工
程において、図２（ｅ）図示の工程で形成されたパター
ンに、再度ポジレジスト３０を塗布し、透明導電膜２３
のパターンを形成するためのマスク３１を介して、露光
し、図２（ｇ）図示の工程で現像を行う。図２（ｈ）図
示の工程において、塩酸系混酸などのＩＴＯ透明導電膜
用のエッチング液を通してエッチングを行い、洗浄を行
う。ここで注目すべきは、透明導電膜用のエッチング液
を通すときに、クロム膜２４は、ポジレジスト３０によ
って保護されているため、エッチング液が透明導電膜２
３とクロム膜２４との界面に染み込むことはない。した
がって、クロム膜２４のパターンエッジ部のめくれを防
止することができる。図２（ｉ）図示のレジスト剥離の
工程では、ポジレジスト３０の剥離が行われ、所望のパ
ターンを形成することができる。したがって、アルミや
クロムといった金属導電膜のパターンエッジが透明導電
膜２３のパターンエッジより内側にある引出端子部を形
成することができる。またこの後、透明導電膜の低抵抗
化のために、３００℃で焼成することもできる。
【００１０】図３は、本発明の他の実施例における液晶
表示素子の端子引出部の製造工程を示す。本実施例は図
２の実施例に類似し、対応する部分には同一の参照符を
付す。図３（ａ）図示の工程は、基板２１上に、透明導
電膜（２０００Ａ）２３、クロム膜（５００Ａ）２４お
よびアルミ膜（１００００Ａ）２５を順次スパッタと称
する薄膜作成方法で成膜する。次に図３（ｂ）図示の工
程では、成膜したアルミ膜２５上に、ポジレジスト２６
を塗布し、所定のパターンのマスク４０を介して露光
し、図３（ｃ）図示の工程において現像を行う。次に図
３（ｄ）図示の工程において、現像された所定のパター
ンに基づいてエッチングを行う。まず最上層のアルミ膜
２５に、アルミ用エッチング液を通し、エッチングを行
い洗浄する。その後、クロム膜２４に、クロム用エッチ
ング液を通しエッチングを行い洗浄する。さらに透明導
電膜２３に、透明導電膜用エッチング液を通しエッチン
グを行い洗浄する。参照符４１の部分は、透明導電膜２
３のエッチングのときに、エッチング液が透明導電膜２
３とクロム膜２４との界面に入り込み、めくれが生じ、
密着力が低下している部分である。次に図３（ｅ）図示
の工程では、レジストを剥離を行い、ポジレジスト２６
を剥離する。このときの形成されたパターンは、完成さ
れた透明導電膜２１のパターンに各層が全て揃えられた
状態であり、同一形状になる。次に図３（ｆ）図示の工
程では、パターンが形成された基板２１に、再度ポジレ
ジスト４２を塗布する。この後、すでにパターンが形成
されている透明導電膜２３のパターンエッジよりも少し
内側に、アルミ膜２５およびクロム膜２４を形成するよ
うにパターンのマスク４３を行い、露光し、図３（ｇ）
図示の工程で現像を行う。これは、図３（ｄ）図示の工
程で形成された密着力の低下している部分４１を除去す
るためである。次に図３（ｈ）図示の工程において、現
像された所定のパターンに基づいてエッチングを行う。
まず最上層のアルミ膜２５に、アルミ用エッチング液を
通し、エッチングを行い洗浄する。その後、クロム膜２
４に、クロム用エッチング液を通し、エッチングを行い
洗浄する。したがって、この工程において図３（ｄ）図
示の工程で形成された密着力の低下している部分４１を
除去することができる。図３（ｉ）図示の工程では、レ
ジスト剥離を行い、ポジレジスト４２を剥離し、所望の
パターンを形成することができる。したがって、アルミ
およびクロムといった金属導電膜のパターンエッジが透
明導電膜のパターンエッジより内側にある端子引出部を
形成することができる。
表示素子の端子引出部の製造工程を示す。本実施例は図
２の実施例に類似し、対応する部分には同一の参照符を
付す。図３（ａ）図示の工程は、基板２１上に、透明導
電膜（２０００Ａ）２３、クロム膜（５００Ａ）２４お
よびアルミ膜（１００００Ａ）２５を順次スパッタと称
する薄膜作成方法で成膜する。次に図３（ｂ）図示の工
程では、成膜したアルミ膜２５上に、ポジレジスト２６
を塗布し、所定のパターンのマスク４０を介して露光
し、図３（ｃ）図示の工程において現像を行う。次に図
３（ｄ）図示の工程において、現像された所定のパター
ンに基づいてエッチングを行う。まず最上層のアルミ膜
２５に、アルミ用エッチング液を通し、エッチングを行
い洗浄する。その後、クロム膜２４に、クロム用エッチ
ング液を通しエッチングを行い洗浄する。さらに透明導
電膜２３に、透明導電膜用エッチング液を通しエッチン
グを行い洗浄する。参照符４１の部分は、透明導電膜２
３のエッチングのときに、エッチング液が透明導電膜２
３とクロム膜２４との界面に入り込み、めくれが生じ、
密着力が低下している部分である。次に図３（ｅ）図示
の工程では、レジストを剥離を行い、ポジレジスト２６
を剥離する。このときの形成されたパターンは、完成さ
れた透明導電膜２１のパターンに各層が全て揃えられた
状態であり、同一形状になる。次に図３（ｆ）図示の工
程では、パターンが形成された基板２１に、再度ポジレ
ジスト４２を塗布する。この後、すでにパターンが形成
されている透明導電膜２３のパターンエッジよりも少し
内側に、アルミ膜２５およびクロム膜２４を形成するよ
うにパターンのマスク４３を行い、露光し、図３（ｇ）
図示の工程で現像を行う。これは、図３（ｄ）図示の工
程で形成された密着力の低下している部分４１を除去す
るためである。次に図３（ｈ）図示の工程において、現
像された所定のパターンに基づいてエッチングを行う。
まず最上層のアルミ膜２５に、アルミ用エッチング液を
通し、エッチングを行い洗浄する。その後、クロム膜２
４に、クロム用エッチング液を通し、エッチングを行い
洗浄する。したがって、この工程において図３（ｄ）図
示の工程で形成された密着力の低下している部分４１を
除去することができる。図３（ｉ）図示の工程では、レ
ジスト剥離を行い、ポジレジスト４２を剥離し、所望の
パターンを形成することができる。したがって、アルミ
およびクロムといった金属導電膜のパターンエッジが透
明導電膜のパターンエッジより内側にある端子引出部を
形成することができる。
【００１１】図４は、以上の各実施例における液晶表示
素子の端子引出部のパターン構成図である。この端子引
出部において実際にＩＣとのワイヤボンディングを行
い、そのときの条件は、九州松下電器株式会社製ワイヤ
ボンディンダＨＷ２２００を使用し、接続は３２μｍ金
線を使用して行った。この場合の端子引出部のパターン
の状態は、従来品と比較した結果、従来品より良好な密
着性を示した。すなわち図６図示のような剥離状態は発
生しなかった。
素子の端子引出部のパターン構成図である。この端子引
出部において実際にＩＣとのワイヤボンディングを行
い、そのときの条件は、九州松下電器株式会社製ワイヤ
ボンディンダＨＷ２２００を使用し、接続は３２μｍ金
線を使用して行った。この場合の端子引出部のパターン
の状態は、従来品と比較した結果、従来品より良好な密
着性を示した。すなわち図６図示のような剥離状態は発
生しなかった。
【００１２】また、本発明の実施例では、導電層として
アルミを使用し、中間層としてクロムを使用した場合に
ついて説明したけれども、導電層として、金、銀などの
ボンディングワイヤとの密着力のよい材料、また中間層
としてニッケル、チタンなどの材料を使用してもよいの
は勿論である。また製造工程を増やして、中間層と最上
層との形状を異なったものとしてもよい。さらに、導電
層と透明導電層のエッチング工程を分けた製造方法にお
いては、透明導電層のエッチング液がアルミなどの導電
層に接触しないため、透明導電層の膜質の選択自由度は
大きくなる。
アルミを使用し、中間層としてクロムを使用した場合に
ついて説明したけれども、導電層として、金、銀などの
ボンディングワイヤとの密着力のよい材料、また中間層
としてニッケル、チタンなどの材料を使用してもよいの
は勿論である。また製造工程を増やして、中間層と最上
層との形状を異なったものとしてもよい。さらに、導電
層と透明導電層のエッチング工程を分けた製造方法にお
いては、透明導電層のエッチング液がアルミなどの導電
層に接触しないため、透明導電層の膜質の選択自由度は
大きくなる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、順次（ａ
１）〜（ａ９）の各工程、もしくは順次（ｂ１）〜（ｂ
９）の各工程を経るので、ワイヤボンディング用パター
ンエッジ部のめくれがない端子引出部を形成でき、透明
導電層とそれに積層されている金属導電層との接合部の
密着強度の強化を図ることができる。したがって、端子
引出部を本発明の製造方法により製造すれば、ワイヤボ
ンディング時の配線パッドの剥がれを防止することがで
き、端子引出部の信頼性および製造歩留まりを向上させ
ることができる。
１）〜（ａ９）の各工程、もしくは順次（ｂ１）〜（ｂ
９）の各工程を経るので、ワイヤボンディング用パター
ンエッジ部のめくれがない端子引出部を形成でき、透明
導電層とそれに積層されている金属導電層との接合部の
密着強度の強化を図ることができる。したがって、端子
引出部を本発明の製造方法により製造すれば、ワイヤボ
ンディング時の配線パッドの剥がれを防止することがで
き、端子引出部の信頼性および製造歩留まりを向上させ
ることができる。
【図１】本発明の一実施例における液晶表示素子の端子
引出部の斜視図である。
引出部の斜視図である。
【図２】図１図示の実施例における液晶表示素子の端子
引出部の製造工程を示す断面図である。
引出部の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施例における液晶表示素子の端
子引出部の製造工程を示す断面図である。
子引出部の製造工程を示す断面図である。
【図４】図１および図３図示の実施例における液晶表示
素子の端子引出部のパターン構成を示す平面図である。
素子の端子引出部のパターン構成を示す平面図である。
【図５】従来の液晶表示素子の端子引出部の斜視図であ
る。
る。
【図６】従来のワイヤボンディング時の端子引出部にお
ける導電層の剥離例を示す断面図および斜視図である。
ける導電層の剥離例を示す断面図および斜視図である。
【図７】従来の端子引出部の断面図である。
２１ 基板 ２２ 液晶表示素子 ２３ 透明導電膜 ２４ クロム膜 ２５ アルミ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−145496（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−195285（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−103479（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1345 G09F 9/00 348
Claims (2)
- 【請求項１】順次下記（ａ１）〜（ａ９）の各工程を経
て透明導電層上に、その金属導電層の周縁が透明導電層
の周縁よりも内側になるように少なくとも１つの金属導
電層を積層して、ワイヤボンディング用パターンが形成
されて成る表示素子の端子引出部の製造方法。 （ａ１）基板上に透明導電膜と金属膜とを薄膜形成手段
により成膜する。 （ａ２）前記金属膜上にポジレジストを塗布し、所定の
パターンのマスクを介して露光する。 （ａ３）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ａ４）前記金属膜に対し現像された所定のパターンに
基づいてエッチングを行うことで前記金属導電層を成
す。 （ａ５）この金属導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。 （ａ６）金属導電層が形成された透明導電膜上にポジレ
ジストを塗布し、金属導電層のパターンエッジよりも外
側にパターンエッジを形成すべく所定のパターンのマス
クを介して露光する。 （ａ７）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ａ８）前記透明導電膜に対し現像された所定のパター
ンに基づいてエッチングを行うことで前記透明導電層を
成す。 （ａ９）この透明導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。 - 【請求項２】順次下記（ｂ１）〜（ｂ９）の各工程を経
て透明導電層上に、その金属導電層の周縁が透明導電層
の周縁よりも内側になるように少なくとも１つの金属導
電層を積層して、ワイヤボンディング用パターンが形成
されて成る表示素子の端子引出部の製造方法。 （ｂ１）基板上に透明導電膜と金属膜とを薄膜形成手段
により成膜する。 （ｂ２）前記金属膜上にポジレジストを塗布し、所定の
パターンのマスクを介して露光する。 （ｂ３）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ｂ４）前記金属膜および透明導電膜に対し現像された
所定のパターンに基づいてエッチングを行うことで前記
透明導電層を成す。 （ｂ５）金属膜上の残余ポジレジストを剥離する。 （ｂ６）金属膜および透明導電層が形成された基板上に
ポジレジストを塗布し、透明導電層のパターンエッジよ
りも内側にパターンエッジを形成すべく所定のパターン
のマスクを介して露光する。 （ｂ７）前記ポジレジストに対し現像を行う。 （ｂ８）前記金属膜に対し現像された所定のパターンに
基づいてエッチングを行うことで前記金属導電層を成
す。 （ｂ９）この金属導電層上の残余ポジレジストを剥離す
る。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26171392A JP3208187B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 表示素子の端子引出部の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26171392A JP3208187B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 表示素子の端子引出部の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06110073A JPH06110073A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3208187B2 true JP3208187B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=17365676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26171392A Expired - Fee Related JP3208187B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 表示素子の端子引出部の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3208187B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516067B1 (ko) * | 1998-08-03 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 패널 |
| TWI299914B (en) * | 2004-07-12 | 2008-08-11 | Epistar Corp | Light emitting diode with transparent electrically conductive layer and omni directional reflector |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609273B2 (ja) * | 1977-05-24 | 1985-03-08 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JPS6239425Y2 (ja) * | 1980-12-15 | 1987-10-07 | ||
| JPH01195285A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Stanley Electric Co Ltd | メタライズガラス基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26171392A patent/JP3208187B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06110073A (ja) | 1994-04-22 |
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